UNIVERSIDAD AUTONOMA DEL CARIBE INGENIERIA MECANICA

ELECTROTECNIA

SEMICONDUCTORES

GRUPO: BD

PRESENTADO POR: ALVARO JOSE CABALLERO GUTIERREZ

VII SEMESTRE

FEBRERO DE 2013 BARRANQUILLA/COLOMBIA

Introduccion Existen materiales de dos tipos los tipo N y los tipo P a continuacion veremos como apartir de la contaminacion de semiconductores se crean los diferentes tipos y que porcentaje de valencia y que elementos son usados para que se comporten ya sean como tipo N o como tipo C.

Semiconductores extrnsecos Son materiales semiconductores puros contaminados con impurezas en mnimas proporciones (una partcula entre un milln). A este proceso de contaminacin se le denomina dopaje. Segn el tipo de dopaje que se le realice al material existen dos tipos: - Tipo N: En este caso se contamina el material con tomos de valencia 5, como son Fsforo (P), Arsnico (As) o Antimonio (Sb). Al introducirlos, fuerzo al quinto electrn de este tomo a vagar por el material semiconductor, pues no encuentra un lugar estable en el que situarse. Al conjunto de estos electrones se les llama electrones mayoritarios.

- Tipo P: En este caso se contamina el material semiconductor con tomos de valencia 3, como son Boro (B), Galio (Ga) o Indio (In). Si se introduce este tomo en el material, queda un hueco donde debera ir un electrn. Este hueco se mueve fcilmente por la estructura como si fuese un portador de carga positiva. En este caso, los huecos son portadores mayoritarios.

Resumen: Los semiconductores tipo N tienen exceso de portadores de carga negativos (electrones) y los semiconductores tipo P tienen exceso de portadores de carga positiva (huecos).

En la figura se muestra un material de tipo p y otro de

tipo n colocados juntos para formar una unin. Esto representa un modelo simplificado de construccin del diodo. El modelo ignora los cambios graduales en la concentracin de impurezas en el material. Los diodos prcticos se construyen como una sola pieza de material semiconductor, en la que un lado se contamina con material de tipo de y el otro con material de tipo n. Los materiales ms comunes utilizados en la construccin de diodos son tres; germanio, silicio y arsenurio de galio. En general, en silicio ha reemplazado al germanio en los diodos debido a su mayor barrera de energa que permiten la operacin a temperaturas ms altas, y los costos de material son mucho menores. El arsenurio de galio es particularmente til en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La distancia precisa en el que se produce el cambio de material de tipo p a tipo n en el cristal vara con la tcnica de fabricacin. La caracterstica esencial de la unin pn es que el cambio en la concentracin de impurezas se debe producir en una distancia relativamente corta. De otra manera, la unin no se comporta como un diodo. C abran una regin desrtica en la vecindad de la unin, Este fenmeno se debe a la combinacin de huecos y electrones donde se unen los materiales. La regin desrtica tendr muy pocos portadores.

Conclusion Para los materiales tipo N se contaminan con 5 atomos de valencia como son Fsforo, Arsnico o Antimonio y para los tipos P con 3 atomos de valencia como son Boro, Galio o Indio. El arsenurio de galio es particularmente til en aplicaciones de alta frecuencia y microondas. La distancia precisa en el que se produce el cambio de material de tipo p a tipo n en el cristal vara con la tcnica de fabricacin