Informe tl494

66.
10 - Circuitos electr onicos II Informe: Fuente Conmutada Trabajo Pr actico
Figueroa, Gonzalo Tempone, Nicol as Manikis, Andr es
84255 84548 84321
1.er cuatrimestre 2009
66.10 - Circuitos electr onicos II
Informe: Fuente Conmutada
Indice
1. Objetivos 2. Introducci on 3. Desarrollo 3.1. Elecci on de los componentes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.1. Inductor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.2. Capacitor de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.3. Diodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.4. Transistores de conmutaci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.5. N ucleo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.6. Circuito de control . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.7. Fusible . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.8. Resistoe de sensado . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.1.9. Resistores de carga . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2. Elecci on de los disipadores de calor . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.1. Disipador del diodo MUR820 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2.2. Disipador para el transistor de salida . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3. Mediciones . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1. Regulaci on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.2. Eciencia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.3. Valores de continua y temperatura . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.4. Fotos del equipo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4. Conclusiones 4.1. Conictos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2. Conclusiones generales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5. Anexos 5.1. Anexo I - Instrumentos utilizados . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.2. Anexo II - Hojas de dato . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 3 5 5 6 6 6 7 8 9 9 9 10 10 10 11 12 12 13 15 16 20 20 21 22 22 23
Figueroa - Manikis - Tempone
1.
Objetivos
El objetivo de este trabajo es dise nar, construir y medir una fuente conmutada (Switch Mode Power
Supply, o SMPS) que cumpla con las siguientes especicaciones: Tensi on de Entrada: 8 - 16 V Tensi on Nominal: 5 V Corriente Nominal: 5 A Por otra parte, otras especicaciones se dejan al criterio de los dise nadores, y se expondr an y denir an en este informe.
2.
Introducci on
Hay tres topolog as b asicas en uso actualmente para fuentes conmutadas (en adelante SMPS): Buck Boost Buck-Boost Todas estas topolog as son no aisladas (las tensiones de entrada y salida comparten una u nica masa)
pero otras topolog as derivadas de esta existen y proveen aislaci on. Ahora bien, dependiendo de las condiciones de funcionamiento, habr a que optar por diferentes conguraciones. Una idea de las situaciones en las que cada topolog a se utiliza se da en la Figura 1.
Figura 1: Topolog as comunmente usadas. Extraido de [5] Al elegir la topolog a lo primero que hay que determinar es la relaci on de tensi on entre la entrada y la salida. Debido a la naturaleza de cada conguraci on, no todas las topolog as pueden producir todas las relaciones de tensi on (y polaridad) existentes. As , se utilizar a (en el caso m as sencillo) una topolog a Buck cuando Vin > Vout , y la polaridad de la salida sea la misma que la de la entrada. Este es el caso del trabajo actual, por lo que se decidi o utilizar dicha topolog a. El funcionamiento de la topolog a Buck se muestra en los siguientes gr acos de la Figura 2.
Figura 2: Funcionamiento de la topolog a Buck. Extraido de [2]
3.
3.1.
Desarrollo
Elecci on de los componentes
La elecci on de los componentes se realiz o considerando que la fuente trabaja en modo continuo. Para obtener los valores de los componentes que forman la etapa de potencia se propusieron algunos par ametros adem as de las especicaciones: Tensi on de salida: Vo = 5 V. Tensi on de ripple: Vo = 0,5 V. Corriente m axima de salida: Io (max) = 5 A. Variaci on de corriente en el inductor: I = 0,5 A. Tensi on m nima de entrada: Vi min = 8 V. Tensi on m axima de entrada: Vi max = 16 V. Frecuencia de trabajo: f = 40 KHz. Ciclo de trabajo: D = 0,48. A continuaci on se presenta la conguraci on a utilizar con la forma de onda de los componentes en cuesti on:
Figura 3: Conguraci on Buck - formas de onda
3.1.1.
Inductor
Para el c alculo del inductor se parte de la ecuaci on que describe su comportamiento: i t Dado que la tensi on entre los bornes del inductor es constante en todo tiempo la ecuaci on anterior se v(t) = L puede escribir de la siguiente manera: I (1) ton Como se puede apreciar la variaci on de corriente en el inductor es lineal y est a espresada en funci on del D tiempo en el cual la llave (gura 3) se encuentra cerrada. ton se puede expresar como ton = . Entonces f la ecuaci on 1 se puede escribir como: Vi Vo = L L (Vi (max) Vo ) D = 264 H I f
Cabe destacar que en este caso Vi = Vi (max) ya que se tiene en cuenta el peor caso. 3.1.2. Capacitor de salida
Para el calculo del capacitor se parte de la ecuaci on: ton to I + I Q 4 4 C= = V 2 Vo C=

I D 4f D)I I + (14 f = 4f 2 Vo 2 Vo
I = 43,4 F 8 f Vo
En lo que respecta al capacitor tambi en se calcul o la ESR (equivalent series resistance) de la siguiente manera: ESRmax 3.1.3. Diodo Vo = 0,1 I
Para la elecci on del diodo se tuvieron en cuenta: La corriente m axima que circula. La tensi on m axima a la que puede ser sometido en reversa. La potencia que es capaz de disipar. 1.er cuatrimestre 2009 Figueroa - Manikis - Tempone 6
La velocidad de conmutaci on. Para cumplir con estas especicaciones se eligi o el modelo MUR820 que posee las siguientes caracter sticas: IF = 8 A. VR = 200 V. P = 12 W. t = 35 ns. 3.1.4. Transistores de conmutaci on
Los transistores de conmutaci on fueron elegidos para operar como un par cuasidarlington, como se muestra en la gura:
Figura 4: Cuasidarlington Se procur o trabajar con transistores de alta velocidad de conmutaci on. En nuestro caso del orden de los 100ns a 1s. Esto es asi porque la idea es que el tiempo de conmutaci on sea despreciable dentro de el ciclo de trabajo y como nosotros trabajamos con 40kHz el per odo es 25s. Entonces es l ogico tomar
tiempos de conmutaci on del orden de lo indicado. Se tuvieron en cuenta tambi en corrientes y tensiones Colector-Emisor como adem as potencia disipada. Para el caso del NPN la tensi on m axima entre colector se da cuando el diodo se pone en directa llevando el emisor del aproximadamente a masa y cuando la tensi on de entrada es de 18V. Entonces la tensi on m axima entre colector y emisor es de aproximadamente 18V. La corriente m axima coincide con la m axima del inductor y, como se explica en el apartado del fusible, es de 5.5A. Por u ltimo, se puede aproximar la potencia media m axima teniendo en cuenta que, seg un el circuito de control el transistor se conecta cuando mucho la mitad del per odo. Teniendo en cuenta eso u ltimo y que cuando est a conectado, la corriente es de 5.5A y la tensi on VCE es de aproximadamente 2V, la potencia media ser a de 5.5W. De todas maneras, debido a que en los momentos de conmutaci on la potencia disipada es mucho mayor y ademas que puede llegar a circular un poco m as corriente debido a dispersiones, no es absurdo tomar un potencia bastante mayor. Respecto al PNP, los valores de corriente son apreciablemente menores (alrededor de 20 veces). Es por esto que con 1A de corriente alcanza y sobra. Respecto a la tensi on m axima, se puede hacer un c alculo r apido acot andola por 18V despreciando ca das en el diodo y en la juntura base-emisor del NPN. De todas formas, 18V es mucho menor de los valores m aximos de VCE de los transistores del mercado. La potencia sobre este transistor resulta considerablemente menor que en el NPN debido a la ganancia de corriente de este u ltimo. El transistor PNP elegido fue el MJE2955 y sus carater sticas son: IC = 10 A. VCE = 60 V. P = 75 W. t = 300 ns. El transistor NPN elegido fue el MJE13009 y sus carater sticas son: IC = 12 A. VCE = 400 V. P = 110 W. t = 1 s. 3.1.5. N ucleo
A priori se opt o por un n ucleo toroidal y se realizaron los c alculos pertienentes en funci on del tipo de material y las dimensiones del mismo. Como primera prueba, y despu es de realizar los c alculos (ver anexo), se utilizaron tres tipos de n ucleos del fabricante Elemon. Sin embargo, se concluy o que dichos n ucleos estaban destinados a trabajar 1.er cuatrimestre 2009 Figueroa - Manikis - Tempone 8
en saturaci on. Por esta raz on se decidi o trabajar con un n ucleo tipo E del mismo fabricante el cual permiti o implementar un entrehierro que permite extender el l mite de saturaci on del n ucleo. 3.1.6. Circuito de control
Como integrado de control se opt o por el TL494. La elecci on fue esa dado que permite abordar el problema del dise no de una fuente conmutada sin tener que utilizar componentes discretos para el controlador pero al mismo tiempo permite acceder a sus componentes internos de forma tal de poder tener un mayor nivel de conguraci on. Adem as tiene la ventaja did actica de poder adentrarse en el funcionamiento de los controladores para estas fuentes. Este integrado adem as se adapta perfectamente a las especicaciones tanto de frecuencia como de tensiones y corrientes especicadas. 3.1.7. Fusible
Para el c alculo del fusible se tuvo en cuenta el pico m aximo de corriente. La corriente de entrada del circuito es la que circula por el transistor de paso cuando este esta cerrado. A su vez, esta corriente es la que circula por el inductor. Teniendo en cuenta que la corriente m axima corriente media del inductor es 5A y que el IL es de 0.5A, una cota para la corriente instant anea m axima es 5.5A. Para contemplar incertezas de c alculo, de componentes y de efectos que no se hayan tenido en cuenta se eligi o un fusible de 8A. Es importante aclarar que no hab a ning un componente que se pudiera da nar con esa corriente. Adem as, de producirse un desperfecto en alg un lugar es esperable que la corriente de entrada supere ampliamente los 8A de manera que el fusible se destruir a sin problemas. 3.1.8. Resistoe de sensado
La resistencia de sensado se coloca para proveer al circuito de la capacidad de limitar la corriente m axima que circula de modo tal de evitar sobrecargas y con ello la destrucci on o deterioro de alg un componente. La metodolog a de proteccion por la cual se opt o fue colocar una resistencia de sensado en serie con la carga y comparar con un operacional la tensi on sobre esta resistencia con una tensi on prejada con un preset. Si la tension de sensado supera a la de referencia entonces el operacional que las compara dentro del TL494 presenta una tensi on a la salida que hace se abra el transistor de paso. Se eligi o para la resistencia de sensado un valor de 0,1 y se calibr o con un preset la tensi on de referencia de modo tal que esta sea de aproximadamente 0.5V. Cabe aclarar que la resistencia de sensado deb a ser de un valor lo sucientemente bajo como para que la ca da de tensi on sobre esta no afecte apreciablemente a la tensi on de salida. Tambi en hay que comentar que la potencia m axima sobre esta resistencia es de (5A)2 0,1 = 2,5W por lo cual se eligi o 5 W.
3.1.9.
Resistores de carga
Los valores necesaior de carga fueron 1, 2 y 10. Esto para probar el circuito con 10 %, 50 % y 100 % de carga. Se tuvo en cuenta la potencia disipada en cada caso y para lograr satisfacer los requisitos en los casos de mayor potencia se conect o m as de un resistor.
3.2.
3.2.1.
Elecci on de los disipadores de calor

Disipador del diodo MUR820
Para el diodo MUR820 se tiene que la temperatura de juntura es: Tj = 175 C Tomando un factor del 80 porciento de este valor como l mite para obtener un cierto rango de seguridad, se tiene que la m axima temperatura de juntura ser a: Tj(max) = 140 C La potencia disipada por el diodo podemos estimarla como la tensi on en directa (VD 1,2 V) por la corriente m axima que circula por el diodo. Por lo tanto: Pj(max) = VD Io(max) 1,2V 5,5 A = 6,6 W La resistencia t ermica JC es de JC = 3 C/W Consideraremos despreciable a CA frente a las resistencias t ermicas del disipador. Con estos datos, se llega a que debe conseguirse un disipador con una resistencia t ermica de DA 16 C/W Se eligi o el siguiente disipador[6]: Art culo: 5245D Perfil U:20x25x20 1.5mm espesor Altura: 20mm Resistencia T ermica: 15o c/w
10
3.2.2.
Disipador para el transistor de salida
Para el transistor MJE13009 (NPN) se tiene que la temperatura de juntura es: Tj = 150 C Tomando un factor del 80 porciento de este valor como l mite para obtener un cierto rango de seguridad, se tiene que la m axima temperatura de juntura ser a: Tj(max) = 120 C La potencia disipada por el diodo podemos estimarla como la tensi on de saturaci on (Vsat 2 V) por la corriente m axima que circula por el transistor. Por lo tanto: Pj(max) = Vsat Io(max) 2V 5,5 A = 11 W La resistencia t ermica JC es de JC = 1,14 C/W Con estos datos, se llega a que debe conseguirse un disipador con una resistencia t ermica de DA 8,5 C/W Se eligi o el siguiente disipador[6]: Art culo 7525 ZD-37 Dimensiones: Base 44mm - Altura 14mm - Espesor n ucleo central 2.5mm Superficie: 178 mm2 Resistencia t ermica: 8o C/W para 75mm
11
3.3.
3.3.1.
Mediciones
Regulaci on
Para observar y medir la regulaci on, se tomaron las siguientes mediciones, tanto al 10 % de carga como al 50 %. No pudieron en este caso realizarse las mediciones al 100 % de la carga debido a que la fuente calentaba demasiado y peligraba la integridad del proyecto. Por esta raz on se decidi o no medir a carga m axima, mientras que se continuaron midiendo los otros par ametros y valores. Luego se revi o este tema, notando que el problema de la temperatura se deb a principalmente a que el n ucleo estaba saturando, y en menor medida a que los tiempos de conmutaci on del transistor de salida eran demasiado elevados. Por esta raz on se cambiaron estos componentes m as tarde, y se pudo volver a medir (ver secci on Eciencia, por ejemplo) al 100 % de carga, obteniendo esta vez mejores resultados. Sin embargo, falt o tiempo para volver a medir los datos que presentamos a continuaci on y que, como queda dicho, corresponden al dise no anterior que levantaba temperatura. Carga 10 % Vi 8 8,5 9 9,5 10 10,5 11 11,5 12 12,5 13 13,5 14 14,5 15 15,5 16 Vo 4,93 4,95 4,97 4,98 4,99 4,99 4,99 4,99 5 5 5 5 5 5 5 5 5 Iin 0,43 0,43 0,42 0,42 0,42 0,42 0,42 0,42 0,42 0,41 0,41 0,41 0,41 0,42 0,42 0,42 0,42 RL = 10 Io 0,493 0,495 0,497 0,498 0,499 0,499 0,499 0,499 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 Carga 10 % Vi 8 8,5 9 9,5 10 10,5 11 11,5 12 12,5 13 13,5 14 14,5 15 15,5 16 Vo 4,75 4,78 4,83 4,88 4,91 4,95 4,97 4,99 4,99 4,99 5 5 5 5 5 5 5 Iin 0,625 0,61 0,585 0,56 0,545 0,525 0,515 0,505 0,505 0,505 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 0,5 RL = 10 Io 2,375 2,39 2,415 2,44 2,455 2,475 2,485 2,495 2,495 2,495 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5
Con las mediciones del cuadro anterior se realiz o un gr aco de la tensi on de salida en funci on de la de entrada, para cada una de las cargas (10 % y 50 %).
12
Aqu puede verse que los resultados obtenidos son bastante buenos, ya que a la tensi on nominal de 12 Volts de entrada, la salida se mantiene pr acticamente en 5 Vols, y a un en el peor caso (entrada de 8 Volts al 50 % de carga) la diferencia con respecto a la salida deseada es s olo del 5 %. 3.3.2. Eciencia
Se realizaron las siguientes mediciones:

Carga 10 % Vi 8 12 16 Carga 50 % Vi 8 12 16 Carga 100 % Vi 8 12 16 Ii 3.97 3.7 3.48 Pi 31.76 44.4 55.68 Vo 4.88 4.99 5.02 Io 4.88 4.99 5.02 Po 23.8144 24.9001 25.2004 Ii 2.18 1.48 1.13 Pi 17.44 17.76 18.08 Vo 4.93 5.04 5.07 Io 2.465 2.52 2.535 Po 12.1524 12.7008 12.8525 Ii 0.39 0.28 0.22 Pi 3.12 3.36 3.52 Vo 4.91 5 5.04 Io 0.491 0.5 0.504 Po 2.41081 2.5 2.54016 RL = 10 Eciencia 0.77 0.74 0.72 RL = 2 Eciencia 0.70 0.71 0.71 RL = 1 Eciencia 0.75 0.56 0.45
13
Con estos datos, se traz o el siguiente gr aco, que muestra la eciencia alcanzada en para cada valor de carga, en funci on de la tensi on de entrada:
14
3.3.3.
Valores de continua y temperatura
Tambi en se midieron las tensiones de continua en todos los pines del integrado TL494, que se muestran a continuaci on. Luego, se dan tambi en los valores de las temperaturas medidas de la carga, el transistor (Tr), el disipador y el diodo. Carga al 10 % Pines 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 Tensi on [V] 2,5 2,5 3,5 0,03 1,449 3,612 0,002 11,36 0,001 0,002 11,37 12,21 0,002 4,92 0,407 0,002 Carga al 50 % Pines 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 Tensi on [V] 2,506 2,504 3,503 0 1,449 3,619 0 12,24 0 0 12,24 12,31 0 4,92 0,406 0
Vcc Vout Vload V(Rsensado) Darlington VB VC VE carga disipador Tr diodo
12,2 5,02 4,96 0,05 11,42 5,05 12,2 100 C 41 C 47 C 40 C
Vcc Vout Vload V(Rsensado) Darlington VB VC VE carga disipador Tr diodo
11,94 4,93 4,65 0,218 12,23 4,9 11,87 109 C 60 C 105 C 80 C
15
3.3.4.
Fotos del equipo
Figura 5: Equipo con n ucleo torodial. Las siguientes im agenes han sido tomadas del equipo en funcionamiento, para las condiciones de carga al 10 % y al 50 %.
16
Figura 6: Tensi on de salida. Carga 10 %.
Figura 7: Tensi on sobre Diodo. Carga 10 %.
17
Figura 8: Tensi on sobre el transistor: VCE . Carga 10 %.
Figura 9: Tensi on sobre Diodo. Carga 50 %.
18
Figura 10: Tensi on sobre el transistor: VCE . Carga 50 %.
19
4.
4.1.
Conclusiones
Conictos
Durante el desarrollo del trabajo nos encontramos con varias situaciones conictivas. De los transistores de paso Originalmente, se decidi o trbajar con un d arlington PNP como transistor de paso. Es sabido que los transistores PNP son m as lentos que los NPN pero dada la conguraci on de salida del TL494, de conectar un TBJ, este deb a ser PNP. A la hora de probar el desempe no de la fuente pudimos apreciar que los transistores levantaban una temperatura extremadamente alta incluso con una carga baja. Acto seguido reemplazamos este d arlington por un cuasid arlington cuya 1er etapa es PNP y segunta etapa es NPN logrando resultados mejores. Del n ucleo Una vez reemplazado el d arlington por un cuasid arlington nos dispusimos a subir la carga y lo primero que notamos fue que los transistores volv an a calentar desmesuradamente. Midiendo la tensi on en el nodo de uni on transistor/diodo/inductor pudimos vericar que el n ucleo estaba saturando. Llegamos a esta conclusi on ya que primero la tensi on en este punto igualaba a la de entrada (se cerraba el transistor) pero luego, y antes de que el transistor se abriera la tensi on en el punto igualaba a la de salida lo cual solo se pod a explicar con la saturaci on ya que en esta condici on el inductor se comporta como un cable. Asimismo este comportamiento explicaba el enorme calentamiento de los transistores ya que, al disminuir la tensi on el el punto de uni on hasta llegar al valor de la tensi on de salida, la tensi on VCE aumentaba a valores signicativos pero el transistor segu a conduciendo logrando as que la potencia disipada por este aumentara en una gran proporci on. Como se menciona en otros lugares de este documento, la soluci on provisoria fue conectar varios inductores en serie de modo tal de lograr un inductor equivalente con un n ucleo m as grande. Luego, como soluci on denitiva denimos comprar un inductor en forma de E el cual permiti o propiciarle un entrehierro de modo de aumentar el l mite de saturaci on del n ucleo. Los resultados fueron inmediatos, la temperatura disminuy o notablemente y pudimos vericar con el osciloscopio que el n ucleo ya no saturaba. Del cuasid arlington Si bien ambas modicaciones comentadas ayudaron a aumentar la eciencia en enormes proporciones, no se logr o superar una cierta velocidad de conmutaci on (ver gura 7). Esto se debe a que en esta conguraci on las es dif cil despolarizar la base de PNP y lleva cierta cantidad de tiempo.
20
Una forma de salvar este problema es colocando a la salida del TL494 un totem-pole el cual permitir a que las cargas tengan un camino por el cual moverse r apidamente logrando as una conmutaci on m as veloz.
4.2.
Conclusiones generales
Finalmente, resulta preciso concluir el informe con algunas apreciaciones sobre el resultado nal del proyecto y las cosas que creemos, debemos mejorar o han quedado en el tintero. La realizaci on de este proyecto constituy o un primer acercamiento a la teor a y pr actica del dise no de fuentes conmutadas. Los conictos citados previamente consumieron tiempos apreciables sin embargo, podemos decir que han colmado nuestras inquietudes e implicaron un crecimiento signicativo de nuestra experiencia a la hora de enfrentarnos con problemas de la misma ndole. Comparando los objetivos con el resultado nal, podemos decir que hemos llegado a implementar lo pedido con ciertas restricciones que fueron producto de la transici on de la teor a a la pr actica. Adem as, un porcentaje de las limitaciones del equipo nal se lo atribu mos al tiempo que tuvimos y a los componentes que conseguimos en el mercado. A pesar de los inconvenientes y vicisitudes rescatamos el valor de los conocimientos adquiridos sobre esta rama tan interesante de la ingenier a electr onica.
Buenos Aires, 24 de julio de 2009.
21
5.
5.1.
Anexos
Anexo I - Instrumentos utilizados
A continuaci on se presenta una lista de los instrumentos utilizados para realizar las medidicones. Osciloscopio Tektronix: Ancho de banda: 50 MHz Fuente de alimentaci on: Vout = 0 20 V; Ioutmax = 3 A Mult metro digital: Modelo: Uni-T 60 A
22
5.2.
Anexo II - Hojas de dato
23
MUR805, MUR810, MUR815, MUR820, MUR840, MUR860, MURF860

Preferred Devices
SWITCHMODEt Power Rectifiers

This series are stateoftheart devices designed for use in switching power supplies, inverters and as free wheeling diodes.
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Leads are Readily Solderable
1 3 TO220AC CASE 221B PLASTIC 1 3 TO220 FULLPAK CASE 221E STYLE 1
MARKING DIAGRAMS
AY
WWG U8xx KA
AYWWG MURF860 KA
A Y WW U8XX G KA *For additional information on our PbFree strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.
= = = =
Assembly Location Year Work Week Device Code xx = 05, 10, 15, 20, 40, or 60 = PbFree Package = Diode Polarity
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package dimensions section on page 7 of this data sheet. Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value.
Semiconductor Components Industries, LLC, 2008
June, 2008 Rev. 9
Publication Order Number: MUR820/D
24

MAXIMUM RATINGS
MUR Rating Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage Average Rectified Forward Current Total Device, (Rated VR), TC = 150C Peak Repetitive Forward Current (Rated VR, Square Wave, 20 kHz), TC = 150C Nonrepetitive Peak Surge Current (Surge applied at rated load conditions halfwave, single phase, 60 Hz) Operating Junction Temperature and Storage Temperature Range Symbol VRRM VRWM VR IF(AV) IFM IFSM TJ, Tstg 805 50 810 100 815 150 820 200 840 400 860 600 Unit V
8.0 16 100 65 to +175
A A A C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
THERMAL CHARACTERISTICS
MUR Rating Maximum Thermal Resistance, JunctiontoCase Thermal Resistance, JunctiontoCase Thermal Resistance, JunctiontoAmbient Thermal Resistance, JunctiontoAmbiente MURF860 MURF860 Symbol RqJC RqJC RqJA RqJA 805 810 3.0 4.75 73 75 815 820 840 2.0 860 Unit C/W C/W C/W C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
MUR Rating Maximum Instantaneous Forward Voltage (Note 1) (iF = 8.0 A, TC = 150C) (iF = 8.0 A, TC = 25C) Maximum Instantaneous Reverse Current (Note 1) (Rated DC Voltage, TJ = 150C) (Rated DC Voltage, TJ = 25C) Maximum Reverse Recovery Time (IF = 1.0 A, di/dt = 50 A/ms) (IF = 0.5 A, iR = 1.0 A, IREC = 0.25 A) 1. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle 2.0%. Symbol vF 805 810 815 820 840 1.00 1.30 860 1.20 1.50 Unit V
0.895 0.975 250 5.0 35 25
iR
500 10 60 50
mA
trr
ns
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2
25

MUR805, MUR810, MUR815, MUR820
100 IR, REVERSE CURRENT ( mA) 70 50 1000 TJ = 175C
100
10
30 i F , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS) 20
100C 25C
1.0
0.1 0.01 0 20 40 60 80 100 120 140 160 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 180 200
10 7.0 5.0
Figure 2. Typical Reverse Current*

3.0 2.0 100C 25C IF(AV) , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS) TJ = 175C 1.0 0.7 0.5 10 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 140 150 160 170 180 TC, CASE TEMPERATURE (C) SQUARE WAVE dc RATED VR APPLIED * The curves shown are typical for the highest voltage device in the grouping. Typical reverse current for lower voltage selections can be estimated from these same curves if VR is sufficiently below rated VR.
0.3 0.2
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 vF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Typical Forward Voltage
Figure 3. Current Derating, Case
PF(AV) , AVERAGE POWER DISSIPATION (WATTS)
IF(AV) , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
14 12 dc 10 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 TA, AMBIENT TEMPERATURE (C) dc SQUARE WAVE SQUARE WAVE RqJA = 16C/W RqJA = 60C/W (NO HEAT SINK)
10 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10 IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS) SQUARE WAVE dc TJ = 175C
Figure 4. Current Derating, Ambient
Figure 5. Power Dissipation
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3
26

MUR840
100 IR, REVERSE CURRENT ( mA) 70 50 1000 TJ = 175C 150C 100C 25C 1.0
100
10
30 i F , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS) 20
0.1 0.01 0 50 100 150 200 250 300 350 400 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS) 450 500
10 7.0 5.0 TJ = 175C 3.0 100C 2.0 IF(AV) , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS) 10 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 140 150 160 170 180 TC, CASE TEMPERATURE (C) SQUARE WAVE dc RATED VR APPLIED 25C

* The curves shown are typical for the highest voltage device in the grouping. Typical reverse current for lower voltage selections can be estimated from these same curves if VR is sufficiently below rated VR.
1.0 0.7 0.5
0.3 0.2
0.1 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 vF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
14 12 10 8.0 6.0 4.0 2.0 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 TA, AMBIENT TEMPERATURE (C) SQUARE WAVE dc SQUARE WAVE dc RqJA = 16C/W RqJA = 60C/W (NO HEAT SINK)
10 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.0 8.0 9.0 10 IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS) SQUARE WAVE dc TJ = 175C
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4
27

MUR860, MURF860
100 IR, REVERSE CURRENT ( mA) 70 50 TJ = 150C 30 i F , INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT (AMPS) 20 100C 25C 1000 TJ = 150C
100
10
100C
1.0 25C
0.1 0.01 100
10 7.0 5.0
200
300 400 500 VR, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
600

3.0 2.0 IF(AV) , AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS) 10 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 140 SQUARE WAVE dc RATED VR APPLIED * The curves shown are typical for the highest voltage device in the grouping. Typical reverse current for lower voltage selections can be estimated from these same curves if VR is sufficiently below rated VR.
1.0 0.7 0.5
0.3 0.2
0.1 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 vF, INSTANTANEOUS VOLTAGE (VOLTS)
150
160
170
180
TC, CASE TEMPERATURE (C)
10 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 SQUARE WAVE dc SQUARE WAVE dc RqJA = 16C/W RqJA = 60C/W (NO HEAT SINK)
14 13 12 11 10 9.0 8.0 7.0 6.0 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 0 0 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0
SQUARE WAVE dc
TJ = 175C
6.0
7.0
8.0
9.0
10
TA, AMBIENT TEMPERATURE (C)
IF(AV), AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPS)
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5
28

r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE (NORMALIZED) 1.0 D = 0.5 0.5 0.1 0.05 0.01 ZqJC(t) = r(t) RqJC RqJC = 1.5C/W MAX t1 SINGLE PULSE 0.02 0.01 0.01 t2 DUTY CYCLE, D = t1/t2 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 t, TIME (ms) 5.0 10 20 D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT T1 TJ(pk) - TC = P(pk) ZqJC(t) 50 100 200 500 1000
0.2 0.1 0.05
P(pk)
Figure 16. Thermal Response

10 r(t), TRANSIENT THERMAL RESPONSE (NORMALIZED) (C/W) D = 0.5 1.0 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.01 SINGLE PULSE t1 t2 DUTY CYCLE, D = t1/t2 0.0001 0.001 0.01 t, TIME (s) 0.1 1.0
0.1
P(pk)
ZqJC(t) = r(t) RqJC RqJC = 1.6C/W MAX D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 TJ(pk) - TC = P(pk) ZqJC(t) 10 100 1000
0.001 0.000001
0.00001
Figure 17. Thermal Response, (MURF860) JunctiontoCase (RqJC)
r(t), TRANSIENT THERMAL RESPONSE (NORMALIZED) (C/W)
100
D = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01
10
1.0 P(pk) ZqJC(t) = r(t) RqJC RqJC = 1.6C/W MAX D CURVES APPLY FOR POWER PULSE TRAIN SHOWN READ TIME AT t1 TJ(pk) - TC = P(pk) ZqJC(t) 10 100 1000
0.1
0.01
SINGLE PULSE
t1 t2 DUTY CYCLE, D = t1/t2 0.0001 0.001 0.01 t, TIME (s) 0.1 1.0
0.001 0.000001
0.00001
Figure 18. Thermal Response, (MURF860) JunctiontoAmbient (RqJA)
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6
29
MJE2955T
MJE2955T
General Purpose and Switching Applications
DC Current Gain Specified to IC = 10 A High Current Gain Bandwidth Product : fT = 2MHz (Min.)
TO-220 2.Collector 3.Emitter
1.Base
PNP Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings TC=25C unless otherwise noted
Symbol VCBO VCEO VEBO IC IB PC PC TJ TSTG Parameter Collector-Base Voltage Collector-Emitter Voltage Emitter-Base Voltage Collector Current Base Current Collector Dissipation (TC=25C) Collector Dissipation (Ta=25C) Junction Temperature Storage Temperature Value - 70 - 60 -5 - 10 -6 75 0.6 150 - 55 ~ 150 Units V V V A A W W C C
Electrical Characteristics TC=25C unless otherwise noted

Symbol BVCEO ICEO ICEX1 ICEX2 IEBO hFE VCE(sat) VBE (on) fT Parameter Collector- Emitter Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Collector Cut-off Current Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current * DC Current Gain * Collector-Emitter Saturation Voltage * Base-Emitter ON Voltage Current Gain Bandwidth Product Test Condition IC= - 200mA, IB = 0 VCE = - 30V, IB = 0 VCE = - 70V, VBE(off) = 1.5V VCE = - 70V, VBE(off) = 1.5V @ TC = 150C VEB = - 5V, IC = 0 VCE = - 4V, IC = - 4A VCE = - 4V, IC = - 10A IC = - 4A, IB = - 0.4A IC = - 10A, IB = - 3.3A VCE = - 4V, IC = - 4A VCE = - 10V, IC = - 500mA 2 20 5 Min. -60 Max. -700 -1 -5 -5 100 -1.1 -8 -1.8 V V V MHz Units V A mA mA mA
* Pulse test: PW300s, duty cycle2% Pulse
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, February 2001
30
MJE2955T
Typical Characteristic
VBE(sat), VCE(sat)[V], SATURATION VOLTAGE
1000
-10
VCE = -2V
IC = 10IB
hFE, DC CURRENT GAIN
100
-1
VBE(sat)
10
-0.1
V CE(sat)
1 -0.01
-0.1
-1
-10
-0.01 -0.1
-1
-10
-100
IC[A], COLLECTOR CURRENT
Figure 1. DC current Gain
Figure 2. Base-Emitter Saturation Voltage Collector-Emitter Saturation Voltage
-100
105
90
PC[W], POWER DISSIPATION
75
-10
10 0
DC
5m s
1m s
60
45
-1
30
15
-0.1 -1 -10 -100
0 0 25 50
o
75
100
125
150
175
VCE [V], COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE
TC[ C], CASE TEMPERATURE
Figure 3. Safe Operating Area
Figure 4. Power Derating
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, February 2001
31
MJE13009
HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
I I
I I I
STMicroelectronics PREFERRED SALESTYPE HIGH VOLTAGE CAPABILITY MINIMUM LOT-TO-LOT SPREAD FOR RELIABLE OPERATION LOW BASE-DRIVE REQUIREMENTS VERY HIGH SWITCHING SPEED FULLY CHARACTERIZED AT 125oC
3 1 2
APPLICATIONS I ELECTRONIC TRANSFORMER FOR HALOGEN LAMPS I SWITCH MODE POWER SUPPLIES DESCRIPTION The MJE13009 is a high voltage Multiepitaxial Mesa NPN transistor mounted in Jedec TO-220 plastic package. It uses a Hollow Emitter structure to enhance switching speeds.
TO-220
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Symbol V CEO V CEV V EBO IC I CM IB I BM IE I EM P tot T stg Tj Parameter Collector-Emitter Voltage (I B = 0) Collector-Emitter Voltage (V BE = -1.5 V) Emitter-Base Voltage (I C = 0) Collector Current Collector Peak Current (t p 10 ms) Base Current Base Peak Current (t p 10 ms) Emitter Current Emitter Peak Current Total Power Dissipation at T c 25 o C Storage Temperature Max. Operating Junction Temperature Value 400 700 9 12 25 6 12 18 36 110 -65 to 150 150 Unit V V V A A A A A A W
o o
C C 1/6
November 2002
32
MJE13009
THERMAL DATA
R thj-case Thermal Resistance Junction-case Max 1.14
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase = 25 oC unless otherwise specified)

Symbol I CEV I EBO Parameter Test Conditions T case = 100 o C Min. Typ. Max. 1 5 1 400 Unit mA mA mA V
Collector Cut-off V CE = 700 V Current (V EB = -1.5 V) V CE = 700 V Emitter Cut-off Current (I C = 0) V EB = 9 V I C = 10 mA
V CEO(sus) Collector-Emitter Sustaining Voltage (I B = 0) V CE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage
IC = 5 A IC = 8 A I C = 12 A IC = 8 A T case = 100 o C IC = 5 A IC = 8 A IC = 8 A T case = 100 o C IC = 5 A IC = 8 A I C = 500 mA V CB = 10 V
IB IB IB IB
= = = =
1A 1.6 A 3A 1.6 A
1 1.5 3 2
V V V V V V V
V BE(sat)
Base-Emitter Saturation Voltage
IB = 1 A I B = 1.6 A I B = 1.6 A V CE = 5 V V CE = 5 V V CE = 10 V f = 0.1 MHz 8 6 4 180
1.2 1.6 1.5 40 30
h FE fT C OB
DC Current Gain Transition Frequency Output Capacitance (I E = 0) RESISTIVE LOAD Turn-on Time Storage Time Fall Time
MHz pF
t on ts tf
V CC = 125 V I B1 = -IB2 = 1.6 A Duty Cycle 1
I C = 8A t p = 25 s (see figure 2)
1.1 3 0.7
s s s
Pulsed: Pulse duration = 300s, duty cycle 2 %
Safe Operating Areas
Derating Curve
2/6
33
MJE13009
DC Current Gain DC Current Gain
Collector Emitter Saturation Voltage
Base Emitter Saturation Voltage
Inductive Load Fall Time
Inductive Load Storage Time
3/6
34
Referencias
[1] Patrick Grith. Designing Switching Voltage Regulators With the TL494 Texas Instrument, Application Report SLVA001D - December 2003 - Revised February 2005. [2] Everett Rogers. Understanding Buck Power Stages in Switchmode Power Supplies Texas Instrument, Application Report SLVA057. Marzo 1999. [3] Mart Brown, Motorola. Practical Switching Power Supply Design. ISBN 0-12-137030-5. [4] L. Wuidart. Topologies for Switched mode Power Supplies. STMicroelectronics AN513/0393. 1999. [5] SWITCHMODE Power Supplies - Reference Manual and Design Guide. ON Semiconductor SMPSRM/D. Rev. 3B, July-2002 [6] www.disipadores.com
35

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66.

10 - Circuitos electr onicos II Informe: Fuente Conmutada Trabajo Pr actico

Figueroa, Gonzalo Tempone, Nicol as Manikis, Andr es

84255 84548 84321

1.er cuatrimestre 2009

66.10 - Circuitos electr onicos II

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1.er cuatrimestre 2009

Figueroa - Manikis - Tempone

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Figura 2: Funcionamiento de la topolog a Buck. Extraido de [2]

1.er cuatrimestre 2009

Figueroa - Manikis - Tempone

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Figura 3: Conguraci on Buck - formas de onda

1.er cuatrimestre 2009

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Para el calculo del capacitor se parte de la ecuaci on: ton to I + I Q 4 4 C= = V 2 Vo C=

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Elecci on de los disipadores de calor

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Disipador para el transistor de salida

1.er cuatrimestre 2009

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Se realizaron las siguientes mediciones:

1.er cuatrimestre 2009

Figueroa - Manikis - Tempone

66.10 - Circuitos electr onicos II

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1.er cuatrimestre 2009

Figueroa - Manikis - Tempone