DEPARTEMENT E.E.

A
Electronique Electrotechnique - Automatique www.creea.u-bordeaux.fr

Physique et technologie des composants de puissance

Luc LASNE, universit de Bordeaux 1

lasne@creea.u-bordeaux.fr

08 / 10 / 2003

I) Semi-conducteurs naturels et dops

On appelle semi-conducteur un matriau lectriquement intermdiaire entre isolant et conducteur. En effet, les valeurs usuelles de la conductivit () des isolants sont comprises entre 1.e-11 et 1.e-19 S/cm et celles des conducteurs entre 6.e7 et 1.e4 S/cm. Il existe pourtant des corps qui ont une rsistivit intermdiaire comprise entre 1.e3 et 1.e-6 S/cm, on les appelle des semi-conducteurs. On sait qu'au sein des structures cristallines de la matire, les lectrons ont des nergies distinctes qui appartiennent certains ensembles de valeurs appeles bandes d'nergies. Les bandes de faible nergie correspondent des lectrons participant au maintien de la structure cristalline, ce sont les lectrons dits de Valence. Les bandes de hautes nergies correspondent des lectrons quasi "libres" de se dtacher de la structure et qui par consquent peuvent participer une conduction lectrique. On distingue isolants et conducteurs par la diffrence d'nergie qu'il existe entre ces bandes, appele le "gap" (le foss). Energie (eV) Bande de Conduction Gap ~ 7eV Bande de Valence Bandes d'nergies pour un isolant 1.e-19 < < 1.e-11 S/cm Bande de Valence Bandes d'nergies pour un conducteur 1.e4 < < 6.e7 .cm Energie (eV) Bande de Conduction Gap = 0 eV

Energie (eV) Bande de Conduction Bande de Valence Bandes d'nergies pour un semi-conducteur 1.e-6 < < 1.e3 .cm Dans les isolants, la bande de conduction est habituellement vide, le fait d'apporter assez d'nergie pour y faire passer des porteurs en masse s'appelle le "claquage" et c'est un phnomne gnralement destructif. Dans les conducteurs, la conductivit diminue avec la temprature puisque l'agitation thermique pnalise le mouvement organis des porteurs libres. Dans les semi-conducteurs, le gap assez faible permet des porteurs de passer dans la bande de conduction simplement grce leur nergie d'agitation thermique, ainsi le semiconducteur "intrinsque" en tant que mauvais conducteur ou mauvais isolant a lui une conductivit qui augmente avec la temprature Gap ~ 1eV

Les matriaux semi-conducteurs naturels, dits "intrinsques", sont : le Silicium (Si) et le Germanium (Ge).

I 1 ) Conduction dans les semi conducteurs intrinsques Dans un semi-conducteur intrinsque, quand un lectron est muni d'une nergie suffisante l'extraire de la structure cristalline, il devient un "porteur libre" qui peut tre mis en mouvement en prsence d'un champ lectrique. Il laisse ainsi derrire lui un ion reprsentant une charge positive que l'on appelle un "trou". Si un lectron voisin se libre et vient se recombiner avec le trou, il laisse derrire lui une nouvelle charge positive. On peut ainsi considrer que le trou s'est dplac par combinaisons d'lectrons. La structure cristalline du Silicium pur est la suivante : Si Si Si Vitesse V Electron libre Charge: q=-e Si Trou "libre" Charge : q=e Si Si Si Si

Champ lectrique : E Ainsi, dans la matire, le courant gnr par le champ lectrique sera la somme du courant d'lectrons et du courant de trous. p : trous n : lectrons

J = Jp + Jn L' aptitude la conduction lectrique est chiffre par la conductivit du matriau qui est l'inverse de la rsistivit ( = 1/) et qui relie la densit de courant J au champ lectrique E. J=.E Or, pour chaque type de porteurs : J=q.n.V o V est la vitesse moyenne des porteurs, n la densit des porteurs libres. V est li au champ lectrique par un coefficient appel la mobilit. V=.E Donc : J=q.n..E pour chaque type de porteurs. Dans le cas d'une conduction dite "bipolaire", c'est dire avec deux types de charges (lectrons et trous) et avec n et p les concentrations respectives en porteurs libres : J=(n.n + p.p).e.E et = (n.n + p.p).e Si le semi-conducteur est extrmement pur, n = p. 3

La conductivit du silicium intrinsque est donc lie essentiellement au nombre de porteurs libres qui lui varie avec la temprature. La loi de variation de n est : n = A.T 3 . exp(

Eg ) k .T
1.e14

o : Eg est la hauteur du gap = 1.1eV K est la constante de Boltzmann (8.62.E-5 eV) T est la temprature en Kelvin On reprsente l'volution de la concentration des porteurs libres en fonction de la temprature sur la courbe ci-contre :

n (cm-3)

4.e12 1.e10 1.e5 0

T(K) 200 300 400 500

I 2 ) Conduction dans les semi conducteurs extrinsques ou "dops" Pour palier la forte dpendance la temprature des semi conducteurs intrinsques, on peut "doper" ceux-ci, c'est dire insrer dans la structure cristalline des atomes ayant soit 3 soit 5 lectrons de valence. Il y aura donc respectivement autant de trous et d'lectrons libres que d'atomes apports, et ce quelque soit la temprature. On peut ainsi fixer la concentration en porteurs libres c'est dire la conductivit. Si on dope avec des atomes "donneurs" d'lectrons on parle de dopage de type N, si on dope avec des atomes accepteurs d'lectrons on parle de dopage de type P.

Dopage de type N Si Si Si Electron libre = 5me lectron de valence de l'atome d'arsenic. Aucun trou n'est cr.

Si

Si

Ar

Si

Si

1 atome dopant = 1 charge N

quelque soit la temprature

Dopage de type P Si Si Si Trou libre = carence d'un lectron de valence de l'atome de phosphore.

Si

Si

Si

Si

1 atome dopant = 1 charge P

quelque soit la temprature

Ainsi, en dopant une concentration donne, on impose une conductivit donne jusqu' une certaine temprature. Exemple d'un dopage de type N une 1.e14 concentration N=1.E14 cm-3, en pointill l'volution de la concentration des porteurs libres "intrinsques" dus l'agitation thermique.
4.e12 1.e10 1.e5 0

N (cm-3)

T(K) 200 300 400 500

Ainsi, pour chaque cas de dopage, on distinguera les porteurs dits "majoritaires" c'est dire apports par le dopage et les porteurs "minoritaires" c'est dire du la temprature uniquement.

DOPAGE de type P :

Trous majoritaires lectrons minoritaires Conductivit fixe : p.P.e avec P=cte

DOPAGE de type N : Electrons majoritaires trous minoritaires Conductivit fixe : n.N.e avec N=cte
Pour finir, les figures suivantes montrent l'influence du champ lectrique et de la temprature sur la vitesse moyenne des porteurs, c'est dire l'volution de la mobilit. V cm/s La vitesse moyenne des porteurs 1.e7 lectrons sature partir de 10000V/cm, c'est trous dire que diminue fortement 1.e6

100 5.e3 La temprature affecte la mobilit 1.e3 puisque les collisions dsordonnes la drive moyenne des porteurs dans la matire. 1.e2

1000

10000

100000

E (v/cm)

lectrons trous 0 50 100 150 T C

-50

Pour rsumer : La conductivit crot avec la concentration N ou P et diminue avec la temprature et avec le champ lectrique partir de 10000V/cm NB : On remarquera que la mobilit des lectrons est toujours suprieure celle des trous.

I 3 ) Conductivit et utilisation en fonction du dopage

Ordres de grandeurs des dopages :

1.e13 atomes dopants par cm3 : Faible injection, faible conductivit vocabulaire : Semi-conducteur de type P+ ou N+ 1.e19 atomes dopants par cm3 : Forte injection, forte conductivit vocabulaire : Semi-conducteur de type P- ou Nentre deux : dopage moyen vocabulaire : Semi-conducteur de type P ou N

Utilisation des semi-conducteurs dops: On utilise les divers semi-conducteurs dops au sein de structures de type jonction PN ou de canal P entour de N et inversement. Une couche faiblement dope sert "tenir" une certaine tension maximale, c'est dire rpartir le champ lectrique au sein du semi-conducteur de faon ne pas atteindre des fortes valeurs locales en dpit d'une tension extrieure importante. On se sert aussi de semi conducteur de type P- ou N- pour privilgier la conduction par diffusion (voir plus tard) Une couche fortement dope sert raliser une bonne "injection", c'est dire un apport de porteurs majoritaires.

II La jonction PN et les composants biplaires

La jonction PN est la base de la structure des diodes et des transistors, on sait qu'elle ne permet le passage du courant que dans un sens, cependant son fonctionnement n'est pas limit cela et mrite une attention toute particulire. D'autre part, une comprhension qualitative des mcanismes mis en jeu dans une jonction PN suffit dgager les principales caractristiques et les principales contraintes directement applicables pour les composants de puissance. Regardons ce qui se passe progressivement quand on forme une jonction PN

P n

concentrations des porteurs libres

concentrations des porteurs libres

position

N p

position

TYPE P porteurs majoritaires : trous porteurs minoritaires : lectrons

TYPE N porteurs majoritaires : lectrons porteurs minoritaires : trous

1re Phase : collage des deux substrats

Les porteurs libres de part et d'autre de la jonction vont se recombiner, puisque des lectrons libres majoritaires sont mis en prsence de trous libres majoritaires. Les charges se dplacent par diffusion naturelle.
2re Phase : formation de la zone de charge d'espace (ZCE)

Zone vide de porteurs libres

La recombinaison massive autour de la jonction fait apparatre une zone lectriquement neutre appele Zone de Charge d'Espace (ZCE) P
concentrations des porteurs libres

N
position : x

3re Phase : Le champ lectrique de la ZCE, jonction stabilise

ZCE
P

Les charges fixe laisses par le dpart des porteurs libres voisins de la ZCE provoquent une polarisation lectrique de la ZCE, c'est dire un champ lectrique interne . P n p
position : x

A ce stade de l'volution de la jonction, Le dplacement par diffusion des charges s'oppose l'action du champ lectrique . Aux alentours de la ZCE : Action du champ (F = q.)

Tendance de diffusion

Tendance de diffusion Action du champ (F = q.)

L'quilibre de la jonction est atteint quand l'action du champ est rigoureusemement gale celle de la diffusion naturelle, c'est dire que le courant de diffusion = le courant dit de saturation (celui cr par le champ). Le champ interne de la jonction va donc l'encontre de la circulation des porteurs et donc du courant lectrique. Pour imposer un courant, il faudra vaincre le champ interne. II 1) Polarisation inverse et tenue en tension inverse

Considrons une jonction PN l'quilibre, avec substrat P de concentration P, substrat N de concentration N. P > N (c'est le cas classique) exemple : P=1.e18 cm-3 N=1.e13 cm-3 Polarisons la avec tension extrieure Vext<0

Vext <0

ext > 0

i=0

Vext
potentiel lectrique U(x) xn Emax champ lectrique E(x)

Sous une tension ngative, le champ externe s'ajoute au champ interne, la ZCE va donc s'tendre jusqu' un nouvel quilibre diffusion champ lectrique. Ce phnomne va l'encontre d'un passage de courant : On dit que la diode est bloque.

Plus la ZCE s'tend, plus le champ lectrique maximal au sein de la jonction sera important. On montre que Emax = -xn.e.N/, ce champ sera donc d'autant plus grand que la concentration N sera grande. Si ce champ dpasse environ 20KV/mm, l'nergie des porteurs acclrs devient suffisante pour briser les liaisons covalentes et gnrer de nouvelles paires lectron-trou, on appelle ce phnomne l'avalanche. Augmenter la tenue en tension inverse d'une jonction revient abaisser le champ maximum et donc doper faiblement. C'est le rle de la partie N- dope 1.e13cm-3. 8

II -2) Polarisation directe, conduction par champ et par diffusion

Avec une tension extrieure Vext>0, on cre un champ lectrique dans la jonction qui est oppos au champ propre . La rsultante des champs sera positive si ext > (c'est le seuil de la diode). Ainsi, un courant de trous et d'lectrons va pouvoir circuler.

Vext >0
N

P+

ext > 0

Vext >0
Cependant, le phnomne de conduction qui conduit au courant i est loin d'tre aussi simple que dans le cas d'un conducteur classique, en effet, aprs avoir franchi la zone de charge d'espace, les porteurs arrivent en masse en tant que porteurs minoritaires dans une zone o ils pourront se recombiner. Il faut donc comptabiliser pour chaque type de porteur, ceux qui vont se recombiner et ceux qui arriveront jusqu' l'lectrode oppose.

Vext >0

P+

rsultant > 0

Recombinaison

On peut comptabiliser ces phnomnes en regardant l'volution des concentrations le long de la jonction pendant la conduction. On dtaille sur la figure suivante les types de conduction pour les trous uniquement, il en serait de mme pour les lectrons. 9

Concentration P n

rsultant > 0
Jp Jn p x N

Conduction par champ lectrique des trous majoritaires

Ln
Conduction sans obstacle dans la ZCE
Conduction par champ lectrique des trous restants Conduction par diffusion des trous devenus minoritaires

Comme Jp(x) = Np(x).e.Vp et Jn(x) = -Nn(x).e.Vn, le courant i sera gal : i = J.S = (Jp + Jn).S = cte pour Vext=cte et T=cte La conduction par champ lectrique est la conduction classique qui implique une chute de tension l'tat passant et donc une perte par effet joule. La conduction par diffusion est une conduction naturelle qui ne ncessite pas de champ lectrique et donc non dissipative et sans chute de tension l'tat passant. Elle fait apparatre une donne importante : la longueur de diffusion des porteurs : L. (L = (D.) o D est le coefficient de diffusion et la dure de vie des porteurs.)

Ainsi, pour profiter de la diffusion, on est tent de construire des diodes "courtes" o la moiti de la conduction se fera par diffusion, mais cela impliquera malheureusement une mauvaise tenue en tension. P(x) P(x)

diode "courte", W << Ln, trs peu de chute de tension l'tat passant, mauvaise tenue en tension inverse W P(x)

diode "longue", W >> Ln, grande chute de tension l'tat passant, bonne tenue en tension inverse

diode intermdiaire, W Ln

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II -3) Recouvrement inverse Si on superpose les concentrations l'tat passant et l'tat bloqu sur un mme graphe, la diffrence majeure se situe sur la concentration en minoritaires de part et d'autres de la ZCE.

concentrations P n
Charge stocke pendant la conduction : Qs

polarisation inverse polarisation directe N p x

On constate en effet la prsence d'une concentration supplmmentaire des minoritaires entre la zone de charge d'espace et la fin de la diffusion. Cette rpartition reprsente une charge, qui n'existe pas en tat de bloquage de la jonction, ainsi, lors de l'inversion du champ lectrique (si on repasse en tension de polarisation ngative), ces charges vont disparatre sous la forme d'un courant ngatif jusqu' puisement des porteurs en excs. On appelle ce phnomne le recouvrement inverse de la diode. C'est un phnomne trs important en commutation et donc en lectronique de puissance. Il suffit, pour en comprendre les consquences, d'observer de prs une commutation de la diode ci-dessous dans un environnement trs simple: V i R

V(t) i(t) avant la commutation t

V(t) i(t) Irrm

Qs

puisement des porteurs t

trr diode conductrice en inverse Le recouvrement inverse sera d'autant plus court (trr petit) que le courant inverse sera fort (Irrm grand), ce qui peut tre un norme inconvnient pour le circuit. D'autre part, le temps de recombinaison des porteurs est li leur dure de vie (), il sera d'autant plus court que sera petit.

On peut donc maintenant recenser les caractristiques d'une diode permettant de rpondre aux exigences de l'lectronique de puissance.

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II -4) Le dilemme du composant bipolaire de puissance

Contraintes principales de l'lectronique de puissance : Forte tenue en tension inverse Faible chute de tension l'tat passant Grande rapidit d'tablissement et d'interruption des tensions et courants Faible recouvrement inverse. Pour avoir une forte tenue en tension inverse, on va faiblement doper un des deux substrats (le N), ainsi, la ZCE va s'tendre plus du ct N. Pour garantir une faible chute de tension l'tat passant, c'est dire profiter de la diffusion, on va imposer une longueur de diffusion grande devant l'paisseur de la portion N, Ln>W implique > W/Dn. Ainsi, la charge stocke pendant la conduction sera d'autant plus grande, d'o un recouvrement inverse important. Ce recouvrement reprsente un temps de recouvrement inverse trr important qui impose une limite en frquence d'utilisation incompatible avec la contrainte de rapidit de la diode. Les diffrents paramtres de la diode vont en sens inverse les uns des autres par rapport aux contraintes de l'lectronique de puissance. C'est ce qu'on peut appeler le dilemme du composant bipolaire.
II -5) Conclusion Finalement, on peut rsumer les paramtres importants d'une diode en lectronique de puissance avec la caractristique statique et la forme d'onde de commutation.

Id If rd Vrrm Vf Vd

La caractristique statique donne : If : courant direct efficace Vf : chute en tension l'tat passant Vrrm : tension max inverse rd : rsistance l'tat passant

Id(t) La caractristique en bloquage donne : trrm : le temps de recouvrement inverse sous un certain courant de recouvrement Irm Ceci constitue un exemple et un ordre de grandeur prendre avec prcautions

t Irm t.r.r.m

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III L'effet transistor

Le transistor bipolaire fonctionne sur un principe dcouvert en 1947, cette anciennet rime en lectronique de puissance avec un ct un peu dpass, cependant, il est ncessaire d'en connatre les caractristiques pour certains montages de faible puissance et pour pouvoir valuer les avantages des MOS et des IGBT que l'on verra plus tard, de plus, le transistor bipolaire sert beaucoup laborer des modles de composants plus volus. Intressons nous tout d'abord au principe de base. Le transistor bipolaire est form de trois couches de semi-conducteurs dops. l'metteur : fortement dop (environ 1.e19 atomes cm-3), son rle est de raliser "l'injection" massive de porteurs majoritaires. la base : fine couche faiblement dope, son rle est de transmettre ou de stopper les porteurs majoritaires venant de l'metteur et allant vers le collecteur. le collecteur : couche paisse faiblement dope, son rle est de recevoir les porteurs majoritaires et d'assurer une bonne tenue en tension inverse. En fonction de la nature des porteurs majoritaires choisie, on distinguera les transistor appels NPN et PNP. En lectronique de puissance, nous allons nous intresser uniquement l'tat bloqu et l'tat satur du transistor. Etudions le cas d'un transistor NPN. Sa structure ressemble au schma ci dessous sur lequel on fait apparatre les zones de charge d'espace correspondant aux jonctions BE et BC.

N+

N-

VCE E VBE B C VBC E B C

Les deux jonctions runies pour former une succession N P N sont quivalentes deux diodes comme l'illustre le schma quivalent ci-dessus, la diffrence que la base extrmement fine, ne permet cette approximation que dans le rgime bloqu.

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III -1) Etat bloqu

Si VBE < 0 et VCE > 0, alors les deux jonctions sont polarises en inverse, ainsi, les ZCE s'tendent d'autant plus que les tensions augmentent et le transistor ne permettra le passage d'aucun courant. Le transistor sera quivalent un interrupteur ouvert. La tenue en tension sera assure principalement par la zone faiblement dope, tout comme dans une diode. C B VBE < 0 VCE > 0 E C

III -2) Etat passant

Si VBE>0 et VCE>0, alors la jonction BE sera passante, c'est dire que le champ rsultant be va projeter les porteurs de l'metteur vers la base. Sachant que la base est volontairement trs courte devant la longueur de diffusion des porteurs minoritaires (lectrons), trs peu de recombinaisons vont se produire, ainsi, les porteurs vont arriver en majorit au niveau de la ZCE de la jonction BC. A ce niveau, le champ rsultant bc, qui est la somme du champs interne et du champ extrieur, va les projeter dans la zone N- o ils retrouvent leur statut de majoritaire, c'est dire de porteurs libres. Tout ceci s'appelle l'effet transistor. les lectrons non recombins dans la base, P NN+ forment le courant Ic
E Ie

Ic

Vbe > 0 Ie lectrons majoritaires "libres"

ext Ib

B bc

Ic lectrons majoritaires "libres" les recombinaisons dans la base sont compenses par le courant Ib

Ib

Les quelques recombinaisons qui vont se produire dans la base vont appeler un courant Ib ncessaire la neutralit lectrique. Ainsi, Ie = Ic + Ib. 14

On appelle le rendement de la conduction, c'est dire =Ic/Ie Et on fait apparatre le gain du transistor : = Ic/Ib on montre que = /(1-) On retrouve ici la capacit d'amplification en courant du transistor biplaire. On relve ci-dessous les caractristiques de sortie du transistor paramtres par Ib: Les caractristiques Ic=f(Vce) montrent qu' Ib fix, Ic est pratiquement constant quelle que soit la valeur de Vce, et ce jusqu' un phnomne de claquage. En ralit, Ic croit lgrement cause de l'effet "Early", c'est dire la diminution de la largeur de base due l'expansion des ZCE pour un fort VCE. Ceci a pour consquence d'augmenter le rendement et donc Ic. Ic Ib croissant claquage

Vce Zone de fonctionnement de type "interrupteur, Vce faible.

Par ailleurs, il est souhaitable pour assurer un fonctionnement en mode "interrupteur" de placer le transistor dans une zone o Vce est le plus faible possible. En ralit, pour que Vce soit le plus faible possible, il faut que Vbe Vseuil Vbc, c'est dire que les deux jonctions soient passantes, ainsi Vce = Vcb + Vbe 0V. Cet tat s'appelle la saturation du transistor
III -3) Etat satur

Pour que les deux jonctions soient passantes, il faut que Vbe > 0 et Vbc > 0, en conduction , on aura Vbe Vbc Vseuil et donc Vce 0. (En ralit, Vce=Req.Ic o Req est la rsistance du collecteur) C E B Ceci revient polariser les deux jonctions comme suit : Ib Dans cette configuration, le courant Ib sera suprieur Ic/, en effet, pour un Vce faible, on voit sur les caractristiques que Ic<.Ib. On dduit alors qu'un fonctionnement en interrupteur ferm du transistor bipolaire implique une forte consommation en courant de base, c'est dire un faible gain effectif. On rsume sur le tableau suivant les divers modes de fonctionnement du transistor bipolaire : Vbc
satur Ic < .Ib Vce faible

Vbe
bloqu passant Ic = .Ib Vce indiffrent

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III -4) vacuation des porteurs et limite en frquence, la quasi-saturation

Lors du passage l'tat bloqu du transistor, les porteurs minoritaires stocks dans la base doivent disparatre. ainsi, le courant ne va pas cesser immdiatement et pendant ce temps, c'est la jonction CB seule qui supportera la tension inverse. Comme tous les composants bipolaires, le transistor va souffrir des exigences de la restructuration de la ZCE et de l'vacuation des porteurs en excs. De plus, en fonctionnement satur bloqu, le courant de base trs fort va accentuer la charge stocke dans la base et donc le temps d'vacuation des porteurs en excs. On dit que cet tat augmente le temps de commutation, cela revient parler d'une limite en frquence pnalisante. Ainsi, on utilise trs souvent le transistor bipolaire en quasi-saturation, c'est dire Vcb 0. On ralise cette condition avec un circuit d'anti-saturation. C VCE > 0 VBE > 0 B E Si les diodes conduisent, leurs tensions l'tat passants s'annulent et Vcb0.

III -5) Conclusion Tout comme pour la diode, on peut visualiser les diffrents paramtres importants du transistor bipolaire grce aux limites de ses caractristiques statiques :

Ic Isat

Pmax

Ib croissant Vce max claquage Vce quasi saturation saturation dure On construit ainsi une aire de scurit statique dont le transistor ne peut sortir qu'exceptionnellement de manire impulsionnelle. Ic (log) aire de scurit statique du transistor bipolaire en chelle Log - Log

Vce (log)

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IV L'effet de champ
L'effet de champ dsigne la possibilit de contrler une conduction par porteurs majoritaires dans un semi-conducteur dop par l'influence d'un champ extrieur. Deux principes fondamentaux matrialisent cette possibilit : 1. Le pincement d'un canal conducteur par un effet de champ, c'est le principe de fonctionnement des JFET (Jonction Field Effect Trnasistor). 2. La cration d'un canal ionis par effet de champ dans un semi-conducteur, c'est le principe du MOSFET (Mtal Oxyde Semi-conductor ) Le principe du JFET ne sera que survol pour se focaliser sur celui du MOSFET qui reprsente actuellement un standard d'utilisation en petites et moyennes puissances et dont dcoule le principe de l'IGBT. L'avantage majeur de ces structures est que le contrle de la conduction se fait avec un trs faible courant de commande.
IV -1) Le JFET (Jonction Field Effect Transistor) Dans les JFET, le champ est produit par deux jonctions PN polarises en inverse.

Vgs < 0

G : Grille
P+

D D : Drain G S

S : Source

N P+

Pincement du canal par champ G du Vgs + champ du Vds Pincement par le champ du Vgs Quand Vgs<0 augmente (en valeur absolue), les jonctions tendent leurs zones de charge d'espace d'autant plus profondment dans le substrat N, limitant ainsi l'paisseur du canal conducteur et donc le courant maximum. Ce phnomne est discerner du pincement naturel du canal (visible sur le dessin) du l'volution interne du champ lectrique lorsque la jonction est sous forte polarisation, cependant, ce pincement l, son maximum, correspondra au courant de saturation. Il est noter que le JFET peut conduire le courant indiffremment dans les deux sens. On peut rsumer son fonctionnement par ses caractristiques statiques : Id Id saturation abs(Vgs) Vgs off Vds zone linaire d'utilisation en rsistance variable Cependant, le JFET est trs peu utilis en lectronique de puissance, contrairement au MOSFET dvelopp ci-aprs. 17 abs(Vgs)

IV 2) Le MOSFET ( Mtal Oxyde Semi-conductor FET)

Le principe du MOS est de forcer un canal de semi-conducteur dop de type P (par exemple), devenir localement de type N et ce grce un champ qui va attirer les porteurs minoritaires et repousser les majoritaires. On illustre tout d'abord ce principe sur la coupe du MOS latral qui est utilis en tant que transistor signal. S N+ P B (body) SiO2 isolant G D N+ Vgb Vgb

Si on impose Vgb>0, le transistor va se comporter vu de la grille comme un condensateur, charg, on verra donc apparatre des lectrons sous l'isolant de la grille. D'autre part, habituellement, on relie le substrat (body) la source, ainsi la tension de commande devient Vgs et non plus Vgb qui faisait un composant quatre pattes. Le MOS polaris par Vgs>0 est reprsent sur la figure suivante : Vgs > 0 S N+ G canal de type N P B (body) Le fait de relier la source et le substrat impose la prsence d'une diode quivalente en antiparalllle sur le transistor, comme l'illustre le schma en coupe, cependant, on ne la fait habituellement pas apparatre sur le symbole. On pourra rsumer le fonctionnement du MOS par ses caractristiques statiques. Id Id Id max Vgs Vds Vgs th Vds max D N+ G SiO2 isolant D

Vgs

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Il est important de noter que la conduction dans le MOS se fait uniquement par porteurs majoritaires dans un seul type de substrat, ainsi le MOS ne bnficie pas de conduction par diffusion, son seul type de conduction est par champ lectrique et donc responsable d'une chute de tension l'tat passant matrialise par une rsistance l'tat passant Rdson. On reprsente sur le graphique suivant l'volution de Rds=Vds/Id en fonction de Vgs La rsistance Rdson sera la valeur minimale de la rsistance Rds correspondant donc au passage du courant maximum. Rds = Vds/Id

Rdson Vgs th Vgs

La stratgie de commande du MOS va tre de charger le condensateur quivalent de grille avec un courant impulsionnel de manire crer le canal conducteur le plus vite possible. Ainsi, si on s'intresse une commutation, il va falloir tenir compte de la manire de charger ce condensateur, c'est dire de la rsistance de charge de la grille. Observons ce qui se passe en commutation dans le cas simple suivant : Valim Cgd G Cgs Eg S D Pour un chelon de Eg, on observe en regardant Vgs(t) la charge de la capacit quivalente Ciss = Cgs + Cgd.

Eg t Vgs Id Ig

Vds

t on

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La structure reprsente plus haut dite "MOS horizontal" n'est pas celle utilise en lectronique de puissance o on prfre celle dite "MOS vertical" qu'on reprsente sur la figure ci-dessous un cellule de MOS vertical. G G S N+ On a reprsent le trajet du courant pour plus de comprhension, on remarquera que cela ne change en rien la prsence de la diode de structure. P NN+ N+

D Cette technologie permet de raliser par masquage une structure multicellulaire performante dont des variantes "gomtriques" sont les clbres VMOS et HEXMOS.
IV 3) Conclusion On visualisera les diffrents paramtres importants d'un transistor MOS partir de ses caractristiques statiques rsumes par l'aire de scurit et le Rdson, ses caractristiques dynamiques, elles, sont dterminables partir de la connaissance de la capacit de grille.

L'aire de scurit dfinit l'ensemble des valeurs statiques en chelle Log-Log. L'volution de Rds donne notamment la valeur de Rdson, qui dterminera la chute de tension l'tat passant, largement suprieure celle d'un transistor bipolaire. Id (Log) Id max Rds = Vds/Id

Vds (Log) Vds max Le comportement dynamique va dpendre de la rsistance de grille amene par l'utilisateur et de la capacit de grille, voil pourquoi le constructeur donne l'volution de la capacit Ciss = Cgd + Cgs qu'il va falloir charger et dcharger chaque cycle de commutation. Le comportement dynamique dpendra donc totalement de la stratgie de commande.

Rdson

Vgs th Ciss Ciss max qq10F

Vgs

Vds (Log)

Le MOS n'a pas de temps de stockage comme le transistor bipolaire, les seuls temps de retard seront les temps de charge et de dcharge de la capacit quivalente Ciss. Les temps de commutation des MOS sont gnralement bien meilleurs que ceux des transistors bipolaires sous rserve de charger rapidement Giss, et donc d'amener des pics de courant importants.

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V ) Un peu de technologie des composants de puissance

V 1) Le transistor bipolaire de puissance, le Darlington

Le transistor bipolaire a du s'adapter aux exigences de l'lectronique de puissance (petits temps de monte, faible courant de commande) pour y faire sa place, cependant si des amliorations constantes sont intervenues, il lui reste difficile de concurrencer le MOS dans le domaine des faibles puissances essentiellement au niveau du prix. En effet, on recense aujourd'hui des bipolaires avec des temps de monte de quelques 10ns et une aire de scurit carre (maximale) mais dont le prix n'a rien voir avec l'quivalent en MOS. En ce qui concerne la structure, elle s'apparente aux coupes de semi-conducteurs actuels bass sur la mise en parallle de cellules et la couche N- N+ permettant d'optimiser la tenue en tension. base
N+ P NN+ N+

doigts d'metteur

C B E

collecteur Les catalogues de constructeurs permettent de situer la gamme propose entre : mini Vce : 50V Ic : 2A maxi Vce : 1000V Ic : 10A Le comportement en commutation du transistor bipolaire peut tre rsum par l'observation du courant de base, du courant principal et de la tension Vce lors d'une priode de dcoupage au sein d'une cellule de commutation (le pic de courant est du au recouvrement de la diode). Ib 15% de Ic

Ic Vce t ton toff

Pour les transistors bipolaires de puissance actuels, ton et toff varient entre 10 et 100ns, les transistors anciens tendent ces temps jusqu' la microseconde. Le problme majeur reste de diminuer le courant de Base ncessaire la commutation d'un certain courant, pour cela, on utilise souvent le montage en Darlington. Cette association, qui peut mme tre tendue trois transistors, permet d'obtenir un gain () produit des gains de chaque transistor, et ainsi un B C

E 21

courant de base trs faible, cependant le blocage du transistor est beaucoup plus lent puisque les charges des deux bases doivent tre extraites. On relve des temps d'ouverture des Darlington de l'ordre de la microseconde. Ainsi, les Darlington sont souvent utiliss comme interrupteurs de forte puissance relativement lents. D'autre part on utilise trs souvent le transistor bipolaire en quasi-saturation, c'est dire avec Vcb 0. On ralise cette condition avec un circuit d'anti-saturation. C VCE > 0 VBE > 0 B E Si les diodes conduisent, leurs tensions l'tat passants s'annulent et Vcb0.

Par contre, avec un montage en Darlington, on ne peut pas quasi-saturer le transistor qui vhicule le courant principal avec cette mthode, ce qui implique une tension de saturation plus forte et donc une chute de tension l'tat passant plus grande. Finalement, on peut reprsenter la caractristique de type "trois segments" du transistor bipolaire avec les contraintes statiques qui en rsultent : Ic If VRRm Vf VFRm C B Vce E Vce

amorage, blocage

On trouvera des bipolaires de puissance capables de tenir 1000V en tension inverse, quand au courant principal admissible, il est possible de l'lever par la mise en parallle (qui ncessite des transistors rigoureusement identiques).
Documentation : Comme pour les autre composants, on trouvera les caractristiques statiques, dynamiques et thermiques des transistors bipolaires dans les documents constructeurs. On notera tout particulirement l'aire de scurit en commutation dont on donne un exemple ci-dessous.
Ic(A) 15 10 5 0 0 200 400 600 800 1000 Vce(V) Tj<125C

BUX 48
limit with anti saturation network limit with hard saturation

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V 2) Le thyristor aujourd'hui, le GTO Le principe du thyristor est assez simple puisqu'il consiste insrer dans une structure de diode une tranche de substrat P qui interdirait la conduction tant que la jonction PN locale qui en rsulte ne serait pas passante.

K cathode N P N

G gchette G
VAK

N-

P+ A anode La caractristique obtenue est le type mme de l'interrupteur "3 segments" puisqu'il peut supporter des tension bidirectionnelles jusqu' la mise en conduction sous tension positive : IK amorage
VRRm VFRm

VAK

C'est le plus ancien des semi-conducteurs de puissance, on relve des calibres allant jusqu' 6KV de tenue en tension pour 5000A de courant passant, de plus, comme il est ais d'en associer plusieurs en srie ou en parallle, la puissance commutable par thyristor est pratiquement infinie. Le problme avec le thyristor est qu'une fois que le courant est tabli, il ne peut s'interrompre par la gchette, en somme, le thyristor n'est commandable qu' la fermeture. On distingue alors trois possibilits : Le thyristor fonctionne dans des montages o l'extinction du courant sera naturelle (redresseurs commands PD3 par exemple). Le thyristor est associ un circuit d'extinction (inductance, capacit et un autre thyristor). La structure doit tre modifie de telle sorte qu'on puisse l'teindre par la gchette, c'est le cas du thyristor GTO (gate turn off Thyristor). IK amorage, blocage
VRRm VFRm VAK

GTO

VAK

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On distinguera les thyristors pour applications de faible puissance dans des botiers plastique et les thyristors pour applications de forte puissance qui sont fournis en botiers prsss double-face.

Thyristor de moyenne puissance (800V, 10A)

Thyristors de forte puissance (1KV, qq 100A)

En ce qui concerne les GTO, c'est en utilisant "l'interdigitation" de la gchette qu'on arrive bloquer le thyristor par une tension ngative. Le principe consiste rpartir le contact de gchette sur une large surface, cela permet une meilleure rpartition de la densit de courant l'amorage et l'extraction de la charge ncessaire au blocage. La difficult est de raliser une interdigitation trs fine qui requiert les comptences de l'industrie micro-lectronique. On peut rsumer la commande du GTO par l'observation de son courant de gchette : IG 10% du courant commut t

mise en conduction

extinction

Documentation : Comme pour les diodes, les documents du constructeur fournissent les calibres de tensions et de courants commuts par le thyristor, on relvera bien sr les paramtres lis au recouvrement de la charge stocke (IRRM, tRm, fonction du di/dt, etc). On notera cependant des spcifications sur les dv/dt et di/dt auxquels le GTO est trs sensible. Conclusion : aujourd'hui, le GTO a supplant le thyristor rapide dans les alimentations commutation forces mais pas dans les montages commutation naturelle. Cependant les pertes occasionnes par les commutations forces impliquent l'utilisation systmatique de circuits d'aide la commutation ou de commutation douce.

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V 3) Le transistor MOS de puissance

Comme c'est le cas dans les autres semi-conducteurs de puissance, la structure physique du MOS est verticale. La plupart des fabricants propose des technologies multicellulaires qui ne diffrent que par la forme des cellules. G G S On rappelle sur la figure suivante la structure d'une cellule de MOS vertical , ainsi que le symbole du MOS D canal N: G S N+ P NN+ D Les principaux avantages du MOS de puissance sont : Faible courant de grille (de commande) Temps de commutation faibles entre 10ns et 100ns (Ton et Toff) Aire de scurit carre (maximale) (pas de second claquage) Pas de phnomne de stockage En revanche, le MOS prsente un inconvnient majeur qui est la rsistance du canal l'tat passant (Rds), ainsi pour tenir des hautes tensions inverses, l'paisseur de Silicium faiblement dop impose une chute de tension l'tat passant consquente. De plus, la surface de Silicium ncessaire dans ces cas l amne un cot prohibitif devant celui de l'quivalent en transistor bipolaire. Ainsi, au del de 500V, le MOS devient plus coteux que le bipolaire. Les catalogues de constructeurs proposent donc des MOS voluant entre les deux extrmes suivants : mini Vgs : 20V Rdson : 0.02 maxi Vgs : 1000V Rdson : 2 En ce qui concerne les formes d'ondes de commutation au sein d'une cellule de commutation avec diode de roue libre, les chronogrammes sont conformes aux courbes ci-dessous avec une commande rapide par pic de courant : 20% Id Ig N+

Vds Id Rdson.Id

Toff Ton On donne ci-aprs la documentation constructeur (International Rectifier) d'un MOS de puissance 100V / 55A, Rds = 0.026.

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Il ne faut pas oublier la diode de structure que l'on a intrt inhiber ( cause de ses dplorables performances en commutation) au profit d'une diode rapide en anti-parallle conformment au montage suivant :

On notera galement la donne de l'nergie et du courant d'avalanche, correspondant une tension directe trop leve . En ce qui concerne les autres donnes de la documentation constructeur, on relvera la caractristique Id = f(Vds).

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La caractristique totale est du type interrupteur "trois segments bidirectionnel en courant Id amorage blocage

Vds

Ensuite, il ne faut pas passer ct de l'aire de scurit :

On relvera les volutions des capacits inter lectrodes, servant dimensionner la commande (rsistance de charge + capacit = courant absorb + temps de monte).

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IV 5 ) Le transistor IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) Le transistor MOS de puissance reprsente l'idal en ce qui concerne la commande, le transistor bipolaire, lui, apporte le meilleur compromis chute de tension l'tat passant / tenue en tension puisqu'il bnficie d'une conduction par diffusion grce ses jonctions. Depuis les annes 80 on s'est intress au cumul dans une mme structure des avantages de chacun, ce qui a donn le transistor IGBT dont le nom indique bien le mixage MOS / bipolaire. Ds lors, l'IGBT n'a cess de s'amliorer pour devenir actuellement l'outil incontournable de l'lectronique de puissance pour faibles et moyennes puissances. La tendance est mme qu'il dtrne bientt le thyristor GTO dans des applications forte puissance.

Il s'agit peu de choses prs dune structure de MOS laquelle on a ajout une couche P+ ct drain, ceci pour injecter des porteurs dans la zone N- et abaisser la chute de tension l'tat passant. Il bnficie galement d'une technologie multi-cellulaire classique. Grille SiO2 G E C G C

Emetteur
N+ NN+ P+

N+

Collecteur Un schma quivalent simplifi de l'IGBT reprsente bien l'entre de commande sur un MOS qui met le transistor bipolaire de sortie en conduction grce un faible courant de grille.

E Les catalogues des constructeurs permettent de noter les valeurs extrmes de la gamme propose (en ralit 5KV), et comparent la chute de tension avec celle d'un MOS:

En ce qui concerne les formes d'ondes de commutation au sein d'une cellule de commutation avec diode de roue libre, les chronogrammes sont conformes aux courbes ci-dessous avec une commande rapide par pic de courant : 10% Id Ig tranage Vds Id Ton Toff 28

Le seul dfaut de l'IGBT est qu'il prsente un tranage en courant du l'vacuation des charges stockes dans la jonction PN. Ce phnomne augmentait notablement le temps d'ouverture des anciens IGBT, mais actuellement il est devenu assez discret et on retiendra des temps Ton et Toff de l'ordre de 10 400ns On dispose ci-dessous de la documentation constructeur (Intersil) d'un IGBT 1200V 25A :

La documentation comporte tous les abaques et courbes classiquement fournies, nous retiendrons ici les caractristiques statiques et les temps de monte / descente classiques.

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VI Conclusion
Pour rsumer les diverses subtilits affrentes aux interrupteurs de puissance, voici un tableau rcapitulatif :

bipolaire

darlington

GTO

MOSFET

IGBT

courant de commande / courant i i l (%)

30% 20% 10% 0 -10% -20% -30%

Courant principal l'ouverture

Stockage s qques s Descente 10ns s

Stockage qques s Descente s qques s

Stockage qques s Descente s qques s Tranage qques s Descente 10ns 100ns Descente 10ns 100ns Tranage 100ns s

Limitation 2 claquage 1000 V qques 10 A

Limitation 2 claquage 1000 V qques 10 A

Limitations di/dt , dv/dt 10KV qques 1000A

Aire de scurit Aire de scurit carre carre 1000V qques 10A 5KV 1000A

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VII - Bibliographie
1. Bernard MULTON que je remercie tout particulirement. Composants de l'lectronique de puissance semi-conducteurs et passifs Polycopi de cours ENS de Cachan Antenne de Bretagne 2. Franois FOREST Cours d'lectronique de puissance Mise en uvre d'un onduleur de tension Polycopi de cours - ENS de Cachan 3. Franois FOREST Jean Paul FERRIEUX Alimentations dcoupage, convertisseurs rsonance 2me dition, Masson collection technologies 4. Guy SEGUIER La conversion continu continu, lectronique de puissance tome 3 Dunod 5. Michel LAVABRE Electronique de puissance Dunod
6. Electricit, voyage au cur du systme Eyrolles

Un grand merci Mr Bernard Multon, professeur et chercheur l'antenne de Bretagne de l'ENS de Cachan pour avoir t la principale source d'information et d'inspiration sans qui ce poly n'aurait certainement pas vu le jour

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