Sveuilite J.J.

Strossmayera u Osijeku

Elektrotehniki fakultet Osijek

Prof.dr.sc. Tomislav vedek

ELEKTRONIKA 1
Predavanje 1/45 1

Uvodne napomene

Organizacija i sadraj predmeta Kratka povijest poluvodikih komponenata to su poluvodii?

Predavanje 1/45

Organizacija i sadraj predmeta

Predavanja (45 sati) Auditorne vjebe (2 kontrolne + 6 testova (svaki drugi termin) - oslobaanje pismenog dijela ispita!) Laboratorijske vjebe (kolokvij - uvjet za potpis i mogunost pristupanja ispitu) Ispit (pismeni + usmeni)

Predavanje 1/45

Organizacija i sadraj predmeta

Literatura: Osnovna: T.vedek, Poluvodike komponente i osnovni sklopovi, Svezak I. Poluvodike komponente, Graphis Zagreb, 2001 Dopunska: P.Biljanovi, Poluvodiki elektroniki elementi, kolska knjiga, Zagreb, 1996

Predavanje 1/45

Organizacija i sadraj predmeta

Sadraj: 1. Poluvodii (matematiki alat za opisivanje pojava u poluvodiima). Osnovne znaajke PN-spoja i spoja metal-poluvodi. Diode 2. Bipolarni spojni tranzistor (BJT) 3. Tranzistori s efektom polja: spojni FET (JFET) i FET s izoliranom upravljakom elektrodom (MOSFET) 4. Optoelektronike komponente 5. Poluvodike energetske sklopke: tiristori i IGBT 6. Osnovna pojaala s bipolarnim i uniporalnim tranzistorima. Pojaala snage: klase A, AB i B. 7. Operacijska pojaala. Komparatori. Osnovni logiki sklopovi.
Predavanje 1/45 5

Kratka povijest poluvodikih komponenata

1839. - prouavanje provodnosti i utjecaja svjetlosti na provodnost selena (Se) 1870. - zapaanje ispravljakog djelovanja spoja metal-poluvodi 1904. (Fleming) - vakuumska elektronska cijev dioda 1906. (Lee de Forest) - vakuumska elektronska cijev trioda (prva aktivna elektronika komponenta komponenta koja moe pojaavati snagu signala). 1948. (J. Bardeen i W.Brattain) - tokasti tranzistor 1951. (W. Shockley) - spojni tranzistor 1951. - spojni FET (tranzistor s efektom polja)
Predavanje 1/45 6

era elektronike

Kratka povijest poluvodikih komponenata

1959. - planarni proces na Si 1959. - planarni tranzistor 1959. - planarni IC 1960. - MOS FET 1960. - Schottkyjeva dioda 1963. - CMOS 1977. - mikroraunalo era ........ -elektronike era nanoelektronike (engl. nanoelectronics) era mikro i nano-strojeva (engl. micro & nano-machining)
Predavanje 1/45 7

1. Poluvodii
vrsta tijela se prema unutarnjem rasporedu atoma dijele na: kristalinina - pravilan raspored atoma amorfna - nepravilan raspored atoma Valentni elektroni atoma u kristalu uglavnom odreuju: fizikalna svojstva (elektrina, temperaturna, magnetska, optika) i karakter sil koje dre atome kristala na okupu. Najvanije elektriko svojstvo vrstog tijela je otpornost .
Predavanje 1/45 8

1. Poluvodii
Podjela vrstih tijela prema iznosu otpornosti: vodii < 103 cm 106 cm < metalni kristali ionski ili kovalentni kristali poluvodii - 103 cm < < 106 cm izolatori -

Otpornost poluvodia ovisi o vanjskim utjecajima: temperaturi, optikoj pobudi, radijaciji, tlaku, ali i o koliini i tipu primjesa namjerno dodanih monokristalu.
Predavanje 1/45 9

1. Poluvodii
Zanimljivi za primjenu u elektronici jer im se otpornost moe kontroliranim dodavanjem primjesa mijenjati u irokim granicama - od otpora vodia do otpora izolatora!.
Dio tablice periodnog sustava u kojem se pojavljuju uobiajeni poluvodiki materijali

* redni broj stupca oznaava broj valentnih elektrona

Predavanje 1/45 10

1. Poluvodii
U mikroelektronici poluvodii se upotrebljavaju kao: a) elementarni poluvodii (jedno-atomni kristali) Si i Ge

b) sloeni (kompaundni vieatomni) poluvodii ili intermetali

Predavanje 1/45 11

1. Poluvodii
Najee upotrebljavani elementarni i sloeni (kompaundni) poluvodiki materijali i njihova primjena Ge Si GaAs/P/AsP/N PN diode, tranzistori PN diode, tranzistori, integrirani sklopovi, IR detektori i detektori radijacije svjetlee diode (LED), poluvodiki laseri

InSb, CdSe, PbTe detektori svjetlosti ZnS fluorescentni materijali (zaslon TV ekrana)
Predavanje 1/45 12

1. Poluvodii
Poluvodii su u pravilu monokristali (pravilna kristalna struktura, Si i Ge kristaliziraju u obliku dijamantne kubne reetke) Veza meu atomima kristalne reetke rezultat je sila koje se javljaju zbog udruivanja parova valentnih elektrona susjednih atoma - kovalentne veze, kovalentni kristali. Zbog pravilne kristalne strukture fizikalna svojstva i parametri kristala razlikuju se u razliitim smjerovima (anizotropija).
Predavanje 1/45 13

1. Poluvodii
Danas je u elektronici esta upotreba i anizotropnih tekuina - tekuih kristala (engl. liquid crystal) - kompleksan kemijski sastav, a sadre i organske tvari. Mijenjanje optikih svojstva pod djelovanjem elektrinog polja ili temperature ini ih prikladnim za praktinu upotrebu (indikatori, TV zasloni, sl.).

Predavanje 1/45

14

1. Poluvodii
Osim monokristala esto se rabe i poluvodii polikristalne strukture - veliki broj tijesno priljubljenih monokristalnih zrnaca razliite orijentacije. Nema periodike kristalne strukture - pa nema ni anizotropije. Mikrostrukturom polikristala praktiki nije mogue upravljati, reproducibilnost elektrikih i fizikalnih svojstava je mnogo loija od monokristala - od polikristala se ne izrauju aktivne integrirane komponente ve samo pomoni, pasivni slojevi.

Predavanje 1/45

15

1. Poluvodii
Amorfne poluvodie je jeftinije i jednostavnije proizvoditi od monokristalnih. Za razliku od polikristala amorfni poluvodii su potpuno homogene tvari bez izraene unutarnje strukture. Tipini amorfni poluvodii su razne vrste stakla, meu kojima i SiO2 od kojega se izrauju tankih dielektriki slojevi u mikroelektronici. Amorfni materijali pokazuju vrlo lou reproducibilnost i stabilnost svojstava, no danas se sve vie prouavaju zbog perspektivne primjene kod sunevih elija.

Predavanje 1/45

16

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Elektrina vodljivost vrstog tijela ovisi o slobodnim nosiocima naboja, koji se mogu gibati pod djelovanjem elektrinog polja ili gradijenta koncentracije nosilaca naboja. Njihovo generiranje moe se kvalitativno objasniti korpuskularnom i valnom prirodom elektrona, dakle pomou dva modela koji se meusobno nadopunjuju: modela elektronskih veza i modela energetskih pojasa.

Predavanje 1/45

17

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Model elektronskih veza - objanjava generiranje slobodnih nosilaca naboja preko procesa uspostavljanja (kompletiranja) i prekidanja elektronskih veza u kristalu poluvodia. (Ne daje objanjenja vanih kvantno-mehanikih ogranienja u ponaanju elektrona u kristalima, ali dobro ilustrira sam proces generiranja.)

Predavanje 1/45

18

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Prikaz atoma silicija (jezgra i vanjska nepopunjena ljuska)

+4

elektron

+4

jezgra atoma silicija

Naboj +4 oznaava pozitivni naboj iona (ujedinjuje pozitivan naboj jezgre - redni broj - umanjen za onoliko elektrona koliko ih ima u zatvorenim ljuskama). - naboj Ge jezgre je +32, a naboj popunjenih ljusaka je 28, - naboj Si jezgre je +14, a naboj popunjenih ljusaka je 10.
Predavanje 1/45 19

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

isti (intrinsini) poluvodi; Si na temperaturi T = 0 K
+4 +4 +4

Poluvodi bez primjesa ostalih elemenata - "isti" ili intrinsini poluvodi (lat. intrinsectus - svojstven, svojstveno mu je stanje poluvodljivosti).

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Nema slobodnih nosilaca naboja!

Predavanje 1/45 20

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

isti (intrinsini) poluvodi; Si na temperaturi T > 0 K generiranje para slobodnih nosilaca slobodna upljina
slobodni elektron +4 +4 +4

fonon
+4 +4 +4

+4

+4

+4

- elektron (n) - negativan naboj - upljina (p) - pozitivan naboj

Predavanje 1/45 21

Elektron

upljina

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Na mjestu razbijene kovalentne veze ostaje lokaliziran pozitivan naboj (zbog gubitka elektrona atom poluvodia postaje pozitivan ion). Postoji tendencija da se ta kovalentna veza ponovno uspostavi i neutralizira njezin pozitivan naboj uzimanjem elektrona iz neke od susjednih kovalentnih veza. To uzrokuje razbijanje susjedne valentne veze i cijeli proces se ponavlja. Gibanje tog mnotva elektrona koji redom popunjavaju prazninu u razbijenim valentnim vezama, ekvivalentno je gibanju zamiljene estice koja je nosilac pozitivnog naboja (upljine) i koja se giba u suprotnom smjeru od gibanja elektrona. Predavanje 1/45 22

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Razbijanje valentnih veza u intrinsinom poluvodiu uvijek stvara (generira) par nosilaca naboja elektron-upljina, stoga vrijedi: ni = pi , ni i pi - koncentracije elektrona i upljina u istom poluvodiu - ovise o materijalu i temperaturi.
Tablica 1.3. Koncentracija slobodnih nosilaca naboja u istih poluvodia: Si, Ge i GaAs (T = 300K)

Predavanje 1/45

23

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

fonon - kvant energije dovoljan za razbijanje valentne veze koji potjee od temperaturnih titranja kristalne reetke - termiko generiranje nosilaca naboja. foton - kvant energije dovoljan za razbijanje valentne veze koji potjee od radijacije svjetla - optiko generiranje nosilaca naboja (7. Optoelektronike poluvodike komponente). Ostale vrste zraenja x-zraka, -zraka, mogu pod odreenim uvjetima takoer izazvati razbijanje valentnih veza. Poluvodike komponente su obino kuitem zatiene od utjecaja takvih radijacija, a samo se u posebne svrhe namjerno izlau njihovu utjecaju.
Predavanje 1/45 24

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Primjesni (ekstrinsini) poluvodi Realna kristalna reetka: - mikroskopski i makroskopski defekti, kristal poluvodia nije ist zbog neistoa - atoma drugih elemenata zaostalih u postupku obrade. Za primjenu u elektronici vane su primjese koje se namjerno unose difuzijom i/ili ionskom implantacijom u kontroliranim koliinama (od 1014 do 1020 atoma/cm3). Unoenje primjesa u isti poluvodi = dopiranje dopirani ili primjesni (ekstrinsini) poluvodi.
Predavanje 1/45 25

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Primjesni (ekstrinsini) poluvodi
Tablica 1.4. Popis peterovalentnih (donorskih) i trovalentnih (akceptorskih) primjesa, tip vodljivosti, te njihova energija ionizacije u Ge i Si

Predavanje 1/45

26

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Kao jedinica energije elektrona uzima se obino jedan elektron-volt (eV). 1 eV = kinetika energija elektrona ubrzanog iz stanja mirovanja potencijalnom razlikom od 1V. Primjesni poluvodi: N- tipa P-tipa

Predavanje 1/45

27

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Primjesni (ekstrinsini) poluvodi; N-tip, Si na T = 0 K
atom petorovalentne primjese
+4 +4 +4

etiri elektrona formiraju valentnu vezu

+4

+5

+4

peti elektron - vezan slabom Colombovom silom

+4

+4

+4

Nema slobodnih nosilaca naboja!

Predavanje 1/45 28

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Primjesni (ekstrinsini) poluvodi; N-tip, Si na T > 0 K generiranje slobodnih nosilaca naboja
+4

+4

+4

pri E Ei peti elektron postaje slobodan atom primjese postaje stacionarni ion (jedinini pozitivni naboj)

+4

+5

+4

+4

+4

+4

pri E >> Ei termiko razbijanje valentnih veza = par elektron-upljina

Predavanje 1/45 29

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Primjesni (ekstrinsini) poluvodi; N-tip, Si na T > 0 K generiranje slobodnih nosilaca naboja elektroni ionizacija donora (ND) + razbijanje valentne veze (n) upljine razbijanje valentne veze (p) Odnos koncentracije nosilaca naboja N-tipa poluvodia: nn0= ND + n > ni > p = pn0 - elektroni nn0 = veinski (MAJORITETNI) nosioci - upljine pn0 = manjinski (MINORITETNI) nosioci
Predavanje 1/45

N-tip

30

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Primjesni (ekstrinsini) poluvodi; P-tip, Si na T = 0 K
atom trovalentne primjese
+4 +4 +4

tri elektrona formiraju valentnu vezu

+4

+3

+4

nepopunjeno mjesto = upljina

+4

+4

+4

Nema slobodnih nosilaca naboja!

Predavanje 1/45 31

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Primjesni (ekstrinsini) poluvodi; P-tip, Si na T > 0 K generiranje slobodnih nosilaca naboja
+4

+4

+4

pri E Ei elektron popuni prazno mjesto atom primjese postaje stacionarni ion (jedinini negativni naboj)

+4

+3

+4

+4

+4

+4

pri E >> Ei termiko razbijanje valentnih veza = par elektron-upljina

Predavanje 1/45 32

1.1. Generiranje nosilaca naboja u poluvodiu

Primjesni (ekstrinsini) poluvodi; P-tip, Si na T > 0 K generiranje slobodnih nosilaca naboja elektroni razbijanje valentne veze (n) upljine ionizacija akceptora (NA) + razbijanje valentne veze (p) Odnos koncentracija nosilaca naboja P-tipa poluvodia: pp0 = NA + p > pi > n = np0 - upljine pp0 = veinski (MAJORITETNI) nosioci - elektroni np0 = manjinski (MINORITETNI) nosioci
Predavanje 1/45

P-tip

33

Predavanje 1/45

34