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04/03/2014
Objectif de TP
Le but de ce TP est de vous familiariser avec les notions de layout en technologie CMOS. Pour cela, on utilise
Evolution de la technologie
Du transistor au SoC
Densit dintgration
SSI Small Scale Integration (1960s) : 1 10 portes / circuit Moins de 100 transistors. MSI Medium Scale Integration: 10 100 portes / circuit Plus de 3000 transistors.
LSI Large Scale Integration (1970s): 100 10 000 portes / circuit Plusieurs dizaines de milliers de transistors.
VLSI Very Large Scale Integration (1980s): + de 10 000 p/c 1 million de transistors.
ULSI Ultra Large Scale Integration (2000s) + de 100 000 porte / circuit
En rsum
La technologie volue. En rduisant la taille des transistors, elle permet d:
Augmenter la frquence dhorloge. Augmenter la densit dintgration. Augmenter la capacit mmoire. Augmenter la taille des mots.
Technologie de fabrication
Technologie de fabrication
Processus de fabrication
Wafer de silicium
Bain chimique
Couche disolant Fin Test & encapsulation
Processus de fabrication
Photorsist Mtal Silicium
(a) UV
Photo masque
Dessin opaque Ombre du dessin
(b)
1 er Bain chimique
(c)
Processus de fabrication
2 ieme Bain chimique
(d)
(e)
Rsultat
(f)
La technologie actuelle utilise des transistors CMOS qui met en jeu la fois des transistors P et N.
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Technologie CMOS
Peu de consommation de puissance. Une meilleure rsistance au bruit. Toutes les fonctions logiques dans cette technologie sont ralises dune paire de transistors MOS complmentaires (type N, type P).
N.Kadri Ecole Nationale Suprieure d'Informatique STR
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Transistor PMOS
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Transistor NMOS
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VDD
Les entres
La sortie
GND
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Exemple: un inverseur
VDD Silicium dop (P) mtal
1 ou 0
VSS
mtal
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Bloc P :Ce bloc met la sortie ltat haut lorsque ses entres sont un tat bas, par consquent sa "fonction de transfert logique" peut tre dcrite par SP = f(, ,).
Bloc N :De la mme manire, le bloc N met sa sortie ltat bas pour des entres ltat haut soit SN = (, , ).
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Prenons pour exemple le cas de la fonction NOR qui admet lquation logique suivante S = + .
Par consquent le bloc P doit fectuer un ET logique tandis que le bloc N ralise la fonction OU.
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Porte AND
Porte OR
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Un transistor MOS se rsume l'intersection de deux Couches, le polysilicium et la difusion (N ou P). Le substrat utilis est de type P, ce qui ne ncessite pas de caisson d'isolement pour la ralisation d'un NMOS.
Transistor N G
Transistor P
G
Mtal
Transistor P
Transistor N polysilicium
Mtal contact
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Outil Microwind
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Dimension
la longueur du canal de plus petit transistor pouvant tre fabriqu:
La dimension qui reprsente le degr d'intgration et des performances possibles qu'offre une technologie. Les technologies actuelles permettent de dessiner des transistors dont le canal est d'un dixime de micromtre .
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leur respect est vrifi par un logiciel de drc ( Design Rules Check ).
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