SEMICONDUCTORES

Introduccin.- Para comprender cmo funciona los diodos, transistores y circuitos integrados es necesario estudiar los materiales semiconductores que no se comportan ni como conductores ni como aislantes. Los semiconductores poseen algunos electrodos libres, pero lo que les confiere un carcter especial es la presencia de huecos. En este captulo aprender conceptos relacionados con los semiconductores y sus propiedades ms relevantes. 1. Conductores El cobre es un buen conductor.La razn es evidente si se tiene en cuenta su estructura atmica, como se ve en la ig. !"#. El n$cleo o centro del tomo contiene !% protones &cargas positivas'. (uando un tomo de cobre tiene una carga neutra, !% electrones &cargas negativas' circulan alrededor del n$cleo,como los planetas alrededor del sol. 1.1. Orbitas estables El n$cleo positivo en la igura !.# atrae los electrones

orbitales.Estos no caen hacia el n$cleo a la fuerza centrfuga &hacia afuera' creada por su movimiento orbital.(uando un electrn se halla e una rbita estable, la fuerza centrfuga equilibra e)tremada mente la atraccin el*ctrica e+ercida por el n$cleo.La fuerza centrfuga es menor en los electrodos ms lentos. Los electrodos de las rbitas ms ale+adas del centro se m ueven a menor velocidad que los electrodos de las rbitas ms ale+adas del centro se mueven a menor velocidad que los electrodos de las rbitas ms cercanas. 1.2. La parte interna del to m o y el electrn libre (o mo se puede apreciaren la fig.!"#, el n$cleo y los electrones de rbitas internas son de poco inter*s en el estudio de la electrnica.

La atencin en la mayor parte de este libro estar puesta en la rbita e)terior, tambi*n llamada rbita de valencia. Es esta rbita e)terior la que determina las propiedades el*ctricas del tomo. Para subrayar la importancia de la rbita e)terior, se define la parte interna &core' de un tomo como el n$cleo ms todas las rbitas. Para un tomo de cobre, la parte interna de un n$cleo &,!%' y las tres primeras rbitas &" !-'. La parte interna de un tomo de cobre tiene una carga el electrn de valencia se encuentra en una

resultante de ,#, porque tiene !% protones y !- electrones internos. (o mo rbita e)terior alrededor de la parte interna con una carga resultante de ,#, la atraccin que sufre este electrn es muy peque.a. (o mo la atraccin es tan d*bil,este electrn recibe el no mbre de electrn libre. 1.3. Se miconductores /n semiconductor es un elemento con valencia 0, lo que quiere decirque un tomo aislado de sem miconductor tiene 0 electrones en su rbita e)terior o de valencia.El n$ mero de lectores en la rbita de valencia es clave para la conductividad el*ctrica. Los conductores poseen un electrn de valencia, los semiconductores electrones de valencia. La etiqueta de semiconducores por s proporcionan una pista en cuanto a las caractersticas de este dispositivo. El prefi+o semi se aplica por lo general a una ga ma de niveles que se encuentren a la mitad entre dos lmites. El t*rmino conductor se aplica a cualquier natural que soporte generoso flu+ode1 (arga cuando se aplica una fuente de volta+e de magnitud limitada a trav*s de sus terminales. un tiene 0 y los aislantes -

 un aislantes es un material que ofrece un nivel m uy pobre de conduccin ba+o la tensin de una fuente de volta+e aplicada. Por lo tanto, un semiconductor es un material que tiene un nivel de conductividad situado entre los casos e)tremos de un aislante y un conductor. Los componentes semiconductores se fabrican principalmente de germanio y de silicio.Posteriormente, se empezaron a emplear tambi*n componentes de combinaciones de otros elementos, por e+emplo, de galio y arsenio &arseniuro de galio'. Los tomos se componen del n$cleo y de una serie de capas de electrones conc*ntricas con *l.Estas capas estn ocupadas por distinto nu mero de electrones seg$n cual sea la capa y el elemento qumico. 2.1. Ger m a nio El germanio es un e+emplo, se semiconductores. En la fig. !"! se m uestra un tomo de germanio. En el centro se halla un n$cleo con 2! protones. En este caso los electrones se distribuyen cono sigue1 ! electrones en la primera rbita,- en la segunda y #- en la tercera. Los $ltimos 0 electrones se localizan en la rbita e)terioro de valencia. 2.2. Silicio El material semiconductor ms ampliamente silicio. /n tomo aislado utilizado es el

de silicio tiene #0 protones y #0

electrones. (o mo puede apreciarse en el fig. !"2, la primera rbita contiene ! electrones, y la segunda contiene -. Los 0 electrones se hallan en la rbita e)terior. 2.3. Conduccin de la corriente en los m ateriales

se miconductores

E n la fig.2-! nos muestra que los materiales semiconductores presentan una conductividad el*ctrica menor que la de los metales el silicio. pero mayor que la de los aisladores. Por ello, se deno minan semicinductores los materiales como el germanio y

2. . La

conecti!idad de te m peratura.

los se miconductores depende

de

la

(uando se aplica una tensin a un cristal semiconductor los electrones liberados se movern a trav*s del cristal en direccin al polo positivo de la fuente. En aquellos puntos, de los tomos donde se encontraban los electrones ya liberados faltan las cargas negativas. Estos puntos con defecto de electrones se deno mina huecos. (o mo ahora la carga positiva del n$cleo atmico es mayor que la del los huecos aparecern con+unto de sus cargados electrones es mayor que la del con+unto de sus electrones resultar que siempre positivamente. La carga positiva de un hueco es de igual valor absoluto que la carga negativa del electrn. 2.". C#IS$%LES &E SILICIO (uando los tomos de silicio se combinan para formar un slido se combinan para formar un slido, lo hacen formados una estructuras ordenas llamada cristal.(ada tomo de siliciocomparte sus electrones de valencia con los tomos de siliciovecinos, de tal manera que tiene electrones en la rbita de valencia, como se m uestra en la fig. !"0. (uando un tomo posee - electrones en su rbita de valenia, como se parecia aqu, se vuelve qumicamente estable, los crculos sombreados representan las partes internas del silicio.3unque el tomo centraltena originalmente 0 electrones en su rbita de valencia, ahora tiene electrones en esa rbita. 3.1. Enlaces co!alentes

(ada tomo vecino comprende un electrn con el central.4e esta forma, el tomo central parece tener 0 electrones adicionales, sumando un total de - electrones en su rbita de valencia. En realidad, los electrones de+an de pertenecer a un solo tomo, ya que ahora estn compartidos por tomos adyacentes. En la fig. !"0, cada parte interna presenta una carga de ,0. 5bs*rvase la parte interna central y la que est a su derecha. Estas dos partes mantienen el par de electrones entre ellas atray*ndolos con fuerzas iguales y opuestas. Este equilibrio entre las fuerzas es el que mantiene unidos a los tomos de silicio.La idea es similar a la del +uego de tirar de la cuerda. 6ientras lo equipos tiren con fuerza iguales y opuestas, permanecern unidos. 3.2. 'o m s d ( electrones de !alencia (ada tomo en un cristal de silicio tiene - electrones en su rbita de valencia.Estos - electrones produce una estabilidad qumica que da como resultado un cuerpo compacto materialde silicio. La rbita de valencia no tiene capacidad para ms de de

electrones por eso se dice que est llena o saturada cuando contiene - electrones. 3de ms, lo - electrones de valencia se llaman electrones ligados por encontrarse fuertemente unidos en los tomos. 4ebido a estos electrones ligados, un cristalde silicio es casi un aislante perfecto a temperatura ambiente &apro)imada mente !78('. 3.3. La ener)*a t+rmica puede crear ,uecos La temperatura ambiente es la temperatura del aire

circundante. (uando la temperatura ambiente es mayor que el cero absoluto &" !928(', la energa t*rmica del aire circundante hace que los tomos en un cristalde silicio vibren dentro del

cristal. (uando mayor sea la temperatura ambiente, ms intensas sern las vibraciones mecnicas de estos tomos. Las vibraciones de los tomos siliciopueden, ocasionalmente, hacer que se desligue un electrn de la rbita de valencia. (uando sucede esto, el electrn liberado gana la energa suficiente para situarse en una rbita mayor, como se m uestra en la fig.!"7. En dicha rbita,el electrn es un electrn libre. 3de ms, la salida del electrn de+a un vaco en la rbita de valencia. 3. . #eco m e n d aciones y tiempo de !ida En un cristalde siliciopuro se crean igual n$ mero de electrones libres que de huecos debido a la energa t*rmica &calor'.Los electrones libres se m ueven de forma aleatoria a trav*s del cristal. En ocasiones, un electrn libre se apro)imara a un hueco, ser atrado y caer hacia *l.Esta unin de un electrn libre y un hueco se llama recombustin. El tiempo que transcurre entre la creacin y la desaparicin de un electrn libre recibe el no mbre de tiempo de vida. :ara desde unos cuantos nanosegundos a varios microsegundos, seg$n la perfeccin del cristaly otros factores. 3.". Se miconductores Intensos /n semiconductor intenso es una semiconductor . un cristalde silicioes un semiconductor intenso si cada tomo del cristal es un tomo de silicio.3 temperatura ambiente ;, un cristal se silicios comporta ms o menos como un aislante, ya que tiene solamente cuantos electrones libres y sus huecos producidos por e)citacin t*rmica. .1. -lu.o de electrones libres La fig. !"< muestra parte de un cristal de silicio entre dos

placas metlicas cargadas . supngase que la energa t*rmica

ha producido un electrn libre y un hueco. El electrn libre se halla en una rbita grande en el e)tremo derecho del cristal. 4ebido a la placa cargada negativamente, el electrn libre es repelido hacia la izquierda. Este electrn puede pasar de una rbita grande a la siguiente hasta alcanzar la placa positiva. .2. -lu.o de ,uecos 5bs*rvese el hueco a la izquierda de la fig. !"<. Este hueco atrae al electrn de valencia del punto 3, lo que provoca que el electrn de valencia se m ueva hacia el hueco. Esta accin no es la misma que la recombustin, en la cual un electrn libre cae en un hueco. En vez de un electrn libre,se tiene electrn de valencia movi*ndose hacia un hueco. (uando el electrn de valencia en el punto 3 se m ueve hacia la izquierda, crea un nuevo hueco en el punto 3. el efecto es el mismo que si el hueco originalse desplazara hacia la derecha. El nuevo hueco en el punto 3 puede atraer y capturar otro electrn de valencia.4e esta forma, los electrones de valencia pueden desplazarse a lo largo de la trayectoria indicada por las flechas. Esto quiere decir que el hueco se puede mover en el sentido opuesto a lo largo de la trayectoria3"="("4"E" . .3. &os tipos de /lu.o La fig.!"9 muestra un semiconductor intrseco. 5bs*rvese que tiene el mismo n$ mero de electrones libres que de huecos. Esto se debe a que por accin de la energa t*rmica se producen los electrones libres y los huecos por pares. La tensin aplicada forzar a los electrones libres a circular hacia la izquierda y a los huecos hacia la derecha. (uando los electrones libres llegan al e)tremo izquierdo del cristal, entran al conductor e)tremo y circulan hacia el terminal positivo de la batera.Por otra parte, los electrones libres en el terminal negativo de la batera fluirn hacia el e)tremo derecho del cristal.En este punto, entran en el cristal y se recombinan con los huecos que llegan al e)tremo derecho

del cristal.3s se procede un flu+o estable de electrones libres y huecos dentro del semiconductor. 4os tipos de flu+o1el de los electrones libres en una direccin y el de los huecos en direccin opuesta. Los electrones libres y los huecos reciben a menudo la deno minacin com$n de portadores debido a que transportan la carga el*ctrica de un lugar a otro. 0. &opado de un se miconductor /na forma de au mentar tomos de la conductividad de un semiconductor es cristal intrseco para modificar su

mediante el dopado. El dopado supone que deliberadamente se a.adan impurezas a un conductividad el*ctrica. /n semiconductor dopado se llama semiconductor e)trnseco. 0.1. %u m e nto del n1 m ero de electrones libres >(ul es el proceso de dopado de un cristalde silicio?El primer paso consiste en difundir un cristal puro de silicio de slido. (on el fin de au mentar el n$ mero de electrones libres, se a.aden tomos pentavalentes al silicio fundido. Los tomos pentavalentes tiene 7 electrones e la rbita de valencia. El ars*nico, antimonio y el fsforo son e+emplos de tomos pentavalentes. (o mo estos materiales donarn un electrn e)tra al cristal de silicio se les conoce como donadoras. La fig.!"- m uestra cmo queda el cristalde siliciodespu*s de enfriarse y volverse a tomar su estructura de cristalslido. En el centro se halla un tomo pentavalente rodeado por cuatro tomos de silicio.(o mo antes, los tomos vecinos comparten un electrn con el tomo central.Pero en este caso queda un electrn adicional.@ecu*rdese que cada tomo pentavalente tiene 7 electrones de valencia, el electrn adicional queda en impurezas

una rbita mayor. en otras palabras, se trata de un electrn libre. (ada tomo pentavalente, o donador, en un cristal de silicio produce un electrn libre. /n fabricante controla as conductividad impurezas de un semiconductor dopado. la (uantas

se a.adan, mayor ser la conductividad. 3s, un

semiconductor se puede dopar ligera o fuertemente. /n semiconductor dopado ligeramente tiene una grana resistencia el*ctrica y uno fuertemente dopado tiene una resistencia peque.a. 0.2. %u m e nto del n1 m ero de ,uecos >(omo dopar un cristal de silicio para obtener un e)ceso de huecos?. La respuesta es que utilizando una impurezas trivalentes1 es decir una impureza cuyos tomos tengan slo 2 electrones de valencia como por e+emplo el aluminio, el boro o el galio. La fig. !"-b m uestra un tomo trivalente en el centro. Esta trivalente

rodado por cuatro tomos de silicio,cada uno compartiendo uno de sus electrones de valencia como el tomo tena al principio slo 2 electrones de valencia y comparte un electrn con cada uno de sus vecinos, hay slo 9 electrones en la rbita de valencia. Esto significa que hay un hueco en la rbita de valencia de cada libre durante la recombinacin. 0.3. 2untos 3ue ,ay 3ue recordar Para que u fabricante pueda adoptar un semiconductor, debe producirlo inicialmente cono un cristal absolutamente puro. (ontrolando posteriormente la cantidad de impurezas, puede determinar con precisin las propiedades del semiconductor. Anicialmente resultaba ms fcil producir cristales puros de tomo trivalente. /n tomo aceptar un electrn trivalente se deno mina tambi*n tomo

germanio que de silicio. Por esta razn los primeros dispositivos semicondcutores estaban hechos me+oraron las t*cnicas de germanio. 4espu*s de fabricacin y se pueden obtener

cristales puros de silicio.Por las venta+as que tiene, el siliciose ha erigido como el materialsemicnductor ms popular y $til. 0. . &os tipos de se miconductores e4tr*nsecos /n semiconductor se puede dopar para de semicondcutores dopados. /n material semicopnductor que se a sometido a este proceso de que tenga un e)ceso de

electrones libres o un e)ceso de huecos. 4ebido a ello,e)isten dos tipos

dopando se deno mina materiale)trnseco. Bay dos materiales e)trnsecos de importancia invaluable para describircon cierto detalleen los siguientes prrafos. 5.1. Se miconductores tipo n El silicio que ha sido dopado con una impureza pentavalente se llama semiconductor tipo n hace referencia a negativo. En la fig. !"% m uestra un semiconductor tipo n. como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, recibe el no mbre de portadores mayoritarios,mientras que los huecos se les deno mina portadores minonoritarios. Los electrones libres mostrados en la fig.!"% circulan hacia el e)tremo izquierdo del cristal, donde electrones libres. 3lg$n entran la conductor y valencia abandona fluyen hacia el terminal positivo de la batera. 3de ms de los electrn de ocasionalmente el e)tremo izquierdo del cristal.La salida de este electrn de valencia crea un hueco en el e)tremo izquierdo del cristal. 5.2. Se m oco n d uctores tipo p la

fabricacin de dispositivos semicobnductores1 el tipo p. cada uno se

El silicio que ha

dopado con impurezas trivalentes se llama

semiconductores tipo p, donde p hace referencia a positivo.La ig. !"#C representa un semiconductor tipo p, como el n$ mero de huecos supera el n$ mero de electrones libres, los huecos son portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. 3l aplicarse una tensin,los electrones libres se m ueven hacia la izquierda y los huecos lo hacen hacia le derecha. En la fig.!" #C, los huecos que llegan al e)tremo derecho del cristal se recombinan con los electrones libres del circuitoe)tremo. En el diagrama de la fig. !"#C hay tambi*n un flu+o de portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de derecha a izquierda, como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi despreciable en este circuito. El material tipo p se forma dopando un cristal puro de germanio o silicio con tomos de impureza que tenga tres electrones de valencia. Los elementos que se emplean con mayor frecuencia para este propsito son el boro, el galio y el indio. El efecto de uno de estos elementos &el boro' sobre siliciobase se indica en la fig.#"##. El material p resultado es el*ctricamente neutro, por las

mismas razones que las del materialtipo p. 5.3. Electrn contra e/ecto ,ueco El efecto de un hueco en la conduccin se m uestra en la fig.#"#!. Di un electrn de valencia adquiere suficiente energa para romper su enlace covalente y llenar la vacante creada por un hueco, se crear una vacante o hueco en el enlace covalente que liber a ese electrn. En consecuencia, hay una transferencia de huecos hacia la izquierda y de electrones hacia la derecha, como se m uestra en la fig.#.#!. la direccin que se emplear en este

libro es la que corresponde al flu+o convencional,la cual se indica mediante la direccin del flu+ode huecos. 5. . 2ortadores m a y oritarios y mi m oritarios En el estado intrnseco,el n$ mero del electrones libres en el Ee o el Di se debe slo a aquellos pocos electrones en la banda de valencias que han adquirido suficiente energa de fuentes t*rmicas o luminosas para romper el enlace covalente o las pocas impurezas que podra no haberse eliminado. Las vacantes que se quedan atrs en la estructura del enlace covalente reresmetan nuestros muy limitados suministros de huecos. En un materialtipo n, el n$ mero de huecos no ha cambiado de manera significativa a partirde este nivel intrnse.El resultado neto por lo tanto, es que el n$ mero de electrones e)cede en de masi al n$ mero de huecos. Por esta razn1 en un materialtipo n &fig.#.#2 a' electrn se deno mina portador mayoritarioy el hueco, portador minoritario. Para el materialtipo p, el n$ mero de huecos supera ampliamente al n$ mero de electrones, como se muestra en la fig.#.#2b. por lo tanto1 en un material tipo p el hueco es un portador mayoritario y el electrn es el portador minoritario. (. El diodo no polari6ado (o mo se ha e)puesto en sesiones anteriores, cada tomo pentavalente es un cristal de silicio produce un electrn libre. Por esa razn puede representarse un cristalde semiconductor tipo n como se de muestra en el lado derecho de la fig.!"##. (ada signo ms encerrado en un crculo representa un tomo pentavalente y cada signo menos es el electrn libre con el que contribuye en el semiconductor.

4e

manera

similar, los tomo la fig. !"##. (ada

trivalentes y signo menos

los huecos en encerrado en

un un

semicondutor tipo p se pueden representar como se aprecia en e lado izquierda de semicoductor representa un tomo trivalente y cada signo ms es el hueco de su rbita de valencia. 5bs*rvese que cada cristalde material semiconductor es el*ctricamente neutro porque el n$ mero menos y ms es igual. (.1. La 6ona de deple4in 4ebido a su repulsin mutua, los electroneslibres en el lado n d ella fig. !"#! tienden a dispersarse en cualquier direccin. 3lgunos electrones libres se difunden atravesando la unin. (uando un electrn libre entra en la regin p se convierte en un portador minoritario.(on tantos huecos a su alrededor, este electrn tiene un tiempo de vida muy corta. Poco despu*s de entrar en la regin p el electrn libre cae en un hueco, cundo esto sucede, el hueco desaparece y el electrn libre se convierte en un electrn de valencia. (ada vez que un electrn se difunde a trav*s de la unin crea un par de iones. (uando un electrn abandona el lado n de+o un tomo pentavalente a que le hace falta una carga negativaF este tomo se convierte en ion positivo. /na vez que el electrn cae en un hueco en el lado p. el tomo trivalente que lo ha capturado se convierte en ion negativo. (.2. 7arra de potencial (ada dipolo tiene un campo el*ctrico entre los iones positivos y negativos. Por tanto, si electrones libres adicionales entran a la zona de deple)in,el campo el*ctrico trata de devolver estos electrones hacia la zona n. la intensidad del campo el*ctrico au menta con cada electrn que cruza hasta que se alcanza el equilibrio.En una primera apro)imacin tal coda significa que el campo de signos

acabar por detener la difusin de electrones a trav*s de la unin. (.3. unin de pn La fig. 2%# nos m uestra dos trozos unidos de materiales semiconductores,# de tipo n y el otro de tipo p. tal como nos indican las flechas, en una estrecha capa a ambos lados de la superficie de contacto los huecos y los electrones tienden a desplazarse a la parte opuesta del cristal. Este movimiento se deno mina difusin. (uando los electrones se difunden en el cristalde tipo p se toparan con huecos y se recombinaran con ellos.Lo mismo ocurre con los huecos que se difunden en el cristalde tipo n. por tanto causada la recombinacin de los huecos y electrones aparecer una zona e)enta de portadores de carga mviles &fig. 2%!'. La corriente el*ctrica no puede circular en condiciones normal a trav*s de esta zona que se deno mina capa barrea y cuyo espesor vale algunas mil*simas de m m debido a la difusin entran portadores de carga negativa en la zona del cristal de tipo p y portadores positivos en la zona de tipo n. la tensin de difusin del germanio vale entre C.! v y C.! v y del silicio, entre C.7 v y C.- v. (. . E/ecto de !l!ula de la unin pn El diodo semiconductor es un componente formado

bsicamente por una unin pn &fig.2%2'. El e)perimento nos muestra que1

un diodo semiconductor slo de+a pasar la corriente en un solo sentido.La unin pn presenta pues un efecto de vlvula (uando el polo positivo de la fuente esta aplicado a la zona p, y el polo negativo a la zona n del diodo semiconductor se encontrar este conectado en sentido de paso o directo. (.". 2olari6acin directa 89 & :; 9< /na condicin de polarizacin directa o de encendido se establece

aplicando el potencialpositivo al materialtipo p y el potencialnegativo al material tipo n, se indica en la fig. #.#-. por lo tanto para referencias futuras1 /n diodo semicoductor esta polarizado directamente cuando se ha restablecido la asociacin entre tipo p y positivo,hacia como entre tipo n y negativo. En ausencia de un volta+e de polarizacin aplicado el g flu+o neto de carga de cualquier direccin para un diodo semiconductor es C. La aplicacin de un potencial de polarizacin directa : 4 GPresionaraG a los electrones en el materialtipo n y a los huecos en el materialtipo p, para recombinar con iones cerca de la frontera y reducirla anchura de la regin de agotamiento, como se muestra en la fig.#.#-. un electrn del materialtipo n G:EG una barrera producida en la unin, debida a la reduccin en la regin de agotamiento y una fuerte atraccin por el potencialpositivo aplicado al materialtipo p. =.1. -lu.o de electrones libres La corriente circula fcilmente en un circuito como el de al fig. !"#0. >Porqu*? La causa es que la fuente obliga a los electrones libres ya los huecos a fluir hacia la a unin. Estos iones

positivos atraen los electrones hacia el cristaldesde el circuito e)terno. Por tanto, los electrones libres pueden abandonar el terminal negativo de la fuente y fluirhacia el e)tremo derecho del cristal. =.2. -lu.o de electrones de !alencia >Hu* sucede con los electrones libres que desaparecen en la unin?. De convierte en los electrones de valencia. (o mo tales se m ueve a trav*s de los huecos de la regin p =.3. Condicin de polari6acin in!ersa 89 & >; 9< Di un potenciale)terno de : volts se aplica en la unin p"n de manera tal que la terminal positiva este conectada al material tipo n y la terminal negativa al materialtipo p, como se muestra en la fig.#.#<, el n$ mero de iones positivos descubiertos en la regin de agotamiento de material tipo n au mentar debido al mayor n$ mero de electrones GlibresG arrastrados hacia el potencial positivo del volta+e aplicado. 4icho ensanchamiento de la regin de agotamiento establecer una barrera de masiado grande, como para que los portadores mayoritarios puedan superar, reduciendo efectivamente el flu+o de los mismos a cero como se muestra en la fig.#.#<. la corriente que e)isten ba+o condiciones de polarizacin inversa se deno mina corriente de saturacin inversa y se representa con el smbolo A 7.

1;.1. Ensanc,a miento de la 6ona de reple4in El terminal negativo de la batera atrae los huecos y el terminal positivo atrae los electrones libres. Por ello, los huecos y electrones libres se alelan de la uninF como resultado,la zona de deple)in se ensancha.

>cundo au menta la anchura de la zona de reple)in. (uando los huecos y electrones se ale+an de la unin, los iones reci*n creados hacen que au mente la diferencia de potenciala trav*s de la zona de deple)in. 3 mayor anchura de la zona de depla)in corresponde mayor diferencia de potencial. 3 veces la zona de deple)in se m uestra como una zona sombreada como de la fig. !"#<. La anchura de la zona sombreada e proporcional a la tensin inversa. 3 medida que la tensin inversa crece, au menta tambi*n la zona de deple)in. 1;.2. Corriente de portadores minoritarios >E)iste alguna corriente despu*s de haberse establecido la zona de deple)in? Di, incluso con polarizacin inversa e)iste una peque.a corriente. @ecu*rdese que a energa t*rmica crea continuamente pares de electrones libres y huecos, lo que significa que ambos de la unin e)isten peque.as concentraciones de portadores minoritarios. (uando esto sucede, por el circuito e)terno circula una peque.a corriente. En la fig.!"#9 se ilustra esta idea. Dupngase que la energa t*rmica ha creado un electrn libre y un hueco cerca de la unin. La zona de deple)in empu+a al electrn libre hacia la derecha provocando que un electrn de+e un e)tremo derecho del cristal.El hueco en la zona de deple)in es empu+ado hacia la izquierda. Este hueco e)tra en el lado p provoca que un electrn entre por el e)tremo izquierdo de cristal y se combine con un hueco. (uanto mayor es la temperatura de la unin, mayor es la corriente inversa de saturacin. Es decir un diodo de silicio tiene una A 7 mucho menor que un diodo de germanio con la misma forma y tama.o.

1;.3. Corriente super/icialde /u)as 3de ms de la corriente de portadores minoritarios producidos t*rmicamente, >e)iste alguna otra corriente en el diodo polarizado en la inversa? Di,una peque.a corriente fluye sobre la superficie del cristal.Esta corriente se deno mina corriente superficial de fugas, y es causada por impurezas en la superficiedel cristale imperfecciones de su estructura interna. 11. #uptura Los diodos ad miten hasta unos valores m)imos en las tensiones que se les aplica.En otras palabras e)isten un lmite para la atencin m)ima en inversa con que se puede polarizar un diodo sin correr el riesgo de destruirlo. 11.1. E/ectos de a!alanc,a Di se au menta continuamente a la atencin inversa, llegara un mo m e nto en que se alcance la tensin de ruptura. Para diodos rectif icadores con, la atencin de ruptura es normalmente mayor que 7Cv. una vez alcanzada la tensin de ruptura, una gran cantidad de portadores minoritarios aparece repentinamente en la zona de deple)in y el diodo conduce descontroladamente. >4e donde vienen estos portadores? De produce por el efecto de avalancha & ig. !"#-' que aparece atenciones inversas elevadas. (o mo se sabe, hay una peque.a corriente inversa de portadores minoritarios. (uando la tensin inversa au menta obliga a los portadores minoritarios a moverse ms rpidamente. 4e esta forma chocara con los tomos del ! cristal. Di el proceso es progresivo, ya que un electrn libre libera a un electrn de valencia obteni*ndose electrones libres. Estos dos electrones libres liberan, a su vez, a otros dos de valencia, y

as sucesivamente, el proceso continua hasta que corriente inversa es muy grande 11.2. E/ecto 6ener

al

(uando un diodo esta m uy deporado, la zona de deple)in es m uy estrecha. 4ebido a ello,el campo el*ctrico en la zona de deple)in es muy intenso. (uando la intensidad del campo alcanzan apro)imada mente los 2CCCCC :Icm, el campo puede e)traer los electrones de sus rbitas de no mbre de efecto zener. Este efecto es muy que los valencia. La creacin de electrones libres de esta manera recibe el diferente del efecto avalancha, que requiere electrones de valencia. El efecto zener se produce para tensiones de ruptura menores de 0v, mientras que el efecto de avalancha la tensin de ruptura esta requiere al menos <v. cuando

portadores minoritarios con grandes velocidades desliguen

entre 0 y <v, ambos efectos pueden darse simultneamente. 11.3. $ensin de ruptura 8brea?do @ n !olta)e< 4efine el valor de tensin entre dos electrodos especficos, en que la estructura del cristal cambia comienza a y la corriente subir rpidamente. Luego la tensin queda

relativamente constante sobre un amplio rango de corriente de electrodo. Las tensiones de ruptura pueden ser rizado en una u otra direccin,inversa idirecta.La fig.00 muestra una serie de curvas caractersticas de colector para diferentes condiciones de polarizacin de base. Esto puede ser visto asFel volta+e de ruptura conector " emisor au menta cuando la polarizacin base"emisor decrece desde los valores normales de la polarizacin directa hacia valores inversos. =: (E5 , es la tensin de ruptura de colector emisor con la base abiertaF =: (E@ , son una resistencia e)terna de base

para emisorF =: (ED , con la base y emisor cortocircuitos, y =: (E: ,con una tensin inversa de base emisor.