8-1

8. Les semiconducteurs
8.1. Types de liaisons dans les solides
De nombreux corps solides sont des assemblages ordonns d'atomes formant une structure rgulire.
Les liaisons entre les atomes pour former cette structure sont de trois types :
la liaison ionique
la liaison covalente
la liaison mtallique.
La liaison mtallique consiste en un arrangement rgulier d'ions positifs baignant dans un gaz
d'lectrons qui assurent les liaisons. Les ions positifs sont maintenus en place par le gaz d'lectrons qui
dtruit l'effet rpulsif entre les ions positifs. Les lectrons du gaz d'lectrons peuvent se dplacer plus
ou moins librement travers le mtal. On parle donc du gaz d'lectrons libres.
La liaison ionique correspond au transfert d'un ou de plusieurs lectrons d'un atome vers un atome
voisin. Un exemple typique est le cristal de NaCl. Chaque atome de Na donne un lectron un atome
de chlore voisin. Le cristal de NaCl est donc form d'ions Na
+
entours chacun de six ions Cl
-
ou vice
versa (figure 8-1). Les lectrons sont fortement lis aux ions dans les solides ioniques. A temprature
ordinaire, la concentration d'lectrons libres est donc trs faible, ce qui explique la rsistivit leve de
ces matriaux.

Figure 8-1. Structure cristalline du NaCl. Chaque ion Na
+
est entour de 6 ions Cl
-
et vice-versa.
Une liaison covalente est forme lorsque deux atomes voisins mettent deux lectrons en commun. Un
exemple typique est le silicium qui est le semiconducteur le plus couramment utilis en
lectronique.Le silicium cristallise dans le rseau du diamant. Cette structure correspond deux
8-2
rseaux cubiques faces centres
1
, translats l'un par rapport l'autre d'un quart de la digonale du
cube. La longueur du cot du cube, qu'on note a, s'appelle le paramtre de maille ou paramtre
cristallin du silicium. Chaque atome de silicium est ainsi entour de quatre premiers voisins qui
forment un ttradre. Il forme avec chacun des premiers voisins une liaison covalente. Chacun des
deux atomes participant la liaison apporte un lectron cette liaison qui est donc sature (figure 8-
2a).
La figure 8-2b illustre cette structure l'aide d'une reprsentation schmatique deux dimensions. En
ralit les liaisons entre atomes de silicium ne sont videmment pas confins dans un plan, mais cette
reprsentation schmatique permet d'illustrer facilement le principe de la liaison covalente. Chaque
atome de silicium forme donc quatre liaisons avec ses premiers voisins, et chaque atome contribue un
lectron par liaison, ce qui donne un total de deux lectrons par liaison (un lectron par atome).
(a) (b)
Figure 8-2. a) Structure cristalline du Si; b) reprsentation bidimensionnelle du cristal de silicium. Chaque
atome de silicium forme quatre liaisons avec ses premiers voisins et apporte un lectron par liaison.
Un autre type de semiconducteur, frquemment utilis dans les tlcommunications, est le
semiconducteur III-V. La structure est similaire celle du silicium, mais un des deux sous-rseaux
cubiques faces centres est occup par des atomes du groupe III (Ga, Al, In) tandis que l'autre est
occup par des atomes du groupe V (N, P, As, Sb). La structure cristalline s'appelle alors la structure
zinc-blende. On obtient ainsi des composs tels que l'arsniure de gallium (GaAs), le phosphure
d'indium (InP), le nitrure de gallium (GaN), etc. On peut galement produire des composs ternaires,
ou les sites III sont partags par deux types d'atomes du groupe III par exemple (Ga
1-x
Al
x
As, Ga
1-x
In
x
P,
...)

1
Dans un rseau cubique faces centres, les atomes occupent les coins d'une cube et le centre des 6 faces. Cet
arrangement est rpt priodiquement, dans les trois directions de l'espace.
8-3
Chaque atome du groupe III est entour de quatre premiers voisins de type V et inversment. Chaque
atome du groupe III contribue donc en moyenne 3/4 d'lectrons par liaison, tandis que les atomes du
groupe V en apportent en moyenne 5/4. Au total, toutes les liaisons sont donc satures puiqu'elles
contiennent
3 5
2
4 4
+ = lectrons.

Figure 8-3. Reprsentation bidimensionnelle du cristal de GaAs.
8.2. Les semiconducteurs intrinsques
8.2.1. Bandes d'nergie et bande interdite
Considrons titre d'exemple un morceau de silicium pur. Le mme raisonnement pourra s'appliquer
aux semiconducteurs III-V. Chaque atome de silicium possde 14 lectrons. Parmi ces 14 lectrons, 10
sont fortement lis aux atomes : il faut une nergie suprieure 100 eV pour les librer. Les quatre
autres lectrons (les lectrons de valence) sont localiss dans les liaisons covalentes. L'nergie
ncessaire pour les librer est de l'ordre de 1 eV. A 0 K (zro absolu), aucun lectron n'est libre : la
rsistivit est infinie.
De ces considrations, on peut dduire une description des proprits lectroniques des
semiconducteurs base sur l'existence de niveaux et de bandes d'nergie. Dans un atome, les lectrons
peuvent occuper des niveaux d'nergie discrts (figure 8-4). Lorsqu'on rapproche duex atomes pour
former une liaison chimique, les orbitales des lectrons de valence se recouvrent partiellement, ce qui
entrane une sparation des niveaux d'nergie correspondants pour respecter le principe d'exclusion de
Pauli. Dans un solide, de trs nombreux atomes occupent un volume trs petit. On obtient donc de
nombreux niveaux d'nergie tellement rapprochs qu'ils forment ce qu'on appelle des bandes d'nergie.
La bande forme par les niveaux occups s'appelle la bande de valence, tandis que la bande des
niveaux inoccups s'appelle la bande de conduction. Dans les semiconducteurs et dans les isolants,
8-4
ces deux bandes sont spares par une rgion dans laquelle aucun tat permis n'existe: la bande
interdite. La largeur de cette bande interdite est note E
g
; il s'agit de l'nergie ncessaire pour librer
un lectron de valence et donc l'ajouter aux lectrons libres.

Figure 8-4. Formation de bandes d'nergie dans un solide, partir des niveaux d'nergie de valence des atomes
individuels. Les orbitales de coeur (profonds), localises plus prs des noyaux, n'interagissent pas et les niveaux
corrrespondants ne sont donc pas modifis.
Les lectrons dans un semiconducteur sont caractriss par leur nergie E mais galement par leur
quantit de mouvement p

. En mcanique classique, un lectron isol, dans le vide, aurait une nergie

2
2
mv
E = et une quantit de mouvement p mv = , d'o
2
2
p
E
m
= . Dans un solide, il y a galement
une relation entre E et p

, et les valeurs permises de E dpendent de la valeur de p

. On a l'habitude
d'utiliser le vecteur d'onde k

, dfini par
2
h
p k

(h = constante de Planck), plutt que la quantit

de mouvement. On obtient ainsi un schma de bandes d'nergie en fonction du vecteur d'onde des
lectrons, qu'on appelle structure de bandes.
La figure 8-5 montre la structure de bandes du silicium et du GaAs, titre d'exemple. On voit que le
maximum de la bande de valence et le minimum de la bande de conduction peuvent correspondre la
mme valeur de la quantit de mouvement (cas du GaAs) ou des valeurs diffrentes de celle-ci (cas
du Si). Dans le premier cas, on parle de semiconducteur transition directe, alors que, dans le second
cas, on parle de semiconducteur transition indirecte.
8-5

Figure 8-5. Structure de bandes du silicium (transition indirecte) et de l'arsniure de gallium (transition
directe). La figure montre la relation entre E et k pour les bandes de valence, ainsi que l'existence d'une bande
interdite. Les parties gauche et droite de l'axe horizontal correspondent des directions diffrentes de k

.

Tableau 8-1. Largeur de la bande interdite et paramtre cristallin de quelques semiconducteurs
300 K. d = transition directe, i = transition indirecte.
Si Ge GaAs InSb InP GaP InAs
E
g
(eV) 1,12 (i) 0,66 (i) 1,42 (d) 0,18 (d) 1,35 (d) 2,26 (i) 0,36 (d)
a () 5,43 5,65 5,65 6,48 5,87 5,45 6,06
8.2.2. Cration de paires lectron-trou
Ds que la temprature s'lve un peu, l'nergie thermique permet certains lectrons de valence de
quitter la bande de valence. Il apparat ainsi dans la bande de conduction du semiconducteur des
lectrons libres dont la concentration sera note n (nombre d'lectrons / cm
3
) (figure 8-6).
Le dpart d'un lectron de valence cre simultanment un niveau vide dans la bande de valence. On dit
qu'un trou apparat. L'lvation de la temprature a cr des paires lectron-trou. La concentration p
(nombre de trous / cm
3
) de trous est videmment gale n, on crit n = p = n
i
(i pour intrinsque).
8-6

Figure 8-6. Reprsentation schmatique de la cration de paires lectron-trou dans le silicium.
A une temprature donne T, l'agitation thermique des lectrons favorise des rencontres avec des trous
et un lectron peut donc occuper la place vacante. On dit qu'il y a recombinaison d'une paire lectron-
trou. Cette recombinaison s'accompagne d'une libration d'nergie sous forme de lumire (un photon
est mis) ou de chaleur. L'quilibre s'tablit au moment o le nombre de gnrations de paires
lectron-trou par seconde (g) est gal au nombre de recombinaisons (r).
Pour un semiconducteur donn, g ne dpend que de la temprature (nergie d'agitation thermique) et g
crot avec la temprature.
Donc : g = f(T)
r dpend de la temprature et des possibilits de recombinaisons qui sont fonction du nombre
d'lectrons libres et de trous disponibles. Il est donc logique d'crire
( ) ( )
2
i
r K T np K T n = =
A l'quilibre : g = r
Donc :
( )
( )
2
i
f T
np n
K T
= = (8.1)
On peut montrer que : exp
g 2 3
i
E
n AT
kT
| |
=
|
\ .
, soit

/
exp
g 3 2
i
E
n AT
2kT
| |
=
|
\ .
(8.2)
E
g
est l'nergie minimale ncessaire la cration d'une paire lectron-trou (la largeur de la bande
interdite, 1,11 eV dans le silicium).
8-7

Figure 8-7. Concentration de porteurs intrinsques dans le silicium en fonction de la temprature. A 300 K, on
trouve n
i
= 1,5 10
10
cm
-3
.
La variation de n
i
avec T est domine par le terme exp
g
E
2kT
| |
|
\ .
. Le graphe de ln n
i
en fonction de 1/T
est donc approximativement linaire (figure 8-7). De plus, si l'nergie E
g
minimale ncessaire la
cration est plus leve, la valeur de n
i
est plus faible. Dans le cas d'un isolant, E
g
vaut plusieurs eV,
ce qui explique la conductivit quasi-nulle des isolants.
Si la recombinaison de paires lectron-trou s'accompagne d'mission de lumire, la longueur d'onde
est lie l'nergie libre. En effet, l'nergie des photons mis est au moins gale E
g
. La longueur
d'onde maximale est donc donne par

g
hc
E
r
8.3. Conductivit lectrique des semiconducteurs intrinsques
Grce aux n lectrons libres par cm
3
, la conductivit du semiconducteur n'est plus nulle une
temprature suprieure au zro absolu. En effet, ces lectrons peuvent tre acclrs par un champ
lectrique mme faible et acqurir une vitesse de drive
d e
v E

o
e
est la mobilit des lectrons
dans le silicium.
Les trous participent galement au courant lectrique. En effet, un lectron d'une liaison voisine peut
'sauter' dans le trou inoccup. De cette manire, le trou se dplace dans le sens oppos au dplacement
de l'lectron (figure 8-8). Comme les lectrons se dplacent en moyenne dans le sens oppos au champ
lectrique, tout se passe comme si des trous se dplaaient dans le sens du champ. Les trous se
comportent donc comme des charges positives.
8-8

Figure 8-8. Illustration du mcanisme de conduction lectrique par les lectrons libres et par les trous dans le
silicium.
Comme, en raison des agitations thermiques, les sauts de liaison en liaison se font en zigzag de la
mme faon que le dplacement des lectrons libres, on peut attribuer ce mouvement des trous une
vitesse de drive
d t
v E
+
=

, o
t
est la mobilit des trous.
La densit du courant dans le semiconducteur dans lequel on a cr un champ lectrique est donc
donne par la contribution des lectrons et des trous:
( )
e t
j ne pe E = +


Pour un semiconducteur intrinsque, on a n = p = n
i
, d'o
( )
e t i
j n eE = +


Comme n
i
crot avec T la conductivit d'un semiconducteur intrinsque crot avec la temprature pour
autant que les mobilits ne varient pas de manire significative.

Figure 8-9. Le courant lectrique dans un semiconducteur est la somme du courant des lectrons et du courant
des trous. La vitesse de drive des lectrons est oppose celle des trous, mais les courants sont dans le mme
sens.
8-9
8.4. Semiconducteurs dops
En remplaant des atomes de silicium ttravalents par de faibles quantits d'lments soit pentavalents
soit trivalents, il est possible d'accrotre les concentrations l'quilibre des lectrons ou des trous et
ainsi de modifier la conductivit lectrique.
8.4.1. Dopage de type n
Les atomes pentavalents comme l'arsenic, l'antimoine ou le phosphore possdent cinq lectrons de
valence. Si de tels atomes sont introduits dans le rseau cristallin du silicium, quatre lectrons de
valence servent la liaison de l'atome tranger avec les atomes de silicium voisins tandis que le
cinquime lectron n'est engag dans aucune liaison.
Ce cinquime lectron est fort peu li l'arsenic et sous l'effet de l'agitation thermique, temprature
ordinaire, il circule librement comme lectron de conduction au sein du cristal (figure 8-10). L'atome
pentavalent est devenu un ion positif fig dans le cristal. Cet atome porte le nom de donneur car il a
accru le nombre d'lectrons libres. Le silicium est dop par les donneurs et comme la concentration
des lectrons libres a augment, on parle d'un dopage n : le silicium est devenu du silicium de type n.
Le dopage consiste inclure une faible concentration d'atomes d'impurets. Des valeurs typiques de
cette concentration se situent entre 10
14
et 10
19
atomes / cm
3
, ce qui est trs peu par rapport aux
4,96 10
22
atomes de silicium par cm
3
.

Figure 8-10. En remplaant quelques atomes de silicium par des atomes d'arsenic (As), on augmente la
concentration d'lectrons libres, puisque le cinquime lectron de valence de l'arsenic ne trouve pas de place
dans les liaisons covalentes. Cet lectron ne reste pas localis prs de l'atome d'arsenic qui devient un donneur
ionis (As
+
).
8-10
A temprature ambiante, l'nergie thermique suffit pour ioniser tous les donneurs. Le dopage n accrot
le nombre d'lectrons libres qui devient grand par rapport n
i
, mais il diminue le nombre de trous. En
effet, l'augmentation de n accrot les possibilits de recombinaison lectron-trou. Par consquent, le
semiconducteur n assure la conduction principalement par les lectrons libres qui sont les porteurs
majoritaires.
8.4.2. Dopage de type p
Si certains atomes de silicium sont remplacs par des lments trivalents comme le bore, l'indium ou
le gallium, une des liaisons de l'impuret avec les atomes de silicium voisins ne peut se raliser
correctement parce qu'il manque un lectron de valence. Le trou ainsi cr se dplace de liaison en
liaison par agitation thermique. Les impurets ayant alors leur quatre liaisons satures sont devenues
des ions ngatifs. (figure 8-11) Ces impurets figes dans le cristal s'appellent accepteurs car elles
tendent capter ( accepter) un quatrime lectron. Le silicium dop par des accepteurs est appel
silicium de type p car le nombre de trous a augment. Les trous sont donc les porteurs majoritaires
dans le silicium de type p. Comme pour les donneurs, les dopages habituels correspondent des
concentrations en accepteurs de 10
14
10
19
cm
-3
.


Figure 8-11. En remplaant quelques atomes de silicium par des atomes d'indium (In), on augmente la
concentration de trous, puisqu'il manque un lectron de valence de pour remplir les quatre liaison covalentes.
Ce trou ne reste pas localis prs de l'atome d'indium qui devient un accepteur ionis (In
-
).
8-11
8.5. Conductivit lectrique des semiconducteurs dops
8.5.1. Conductivit en fonction de la temprature
A trs basse temprature, les donneurs ou accepteurs ne sont pas encore ioniss. La concentration de
porteurs de charge libres (lectrons ou trous) est donc trs faible et la conductivit est ngligeable.
Si la temprature crot (de - 273 - 100C par exemple pour le silicium), la concentration de porteurs
libres augmente progressivement suite l'ionisation des impurets. Ces concentrations augmentent
beaucoup plus vite que la concentration de porteurs intrinsques, puisque l'nergie ncessaire
l'ionisation des impurets n'est que de quelques dizaines de meV.
Comme la conductivit lectrique vaut
e t
ne pe = + ,elle augmente avec T.
Vers - 100C (cas du silicium), toutes les impurets sont ionises et leur nombre est nettement plus
lev que les paires lectron-trous dues l'effet thermique. Il s'ensuit que dans un intervalle de
temprature (de - 100C + 150C) le semiconducteur se comporte comme un mtal : la conductivit
diminue avec la temprature : n ou p reste pratiquement constant mais diminue. Les collisions sont
en effet plus nombreuses.
Finalement pour des tempratures encore plus leves (> 150C), la conductivit augmente nouveau
suite la cration de paires lectrons-trous.
La figure 8-12 montre la variation de la rsistivit du silicium (gale l'inverse de la conductivit) en
fonction de la temprature.

Figure 8-12. Rsistivit du silicium en fonction de la temprature. On distingue bien les rgimes d'ionisation
(augmentation de la conductivit par ionisation des impurets) et intrinsques. Pour les tempratures
intermdiaires, la rsistivit augmente cause de la diminution de la mobilit des porteurs suite aux collisions
avec les phonons (vibration des ions du rseau).
8-12
8.6. Rsistivit en fonction du dopage
Les formules
e
ne = (semiconducteur n) et
t
pe = (semiconducteur p) montrent que la
conductivit d'un semiconducteur est proportionnelle la concentration des impurets si celles-ci sont
compltement ionises. Comme la concentration d'impurets peut gnralement tre contrle dans
l'intervalle 10
12
10
19
cm
-3
, la conductivit peut tre modifie sur plusieurs dcades en fonction du
dopage (figure 8-13). Par ailleurs, comme il est difficile de produire du silicium avec une
concentration d'impurets infrieure 10
14
cm
-3
, il est difficile d'atteindre dans la pratique la rsistivit
du silicium intrinsque.

Figure 8-13. Rsistivit temprature ambiante du silicium de type n ou p en fonction de la concentration des
atomes donneurs ou accepteurs. (New Semiconductor Materials. Characteristics and Properties, Ioffe Institute, St. Petersburg,
Russie; http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/)
8.7. La jonction p-n
8.7.1. La jonction p-n lquilibre
Considrons la jonction forme en mettant un semiconducteur de type p en contact avec un
semiconducteur de type n. Supposons que chacun de ces deux morceaux semiconducteurs est
homogne.
Soient N
a
et N
d
les concentrations daccepteurs et de donneurs dans les semiconducteurs de type p et n
respectivement.
8-13

Figure 8-14. Reprsentation schmatique d'une jonction semiconductrice p-n.
A temprature ambiante, on aura :

n d n d i
n N p N n
+
= + (n
n
et p
n
sont la concentration d'lectrons et de trous dans le
semiconducteur de type n)

p a p a i
p N n N n

= + (n
p
et p
p
sont la concentration d'lectrons et de trous dans le
semiconducteur de type p)
Le produit pn ne dpend que de la temprature et de la nature du semiconducteur et est indpendant de
la concentration d'impurets
1
. Par consquent,
2
i
pn n = , d'o

2
i
n n
d
2
i
p p
a
n
p n
N
n
n p
N
=
=

(8.3)
Lors de la mise en contact des deux semiconducteurs, des lectrons vont diffuser du semiconducteur
de type n vers celui de type p et des trous diffusent dans le sens inverse. Cette diffusion de porteurs de
charge est une consquence des concentrations trs diffrentes de porteurs de charge dans les deux
semiconducteurs. Il en rsulte un courant lectrique de porteurs majoritaires, I
1
, appel courant de
diffusion.
Les lectrons qui arrivent du ct p se recombinent avec des trous juste aprs la jonction. Ainsi, dans
une rgion proche de la jonction, les trous libres disparaissent et il reste des accepteurs ioniss
(charges ngatives). De la mme manire, les lectrons libres disparaissent du ct n prs de la
jonction, et il reste des donneurs ioniss (charges positives).

Figure 8-15. Lors de la formation d'une jonction p-n, la diffusion des charges libres tend rduire le gradient de
concentration autour de la jonction.

1
Si le semiconducteur n'est pas dgnr (concentration de donneurs ou d'accepteurs infrieure environ
10
19
cm
-3
pour le silicium)
8-14
On obtient finalement une zone avec des charges fixes (les impurets ionises) non compenses autour
de la jonction. Cette zone sappelle la zone de dpltion. Plus loin de la jonction, le semiconducteur
garde ses proprits non perturbes et reste en particulier lectriquement neutre.
Un champ lectrique apparat, dirig des charges + vers les charges -, cest--dire du semiconducteur n
vers le semiconducteur p. Ce champ lectrique doit donc tre localis prs de la jonction : il ne peut
pas exister dans les rgions o il y a des charges libres.

Figure 8-16. La diffusion des charges libres travers la jonction cre, dans le voisinage de celle-ci, un champ
lectrique qui s'oppose la diffusion des porteurs majoritaires.
Au fur et mesure que la diffusion progresse, le champ lectrique autour de la jonction augmente.
Comme il s'oppose au passage des trous de p vers n et des lectrons de n vers p, il en rsulte une
diminution de l'intensit du courant de diffusion.
Un lectron libre qui suite la gnration d'une paire lectron-trou- arriverait dans la partie p prs de
la jonction (porteur minoritaire) sera acclr vers n par le champ lectrique. De la mme manire, un
trou arrivant prs de la zone de dpltion dans la rgion n, sera acclr vers la rgion p. Il en rsulte
un courant de porteurs minoritaires (qui s'ajoutent aux porteurs majoritaires une fois qu'ils ont travers
la jonction) I
2
, appel courant de drive. Ce courant circule dans le sens oppos au courant de
diffusion.
Le courant de drive est relativement indpendant du champ lectrique l'interface. En effet, il est
limit par la gnration de porteurs minoritaires et atteint donc la valeur de saturation pour des champs
relativement faibles.
A l'quilibre, le champ lectrique s'tablit une valeur telle que le courant de diffusion est gal et
oppos au courant de drive.
Le potentiel varie donc travers la jonction :
8-15

Figure 8-17. Variation du potentiel travers la jonction p-n l'quilibre.
La diffrence de potentiel V
0
l'quilibre qui s'tablit travers la jonction est appele le potentiel de
diffusion.
Cette variation du potentiel entrane un glissement des bandes d'nergie, puisque lnergie potentielle
des lectrons (
p
E eV = ) (e = +1,6 10
-19
C) varie. On obteint alors le schma de la figure 8-18.

Figure 8-18. Schma des bandes d'nergie travers la jonction p-n l'quilibre.
8.7.2. La jonction p-n dans le sens bloquant
Appliquons une tension externe entre les deux semiconducteurs, en reliant le ct p la borne et le
ct n la borne + dun gnrateur.

8-16
Figure 8-19. Polarisation d'une jonction p-n dans le sens bloquant.
De cette manire, on augmente la diffrence de potentiel travers la jonction puisquon rend le ct p
encore plus ngatif par rapport au ct n. Le bas de la bande de conduction, c'est--dire l'nergie des
lectrons libres, varie donc selon la figure 8-20.

Figure 8-20. Variation de la position du bas de la bande de conduction travers la jonction p-n polarise dans
le sens bloquant.
A lquilibre, si V=0, aucun courant net ne peut circuler travers la jonction. Comme on vient de le
voir, la gnration de paires lectron-trou produit des porteurs minoritaires, et si cette gnration a lieu
prs de la jonction, les porteurs minoritaires sont acclrs travers la jonction par le champ
lectrique. A lquilibre, ce courant (de drive) est exactement compens par le courant de diffusion
des porteurs majoritaires, devenu faible cause du mme champ (antagoniste pour les porteurs
majoritaires).
En augmentant le champ E

, on diminue davantage le courant de porteurs majoritaires, mais on

naugmente pas de manire significative le courant des porteurs minoritaires. En effet, le champ
produit par le potentiel de diffusion suffit crer un courant limit par le taux de gnration de paires
lectrons-trou : tous les porteurs minoritaires gnrs prs de la jonction traversent celle-ci. Le courant
est satur et une augmentation supplmentaire du champ lectrique naugmente pas le courant des
porteurs minoritaires. En revanche, on arrte compltement le passage de porteurs majoritaires, et il en
rsulte un courant net. Ce courant est faible cause de la faible concentration de porteurs minoritaires.
Le sens conventionnel de ce courant es dirig de n vers p travers la jonction (de p vers n dans le
circuit extrieur).
8.7.3. Jonction p-n dans le sens passant
Appliquons maintenant une tension externe entre les deux semiconducteurs, en reliant cette fois le
semiconducteur de type p la borne + du gnrateur.
8-17

Figure 8-21. Polarisation d'une jonction p-n dans le sens passant.
Dans ce cas, on diminue la hauteur de la barrire de potentiel et la largeur de la couche de dpltion :

Figure 8-22. Variation de la position du bas de la bande de conduction travers la jonction p-n polarise dans
le sens passant.
Par consquent, le champ antagoniste au courant de diffusion des porteurs majoritaires diminue, et ce
courant peut augmenter trs fortement. Le courant des porteurs minoritaires reste essentiellement
inchang.
Il en rsulte donc nouveau un courant net travers la jonction. Ce courant peut devenir beaucoup
plus grand que le courant inverse, cause de la concentration leve de porteurs majoritaires (source
virtuellement illimite).
Par convention, V est positif quand p est positif par rapport n, et I est positif quand le courant
conventionnel passe de n vers p par le circuit extrieur. On a alors le graphe I(V) suivant :
On peut montrer que l'quation de la caractristique I(V) s'crit
exp
0
eV
I I 1
kT
( | |
=
| (
\ .
(8.4)
I
0
est une constante (intensit du courant inverse) qui dpend de la concentration des donneurs et
accepteurs, de la surface de la jonction,
8-18

Figure 8-23. Caractristique I(V) d'une jonction p-n.
La jonction p-n laisse donc passer le courant dans un seul sens : il sagit dune diode quon reprsente
par le symbole de la figure 8-24.

Figure 8-24. Symbole d'une diode utilis dans les schmas lectroniques.