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Estudiantes de pregrado de ingeniera Elctrica y electrnica, Docente Electrnica II, primer periodo de 2014
ABSTRACT This document present the design and simulation of an amplifier with BJT in commonemitter configuration to operate in a certain frequency range. In this pre-report are included such calculations and dimensioning of the circuit elements to be implemented, in which the fundamental characteristics of the frequency response of the amplifier transistor BJT. RESUMEN En este documento se presentan el diseo y simulacin de un amplificador con BJT en configuracin de emisor comn para operar en un determinado rango de frecuencias. En este pre-informe son incluidos los respectivos clculos y dimensionamiento de los elementos del circuito a implementar; en este se analizaran las caractersticas fundamentales de la respuesta en frecuencia del amplificador con transistor BJT. 1. INTRODUCCIN El objetivo principal de esta prctica de laboratorio es realizar los clculos para el dimensionamiento de un amplificador con BJT en configuracin de emisor comn para operar en un determinado rango de frecuencias. Adems de lo anterior en este documento se presentan las simulaciones obtenidas en software Multisim Y PROTEUS. El amplificador con transistor bipolar en emisor comn es uno de los ms utilizados, debido a sus elevadas ganancias tanto de tensin como de corriente, como al hecho de tener unas impedancias de entrada y salida con valores intermedios, lo que le hace ideal para etapas intermedias. El punto de partida del amplificador en EC es el conocido circuito autopolarizado en emisor comn con resistencia de emisor que se puede apreciar en la figura siguiente, al que se aaden tres condensadores adicionales. Los datos obtenidos tericamente y en las simulaciones, sern comparados con el fin de obtener conclusiones acerca del diseo realizado.
Figura 2.1 Circuito propuesto. Para obtener una ganancia Av>12, hay que tener en cuenta los siguientes parmetros -Corriente de emisor de reposo: -Voltaje colector-emisor de reposo: -Voltaje de emisor de reposo: -Resistencia R2: ANLISIS DC 1.5 mA IEq 5 mA 0.4VCC VCEq 0.6Vcc 0.1VCC VCEq 0.2Vcc R2 << med(RE + R3)
Calculo de R2
Se selecciona un valor de Icq=10mA (=100), con este valor aseguramos la operacin del transistor en la zona ms lineal; Al reemplazar obtenemos lo siguiente:
Calculo de R1
Resistencia de base
Pero:
1.5 mA IEq 5 mA
Calculo de Vce Al aplicar LVK en la salida, se obtiene:
Pero:
Al reemplazar, se obtiene:
Clculo de re
ANLISIS AC Modelo pi
Impedancia de salida
Ganancia de tensin
(
La tensin en la salida est dada por la siguiente ecuacin:
Reemplazando:
(
Pero
Pero:
Despejando:
Cc
Pero:
Ce
Pero:
Despejando:
Clculo de la frecuencia fb - ft
Para el transistor 2n3904: Cbc=4pF y Cbe=35pF; La frecuencia Fb est dada por la siguiente ecuacin:
Pero:
Entonces:
Pero:
Entonces:
3. MATERIALES Para esta prctica sern usados los siguientes componentes: Resistencias
R1=15 k - 1/2w R2=12K - 1/2w R3=4 - 1/2w RE=2 k - 1/2w RC=2.8 k - 1/2w Rl=5.1k - 1/2w Rsl= 3 - 1w Capacitores
4,01mA
3,88mA
3,24
Datos obtenidos en las simulaciones en AC. Calculados Simulado 152,2 Error % 4,93
Ganancia de voltaje en banda media. Frecuencia de corte inferior. Frecuencia de corte superior.
160.1
200Hz
280Hz
40
8,8MHz
7,4MHz
15,9
5. CONCLUSIONES En este segundo laboratorio, con la ayuda de un anlisis tanto prctico como terico de los transistores BJT, se pudo comprobar y analizar como se ve afectada la seal de salida cuando se supera la frecuencia de corte mxima o cuando se trabaja por debajo de la frecuencia de corte mnima, obteniendo una muy considerable atenuacin en la seal salida. El mayor error porcentual obtenido entre datos simulados y calculados, es el valor de voltaje colector-emisor siendo este error de 50%. El menor error se presenta en la corriente de emisor de reposo siendo este de 3,24%.
6. REFERENCIAS file:///C:/Users/Francisco/Downloads/93236812.ampli%20E.C..pdf
7. ANEXOS