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DEFINICIN.
ESTRUCTURA.
APPLET CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO.
CARACTERSTICAS GENERALES.
4.1 CARACTERSTICAS ESTTICAS.
4.2 CARACTERSTICAS DE CONTROL.
4.3 CARACTERSTICAS DINMICAS.
4.4 CARACTERSTICAS TRMICAS.
MTODOS DE DISPARO.
5.1 DISPARO POR PUERTA.
5.2 DISPARO POR MDULO DE TENSIN.
5.3 DISPARO POR GRADIENTE DE TENSIN (dV/dt).
5.4 DISPARO POR RADIACIN.
5.5 DISPARO POR TEMPERATURA.
CONDICIONES NECESARIAS PARA EL CONTROL DE UN SCR.
LIMITACIONES DEL TIRISTOR.
7.1 LIMITACIONES DE LA FRECUENCIA DE FUNCIONAMIENTO .
7.2 LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE TENSIN dV/dt.
7.3 LIMITACIONES DE LA PENDIENTE DE INTENSIDAD dI/dt.
7.4 PROTECCIONES CONTRA dV/dt Y dI/dt.
7.5 LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.
EXTINCIN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIN.
APLICACIONES DEL SCR.
1.
DEFINICIN.
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ESTRUCTURA.
3.
CARACTERSTICAS GENERALES.
CARACTERSTICAS ESTTICAS.
CARACTERSTICAS DE CONTROL.
CARACTERSTICAS DINMICAS.
Figura 6. Tiempo
de encendido.
4.3.2.2
divide
CARACTERSTICAS TRMICAS.
5.
MTODOS DE DISPARO.
el
paso
del
estado
de
conduccin
al
estado
de
bloqueo
directo.
a) Causas:
- Durante el cebado, la zona de conduccin se reduce a una parte del ctodo
cerca de la puerta, si el circuito exterior impone un crecimiento rpido de la
intensidad, en esta zona la densidad de corriente puede alcanzar un gran valor.
- Como el cristal no es homogneo, existen zonas donde la densidad de
Intensidad es mayor (puntos calientes).
b) Efectos:
- En la conmutacin de bloqueo a conduccin la potencia instantnea puede
alcanzar valores muy altos.
- La energa disipada producir un calentamiento que, de alcanzar el lmite
trmico crtico, podra destruir el dispositivo.
7.4
Clculo de R y C:
1. Se calcula el valor mnimo de la constante de tiempo de la dV/dt del
dispositivo y el valor de R y C:
= ( 0,63 VDRM ) / ( dV/dt )mn
C = / RL
Rs = VA(mx) / ( ITSM - IL )
donde:
VDRM = tensin de pico repetitiva de bloqueo directo.
IL = corriente en la carga.
RL = resistencia de carga.
ITSM = corriente directa de pico no repetitiva.
VA(mx) = tensin de nodo mxima.
= coeficiente de seguridad (de 0,4 a 0,1).
2. Hallamos el valor de Rmn que asegura la no superacin de la dI/dt mxima
especificada (a partir de la ecuacin de descarga de C):
R mn = ( VA(mx) / ( dI /dt ) C )
Clculo de L:
L = VA(mx) / ( dI / dt)
7.4.2
Mtodo de la resonancia.
7.5
Rs = (L / C)
LIMITACIONES DE LA TEMPERATURA.
VAK = V0 + IA R
V0 y R son valores aproximadamente constantes para una determinada
familia de tiristores y para una determinada temperatura de la unin. En ste
caso nos encontraremos dentro de la zona directa de la curva
caracterstica (Figura 12).
Figura 12.
Operando con las ecuaciones anteriores:
PAV = V0 IA(AV) + R ( IA(RMS))2
Esta ecuacin se encuentra representada mediante curvas para distintas
formas de onda (sinusoidal, rectangular,...) y para distintos ngulos de
conduccin en la figura siguiente.
La potencia que se disipa, depende del valor medio de la corriente y del
Figura 13.
Una vez elegido el tiristor y teniendo en cuenta los parmetros ms
importantes como son la potencia total disipada y temperatura, y calculada
tambin la potencia media que disipa el elemento en el caso ms desfavorable,
procederemos a calcular el disipador o radiador ms apropiado para poder
evacuar el calor generado por el elemento semiconductor al medio ambiente.
8. EXTINCIN DEL TIRISTOR. TIPOS DE CONMUTACIN.
Entenderemos por extincin, el proceso mediante el cual, obligaremos
al tiristor que estaba en conduccin a pasar a corte. En el momento en que un
tiristor empieza a conducir, perdemos completamente el control sobre el
mismo.
El tiristor debe presentar en el tiempo ciertas condiciones para pasar
de nuevo a corte. Este estado implica simultneamente dos cosas:
CONMUTACIN NATURAL.
a) Libre.
b) Asistida.
8.2
CONMUTACIN FORZADA.
Ciclo conversores.
Cargadores de bateras.
Circuitos de proteccin.
Controles de calefaccin.
Controles de fase.
TRIAC.
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DEFINICIN.
ESTRUCTURA.
APPLET CURVA CARACTERSTICA Y FUNCIONAMIENTO.
MTODOS DE DISPARO.
4.1 DISPARO POR CORRIENTE CONTINUA.
4.2 DISPARO POR CORRIENTE ALTERNA.
5. CARACTERSTICAS GENERALES Y APLICACIONES.
1.
DEFINICIN.
El TRIAC (Triode
for
Alternative
Current) es un
dispositivo
semiconductor de tres terminales que se usa para controlar el flujo de corriente
promedio a una carga, con la particularidad de que conduce en ambos sentidos
y puede ser bloqueado por inversin de la tensin o al disminuir la corriente por
debajo del valor de mantenimiento. El TRIAC puede ser disparado
independientemente de la polarizacin de puerta, es decir, mediante una
corriente de puerta positiva o negativa.
2.
ESTRUCTURA.
Figura 3.
La diferencia ms importante que se encuentra entre el funcionamiento
de un triac y el de dos tiristores es que en este ltimo caso cada uno de los
dispositivos conducir durante medio ciclo si se le dispara adecuadamente,
bloquendose cuando la corriente cambia de polaridad, dando como resultado
una conduccin completa de la corriente alterna. El TRIAC, sin embargo, se
bloquea durante el breve instante en que la corriente de carga pasa por el valor
cero, hasta que se alcanza el valor mnimo de tensin entre T2 y T1, para
volver de nuevo a conducir, suponiendo que la excitacin de la puerta sea la
adecuada. Esto implica la prdida de un pequeo ngulo de conduccin, que
en el caso de cargas resistivas, en las que la corriente est en fase con la
tensin, no supone ningn problema. En el caso de cargas reactivas se debe
tener en cuenta, en el diseo del circuito, que en el momento en que la
corriente pasa por cero no coincide con la misma situacin de la tensin
aplicada, apareciendo en este momento unos impulsos de tensin entre los dos
terminales del componente.
3.
MTODOS DE DISPARO.
4.2
5.
Problemas
P1.- En el circuito de la figura R1 = 600 Ohmios y las caractersticas del
DIAC son las siguientes:
VBO = 30 v
ep = 5 v
Pmx = 500 mw
a) Obtener la corriente por el circuito en el momento que la tensin del
generador se iguala a VBO.
b) Cul es el valor mximo que puede alcanzar el generador sin que se
rompa el DIAC?
Apartado a)
Desde E = 0 hasta E < VBO el DIAC est en bloqueo, o sea, no conduce (I = 0
A).
Pero para E = VBO se produce el disparo del DIAC, o sea, para a conducir, la
tensin en el DIAC cae y vale VBO - ep. Para analizarlo cambiamos el DIAC
por una pila del valor anteriormente indicado y lo resolvemos.
Apartado b)
Se pide Emx. Esta se da en el caso extremo en el que el DIAC est
soportando la Pmx, o sea, la Imx.
a) I = 8.33mA
b) Emx = 37v
a) Vd = 17.7v
b) td = 554msg
P3.- Las
caractersticas del
UJT del circuito son:
Iv = 7mA
Vv = 1v
= 0.85
b) Ie = 50mA
c) Ve < 3.8v
b) Ved = 5.9v
c) Vcc = 0.98v