UNIVERSIDAD MAYOR DE SAN ANDRS FACULTAD DE INGENIERA INGENIERA ELCTRICA

MATERIA: ELECTRNICA BSICA EXPERIMENTO: CARACTERISTICAS DE VOLTAJE CONTRA CORRIENTE DE DIODOS SEMICONDUCTORES N DE EXPERIMENTO: 1 ALUMNA: UNIV. PINTO MAMANI JHENY LUZ CARRERA: INGENIERA ELCTRICA FECHA DE ENTREGA: 10 DE ABRIL DE 2014

INFORME N 1 CARACTERISTICAS DE VOLTAJE CONTRA CORRIENTE DE DIODOS SEMICONDUCTORES

1. OBJETIVOS Determinar tericamente y experimentalmente parmetros caractersticas del funcionamiento de diferentes tipos de diodos semiconductores. Graficar sus curvas caractersticas de voltaje contra corriente. Conocer e interpretar esos parmetros de acuerdo a su funcionamiento cuyos fabricantes de diodos presentan en sus hojas de especificaciones. 2. MARCO TERICO Un Semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre. El elemento semiconductor ms usado es el silicio Semiconductor tipo N Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de cargas libres (en este caso, negativas). Semiconductor tipo P Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivo). El Diodo Un DIODO es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin Los Diodos son elementos no lineales porque no cumplen con la ley de Ohm. Cuando se explica el funcionamiento de el diodo se hace una analoga con una vlvula on / off, porque en realidad el diodo al igual que esta vlvula solo tienen dos estados, conduce o no conduce, y no es porque presente fallas, sino que sus caractersticas de funcionamiento son as. Es un elemento que tiene polaridad, o sea un lado negativo conocido como ctodo y un lado positivo conocido como nodo. Para que un diodo conduzca se debe polarizar correctamente, esto es colocar la parte positiva con el positivo de la

alimentacin y la negativa con el negativo de la fuente. Esta caracterstica de conduccin es debido a que los diodos son componentes dopados, sus materiales de construccin se conocen como materiales P y materiales N. Esto es porque tienen impurezas que provocan que estn cargados negativa o positivamente. Cuando el diodo se polariza correctamente ocurre la siguiente secuencia: P N Secuencia de conduccin del diodo. Cuando se polariza correctamente el diodo, las cargas positivas comienzan a entrar y a hacer presin sobre el polo positivo o capa P. En el centro del diodo se combinan los protones y los electrones, de esta manera se convierte en una regin neutra, pero al existir una sobredosis de cargas positivas, entonces las negativas se ven en la obligacin de pasar esta zona neutra y as comenzar a combinarse, con lo cual se establece una corriente y de esta manera un equilibrio, donde el diodo esta conduciendo. En el caso contrario, al entrar las cargas positivas en el polo negativo o capa N, los electrones no se ven obligados a pasar sobre la regin neutra para combinarse, sino que se combinan de su lado, aumentando dicha zona neutra, y por lo tanto haciendo ms grande la barrera a vencer, de esta forma es que el diodo no conduce. En el siguiente recuadro se puede apreciar la polarizacin directa e inversa de un diodo.

POLARIZACIN DIRECTA

CARACTERSTICAS

El diodo conduce con una cada de tensin de 0,6 a 0,7V. El nodo se conecta al El valor de la resistencia positivo de la batera y el interna seria muy bajo. ctodo al negativo. Se comporta como interruptor cerrado un

El diodo no conduce y toda la tensin de la pila cae INVERSA sobre el. Puede existir una corriente El nodo se conecta al de fuga del orden de A. negativo y el ctodo al El valor de la resistencia positivo de la batera interna sera muy alto Se comporta como interruptor abierto. un

Modelos matemticos El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial es: Donde:

I =corriente que atraviesa el diodo. VD =Diferencia de tensin entre sus extremos. IS =Corriente de saturacin (aproximadamente 10 12A) q =Carga del electrn cuyo valor es 1.6 * 10 19 T =Temperatura absoluta de la unin k =Constante de Boltzmann (1,38x10 23J/K) n =Coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el silicio). VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C).

Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V). La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin

directa coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado.

Corriente mxima (Imax). Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo, depende sobre todo del diseo del mismo. Corriente inversa de saturacin (Is). Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica por cada incremento de 10 en la temperatura. Corriente superficial de fugas. Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas. Tensin de ruptura (Vr). Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto avalancha. Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

En el cuadro superior se describen las caractersticas elctricas del diodo, y en el cuadro inferior se detalla las dimensiones del diodo segn fabricante. 3. MATERIALES Fuente de alimentacin regulada Un multmetro digital Resistencia de 1k Diodo de Silicio: 1N4007 Un potencimetro de 50k Protoboard

4. CLCULOS Y GRFICAS 1. De la tabla de datos que se adjunta al final del informe Realice las grficas correspondientes de Id vs Vd, tanto en polarizacin directa como el de polarizacin inversa.

Polarizacin Directa Id(A) Vd(V) 0 0 1,9 0,2 2,5 0,22 3,5 0,24 4,4 0,25 5,3 0,25 6,4 0,27 7,4 0,28 8,4 0,28 9,7 0,29 11,7 0,3 13,8 0,31 15,6 0,31 17,9 0,32 19,9 0,32

Id vs Vd
25 20 Id (mA) 15 10 5 0 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 Vd(V) P.D.

Polarizacin Inversa Id(A) Vd(V) 0 6,23 0 8,83 0 14,61 0 20,2 0 30

Id vs Vd
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 -30 -25 -20 Vd(V) -15 -10 -5 0

Id(A)

P.I.

-35

Id(A) 0 1,9 2,5 3,5 4,4 5,3 6,4 7,4 8,4 9,7 11,7 13,8 15,6 17,9 19,9

Polarizacion Directa Vd(V) Rd( ) 0 0 0,2 0,10526316 0,22 0,088 0,24 0,06857143 0,25 0,05681818 0,25 0,04716981 0,27 0,0421875 0,28 0,03783784 0,28 0,03333333 0,29 0,02989691 0,3 0,02564103 0,31 0,02246377 0,31 0,01987179 0,32 0,01787709 0,32 0,0160804

La resistencia en Polarizacin Inversa atiende al infinito en cada caso. Rd=oo 2. Compare las grficas obtenidas con las grficas de un manual de electrnica respecto al diodo medido. Del experimento en laboratorio

Id vs Vd
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 -30 -25 -20 Vd(V) -15 -10 -5 0

Id(A)

P.I.

-35

Id vs Vd
25 20 Id (mA) 15 10 5 0 0 0.05 0.1 0.15 0.2 0.25 0.3 0.35 Vd(V) P.D.

Del manual de Electrnica para el diodo 1N4007

a) Resistencia directa del diodo semiconductor

b) Resistencia inversa del diodo semiconductor

3. Hay muchas variaciones en las corrientes medidas en polarizacin a) Directa y b) Inversa? Segn los datos obtenidos por esas mediciones en polarizacin directa existen corrientes pero en polarizacin inversa la corriente es 0 para cada voltaje. 4. Diodo es un elemento bidireccional? No, un DIODO es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una nica direccin. 5. Cul es la diferencia entre un diodo y una resistencia variable? El diodo tiene: Resistencia Esttica del Diodo: La resistencia esttica R de un diodo se define como la relacin entre la tensin y la corriente V/I. En un punto cualquiera de la caracterstica tensin-corriente del diodo, la resistencia R es igual a la inversa de la pendiente de la lnea que une el punto de funcionamiento con el origen. La resistencia esttica vara extraordinariamente con V e I y no es til su empleo como parmetro. Resistencia Dinmica del Diodo: La resistencia dinmica, o incremental r, la cual, es importante en el funcionamiento del diodo para pequea seal se define como el inverso de la pendiente de la curva caracterstica del diodo en un punto dado, cuando el diodo esta polarizado en directo. La resistencia

dinmica no es una constante. Se obtiene diferenciando la ecuacin del diodo, invirtiendo el resultado, y calculando rd en el punto de trabajo tal como sigue: En cambio: Potencimetro.- Es simplemente una resistencia variable la cual no depende de otros elementos ni parmetros. 6. Cmo podra determinar las terminales de un diodo que no tenga una marca caracterstica? Con el multitster, si lo hacemos funcionar como voltmetros y ponemos las terminales en los extremos del diodo y mide un valor y luego cambiamos de lugar las terminales y no da valor se define el nodo y ctodo correspondientes teniendo como referencia que el voltmetro nos dio un valor al inicio.

5. CONCLUSIONES Con ayuda de los datos experimentales se pudo determinar los parmetros buscados de acuerdo a los objetivos. De acuerdo con la teora la grfica en polarizacin directa obtenida a partir de los datos experimentales es similar a la terica. Con la experiencia del laboratorio tenemos ms en claro cmo funciona y se comportan los diodos semiconductores.