SEMICONDUCTORES.

Tipo N y Tipo P

SEMICONDUCTORES
3.0. TIPO N Y TIPO P
Cuando al dopar
introducimos tomos con tres electrones de valencia en un
elemento de tomos con cuatro estamos formando un semiconductor tipo
P, viniendo su nombre del exceso de carga aparentemente
positiva (porque los
tomos siguen siendo neutros, debido a que tienen igual nmero
de electrones que de protones) que tienen estos
elementos. Estos tomos "extraos"
que hemos aadido se recombinan con el resto pero nos queda un
hueco libre que produce atraccin sobre los electrones que
circulan por nuestro elemento. Tambin se produce una
circulacin de estos huecos colaborando en la corriente. Sin embargo, si los tomos aadidos
tienen cinco electrones en su ltima capa el semiconductor
sedenomina de tipo N, por ser potencialmente
ms negativo que uno sin dopar. En este tipo de
materiales tenemos un quinto electrn que no se recombina con
los dems y que, por tanto, est libre y vaga por el elemento
produciendo corriente. Para hacerse una idea de las cantidades
que entran en juego en esto del dopaje se podra decir que se
introduce un tomo extrao por cada doscientos millones de
tomos del semiconductor. Hasta ahora hemos descrito la corriente elctrica como el
paso de electrones de un lado a otro pero ha llegado el momento
de aumentar este concepto. Como hemos visto la aparicin de un
hueco produce el movimiento de un electrn hacia l dejando de
nuevo un hueco al que ir otro electrn. Este movimiento puede
verse desde dos puntos de vista. El primero es el del electrn
movindose de derecha a izquierda, el segundo sera el del
hueco desplazndose de izquierda a derecha. Pues bien, no es correcto ni uno ni
otro, sino los dos a la vez. Hay que pensar
que tan importante es un movimiento como el otro, y que la
corriente elctrica hemos de concebirla como la suma de los dos.
Como veremos, en unos casos ser ms importante,
cuantitativamente hablando, la corriente creada por el movimiento
de los electrones y, sin embargo, en otros lo ser la creada por
los huecos. Se ha adoptado por convenio que la corriente
elctrica lleva el sentido de los huecos, es decir, cuando
seguimos el sentido de los electrones la corriente es negativa y
positiva en caso contrario. Debemos dividir a los semiconductores en dos grupos: intrnsecos
y extrnsecos. Los
semiconductores extrnsecos son aquellos a los que se les ha
dopado de alguna forma, produciendo as un
semiconductor tipo P o del tipo N. Y
los intrnsecos son los que no han sufrido ninguna clase de
dopaje Puesto que el paso de electrones a travs de cualquier
material siempre produce calor nos va a ser imposible separar los
efectos producidos por el dopaje y el aumento de temperatura en
un semiconductor; as que ambos efectos se suman y la
circulacin de electrones y huecos va a ser mayor. 3.1. Portadores mayoritarios y
minoritarios No est completa nuestra explicacin sin comentar brevemente
lo que se conoce con el nombre de portadores
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mayoritarios y minoritarios. Cuando existe corriente dentro de un material hemos visto que
es debida a electrones movindose hacia un lado y a huecos
desplazndose en sentido contrario. Pero las cantidades de unos
y otros no tienen por qu ser iguales ni parecidas, esto depende
del material por el que circule la corriente. Llamamos portadores
mayoritarios a quien contribuya al paso de la corriente en mayor
medida y, obviamente, los minoritarios sern aquellos que lo
hagan en menor medida. Si tenemos un material tipo N por el que circula corriente, los portadores mayoritarios sern los
electrones que le sobran por el dopaje junto
con los electrones que saltan debido al calor y los portadores minoritarios sern
los huecos producidos al marcharse los electrones de su sitio.
Por el contrario, en un
semiconductor tipo P los portadores mayoritarios sern los
huecos que tiene en exceso por el dopaje ms
los huecos que se producen por efecto del calor, mientras que los portadores minoritarios sern los
electrones que han saltado de su sitio. 3.2. Unin P-N Llegados a este punto, cualquiera con un poco de curiosidad se
habr hecho la siguiente pregunta: Qu
ocurrira si se juntase un trozo de material tipo P con un trozo
de material tipo N? Pues bien, esta pregunta ya se
la hizo alguien hace unos cuantos aos y dio origen a lo que hoy
da se conoce como unin P-N. De nuevo, como electrnicos que somos, solamente nos interesa
algo muy concreto de esta unin, lo cual no es otra cosa que su
comportamiento de cara al paso de corriente elctrica.

Supongamos, primeramente, que hemos unido por las buenas un

trozo de material tipo P con uno tipo N; Qu
ocurre?, pues que
los electrones que le sobran al material tipo N se acomodan en
los huecos que le sobran al material tipo P.
Pero, ojo!,
no todos los de un bando se
pasan al otro, solamente lo hacen los que estn medianamente
cerca de la frontera que los separa. A esto
se le llama recombinacin Y Por qu solo
unos pocos? Pues porque el hecho de que se vayan los electrones
con los huecos es debido a la atraccin mutua que existe entre
ellos ya que poseen cargas opuestas; sin embargo, una vez que se
han pasado cierta cantidad de electrones al otro bando comienza a
haber una concentracin de electrones mayor de lo normal, lo que
provoca que estos empiecen a repelerse entre ellos. Por tanto, se llega a un equilibrio
al haberse ido los suficientes electrones para apaciguar la
atraccin hueco-electrn inicial pero no tantos como para
llegar a repelerse entre ellos. Una vez alcanzado este equilibrio se dice que se ha creado una
barrera de potencial. Una barrera de
potencial es simplemente una oposicin a que sigan pasando los
electrones y huecos de un lado a otro. Esta situacin
permanecer inalterable mientras no hagamos nada externo para
modificarla, es decir, compensar el efecto de esa barrera de
potencial con otro potencial aportado por nosotros, por ejemplo,
conectndolo a una batera. 3.3 Polarizacin directa e inversa Existen dos formas de conectar una batera a una unin P-N.
Primero conectar el borne positivo de la batera con el material
tipo P y el borne negativo con el material tipo N y la otra
conectar el borne positivo con el material tipo N y el borne
negativo con el tipo P. A la primera de ellas se la denomina
polarizacin directa y a la segunda polarizacin inversa.
Veamos qu ocurre en cada una de ellas. Al polarizar
directamente una unin P-N el polo negativo de la batera est
inyectando electrones al material N, mientras que el polo
positivo recibe electrones del lado P crendose as una
corriente elctrica. Con esta batera hemos conseguido vencer
el obstculo que se haba creado debido a la barrera de
potencial existente entre ambos materiales. De nuevo los
electrones y los huecos pueden pasar libremente a travs de la
frontera.

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Sin embargo, al polarizar inversamente una unin P-N no se

crea una corriente en sentido opuesto sino que, curiosamente, no
hay corriente alguna. Esto es
por que los huecos libres del tipo P se recombinan con los
electrones que proceden del polo negativo de la batera, y los
electrones libres del tipo N son absorbidos por sta,
alejndose tanto huecos como electrones de la unin,
en vez de vencer nuestra barrera de potencial sta se ha hecho
ms grande y no existe corriente; aunque, para ser exactos, s
existe una corriente y esta es la producida por los portadores
minoritarios, pero es demasiado pequea e inapreciable.

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