UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA Escuela de ciencias bsicas tecnologas e Ingeniera Ing.

Sistemas

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA

FISICA ELECTRONICA: ACT. 10 TRABAJO COLABORATIVO 2

Presenta DANILO JOSE GUERRERO VENCE

Tutor ALDO FROILAN COY Grupo: 100414_188

BARRNQUILLA-COLOMBIA Abril 2014

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Introduccin En el siguiente trabajo se da respuesta a el trabajo colaborativo 2 de fsica electrnica donde se trataran temas relacionados a los semiconductores como los tipos de materiales que tienen esta caracterstica los tipo N y tipo P, los tipos de diodos, transistores y la importancia de estos semiconductores en la actualidad

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Objetivos
Aprender la importancia de los aisladores, conductores y semi-conductores. Analizar los tipos de diodos y su uso en la actualidad. Aprender la diferencia entre un semiconductor P y N

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FASE 1 Solucione los siguientes cuestionamientos relacionados con los Semiconductores. Por favor consulte otras fuentes adicionales al Mdulo del curso de Fsica Electrnica.
1. Enuncie las principales caractersticas y diferencias existentes entre un material aislante, un conductor y un semiconductor. De algunos ejemplos de cada grupo. Conductores: Tienen muy pocos electrones de en su rbita de valencia (1 o 2 electrones) La conductividad disminuye lentamente al aumentar la temperatura, por efecto de las vibraciones de los tomos de la red cristalina Un ejemplo son todos los metales como el oro la plata y el cobre

Aislantes: Tienen muchos electrones de valencia lo que impide su conductividad(ms de 4 electrones) Un ejemplo es el diamante, lana de roca, lana de vidrio, poliestireno expandido, porexpan, agramiza, etc.

Semiconductores: Su comportamiento no es totalmente el de un conductor ni un aislante Tienen 4 electrones de valencia A bajas temperaturas son aislantes A altas temperaturas son conductores Aadiendo impurezas se puede aumentar la conductividad Un ejemplo seria el germanio y el silicio

Despus de ver las caractersticas de cada tipo de material podemos diferenciarlos de la siguiente forma : los conductores son los que siempre tienen pocos electrones lo cual le sirve para cederlos muy fcilmente y de esa forma ganar ms conductividad mientras que los aislantes al tener 4 o ms electrones en su rbita de valencia ,esto hace que sea ms difcil que puedan ceder sus electrones causando dificultad para que estos materiales ganen conductividad, los semiconductores son un material especial porque dependiendo a la temperatura que lo tratemos nos servirn como un aislante o un conductor

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2. Cmo se obtiene un semiconductor tipo N y uno tipo P? Qu cualidades o caractersticas adquiere este material con respecto al semiconductor puro ?
Semiconductor P. Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de compuesto, normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos). Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptador. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que, por difusin, uno de los tomos vecinos le ceda un electrn completando as sus cuatro enlaces. As los dopantes crean los huecos. Cada hueco est asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor se mantiene elctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protn del tomo situado en la posicin del hueco se ve expuesto y en breve se ve equilibrado por un electrn. Por esta razn un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un nmero suficiente de aceptores son aadidos, los huecos superan ampliamente la excitacin trmica de los electrones. As, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural. Semiconductor Tipo N. Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de compuesto, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres). Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es tambin conocido como material donanador ya que cede uno de sus electrones al semiconductor. El propsito del dopaje tipo N es el de producir abundancia de electrones libres en el material. Para ayudar a entender como se produce el dopaje tipo N considrese el caso del silicio (Si). Los tomos del silicio tienen una valencia atmica de cuatro, por lo que se forma un enlace covalente con cada uno de los tomos de silicio adyacentes. Si un tomo con cinco electrones de valencia, tales como los del grupo VA de la tabla peridica (ej. fsforo (P), arsnico (As) o antimonio (Sb)), se incorpora a la red cristalina en el lugar de un tomo de silicio, entonces ese tomo tendr cuatro enlaces covalentes y un electrn no enlazado. Este electrn extra da como resultado la formacin de electrones libres, el nmero de electrones en el material supera ampliamente el nmero de huecos, en ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos son los portadores minoritarios. A causa de que los tomos con cinco electrones de valencia tienen un electrn extra que dar, son llamados tomos donadores. Ntese que cada electrn libre en el semiconductor nunca est lejos de un ion dopante positivo inmvil, y el material dopado tipo N generalmente tiene una carga elctrica neta final de cero.

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3. Consulte sobre otros tipos de diodos, diferentes al rectificador, el LED, el zner y el fotodiodo.
Diodo de conmutacin. Diodo semiconductor diseado para presentar una transicin rpida entre el estado conduccin y el estado de bloqueo y a la inversa. Diodo semiconductor. Diodo que permite el paso de la corriente de su zona p, rica en huecos, a su zona n, rica en electrones. Diodo de seal. Diodo semiconductor empleado para la deteccin o tratamiento de una seal elctrica de baja potencia. Diodo de unin. Diodo formado por la unin de un material semiconductor tipo n y otro semiconductor tipo p. Diodo Gunn. Dispositivo semiconductor impropiamente calificado de diodo ya que no contiene una unin sino una sucesin de tres capas tipo n ms o menos dopadas. En presencia de campos elctricos elevados, el diodo Gunn es escenario de oscilaciones a muy alta frecuencia. Diodo Schottky. Diodo formado por un contacto entre un semiconductor y un metal, lo que elimina el almacenamiento de carga y el tiempo de recuperacin. Un diodo Schottky puede rectificar corrientes de frecuencia superior a 300Mhz. Diodo Schokley. Diodo de cuatro capas p-n-p-n utilizado en los circuitos de conmutacin rpida. Adems, la tensin directa de este diodo es ms baja que en la de un diodo semiconductor de dos regiones.

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Conclusiones

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Referencias Protocolo y Mdulo del Curso. UNAD. 2008