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OBJETIVOS

Reconocer las caractersticas de los dispositivos semiconductores Realizar las medidas aplicando los diodos Rectificadores Relacionar los valores Tericos con los Prcticos.

MARCO TEORICO Polarizacin directa Cuando el diodo se polariza en forma directa aparece una curva que nos da los valores de intensidad en funcin de la tensin entre nodo y ctodo, que se representa en la gura 1.4 (diodo de silicio). El circuito prctico con el cual es posible experimentarla se muestra en la gura 1.5

Hasta que la tensin no llega a unos 0,6 o 0,7 V (tensin umbral) no se empieza a apreciar una circulacin de intensidad notable. A partir de dicha tensin la intensidad aumenta en forma brusca; pequeos aumentos de tensin dan lugar a grandes aumentos de intensidad. Para el valor nominal de intensidad de funcionamiento la tensin (cada directa) es de aproximadamente 1 V, en diodos recticadores de mediana potencia (por ejemplo, el 1N4007). El diodo no ofrece pues un valor jo de resistencia al paso de la corriente; su resistividad depende de la tensin que tenga aplicada. Entre 0 V y unos 0,7 V (tensin umbral), su resistividad es muy elevada (por ello no se aprecia casi circulacin de corriente); a partir de la tensin umbral su resistencia empieza a hacerse muy baja y por ello la intensidad aumenta bruscamente.

El diodo no tiene una resistencia lineal; su resistencia depende de la tensin que tiene aplicada o, lo que es equivalente, de la intensidad que circula. Esto se puede comprobar fcilmente mediante el polmetro, utilizando la medida de resistencia (). Seleccionando la escala x 1 y situando las puntas de manera que el diodo se encuentre polarizado en forma directa, se observar un cierto valor de resistencia (bajo); pero si se cambia a la escala x 100 marcar un valor de resistencia diferente, mayor que el anterior. Esto es debido, a que el polmetro lleva una pila interna para su funcionamiento, que es lo que hace que pueda circular una pequea intensidad a travs de las puntas cuando se pone como hmetro (), y ello permite determinar el valor de la resistencia a medir. Pero la intensidad que puede circular es diferente segn la escala seleccionada (x 1, x 10,); cuanto mayor es la escala, menor es la intensidad que puede circular entre las puntas del tester, por lo cual la resistencia del diodo sale diferente segn la escala que se disponga.

Caractersticas en Polarizacin Inversa: Tensin inversa de trabajo, VRWM: Mxima tensin inversa que puede soportar de forma continuada sin peligro de avalancha. Tensin inversa de pico repetitivo, VRRM: Mxima tensin inversa que puede soportar por tiempo indefinido si la duracin del pico es inferior a 1ms y su frecuencia de repeticin inferior a 100 Hz. Tensin inversa de pico nico, VRSM: Mxima tensin inversa que puede soportar por una sola vez cada 10 ms minutos si la duracin del pico es inferior a 10 ms. Tensin de ruptura, VBD: Valor de la tensin capaz de provocar la avalancha aunque solo se aplique una vez por un tiempo superior a 10ms.

Polarizacin inversa Como se sabe, cuando el diodo se polariza en forma inversa (negativo en el nodo y positivo en el ctodo), a nivel prctico, ste se comporta como un circuito abierto, es decir, no circula corriente. Pero realmente s existe una cierta corriente, que por ser tan pequea no se considera a efectos prcticos. Dicha corriente se denomina corriente inversa de fugas (IR), y es muy dependiente de la temperatura. Su valor es del orden de nA en el silicio, y de mA en el germanio. La corriente de fugas est formada por portadores minoritarios, debido a la ruptura de enlaces covalentes, y es muy sensible a los cambios de temperatura; su valor se duplica por cada 10 oC de incremento de la temperatura, aproximadamente. Y su valor casi no vara aunque aumente la tensin (los portadores minoritarios dependen especialmente de la temperatura). Pero es muy importante saber que si la tensin aumenta a ciertos valores, su energa puede acelerar tanto los portadores minoritarios que al chocar con otros enlaces pueden romper nuevos enlaces covalentes; este efecto puede hacer que se alcance un elevado valor de corriente que puede llegar a destruir el diodo. El valor de tensin inversa que puede hacer esto, se denomina tensin inversa de ruptura, y tiene su utilidad prctica en unos diodos llamados Zener. El grco del diodo que representa esto se muestra en la gura 1.6, junto con el circuito que puede permitir su experimentacin. Al ser de tan bajo valor la intensidad, con el circuito de experimentacin que se muestra, lo ms normal es que no se aprecie un valor notable; pero as comprobamos que realmente su valor es muy bajo. La curva caracterstica inversa nos da cuenta de la corriente inversa en la funcin de la tensin inversa: (IR = f (VR). Aunque, en teora, la corriente inversa est inuenciada exclusivamente por la temperatura, en la prctica (debido a ciertas imperfecciones en la estructura fsica del diodo), s existe una pequea dependencia con respecto a la tensin, lo cual se muestra en la curva. Las curvas caractersticas en polarizacin directa e inversa dan lugar a una curva global representativa del comportamiento del diodo, que se muestra en la gura 1.6. Dicha curva, para ir introducindose en la cuestin prctica, se ha realizado con base en el diodo recticador 1N4007, que es uno de los diodos comerciales ms utilizados.

Caractersticas Polarizacin Directa: Corriente media nominal, IFW(AV): Valor medio de la mxima corriente de pulsos senoidales que es capaz de soportar el dispositivo en forma continuada con la cpsula mantenida a una determinada temperatura (tpicamente 100 C). Corriente de pico repetitivo, IFRM: Corriente mxima que puede ser soportada cada 20ms con duracin de pico 1ms. Corriente de pico nico, IFSM: Corriente mxima que puede ser soportada por una sola vez cada 10 ms minutos siempre que la duracin del pico sea inferior a 10ms

CARACTERISTICAS DINAMICAS

Tensin directa, VON. Cada de tensin del diodo en rgimen permanente para la corriente nominal. Tensin de recuperacin directa, Vfr. Tensin mxima durante el encendido. Tiempo de recuperacin directa, tON. Tiempo para alcanzar el 110% de VON. Tiempo de subida, tr. Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de su valor directo nominal. Suele estar controlado por el circuito externo(inductivo). Tiempo de recuperacin inversa, trr. Tiempo que durante el apagado del diodo, tarda la intensidad en alcanzar su valor mximo (negativo) y retornar hasta un 25% de dicho valor mximo. (Tip. 10s para los diodos normales y 1s para los diodos rpidos (corrientes muy altas).

El tiempo de recuperacin inversa es el mayor de los dos tiempos de conmutacin y el responsable de la mayor parte de las prdidas de conmutacin.

Los factores que influyen en el tiempo de recuperacin inversa son: IF; cuanto mayor sea, mayor ser trr. Esto se debe a que la carga almacenada ser mayor. VR; cuanto mayor sea, menor ser trr. En este caso si la tensin inversa es mayor se necesita menos tiempo para evacuar los portadores almacenados. diF/dt; cuanto mayor sea, menor ser trr. No obstante, el aumento de esta pendiente aumentar el valor de la carga almacenada Q. Esto producir mayores prdidas. T; cuanto mayor sea la temperatura, aumentarn tanto Q como trr.

TIPO DE DIODOS
Diodos rectificadores para baja frecuencia

Figura II. Diodos para baja frecuencia

Caractersticas IFAV: 1A 6000 A VRRM: 400 3600 V VFmax: 1,2V (a IFAVmax) trr: 10 s Aplicaciones

Rectificadores de Red. Baja frecuencia (50Hz).

Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast)

Figura III. Diodos de conmutacin rpida (Fast y Ultrafast Caractersticas IFAV: 30A 200 A VRRM: 400 1500 V VFmax: 1,2V (a IFAVmax) trr: 0,1 - 10 s Aplicaciones
Conmutacin a alta frecuencia (>20kHz). Inversores. UPS. Accionamiento de motores CA.

Diodos Schotkky

Figura IV. Diodos Schottky

Caractersticas IFAV: 1A 120 A VRRM: 15 150 V VFmax: 0,7V (a IFAVmax) trr: 5 ns

Aplicaciones Fuentes conmutadas. Convertidores. Diodos de libre circulacin. Cargadores de bateras.

Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin)

Figura V. Diodos de alta tensin

Caractersticas IFAV: 0,45A 2 A VR: 7,5kV 18Kv VRRM: 20V 100V trr: 150 ns Aplicaciones Aplicaciones de alta tensin.

Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

Figura VI.Diodos de alta corriente

Caractersticas IFAV: 50A 7000 A VRRM: 400V 2500V VF: 2V trr:10 s Aplicaciones Aplicaciones de alta corriente.

DESARROLLO DE LA EXPERIENCIA
POLARIZACIN DIRECTA
XMM2

XMM3

XMM1

XMM4 V1

Vt
0.2 v 0.5 v 0.7 v 1v 2v

Vd
0.142 V 0.206 V 0.224 V 0.243 V 0.276

Id
5.714 mA 29.391 mA 47.515 mA 75.691 172.45

Vr
0.057 V 0.293 V 0.475 V 0.756 V 1.724

Rteo
10 10 10 10 10

Rprac
10 10 10 10 10

Rdiodo
23.33 7.24 4.89 3.15 1.63

3v 5v 10 v

0.293 0.316 0.346

270.65 468.44 965.43

2.706 4.684 9.654

10 10 10

10 10 10

1.07 0.683 0.363

POLARIZACIN INVERSA
XMM6

XMM7

XMM5

XMM8 V2

Vt
1 v 5v 10 v 15 v

Vd
-0.998V -4.998V -9.998V -14.998V

Id
-0.151 mA -0.151 mA -0.151 mA -0.151 mA

Vr
-1.513 mV -1.513 mV -1.513 mV -1.513 mV

Rteo
10 10 10 10

Rprac
10 10 10 10

Rdiodo
6.61 k 33.1 k 66.21 k 99.33 k

20 v 30 v 50 v 400 v

-19.998V -29.998 V -49.998 -100.435

-0.151 mA -0.151 mA -0.151 mA -29.956 A

-1.513 mV -1.513 mV -1.514 mV -299.6V

10 10 10 10

10 10 10 10

132.4 k 198.6 k 331.1 k 3.353

BIBLIOGRAFIA
http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_2.pdf http://www.ifent.org/lecciones/diodo/directa.asp http://www.marcombo.com/Descargas/9788426715326%20PRINCIPIOS%20DE%20ELECTRICIDAD%20Y%20ELECTRONICA.%20TOMO%205/ EXTRACTO%20DEL%20LIBRO.pdf http://www.ie.itcr.ac.cr/juanjimenez/cursos/Potencia/diodos http://www.ecured.cu/index.php/Diodos_de_potencia

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