INSTITUTO POLITECNICO NACIONAL

CENTRO DE ESTUDIOS CIENTIFICOS Y TECNOLOGICOS NUM. 1

GONZALO VAZQUEZ VELA

UNIDAD DE APRENDIZAJE: Control Electrnico de maquinas de CC y CA

Nombre de la practica: Operacin de un transistor MOSFET

Prctica Numero 6

Grupo: 6IM32 Alumno: Rodrguez Trujillo Juan Rafael Alan Profesor: Jesus Hernandez Juarez

Objetivo:
Arma un circuito electrnico con un MOSFET para ver su operacin.

Marco Terico:
El transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor o MOSFET (en ingls Metal-oxidesemiconductor Field-effect transistor) es untransistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas. Es el transistor ms utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de losmicroprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET. El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados surtidor (S), drenador (D), compuerta (G) y sustrato (B). Sin embargo, el sustrato generalmente est conectado internamente al terminal del surtidor, y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET de tres terminales. El trmino 'metal' en el nombre MOSFET es actualmente incorrecto ya que el material de la compuerta, que antes era metlico, ahora se construye con una capa de silicio policristalino. El aluminio fue el material por excelencia de la compuerta hasta mediados de 1970, cuando el silicio policristalinocomenz a dominar el mercado gracias a su capacidad de formar compuertas auto-alineadas. Las compuertas metlicas estn volviendo a ganar popularidad, dada la dificultad de incrementar la velocidad de operacin de los transistores sin utilizar componentes metlicos en la compuerta. De manera similar, el 'xido' utilizado como aislante en la compuerta tambin se ha reemplazado por otros materiales con el propsito de obtener canales fuertes con la aplicacin de tensiones ms pequeas. Un transistor de efecto de campo de compuerta aislada o IGFET (Insulated-gate field-effect transistor) es un trmino relacionado que es equivalente a un MOSFET. El trmino IGFET es ms inclusivo, ya que muchos transistores MOSFET utilizan una compuerta que no es metlica, y un aislante de compuerta que no es un xido. Otro dispositivo relacionado es el MISFET, que es un transistor de efecto de campo metal-aislante-semiconductor (Metal-insulator-semiconductor fieldeffect transistor). Existen distintos smbolos que se utilizan para representar el transistor MOSFET. El diseo bsico consiste en una lnea recta para dibujar el canal, con lneas que salen del canal en ngulo recto y luego hacia afuera del dibujo de forma paralela al canal, para dibujar el surtidor y el drenador. En algunos casos, se utiliza una lnea segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de enriquecimiento, y una lnea slida para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra lnea es dibujada en forma paralela al canal para destacar la compuerta. La conexin del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del canal con una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre apunta en la direccin P hacia N, de forma que un NMOS (Canal N en una tina P o sustrato P) tiene la flecha apuntando

hacia adentro (desde el sustrato hacia el canal). Si el sustrato est conectado internamente al surtidor (como generalmente ocurre en dispositivos discretos) se conecta con una lnea en el dibujo entre el sustrato y el surtidor. Si el sustrato no se muestra en el dibujo (como generalmente ocurre en el caso de los diseos de circuitos integrados, debido a que se utiliza un sustrato comn) se utiliza un smbolo de inversin para identificar los transistores PMOS, y de forma alternativa se puede utilizar una flecha en el surtidor de forma similar a como se usa en los transistores bipolares (la flecha hacia afuera para un NMOS y hacia adentro para un PMOS). En esta figura se tiene una comparacin entre los smbolos de los MOSFET de enriquecimiento y de empobrecimiento, junto con los smbolos para los JFET (dibujados con el surtidor y el drenador ordenados de modo que las tensiones ms elevadas aparecen en la parte superior de la pgina).

Canal P Canal N MOSFET Enriq. MOSFET Enriq. (sin sustrato) MOSFET Empob.

JFET

Material:
Protoboard MOSFET Interruptores NC y NA Fuente de alimentacin 1led Soquet Foco Alambre

Desarrollo:
Conectamos el push boton a la G del transistor y la S a la tierra y la D al led, a la resistencia y despues a positivo. Para els egundo le aadimos una resistencia de 1 kilo ohm a tierra

Diagramas o Fotos:

Conclusiones:
Primero hicimos el diagrama y despus pulsbamos el push botn y veamos como el LED se quedaba prendido, y despus en el segundo vimos como al ponerle la resistencia se apagaba al soltar el botn.