TIRISTORES

SUMRIO

1.0. Tiristores.................................................................................................... 4 1.1. Introduo.................................................................................................. 4 1.2. DIAC.......................................................................................................... 4 1.3. SCR........................................................................................................... 5 1.3.1. Tipos de SCR................................................................................. 6 1.4. TRIAC........................................................................................................ 7 1.5. LASCR....................................................................................................... 8 1.6. SCS........................................................................................................... 9 1.7. UJT.......................................................................................................... 10 1.7.1. Construo................................................................................... 10 1.8. PUT...........................................................................................................11 1.9. GTO......................................................................................................... 12

1.9.1. Introduo....................................................................................... 12 Referncias Bibliogrficas........................................................................... 13

1-TIRISTORES 1.1 Introduo aos Tiristores O nome tiristor engloba uma famlia de dispositivos semicondutores que operam em regime chaveado, tendo em comum uma estrutura de quatro camadas semicondutoras numa seqncia p-n-p-n, apresentando um funcionamento biestvel. So Componentes bsicos da Eletrnica Industrial compostos de dois, trs ou quatro terminais e conduzem em uma ou duas direes. So utilizados para chaveamento de grandes Cargas, como motores, eletroms, aquecedores, convertendo CA em CC, CC em CA, gerando pulsos de controle para outros tiristores. 1.2. DIAC O Diodo de quatro camadas bilateral (DIAC = Diode AC) um dispositivo da classe dos tiristores, formado por quatro camadas que podem conduzir nos dois sentidos quando a tenso aplicada, com qualquer polaridade, ultrapassar um determinado valor chamado de tenso (corrente) de avalanche, voltando a cortar quando a tenso (corrente) cair abaixo de um valor chamado de tenso ( corrente ) de manuteno (IH). Na figura abaixo temos o aspecto fsico, simbologia, estrutura e a curva caracterstica do DIAC.

Fig.1 1.3. SCR SCR (do ingls Silicon Controlled Rectifier - Retificador Controlado de Silcio) um componente eletrnico semicondutor de quatro camadas da famlia dos tiristores. Composto, geralmente, por trs terminais, dois dos quais denominados anodo (A) e catodo(K), formam um diodo bipolar, e no terceiro terminal (que usado para controle), denominado gatilho (Porta ou Gate), se aplica um pulso que provoca o "disparo" do dispositivo. Assim como o diodo de quatro camadas unilateral, o SCR tem trs regies de operao: bloqueio reverso, bloqueio direto e a conduo aps o disparo. Em seu estado normal o SCR bloqueia a passagem de corrente (ou tenso) entre os seus dois terminais (anodo e catodo), porm quando o Gate submetido a uma tenso apropriada, a corrente passar livremente, levando a carga ao estado ligado (ON) se a tenso nos dois terminais do componente for invertida o mesmo ir assumir um estado de alta impedncia novamente, no podendo mais ser ativado com uma tenso no Gate.

Simbologia
Fig.2

1.3.1. Tipos de SCR

Fig. 3. SCR com encapsulamentos tipo rosca e tipo disco para altas potncias

1.4. TRIAC Um TRIAC, ou TRIode for Alternating Current um componente eletrnico equivalente a dois retificadores controlados de silcio (SCR) ligados em antiparalelo e com o terminal de disparo (gate) ligados juntos. Este tipo de ligao resulta em uma chave eletrnica bidirecional que pode conduzir a corrente eltrica nos dois sentidos. O TRIAC faz parte da famlia de transistores de potncia. Um TRIAC pode ser disparado tanto por tenso positiva quanto negativa aplicada no eletrodo de disparo (gate). Uma vez disparado, o dispositivo continua a conduzir at que a corrente eltrica caia abaixo do valor de corte, como o valor da tenso final da metade do ciclo de uma corrente alternada. Isto torna o TRIAC um conveniente dispositivo de controle para circuitos de corrente alternada (CA), que permite acionar

grandes potncias com circuitos acionados por correntes da ordem de mA. Tambm podemos controlar o incio da conduo do dispositivo, aplicando um pulso em um ponto pr-determinado do ciclo de corrente alternada, o que permite controlar a porcentagem do ciclo que estar alimentando a carga (tambm chamado de controle de fase). O TRIAC de baixa potncia utilizado em vrias aplicaes como controles de potncia para lmpadas dimmers, controle de velocidade para ventiladores entre outros. Contudo, quando usado com cargas indutivas, como motores eltricos, necessrio que se assegure que o TRIAC seja desligado corretamente, no final de cada semi-ciclo de alimentao eltrica. Para circuitos de maior potncia, podemos utilizar dois SCRs ligados em antiparalelo, o que garante que cada SCR estar controlando um semi-ciclo independente, no importando a natureza da carga.

Fig. 4

Na figura 4 temos um circuito para controlar a intensidade da luz de uma lmpada incandescente utilizando um TRIAC (TIC226D).

Fig. 5

1.5. LASCR Os LASCR ou Light Activated SCR so diodos controlados de silcio, ou seja, SCRs, que podem ser disparados pela luz. Seu princpio de funcionamento simples: todas as junes semicondutoras so sensveis luz, que pode liberar portadores de carga e com isso aumentar a conduo dos dispositivos. Os SCRs comuns no so afetados pela luz, por estarem encerrados em invlucros opacos. No entanto, no caso dos LASCRs, os invlucros so dotados de uma janela que possibilita a incidncia de luz nas junes. Com isso, a luz provoca um aumento na corrente de disparo at o momento de ocorrer a comutao.

Fig. 6

1.6. SCS Silicon Controlled Switch A chave controlada de silcio, da mesma forma que o SCR, possui quatro camadas PNPN, cujas caractersticas so idnticas, exceto por possuir dois Gates, fazendo com que todas as regies sejam acessveis atravs de um circuito externo.

Fig. 7

O SCS tem duas vantagens sobre o SCR. Primeira, em virtude das duas regies de gate serem acessveis, elas podem ser polarizadas de forma independente. Segunda, uma vez que pode haver um controle das duas junes (uma N e outra P), pode-se efetivamente desligar o SCS sem a necessidade de reduzir a tenso ou corrente de trabalho. Desta forma o SCS efetivamente uma chave eletrnica. Gate/anodo: liga-desliga o dispositivo Ligar pulso negativo Desligar pulso positivo
O gate/catodo opera de forma idntica ao SCR.

A figura a seguir mostra o aspecto do SCS BRY62 fabricado pela Philips .

Fig. 8

Valores tpicos: IGA = 10mA IGK = 1mA VAK = 70V Vantagens do SCS sobre o SCR: tempo de comutao menor (da ordem de 1 a 10s); situao de disparo mais previsvel; melhor sensibilidade. Desvantagens: menor corrente, potncia e tenso (tenso tpica da ordem de 100V; corrente tpica da ordem de 10 a 300mA e potncia tpica da ordem de 100 a 500mW). 1.7. UJT TRANSISTOR DE UNIJUNO. O UJT um dispositivo semicondutor que possui uma regio de resistncia negativa em sua caracterstica e pertencente famlia dos tiristores. 1.7.1 Construo Como o prprio nome indica, o UJT possui apenas uma juno PN. Sua construo simples e consiste de uma barra de material semicondutor do tipo N (levemente dopada), onde foi incrustado um gro de material semicondutor do tipo P (altamente dopado). As bases B1 e B2 so ligadas na barra N e o emissor E, ao material tipo P.

Fig. 9

Fig. 10

1.8. PUT Transistor de Unijuno Programvel O transistor Unijuno programvel (PUT) um UJT no qual o valor de h (Razo Intrnseca de disparo) pode ser imposta atravs de resistores externos. A sua estrutura anloga de um SCR, tendo, porm o gate na regio N prxima do anodo. A Fig.11 mostra a estrutura, smbolo e circuito equivalente de um PUT.

Fig. 11

1.9. GTO Gate Turn-Off Thyristor

1.9.1 Introduo
A maioria dos tiristores s se desliga quando a corrente cai abaixo da corrente de manuteno, o que exige circuitos especiais de desligamento em certos casos. O GTO permite o desligamento pelo gate, por pulso negativo de alta corrente, da o nome ( Gate Turn Off, desligamento pelo gate). Estruturalmente, similar ao SCR, mas a dopagem e a geometria da camada do gate permite minimizar o sobreaquecimento durante o desligamento (o que destruiria um SCR). O desligamento feito em geral atravs de descarga de um capacitor. O

GTO, embora tenha sido criado no incio da dcada de 60, foi pouco utilizado no incio por problemas de fraco desempenho. Com o avano da tecnologia de construo de dispositivos semicondutores, novas solues foram encontradas para aprimorar tais componentes, que hoje ocupam significativa faixa de aplicao, especialmente naquelas de elevada potncia, uma vez que esto disponveis dispositivos para 5000V, 4000A.

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Fig. 12. Smbolo, processos de chaveamento e estrutura interna de GTO.

Referncias Bibliogrficas
http://pt.wikipedia.org/wiki/SCR http://www.electronica-pt http://www.gta.ufrj.br/grad/01_1/gto/ http://www.ebah.com.br/content/ABAAAALcsAJ/tiristores-apostila http://newtoncbraga.com.br/index.php/almanaque/1300-alm203.html http josematias pt eletr wp-content uploads tirist doc http://www.eletronica24h.com.br/Apostilas/Eletronica%20Industrial%203.pdf http://www.colegiopelicano.com.br/eletronica/apostilas/Eletronica%20Industrial%20UJT.pdf ALBUQUERQUE, R.O; SEABRA, A.C. Utilizando Eletrnica. 1. ed, pg.129-145 So Paulo: rica, 2009.

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