Caracterizao e circuitos com diodos

F. F. Alves, V. B. Dantas, G. Spina

Universidade Federal do ABC, Av. dos Estados, 5001, Bairro Bangu. Santo Andr - SP, Brasil

Resumo Visando evidenciar a caracterizao da curva de corrente por tenso para os diodos de juno p-n e Zener em diferentes polarizaes, este relatrio mostra os aspectos exponenciais dessa curva. Esses aspectos so esperados, de acordo com a literatura utilizada como referncia. Tais curvas variaram para diferentes valores de carga e temperatura. Nessas curvas, tambm estudou-se a resistncia de corpo dinmica dos diodos e a eficcia da aplicao da segunda lei de Kirchhoff para encontrar o ponto quiescente dos diodos. Mostrou-se tambm como a simulao para tais circuitos com os diodos para a obteno do ponto quiescente e relao com a temperatura de operao retornou apenas valores de aspectos semelhantes mas de baixa exatido no software Multisim da National Instruments. Ao final, dois circuitos com diodos de juno p-n mostram diferentes aplicaes. O primeiro atuou como um retificador de onda completa e o segundo como uma fonte de corrente contnua (DC) simples com o auxlio de um transformador com center tap (CT). Palavras-chaves potencial de barreira, saturao, polarizao direta, polarizao reversa, semicondutor dopado

III. EXPERIMENTO A. Materiais Os equipamentos utilizados nos experimentos esto listados na Tabela I, bem como seus respectivos valores de fundo de escala, resoluo e incerteza associada. Essas dados so fundamentais para a caracterizao dos valores mensurados. A Tabela II lista os componentes utilizados com seus respectivos valores tericos e medidos, bem como os erros relativos calculados. Esses erros, quando abaixo de 1, indicam que a diferena entre o seu valor terico e o medido so aceitveis para no influenciarem de maneira significativa nos resultados esperados.
TABELA I. MODELOS E ESPECIFICAES TCNICAS DAS FERRAMENTAS E
DOS INSTRUMENTOS DE MEDIO

Instrumento

Fundo de escala

Resoluo

Incerteza

I. INTRODUO Um diodo semicondutor de juno p-n um dispositivo formado pela simples unio de semicondutores dopados do tipo N e do tipo P a partir da mesma base, como por exemplo, silcio ou germnio. Quando esses materiais so unidos por alguma tcnica de fabricao, os eltrons e as lacunas da regio da juno se combinam. Como resultado, temos uma ausncia de portadores livres em uma regio muito prxima juno, conhecida como regio de depleo [1]. Esses dispositivos possuem dois terminais e tm aplicaes que dependem diretamente de como uma tenso externa aplicada, podendo resultar em uma polarizao direta ou inversa. Quando a tenso aplicada corresponde ao terminal positivo conectado ao material do tipo P e terminal negativo conectado ao matria do tipo N, temos uma polarizao direta. Nesse caso, a regio de depleo pode ficar to pequena quanto necessrio, fazendo com que o diodo atue como um condutor deixando passar corrente eltrica. Operando em polarizao direta, o diodo trabalha no modo fotocondutor com diversas aplicaes na fotnica. Por outro lado, quando a tenso aplicada corresponde ao terminal negativo conectado ao material do tipo P e terminal positivo conectado ao material do tipo N, temos uma polarizao inversa. Nesse caso, a regio de depleo pode ficar to grande quanto necessrio, fazendo com que o diodo atue como um isolante no deixando passar corrente eltrica [1]. II. OBJETIVOS Obter experimentalmente e simuladamente as curvas caractersticas do diodo de juno p-n e do diodo Zener para diferentes valores de resistncia de carga, temperatura e polarizao e analisar a utilizao do diodo de juno p-n como retificador de onda completa e como fonte CC simples.

Fonte de alimentao Minipa MPL-3303 Tenso CC (V) ................................................................................ 32 0,1 1,0% +2D Osciloscpio Agilent 6618EN Horizontal (s) ................................................................................ 500 2,5p 1,6% +65ppm Vertical (V) ................................................................................ 1,28kV 31,25 3,25% +2m Protoboard Icel Manaus MSB-300 Multmetro digital Bancada Minipa MDM-8045B Capacitncia (F) ............................................................................. 20n~2 1p~100p 3,5% +20D ................................................................................ 200 10n 5,0% +30D Corrente C (A) ................................................................................ 20m~20 1~1m 0,35% +10D Porttil Minipa ET -2075B Resistncia () ................................................................................ 600~60M 0,1~0,01M 0,8% +5D Tenso CC (V) ................................................................................ 40m 0,01m 0,5% +6D ................................................................................ 400m~400 0,1m~100m 0,5% +5D

B. Mtodos Esta seo aborda os mtodos de aquisio e anlise utilizados durante os experimentos. Cada experimento listado e abordado em subsees que definem os circuitos utilizados com seus respectivos propsitos experimentais e resultados esperados. 1) Diodo de juno p-n: Com base no circuito da Fig. 1, pode-se analisar o efeito da polarizao direta e reversa (essa, para o diodo da Fig. 1 com os terminais invertidos) no diodo de juno p-n 1N4148 em temperatura ambiente. Dessa maneira, so analisadas a corrente Id do circuito e a tenso Vd do diodo variando a tenso de entrada Vcc da fonte de

TABELA II. VALORES TERICOS, MENSURADOS E ERROS NORMALIZADOS

DOS COMPONENTES ELETRNICOS

Componente

Valor terico

Valor mensurado

Erro normaliz.

Resistores R1 ................................... (100 5) (103 R2 ................................... (220 11) (231 R3 ................................... (470 24) (469 R4 ................................... (1,00 0,05) k (0,99 Diodos D1 ................................... 1N4007 (juno p-n) D2 ................................... 1N4733 (Zener) Capacitores eletrolticos C1 ................................... (1,0 0,3) F C2 ................................... (100 30) F

1) 7) 9) 0,01) k -

0,48 0,85 0,04 0,12 0,06 0,42 -

Fig. 1. Circuito com diodo de juno p-n 1N4007 configurado em polarizao direta.

(0,98 0,05) F (87 7) F

T ransformador monofsico U1 ................................... 110 Vef / 12 Vef + 12 Vef com center tap

corrente contnua em um intervalos que abranja o ponto de operao do diodo especificado pelo fabricante. Dessa forma, a variao adotada neste experimento foi de 0 a 10 V em intervalos de 0,5 V e 1 V para que seja possvel visualizar a curva da corrente sobre determinadas diferenas de potenciais (ddp) adotadas no diodo e obter o ponto de operao Q (ou ponto quiescente). O mesmo experimento simulado utilizando o software Multisim da National Instruments para analisar tanto a mesma curva descrita anteriormente em temperatura ambiente (27 C) quanto em temperatura aquecida ( 40 C). Esse software tambm permite variar a temperatura do sistema para observar o comportamento da corrente e da tenso desejada. A partir dos valores obtidos, possvel observar a relao da corrente com a tenso no diodo e traar uma curva mdia utilizando o mtodo dos mnimos quadrados para um comportamento esperado exponencial, como segue em (1). Essa equao prev que a corrente do circuito proposto depende da tenso Vd no diodo e da temperatura T. Os valores q e k so a carga do eltron e constante de Boltzmann, respectivamente. A amplitude dessa exponencial, Is , definida como a corrente de saturao e expressa a corrente de fuga que passa pelo diodo quando ele est em polarizao reversa [2]. A curva caracterstica esperada dessa relao segue na Fig. 2. I(Vd ) = Is (e kT 1)
qVd

Fig. 2. Curva caracterstica de corrente (Id ) tenso no diodo (Vd ) esperada para um diodo de juno p-n em vermelho. Os valores Vcc e Vcc R so a tenso na fonte e a corrente mxima do circuito da Fig. 1 que definem a reta de carga em azul. O ponto Q a interseo das curvas e indica o ponto de trabalho do diodo em polarizao direta para tal reta de carga. As diferentes curvas expressam temperaturas T de operao diferentes.

2) Diodo Zener: Similarmente seo 1, com base na Fig. 3, pode-se analisar o efeito da polarizao direta (essa, para o diodo da Fig.2 com os terminais invertidos) e reversa no diodo 1N4733 do tipo Zener. Assim, so analisadas a corrente Id do circuito e a tenso Vd do diodo variando a tenso de entrada Vcc da mesma maneira que anteriormente. Esse circuito tambm simulado no mesmo software sob as mesmas condies de temperatura da seo 1. Analogamente, com os valores obtidos, possvel observar a relao da corrente com a tenso no diodo e traar uma curva mdia utilizando o mesmo mtodo dos mnimos quadrados para um comportamento esperado exponencial, assim como expresso na seo 1. A curva caracterstica esperada dessa relao segue na Fig. 4.

(1)

Com os valores de corrente e tenso no diodo nos circuitos simulados para diferentes valores de temperatura, pode-se analisar qual a dependncia desses valores. Espera-se obter uma relao que respeite a previso de (2), onde Vbi a tenso de depleo Na , Nd e ni a concentrao de portadores aceitadores e doadores extrnsecos e de carga intrnsecos, respectivamente [2]. Essa relao esperada tambm segue na Fig. 2.

Vbi =

kT Na Nd ln ( 2 ) q n1

(2)

Fig. 3. Circuito com diodo Zener 1N4733 configurado em polarizao reversa.

Fig. 5. Circuito retificador de onda completa por transformador de corrente monofsico com center tap e com dois diodos de juno p-n. Fig. 4. Curva caracterstica de corrente (Id ) tenso no diodo (Vd ) esperada para um diodo Zener em vermelho. Os valores representados so os mesmos da Fig. 2. O ponto Q indica o ponto de operao para o diodo em polarizao reversa. As diferentes curvas expressam temperaturas T de operao diferentes.

3) Retificador de onda completa com dois diodos de juno p-n: Com base no circuito da Fig. 5, pode-se analisar o efeito que dois diodos de juno p-n 1N4007 possuem na forma de onda de uma tenso senoidal induzida por um transformador conectado diretamente rede eltrica. Um transformador funciona com base na lei de Faraday. Composto por um ncleo de ferro, espiras so enroladas no seu lado primrio e no seu lado secundrio de modo que a corrente que chega da rede ligada ao primrio induz um campo eletromagntico no ncleo. Esse campo, por sua vez, flui pelo ncleo que possui alta permeabilidade magntica, quando comparada com permeabilidade do ar, de maneira anloga como a corrente eltrica flui por um circuito eltrico. Esse campo passa ento pelas outras espiras gerando corrente no secundrio. Essa corrente existe juntamente com uma diferena de potencial que gerada entre seus polos [1]. Como a correte induzida no secundrio depende de seu nmero de espiras e do campo eletromagntico do ncleo, que por sua vez depende nmero de espiras e da corrente que entra no primrio, relaciona-se a razo entre a tenso gerada no primrio (V1 ) e no secundrio (V2 ) com a razo entre os nmero de espiras correspondentes ( N1 e N2 , respectivamente), como definido em (3). V1 N1 = V2 N2 (3)

4) Retificador de onda completa com filtro capacitivo: Similarmente seo 3, com base no circuito da Fig. 6, podese analisar o efeito que o capacitor possui comparando com o circuito da Fig. 5. Captando os mesmos tipos de valores do ponto Vr , esperase obter um comportamento de retificao contnua. Ou seja, como o capacitor acumula energia quando possui menor ddp em seus terminais e libera energia quando possuir maio ddp em uma direo definida, o sinal de tenso em Vr deve ser tal que seja atenuado (filtrado) durante as quedas das oscilaes. Para um valor de capacitncia suficientemente alto, isso indicaria que o sinal alternado da entrada foi retificado para um sinal contnuo na sada.

Fig. 6. Circuito retificador de onda completa por transformador de corrente monofsico com center tap e com dois diodos de juno p-n e filtro capacitivo.

Quando o transformador possui um center tap, a relao continua vlida para os nmeros de espiras at o ponto central e a partir do ponto central, como se o transformador possusse dois secundrios. Como, no circuito da Fig. 5, o referencial (terra) est no center tap do transformador para a tenso secundria, Va e Vb so oscilatrios com sinais invertidos. Captando e comparando tais formas de onda da tenso nesses pontos e no ponto Vr onde se mensura suas amplitudes, valor mdio, valor eficaz, perodo e frequncia correspondentes, espera-se obter um comportamento de retificao. Ou seja, como os dois diodos s deixam passar tenso positiva, o sinal de tenso em Va deve ser tal que no haja valor negativo, indicando que o sinal alternado da entrada foi retificado para valores positivos.

A Tabela III lista os circuitos estudados nestes experimentos e define seus respectivos nmeros, bem como seus componentes e caractersticas de polarizao.
TABELA III. CIRCUITOS ANALISADOS, DENOTADOS POR NMEROS (#), COM
DEVIDOS COMPONENTES E POLARIZAO UTILIZADOS

# I II III IV V VI VII VIII

Figura modelo 1 1 1 3 3 5 6 6

Diodo(s) D1 D1 D1 D2 D2 2 D1 2 D1 2 D1

Resistor R1 R4 R1 R1 R1 R3 R3 R3

Capacitor C2 C1

Polarizao Direta Direta Reversa Direta Reversa -

IV. RESULTADOS E DISCUSSES Contextualizando os dados das tabelas, os grficos da Fig. 7 27 caracterizam as relaes esperadas dos dados apresentados. Com isso, possvel interpret-los de maneira mais adequada e intuitiva. Para cada grfico de curva de exponencial nos diodos, foram obtidos os grficos do log da corrente pela tenso no diodo respectivo para obter a reta que melhor se ajusta aos pontos com respectivos valores de incertezas. A utilizao do log da corrente vem de (1), onde esperada uma curva com comportamento exponencial. Os grficos de curva exponencial, por sua vez, representam puramente a curva de corrente por tenso no diodo respectivo. Em conjunto, traada a reta de carga com o intuito de obter o ponto de quiescente Q do diodo respectivo para um valor na fonte de 5 V. Esse ponto exatamente onde a curva exponencial e a reta de carga se encontram. Em seguida, os circuitos I e V foram simulados no software. As mesmas anlises para os valores mensurados so feitas sobre essa simulao. As incertezas de simulao foram arbitrariamente definidas como 1% do valor de referncia. C. Diodo de juno p-n Os valores das medies de tenso da fonte e do diodo de juno p-n e de corrente para os circuitos do I ao III so apresentados nas Tabelas IV VI. possvel observar, nos grficos das Fig. 7 e 9, o padro linear da curva do tipo log da corrente por tenso no diodo. Esses pontos esto prximos satisfatoriamente da curva mdia visto que o coeficiente de correlao r alto. Entretanto, o fator reduzido 2 alto devido s incertezas no log e dependncia no linear que aumenta conforme os ltimos pontos. Essa propriedade no prevista por (1), mas tal fator refletido nos erros das curvas de todos os circuitos, que erros so representadas com um sombreamento na curva. O valores dos coeficientes angular e linear de reta entre a curva simulada e a obtida a partir dos dados mensurados possuem erro normalizado para incertezas expandidas em um fator de 1,96 iguais a aproximadamente 2,52 e 6,24, respectivamente. Mesmo adotando valores de incerteza dez vezes superiores na simulao, esses erros continuam superiores a 1. Logo, ambas as curvas da Fig. 8 e 10 no podem ser consideradas prximas o suficiente para que se possa afirmar que representam a mesma curva, mesmo que ambas tenham o mesmo carter exponencial esperado.
TABELA IV. VALORES MENSURADOS PARA O CIRCUITO I
T enso da fonte VCC Visor (V) VCC Mensurada (V) 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 10 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,3 0,3 -0,0060 0,503 1,00 1,51 2,00 2,50 3,00 4,01 5,00 10,0 0,0006 0,008 0,01 0,01 0,02 0,02 0,02 0,03 0,03 0,1 Corrente I d (mA) 0,00 0,08 3,27 7,76 12,4 17,1 21,4 31,5 41,4 92,1 T enso no diodo Vd (V)

Fig. 7. Curva de log da corrente tenso do diodo no circuito I com o resistor R1 .

Fig. 8. Curva de corrente tenso do diodo no circuito I com o resistor R1 .

0,01 -0,0061 0,0006 0,01 0,494 0,007 0,02 0,667 0,008 0,04 0,711 0,009 0,1 0,737 0,009 0,2 0,755 0,009 0,2 0,770 0,009 0,2 0,792 0,009 0,2 0,809 0,009 0,4 0,866 0,009

Os valores de tenso da fonte e no diodo e de corrente das simulaes no software para o circuito I so apresentados nas Tabelas VII IX. Para ilustrar melhor as comparaes entre o modelo simulado e o experimental, o grfico da Fig. 11 junta as duas curvas mdias sobre a mesma escala. Nele, possvel perceber a proximidade dos pontos de operao e suas inflexes semelhantes. Todavia, visvel a diferena entre as curvas, o que corrobora o erro normalizado excessivamente alto.

TABELA V. VALORES SIMULADOS PARA O CIRCUITO I

T enso da fonte VCC Visor (V) 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 10 Corrente I d (mA) 0,000 0,289 3,94 8,53 13,3 18,1 23,0 32,8 42,7 92,3 T enso no diodo Vd (V) 0,000 0,471 0,606 0,647 0,670 0,686 0,699 0,717 0,731 0,773

Fig. 11. Comparao das curvas de corrente tenso do diodo no circuito I mensurado e simulado com o resistor R1 .

Fig. 9. Curva de log da corrente tenso do diodo no circuito I simulado com o resistor R 1.

Os grficos das Fig. 12 e 13 mostram a mesma curva com o parmetro de temperatura (que antes encontrava-se em temperatura ambiente) aumentado para 40 C durante a simulao. No grfico da Fig. 12, possvel perceber que o comportamento linear da curva log da corrente por tenso se manteve, bem como suas proximidades na regresso linear. No entanto, os coeficientes de reta apresentados so relativamente inferiores aos da simulao anterior. Isso indica que, conforme a temperatura aumenta, h uma tendncia de diminuio da variao da corrente com a tenso, dada a diminuio do coeficiente angular da reta. A mesma relao mostra uma translao que leva a uma resposta mais sensvel tenso (ponto quiescente deslocado para a esquerda), dada a diminuio do coeficiente linear da reta.
TABELA VI. VALORES SIMULADOS PARA O CIRCUITO I COM TEMPERATURA DE 40 C
T enso da fonte VCC Visor (V) 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 10 Corrente I d (mA) 0,0000 0,341 4,01 8,59 13,4 18,2 23,1 32,9 42,7 92,3 T enso no diodo Vd (V) 0,000 0,466 0,599 0,641 0,665 0,681 0,694 0,714 0,729 0,772

Fig. 10. Curva de corrente tenso do diodo no circuito I simulado com o resistor R1 .

TABELA VII. VALORES SIMULADOS PARA O CIRCUITO I VARIANDO A TEMPERATURA NO PONTO DE OPERAO COM VCC =
Ponto quiescente T emperatura T (C) -246 -220 -193 -166 -140 -113 -87 -60 -33 -7 20 47 73 100 Corrente I d (mA) 42,2 42,2 42,2 42,3 42,3 42,4 42,4 42,5 42,6 42,6 42,7 42,7 42,8 42,9

5V

T enso no diodo Vd (V) 0,784 0,780 0,776 0,771 0,766 0,761 0,756 0,750 0,745 0,739 0,733 0,727 0,721 0,715

Fig. 12. Curva de log da corrente tenso do diodo no circuito I simulado com o resistor R 1 e T = 40 C.

Fig. 14. Curva de corrente e tenso no diodo temperatura do diodo no circuito I simulado no ponto de operao com Vcc = 5 V. Fig. 13. Curva de corrente tenso do diodo no circuito I simulado com o resistor R1 e T = 40 C.

Finalizando as anlises sobre a influncia da temperatura no diodo de juno p-n, partir do grfico da Fig. 14, possvel observar o comportamento da corrente e da tenso no diodo conforme a temperatura varia entre 246 C e 100 C. Conclui-se que, com o aumento da temperatura, a tenso no diodo diminui. Isso pode ser explicado ao notar a relao direta entre o potencial de barreira e a temperatura, expressada em (2). Assim, quanto maior o potencial de barreira, menor a ddp oriunda da fonte no diodo. Por outro lado, para a corrente, observa-se que essa relao contrria. Quanto maior a temperatura, maior a corrente no diodo. Isso visvel sabendo que, quanto maior for a temperatura, maior ser a energia trmica envolvida, o que leva a uma maior corrente por difuso. Assim, assumindo que

a corrente no diodo seja composta pela corrente de drift (originada pela ddp da fonte) e pela corrente de difuso, por (1), ela possui uma relao direta com a temperatura. Nos grficos do circuito II dispostos nas Fig. 15 e 16 com dados na Tabela VIII, possvel observar o comportamento linear da curva log da corrente por tenso com parmetros mais confiveis, o que corrobora o carter exponencial da curva de corrente por tenso. No obstante, nota-se a grande diferena nas ordens de grandeza da corrente com relao ao circuito I. Pode-se ento afirmar que h um tendncia de diminuir a corrente do circuito quanto maior for a carga resistiva. O mesmo vale para sua tenso de operao, uma vez que o ponto quiescente se encontra em tenses menores que seu referencial do circuito I de resistncia menor. O grfico da Fig. 17 mostra a corrente com o diodo polarizado inversamente. Ela confirma que o diodo de juno p-n permite corrente em apenas um nico sentido.

TABELA VIII. VALORES MENSURADOS PARA O CIRCUITO II

T enso da fonte VCC Visor (V) VCC Mensurada (V) 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 10 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,3 0,3 -0,0057 0,503 1,00 1,50 2,01 2,50 3,00 4,00 5,01 10,0 0,0006 0,008 0,01 0,01 0,02 0,02 0,02 0,03 0,03 0,1 Corrente I d (mA) 0,00 0,04 0,43 0,89 1,39 1,88 2,37 3,36 4,40 9,46 T enso no diodo Vd (V)

TABELA IX. VALORES MENSURADOS PARA O CIRCUITO III

T enso da fonte VCC Visor (V) VCC Mensurada (V) 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 10 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,3 0,3 -0,0058 0,503 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 4,00 4,98 10,0 0,0006 0,008 0,01 0,01 0,01 0,02 0,02 0,03 0,03 0,1 Corrente I d (mA) 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 T enso no diodo Vd (V) 0,0058 -0,503 -1,00 -1,50 -2,00 -2,50 -3,00 -4,00 -4,98 -10,0 0,0006 0,008 0,01 0,01 0,01 0,02 0,02 0,03 0,03 0,1

0,01 -0,0061 0,0006 0,01 0,458 0,007 0,01 0,567 0,008 0,01 0,603 0,008 0,01 0,624 0,008 0,02 0,639 0,008 0,02 0,649 0,008 0,02 0,667 0,008 0,03 0,681 0,008 0,04 0,720 0,009

Fig. 15. Curva de log da corrente tenso do diodo no circuito II com o resistor R 4.

Fig. 17. Curva de corrente tenso do diodo no circuito III polarizado inversamente.

D. Diodo Zener Os valores das medies de tenso da fonte e no diodo Zener e de corrente para os circuitos do IV ao V so apresentados nas Tabelas X e XI.
TABELA X. VALORES MENSURADOS PARA O CIRCUITO IV
T enso da fonte VCC Visor (V) VCC Mensurada (V) 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 10 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,3 0,3 -0,0058 0,503 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 4,01 5,00 10,0 0,0006 0,008 0,01 0,01 0,02 0,02 0,02 0,03 0,03 0,1 Corrente I d (mA) 0,00 0,00 2,42 6,99 11,8 16,6 21,5 31,3 41,3 92,2 T enso no diodo Vd (V)

0,01 -0,0058 0,0006 0,01 0,503 0,008 0,02 0,752 0,009 0,03 0,782 0,009 0,1 0,796 0,009 0,2 0,805 0,009 0,2 0,811 0,009 0,2 0,820 0,009 0,2 0,826 0,009 0,4 0,845 0,009

Fig. 16. Curva de corrente tenso do diodo no circuito II com o resistor R 4.

As mesmas anlises adotadas para o diodo de juno p-n so adotadas para o diodo Zener. Assim, na Fig. 18, temos a curva de log da corrente por tenso no diodo Zener com seu carter linear. No grfico da Fig. 19, possvel observar que o aspecto exponencial da curva da corrente por tenso mantido. Isso indica que, em polarizao direta, o diodo Zener funciona como um diodo de juno p-n. No entanto, devido ao aumento dos coeficientes da curva comparado ao diodo de juno p-n, a tenso do ponto de operao do diodo tornou-se comparativamente alta.

TABELA XI. VALORES MENSURADOS PARA O CIRCUITO V

T enso da fonte VCC Visor (V) VCC Mensurada (V) 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 10 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,2 0,3 0,3 -0,0058 0,503 1,00 1,50 2,00 2,50 3,00 3,99 5,01 10,0 0,0006 0,008 0,01 0,01 0,01 0,02 0,02 0,02 0,03 0,1 Corrente I d (mA) 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 -0,03 -0,40 -3,20 -48,4 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,02 0,3 T enso no diodo Vd (V) 0,0058 -0,503 -1,00 -1,50 -2,00 -2,50 -3,00 -3,95 -4,66 -5,11 0,0006 0,009 0,01 0,01 0,02 0,02 0,02 0,08 0,08 0,09

Fig. 18. Curva de log da corrente tenso do diodo Zener no circuito IV polarizado diretamente. Fig. 20. Curva de log da corrente tenso do diodo Zener no circuito V polarizado inversamente.

Fig. 19. Curva de corrente tenso do diodo Zener no circuito IV polarizado diretamente. Fig. 21. Curva de corrente tenso do diodo Zener no circuito V polarizado inversamente.

Uma diferena visvel entre o diodo de juno p-n e o diodo Zener pode ser observada nas Fig. 20 e 21. Elas indicam que o diodo Zener possui a caracterstica de linearidade da curva do log de corrente por tenso, ainda que com polarizao invertida. Isso indica que h conduo no diodo Zener quando em polarizao reversa, diferentemente do que aconteceu no diodo de juno p-n que s conduziu em um sentido, como pode ser visto em comparao com a Fig. 17. A Fig. 21 evidencia a caracterstica da curva exponencial da corrente por tenso, indicando a conduo no diodo com tal polarizao e seu respectivo ponto quiescente. Os valores de tenso da fonte e no diodo Zener e de corrente das simulaes no software para o circuito V so apresentados nas Tabela XII XIV. Similarmente ao diodo de juno p-n, as simulaes no software exibidas pelo grfico da Fig. 22 tambm denota um padro linear da curva do tipo log da corrente por tenso. Entretanto, perceptvel uma diferena, dessa vez, ainda maior nos coeficientes de reta entre a curva simulada e a obtida a partir dos dados mensurados, o que dispensa o clculo dos erros normalizados.
TABELA XII. VALORES SIMULADOS PARA O CIRCUITO V
T enso da fonte VCC Visor (V) 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 10 Corrente I d (mA) 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 -0,311 -49,0 T enso no diodo Vd (V) 0,000 -0,500 -1,00 -1,50 -2,00 -2,50 -3,00 -4,00 -4,97 -5,10

O grfico da Fig. 24 ilustra a comparao entre o modelo simulado e o experimental. Nele, possvel perceber a diferena das curvas de corrente por tenso e suas inflexes, onde os pontos quiescente esto suficientemente distantes. Tal diferena pode ter ocorrido pelos mesmos fatores ao acontecido com o diodo de juno p-n. Alterando o parmetro de temperatura de juno (que antes encontrava-se em temperatura ambiente), a partir do grfico da Fig. 25, possvel perceber que o comportamento linear da curva log da corrente por tenso se manteve. Todavia, os coeficientes de reta so relativamente inferiores ao de temperatura ambiente.

Fig. 23. Curva de corrente tenso do diodo Zener no circuito V simulado polarizado inversamente.

Fig. 22. Curva de log da corrente tenso do diodo Zener no circuito V simulado polarizado inversamente.

Fig. 24. Comparao das curvas de corrente tenso do diodo no circuito V mensurado e simulado polarizado inversamente.

TABELA XIII. VALORES SIMULADOS PARA O CIRCUITO V COM O DIODO ZENER EM POLARIZAO REVERSA E TEMPERATURA DE 40 C
T enso da fonte VCC Visor (V) 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 4,0 5,0 10 Corrente I d (mA) 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 0,0000 -0,3445 -49,0098 T enso no diodo Vd (V) 0,000 -0,500 -1,000 -1,500 -2,000 -2,500 -3,000 -4,000 -4,966 -5,099

No grfico da Fig. 26, possvel observar que o aspecto exponencial da curva da corrente por tenso mantido, mas devido diminuio do coeficiente da curva, a tenso em que o diodo passa a conduzir corrente tornou-se ainda mais baixa. Assim, a partir do grfico da Fig. 27, possvel observar o comportamento da corrente e da tenso no diodo conforme a temperatura variada. Conclui-se ento o mesmo aspecto de dependncia com a temperatura encontrado para o diodo de juno p-n. No entanto, vlido ressaltar que os valores aqui apresentados so negativos. Aumentar a corrente indica obter um valor ainda mais negativo. Diminuir uma tenso indica obter um valor menos negativo. Logo, a dependncia est para o mdulo desses parmetros.
TABELA XIV. VALORES SIMULADOS PARA O CIRCUITO V VARIANDO A TEMPERATURA NO PONTO DE OPERAO COM VCC =
Ponto quiescente T emperatura T (C) -246 -220 -193 -166 -140 -113 -87 -60 -33 -7 20 47 73 100 Corrente I d (mA) 0,00 0,00 0,00 0,00 0,00 -0,02 -0,05 -0,10 -0,16 -0,23 -0,29 -0,36 -0,43 -0,50 T enso no diodo Vd (V) -5,000 -5,000 -5,000 -5,000 -5,000 -4,998 -4,995 -4,990 -4,984 -4,977 -4,971 -4,964 -4,957 -4,950

5V

Fig. 25. Curva de log da corrente tenso do diodo Zener no circuito V simulado polarizado inversamente e T = 40 C.

Fig. 26. Curva de corrente tenso do diodo Zener no circuito V simulado polarizado inversamente e T = 40.

Fig. 27. Curva de corrente e tenso no diodo Zener temperatura de juno no circuito V simulado em Vcc = 5 V.

Como o ponto quiescente uma aproximao pela segunda lei de Kirchhoff dos valores de tenso e corrente no diodo quando esse est trabalhando normalmente, vlido compar-los com os valores obtidos na curva respectiva do mesmo. Tal comparao feita pelo erro normalizado entre cada ponto e curva dos circuitos I, II, IV e V, como segue na Tabela XV.
TABELA XV. COMPARAO POR ERRO NORMALIZADO (en ) COM FATOR DE EXPANSO DA INCERTEZA DE 1,96 ENTRE OS VALORES MENSURADOS E OS
PONTOS QUIESCENTES DOS GRFICOS DE CADA CIRCUITO DENOTADO PELO NMERO (#) PARA UMA TENSO NA FONTE DE VCC = 5 V

TABELA XVII. VALORES DE RESISTNCIA DE CORPO CALCULADOS PARA O CIRCUITO I COM O RESISTOR R 4
Corrente I d (mA) 0,00 0,04 0,43 0,89 1,39 1,88 2,37 3,36 4,40 9,46 0,01 0,01 0,01 0,01 0,01 0,02 0,02 0,02 0,03 0,04 T enso no diodo Vd (V) -0,0061 0,458 0,567 0,603 0,624 0,639 0,649 0,667 0,681 0,720 0,0006 0,007 0,008 0,008 0,008 0,008 0,008 0,008 0,008 0,009 Resistncia de corpo Rd () 3 0,04 0,01 0,008 0,005 0,004 0,003 0,002 0,001

Corrente I d (mA) Mensurado Quiescente 0,5 40,8 0,4 0,05 4,37 0,01 0,5 40,5 0,6 0,02 -4 2

en

T enso no diodo Vd (V) Mensurado Quiescente en 0,02 0,02 0,02 0,08 0,80 0,68 0,83 -4,5 0,04 0,01 0,06 0,2 0,2 0,2 0,1 0,8

11 1,32 0,68 0,449 0,340 0,274 0,199 0,155 0,076

I 41,4 II 4,40 IV 41,3 V -3,20

1,0 0,81 0,6 0,68 1,0 0,83 0,4 -4,66

Todos os erros normalizados apresentados so inferiores a 1 onde considerado um fator de expanso da incerteza de 1,96 para abranger um intervalo de predio de 95% de certeza. Uma ltima abordagem tratada neste documento para analisar a caractersticas dos diodos est em calcular a resistncia de corpo do diodo de juno p-n. Quando corrente passa pelo circuito, tal resistncia pode ser obtida utilizando a lei de Ohm, expressa em (4), com a tenso de operao. Rd = Vd Id (4)

Como essa resistncia de corpo no se demonstrou constante com a variao de corrente e tenso no diodo de juno p-n (o que era esperado pela definio do grfico dada anteriormente), nenhuma tcnica de anlise linear pode ser aplicada, como o Teorema de Norton e de Thvenin, a circuitos que contm diodos como esse. No obstante, como o diodo destinado a trabalhar em uma faixa prxima ao seu ponto quiescente, sua resistncia dinmica pode ser aproximada para aquela aparente nesse ponto. Ou seja, para uma carga de R1 e de R 2 , podemos aproximar a resistncia de corpo dinmica do diodo de juno (19,5 0,2) mVId (155 2) mVId , para e respectivamente. Essa resistncia de corpo dinmica explica o fato da segunda lei de Kirchhoff aplicada aos circuitos ser apenas uma aproximao dos valores reais dados pelas curvas. E. Retificador de onda completa com dois diodos de juno p-n Os valores de amplitude, de tenso mdia e eficaz, de perodo e de frequncia da forma de onda dos sinais nos pontos indicados para o circuito VI obtidos pelo osciloscpio esto presentes na Tabela XVIII. As formas de onda apresentadas na tela do osciloscpio para a dupla de pontos Va e Vb e o ponto Vr esto ilustradas nas Fig. 28 e 29, respectivamente.
TABELA XVIII. VALORES MENSURADOS PARA O CIRCUITO VI
T enso Mdia VM (V) Perodo T (ms) Freq. f (Hz)

Analisou-se tais dependncias para os circuitos I e II. Os dados de resistncia de corpo esto dispostos nas Tabelas XVI e XVII. O grficos seriam semelhantes aos obtidos anteriormente, porm com eixos trocados. A definio de resistncia aqui para esses grficos viriam do coeficiente angular da reta tangente em cada ponto coordenado da curva de tenso no diodo por corrente. Em ambos, percebe-se que a resistncia de corpo diminui conforme a corrente e tenso no diodo aumentam.
TABELA XVI. VALORES DE RESISTNCIA DE CORPO CALCULADOS PARA O CIRCUITO I COM O RESISTOR R 1
Corrente I d (mA) 0,00 0,08 3,27 7,76 12,4 17,1 21,4 31,5 41,4 92,1 0,01 0,01 0,02 0,04 0,1 0,2 0,2 0,2 0,2 0,4 T enso no diodo Vd (V) -0,0061 0,494 0,667 0,711 0,737 0,755 0,770 0,792 0,809 0,866 0,0006 0,007 0,008 0,009 0,009 0,009 0,009 0,009 0,009 0,009 Resistncia de corpo Rd () 0,8 0,003 0,001 0,001 0,0007 0,0005 0,0003 0,0002 0,0001

Pto. Amplitude A (V)

Eficaz Vef (V)

6,2 0,204 0,092 0,059 0,0442 0,0360 0,0251 0,0195 0,0094

Va 35 1 -0,075 0,004 12,2 0,4 16,7 0,3 60 1 Vb 35 1 -0,088 0,005 12,2 0,4 16,7 0,3 60 1 Vr 16,7 0,5 10,2 0,3 5,3 0,2 8,3 0,1 120 2

Defasagem entre Va e Vb (graus) ................................................................ 180 3

da rede de 127 V com 1% de incerteza, por (3), obtemos que a relao de espiras do transformador utilizado do primrio para o secundrio de 5,2 0,2. F. Retificador de onda completa com filtro capacitivo Os mesmos valores da seo anterior para o ponto Vr dos circuitos VII e VIII obtidos pelo osciloscpio esto presentes na Tabela XIX. A forma de onda apresentada na tela do osciloscpio para o ponto Vr est ilustrada nas Fig. 30 e 31.
TABELA XIX. VALORES MENSURADOS PARA O CIRCUITO VIII E IX NO PONTO Vr
Capacitor T enso mdia VDC (V) 15,2 0,5 10,4 0,3 T enso eficaz Vef (V) 0,66 0,02 5,2 0,2 Perodo VRIPPLE (VPP) 2,18 0,07 17,1 0,6

Fig. 28. Sinais obtidos por mdias de aquisies das ondas dos pontos Va (amarelo) e Vb (verde) do circuito VI. Imagem obtida atravs do osciloscpio.

C2 C1

Fig. 29. Sinal obtido por mdia de aquisies de onda do ponto Vr retificado do circuito VI. Imagem obtida atravs do osciloscpio.

Fig. 30. Sinal de onda do ponto Vr retificado e filtrado do circuito VIII. Imagem obtida atravs do osciloscpio.

Pode-se observar que o comportamento esperado de retificao de onda completa aconteceu. Ou seja, apenas a parte positiva de ambos os sinais de entrada dados pelos pontos Va e Vb permaneceu na sada dada pelo ponto Vr . Como mencionado anteriormente, isso acontece devido ao aterramento que est no center tap gerar sadas invertidas nos pontos Va e Vb que so barradas quando no polarizarem os respectivos diodos corretamente. Logo, o valor mximo de tenso reversa em cada diodo igual tenso negativa ativa em seu ponto e a tenso positiva que passou do outro diodo para o ponto Vr . Ou seja, o valor mximo de tenso reversa em cada diodo igual ao valor da tenso pico a pico que, neste caso, de 35 V. Os valores obtidos e apresentados na Tabela XVIII torna mais visvel o que acontece da Fig. 28 para a Fig. 29, onde o valor mdio da sada aproximadamente nulo, como esperado para uma onda senoidal. Nota-se que a frequncia de sada dobra, como esperado, visto que a defasagem entre os sinais Va e Vb de 180 3. Caso essa defasagem fosse diferente, o sinal de sada em Vr seria diferente, mas o funcionamento do circuito seria o mesmo, onde cada diodo permite passar apenas a parte positiva da tenso. Como a amplitude de cada ponto Va e Vb de (12,2 0,4) V (24,4 V 0,8 V, no total) e adotando a tenso eficaz

Fig. 31. Sinal obtido por mdia de aquisies de onda do ponto Vr retificado e filtrado do circuito VIII com detalhe no ripple. Imagem obtida atravs do osciloscpio.

Perceba que agora o valor mdio da sada no mais aproximadamente nulo. Dessa vez, o sinal de sada filtrado pelo capacitor como mencionado na seo 4. Ou seja, o capacitor armazena energia quando polarizado e descarrega quando retirada a polarizao. vlido ressaltar que o conceito de polarizao aqui se remete ddp entre seus

terminais. Esse efeito de descarga (oscilao ou ripple), para capacitores com capacitncia suficientemente altos, so suaves e do um aspecto de continuidade onda de sada. A oscilao maior quanto menor for o valor de capacitncia, como mostra a Tabela XIX. A mesma denota que todas as variveis mensuradas variam e o aspecto de onda fica cada vez mais visvel quanto menor for o valor de capacitncia. Consequentemente, menos prximo o aspecto da sada ser de um sinal contnuo. V. CONCLUSES A partir dos experimentos realizados, foi possvel evidenciar o aspecto exponencial das curvas e as caractersticas do diodo de juno p-n (conduo de corrente em um nico sentido de polarizao) e do diodo Zener (conduo em ambos os sentidos de polarizao), bem como as diversas formas que cada um responde s diferentes variaes nos parmetros do valor da resistncia de carga e da temperatura. Todavia, as simulaes no software para tais circuitos mostraram-se inexatas quando comparados com os resultados experimentais, mesmo que tenham apresentado aspectos semelhantes. A taxa de variao da tenso com a variao de temperatura simulada tambm no foi condizente com o esperado em [3], onde seu valor foi dez vezes inferior. Isso pode ter relao ligadas a diversos fatores, como a diferena de temperatura ambiente que o software adota (27 C) como temperatura ambiente durante o experimento (25 C 1 C), visto que a temperatura do sistema tem profundo efeito na operao do diodo. Entre outros fatores que podem ter influenciado negativamente nessa diferena, alguns deles podem ser provenientes do momento de fabricao dos diodos. Mesmo que os parmetros dos diodos sejam padronizados, podem existir ligeiras alteraes em configuraes no previstas pela simulao. Essas alteraes imprevistas so inversamente proporcionais ao controle do ambiente de fabricao. Logo, existe uma dependncia de valor desconhecido dos fabricantes com essas discrepncias. No obstante, mesmo com as tais discrepncias, foi possvel explorar as caractersticas dos diodos de modo ilustrativo. Tambm vlido dizer que, ainda que tenha sido evidenciado a resistncia de corpo dinmica do diodos de juno, a aproximao do ponto quiescente pela segunda lei de Kirchhoff se mostrou confivel quando comparadas para todos os circuitos com corrente mensurvel no diodo. Por fim, a partir da construo do retificador de sinais, tornou-se exemplificado uma aplicao importante do diodo de juno p-n no estudo e planejamento de circuitos eletrnicos que requerem retificao de onda completa ou fonte de corrente contnua (CC, transformao de tenso alternada em contnua).

VI. REFERNCIAS
[1] R. L. Boylestad. Dispositivos Eletrnicos e teoria de circuitos, 8 ed., Pearson, 2005, p. 6-24. [2] S. M. Sze; Kwok K. NG. "Physics of Semiconductor Devices", em p-n Junctions, 3 ed., John Wiley & Sons, Inc., 2006, p. 77-133. [3] A. S. Sedra; K. C. Smith. "Microelectronic Circuits", 5 ed., New York: Oxford University Press, 2004, p. 149 e 171.