Fundamentos de Semiconductores Abril 2014 Ensayo: Transistores

ENSAYO: TRANSISTORES
Daniel Snchez Martnez
*
Universidad Anhuac Oaxaca
daniel.sanchez@anahuacoaxaca.edu.mx
H
ace aos los circuitos se construan
a base de vlvulas de vaco tambin
conocidos como bulbos, en la actuali-
dad estos han sido sustituidos por circuitos
semiconductores que son ms ecientes y de
menor tamao, por lo que adems de trabajar
ms rpido nos permiten el ahorro de espacio
en nuestros circuitos.
En la naturaleza existen dos tipos de materia-
les que son los conductores y aislantes, por lo
que la diferencia principal es la capacidad de
conducir la corriente elctrica, sin embargo; los
semiconductores pueden comportarse de am-
bas formas dependiendo de su conexin como
lo analizamos anteriormente con los diodos los
cuales tienen una estructura PN que permiten
o no el ujo de electrones.
Para este caso nos enfocaremos en los transis-
tores, para lo cual es muy importante poder
conocer su estructura interior para as poder
entender el funcionamiento de este tipo de
semiconductor que es el que nos interesa. Los
mas comunes al igual que en los diodos son
de silicio, (NPN).
Un transistor por dentro es una conguracin
de materiales semiconductores (un material P
rodeado por dos materiales N) para un tipo de
caso porque as mismo existen transistores con
otra conguracin que es inversa (un material
N rodeado por dos materiales P), por lo que
prcticamente existen dos tipos de transisto-
res que son NPN y PNP, conformados por su
colector, una base y el emisor, tal y como se
muestra en la gura 1.
Figura 1: Estructura de un transitor comn
De igual manera, la representacin simb-
lica que se tiene para cada caso en los tran-
sistores es muy parecida, nicamente vara la
direccin de la echa en una de sus terminales
hacia afuera en la conguracin NPN y hacia
afuera en la conguracin PNP tal y como se
muestra en la gura 2.
Figura 2: Modelo de transistor NPN y PNP
Por lo que se reere a su forma fsica, los
transistores pueden tener encapsulados muy
variados dependiendo de la aplicacin espec-
ca que se le de ya que existen con diferentes
valores en potencia.
El funcionamiento de este tipo de semicon-
ductor se desarrolla en sus tres capas como
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Fundamentos de Semiconductores Abril 2014 Ensayo: Transistores
se muestra en la gura 1, que son el colector,
la base y el emisor. Al momento en que el
transistor es polarizado con un voltaje positivo
en el colector, un voltaje menor en la base y un
voltaje negativo en el emisor, en ese momen-
to se crea una pequea corriente que circula
desde el emisor hacia la base, sin embargo
esta corriente crea un efecto de avalancha que
hace que la corriente de la base se multiplique
varias veces establecindose una corriente muy
grande entre el emisor y el colector, de forma
que la corriente del colector ser igual a beta
veces la corriente de la base (Ic=(B)Ib), o de
igual forma la corriente de colector ser igual
a la corriente de base multiplicada por un
factor hFE (Ic=(hFE)(Ib)), por lo que se puede
determinar que un transistor se comporta bsi-
camente como un dispositivo que amplica la
corriente de su base por un factor de B o Hfe
en su colector.
Cuando se tiene a la corriente de la base con
respecto a la corriente del colector, la ecuacin
anterior nos menciona que en un periodo deter-
minado la corriente de la base va a amentando
respecto a la corriente del colector a lo que se
le conoce como zona de amplicacin, por lo
que llegar un momento en que la corriente
de la base seguir aumentando y la corrien-
te del colector permanecer constante, y es
cuando a este suceso se le conoce como zona
de saturacin, por lo que cada zona se em-
plea para objetivos distintos. Para ello la zona
de amplicacin sirve para manejar seales
lineales y la zona de saturacin nos permite
utilizar al transistor como un interruptor; es
decir, cuando no pasa corriente por la base, no
puede pasar tampoco por sus otros terminales;
se dice entonces que el transistor est en corte,
es como si se tratara de un interruptor abier-
to. El transistor est en saturacin cuando la
corriente en la base es muy alta; en ese caso
se permite la circulacin de corriente entre el
colector y el emisor y el transistor se comporta
como si fuera un interruptor cerrado.
Al desarrollar un circuito, podemos encontrar
diferentes maneras de conectar un transistor,
la forma mas comn es conectada tipo emisor
comn en la que como se mencion se tiene
una seal pequea alimentndose en la base
y una seal bastante amplicada saliendo por
el colector a lo que se le llama amplicador
inversor porque tambin invierte la seal, sin
embargo no es la nica forma de conectarlo, ya
que la salida del colector sirve para amplicar,
y para el otro caso si se conectara la salida
del emisor no existir amplicacin, sino todo
lo contrario, existe una ligera atenuacin y la
seal ya no cambia de polaridad por lo que
mantiene su misa fase, por lo que a este tipo
de conexin donde se tiene una entrada en la
base y una salida en el emisor se le llama un
bfer o seguidor.
Otra caracterstica muy importante de los
transistores es la que se reere al voltaje casi
constante que existe entre su base y el emisor,
esto depender del material y el modelo del
transistor que por lo general oscila entre 0.7
volts y se mantiene prcticamente sin variacin,
lo que nos puede servir para poder utilizar a
los transistores como un reguladores de volta-
je.
Por otra parte tambin existen otro tipos de
transistores comunes que son de tipo FET o de
efecto de efecto de campo, muy similar a los
transistores antes mencionados, solo que con
una forma mas cuadrada, y que de igual ma-
nera pueden ser de tipo NPN o PNP, pero su
principio de operacin es muy distinto, ya que
por ejemplo el de tipo PNP, se tiene el material
tipo N conectado a dos de sus terminales y
dos placas de material tipo P conectadas a otra
terminal, una terminal fuente(S), un drenaje
(D) y una compuerta (G) tal y como se muestra
en la gura 3, por lo que ya no se maneja ni
colector, base y emisor.
Figura 3: Modelo de transistor tipo FET
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La forma en como opera este tipo de tran-
sistor consiste en que al momento en que en
las terminales P aparece un voltaje, comienza
a aparecer una zona de deplecin, si no existe
ningn voltaje, entonces existe conexin direc-
ta entre el drenaje y la fuente, sin embargo al
ir incrementando el voltaje de la compuerta
aparecen zonas en las cuales la conduccin de
la corriente se vuelve ms difcil, incremen-
tando la resistencia y reduciendo el ujo de
corriente de la otras las otras dos terminales, al
incrementar el voltaje de compuerta el canal de
conduccin se estrecha an ms, limitando bas-
tante el ujo de corriente, y si aumentamos an
mas el voltaje de compuerta llega un punto en
el cual se forma una capa completamente no
conductora y ya no existe ninguna circulacin
de corriente entre el drenaje y la fuente, es as
como a este tipo de transistores FET tambin
se les conoce como transistores de deplecin.
As mismo dentro de la categora FET tambin
existen los de transistores de enriquecimiento
que trabaja con principios totalmente opuestos
al anterior, es decir en este tipo de transistores
la condicin normal de 0 volts en la compuerta
es no conduccin entre el drenaje y la fuente,
y conforme se va aumentando el voltaje en
la compuerta, esa zona de conduccin se va
empequeeciendo, permitiendo en un momen-
to dado el ujo de electrones entre la fuente
y el drenaje, y al crecer an mas el voltaje
de compuerta, el canal se hace cada vez mas
grande permitiendo el paso de mas electrones,
y llega un punto en el cual el voltaje de com-
puerta es lo sucientemente alto como para
que exista conexin directa entre el drenaje y
la fuente. Para este tipo de transistores al igual
que los comunes, tambin existe un punto de
saturacin y su regin de amplicacin en el
voltaje de compuerta respecto a la corriente de
drenaje.
Finalmente se puede determinar, que a travs
del tiempo se han ido desarrollando nuevos
elementos tecnolgicos que nos permiten la
facilidad de desarrollar diferentes circuitos que
nos permitan desarrollar diferentes funciones
en el campo de aplicacin, tal como es el caso
de lo transistores los cuales existen de diferen-
tes tipos que son los comunes , as como los de
tipo FET y MOSFET, que en base al diseo que
desarrollemos podramos hacer muchas cosas
de acuerdo a la conguracin que se les d, lo
que nos permite trabajar de diferentes maneras
con los semiconductores.
Referencias
[PEARSON, Boylestad Nashelsky] Electrni-
ca: Teora de circuitos y dispositivos elec-
trnicos 8va ed.
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