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CIRCUITOS ELECTRNICOS
1. Amplificadores de uno y dos transistores
1.1 Repaso de etapas amplificadoras bsicas con un solo transistor 1.2 Repaso de etapas amplificadoras con dos transistores 1.3 Amplificador diferencial
3. Etapas de salida
3.1 Clasificacin de las etapas de salida. 3.2 Etapa de salida clase A. 3.3 Etapa de salida clase B. tecnun
CIRCUITOS ELECTRNICOS
3.4 Etapa de salida clase AB. 3.5 Disipacin de potencia en transistores. Transistores de potencia.
4. Amplificador operacional
4.1 Anlisis de los amplificadores operacionales 4.2 Desviaciones respecto a la idealidad de amplificadores operacionales reales
CIRCUITOS ELECTRNICOS
6. Realimentacin en circuitos electrnicos
6.1 Ecuaciones ideales de realimentacin 6.2 Propiedades de la realimentacin negativa en el diseo de amplificadores 6.3 Configuraciones bsicas de realimentacin 6.4 Estabilidad de amplificadores realimentados 6.5 Osciladores sinusoidales
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TEMA 1
Ideas bsicas: Dispositivos Modelos de transistores en pequea seal Anlisis de pequea seal Etapas amplificadoras bsicas con un solo transistor Etapas amplificadoras con dos transistores Amplificador diferencial
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TRANSISTOR BIPOLAR
VCB
B C
VEB IC IE VBC
B
IE IB
C
VBE
IB
IC pnp
npn
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TRANSISTOR BIPOLAR
VCE VBE iC iC
Saturacin
VCE IB
Regin Activa
vBE (V)
0 0.5 0.7
BE
vCE
0 VCE sat
Corte
iC=ISev
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/VT
iB=iC/
TRANSISTOR BIPOLAR
Dependencia de iC respecto de la tensin de colector Efecto Early
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TRANSISTOR BIPOLAR
Relaciones corriente - tensin de un transistor BJT operando en la regin activa iC = ISev
BE
/VT
VBE~0.7 V
BE
/VT
= / (1 ) iE = ( + 1) iB
BE
/VT
iB = (1 ) iE = iE / ( + 1)
Para un transistor pnp sin ms habra que cambiar vBE por vEB. tecnun
IS = Corriente de saturacin -- VT = Voltaje trmico=kT/q~25 mV a temperatura ambiente = ganancia en corriente en emisor comn -- = ganancia en corriente en base comn
TRANSISTOR BIPOLAR
Relaciones corriente - tensin de un transistor BJT operando en la regin de saturacin
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TRANSISTOR BIPOLAR
Relaciones corriente - tensin de un transistor BJT operando en la regin de corte
iC = iB = iE = 0
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MOSFETs
Enrequecimiento Canal n
D G
Empobrecimiento Canal n
D G G S S
Canal p
D G
Canal p
D
Canal n
D G S
Canal p
D G S
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TRANSISTOR MOSFET
VDG
G D
VSG ID IS VGD
G
IS IG=0
D
VGS
IG=0
S
ID
NMOS
PMOS
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TRANSISTOR MOSFET
VDS VGS iD iD VGS VDS
Regin hmica
Regin Saturacin
Vt 0 1 3
vGS (V)
0 VDS sat
vDS
iD=
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kW (V -V )2 2L GS t
iD=is iG=0
TRANSISTOR MOSFET
Dependencia de iD respecto de la tensin VDS Modulacin de la longitud de canal
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TRANSISTOR MOSFET
Relaciones corriente - tensin de un transistor NMOS operando en la regin de saturacin vGS>Vt vDG>-Vt iD= kW (v -V )2 2L GS t iG=0
Para un transistor PMOS sin ms habra que cambiar el signo de las expresiones. tecnun
W = Anchura de canal -- L= Longitud de canal -- Vt = Tensin umbral = Transconductancia del transistor (A/V2)
TRANSISTOR MOSFET
Relaciones corriente - tensin de un transistor NMOS operando en la regin hmica vGS>Vt vDG<-Vt iD= v kW (vGS-Vt- DS )vDS L 2 iG=0
Para un transistor PMOS sin ms habra que cambiar el signo de las expresiones. tecnun
W = Anchura de canal -- L= Longitud de canal -- Vt = Tensin umbral = Transconductancia del transistor (A/V2)
TRANSISTOR MOSFET
Relaciones corriente - tensin de un transistor NMOS operando en la regin de corte vGS<Vt vDS>0 iD= 0 iG=0
Para un transistor PMOS sin ms habra que cambiar el signo de las expresiones. tecnun
TRANSISTOR JFET
Relaciones corriente - tensin de un transistor JFET Regin de saturacin iD= (vGS-Vp)2 Regin hmica iD= [2(vGS-Vp) vDS-v2DS] Regin de corte iD= 0
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iG<<0
iG<<0
iG=0
= Corriente de drenador a fuente con la puerta cortocircuitada con la fuente (A/V2) Vp = Tensin de estrangulamiento
TRANSISTOR BIPOLAR
Modelo del transistor a pequea seal
IC Rc IB + -
VDD
VBE
VCE
IE
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TRANSISTOR BIPOLAR
Modelo del transistor a pequea seal
iC Rc iB + + iE
VDD
vbe VBE
vCE
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TRANSISTOR BIPOLAR
Modelo del transistor a pequea seal Modelo hbrido
B
ib + vbe r ie r0 ic
C B gm =IC/VT r=/ gm E
gmvbe
E
ic
B
+ vbe -
ib r r0
ib ie
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TRANSISTOR BIPOLAR
Modelo del transistor a pequea seal Modelo T
C B
ib + vbe ie ic i e r0 re
C B
ic ib + vbe re ie gmvbe r0
C B
E E
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TRANSISTOR BIPOLAR
Modelo del transistor a pequea seal Tabla resumen
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TRANSISTOR MOSFET
Modelo del transistor a pequea seal
vGS=VGS+vgs iD Rc iG + iS iD=(W/2L)k(VGS+vgs-Vt)2 =(W/2L)k(VGS-Vt)2+(W/L)k(VGS-Vt)vgs+(W/2L)kv2gs
VDD
vgs
VGS
vDS
+ -
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TRANSISTOR MOSFET
Modelo del transistor a pequea seal
D G
ig + vgs r0
id
gmvgs is
S gm = 2kWID/(L) r= tecnun
TRANSISTOR MOSFET
Modelo del transistor a pequea seal Efecto de Cuerpo
G
ig + vgs is r0 id + vbs -
D B
gmvgs
gmbvbs
S
vDS=Cte.
D G B S tecnun
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TRANSISTOR MOSFET
Modelo del transistor a pequea seal Tabla resumen
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