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Semiconductor Group 1-180 10.

95
Multi TOPLED

LSPB T670
Besondere Merkmale
G Gehusebauform: P-LCC-4
G Gehusefarbe: wei
G volles Farbspektrum darstellbar
G Lichterzeugung ber drei Halbleiterdioden: blau (480 nm),
pure green (557 nm), rot (630 nm), getrennt ansteuerbar
G gute Farbmischung durch kleine Chipabstnde (0,5 mm)
und gemeinsamen Reflektor mit 2,4 mm
G fr Matrix-Anzeigen mit hoher Packungsdichte bzw. hoher
Auflsung (Pixelgrafik)
G zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung
G Farbmetechnik
G medizinische Analysetechnik
G hohe Signalwirkung durch Farbwechsel der LED mglich
G fr alle SMT-Bestck- und Lttechniken geeignet
G gegurtet (8-mm-Filmgurt)
G Strimpulsfest nach DIN 40839
Auf Grund der z. Zt schnellen Technologie-Entwicklung bei blauen Chips, sind die Daten als
vorlufig zu betrachten. Bezglich der Helligkeit stellen sie Minimal- und fr V
F
Maximal-Werte dar.
Bitte um Rcksprache mit Ihrem Vertriebspartner vor Design Ins.
Features
G P-LCC-4 package
G color of package: white
G complete color spectrum
G three separate light sources (dies) blue (480 nm), pure green (557 nm), red (630 nm)
G excellent color mixture due to small distances between the dies (0.5 mm) and a common reflector
of 2.4 mm
G suitable for matrix-displays with high packing density and high resolution (pixel graphic),
respectively
G for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses
G Colorimeter
G medical analysis
G high signal ratio possible by color change
G suitable for all SMT assembly and soldering methods
G available taped on reel (8 mm tape)
G load dump resistant acc. to DIN 40839
Due to the fast technological development of blue chips, these data are preliminary. Brightness
values are minimum values and V
F
are maximum values.
Please contact your sales office before design-ins.
V
P
L
0
6
8
3
7
Semiconductor Group 1-181
LSPB T670
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type
Emissions-
farbe
Color of
Emission
Farbe der
Lichtaus-
trittsflche
Color of
Light
Emitting
Area
Durchla-
strom
Forward
current
I
F
mA
Strahl-
strke
Radiant
intensity
I
e
W/sr
Strahl-
strom
Total
flux

e
W
Licht-
strke
Luminous
intensity
I
v
mcd
Best.nr.
Ordering
Code
LSPB T670 super-red /
pure green/
blue
colorless
clear
2
10
30
5.5 ( 2.5)
4.0 ( 2.0)
4.0 ( 2.0)
16.5
12
12
0.7
2.5
0.6
Q62703-
Q2896
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
LS LP LB
Betriebstemperatur
Operating temperature range
T
op
55 ... + 100 C
Lagertemperatur
Storage temperature range
T
stg
55 ... + 100 C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
+ 100 C
Durchlastrom
1)
Forward current
I
F
30 30 30 mA
Durchlastrom
2)
Forward current
I
F
7.5 15 30 mA
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5 V
Verlustleistung
1)
Power dissipation
P
tot
100 100 130 mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Umgebung
Junction / air
Montage auf PC-Board (Padgre 16 mm
2
)
mounted on PC board (pad size 16 mm
2
)
R
th JA
1)
R
th JA
2)
480
630
370
450
450
530
K/W
K/W
1)
Die angegebenen Grenzwerte gelten fr einen Chip, wenn die anderen Chips nicht betrieben werden.
2)
Die angegebenen Grenzwerte gelten, wenn alle Chips in Betrieb sind.
1)
The stated maximum ratings refer to one die with the other dies turned off.
2)
The stated maximum ratings refer to all dies turned on.
Semiconductor Group 1-182
LSPB T670
Kennwerte (T
A
= 25 C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Wert
Value
Ein-
heit
Unit
LS LP LB
Wellenlnge des emittierten Lichtes (typ.)
Wavelength at peak emission (typ.)
I
F
= 10 mA

peak
635 557 467 nm
Dominantwellenlnge (typ.)
Dominant wavelength (typ.)
I
F
= 10 mA

dom
628 560 480 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % I
rel max
(typ.)
Spectral bandwidth at 50 % I
rel max
(typ.)
I
F
= 10 mA
45 22 75 nm
Visueller Wirkungsgrad
Visual efficiency
I
F
= 2 mA (typ.)
I
F
= 10 mA (typ.)
I
F
= 30 mA (typ.)

v
130
625
165
lm/W
lm/W
lm/W
Abstrahlwinkel bei 50 % I
V
(Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % I
V
2 120 120 120 Grad
deg.
Durchlaspannung
Forward voltage
I
F
= 10 mA (typ.)
(max.)
I
F
= 10 mA (typ.)
(max.)
I
F
= 20 mA (typ.)
(max.)
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
2.0
2.6
2.0
2.6
3.1
4.5
V
V
V
V
V
V
Sperrstrom (typ.)
Reverse current (max.)
V
R
= 5 V
I
R
I
R
0.01
10
0.01
10
0.01
10
A
A
Kapazitt (typ.)
Capacitance
V
R
= 0 V, f = 1 MHz
C
0
12 15 50 pF
Schaltzeiten:
Switching times:
I
V
from 10 % to 90 % (typ.)
I
V
from 90 % to 10 % (typ.)
I
F
= 100 mA, t
p
= 10 s, R
L
= 50
t
r
t
f
300
150
450
200
800
800
ns
ns
Semiconductor Group 1-183
LSPB T670
Additive Farbmischung durch unabhngige Ansteuerung von jedem Chip.
Die Farbkoordinaten des Mischlichtes knnen innerhalb des mit a) gekennzeichneten Bereichs des
Farbdreiecks erwartet werden.
Der Unbuntpunkt (x = 0.33; y = 0.33) ist mit + gekennzeichnet.
Beim Betrieb der LEDs mit folgenden Strmen:
super-rot 2 mA
pure green 10 mA
blau 30 mA
knnen die Farbkoordinaten des abgestrahlten Lichtes im mit b) gekennzeichneten Bereich
(s = 0.275 0.37; y = 0.295 0.42) des Farbdreiecks erwartet werden.
Additive mixture of color stimuli by independent driving of each chip.
The color coordinates of the mixed light can be expected within the area of the color
triangle marked a).
The achromatic point (x = 0.33; y = 0.33) is marked +.
With LED operating currents of:
super-red 2 mA
pure green 10 mA
blue 30 mA
the color coordinates of the emitted light can be expected in the area of the color triangle
(s = 0.275 0.37; y = 0.295 0.42) marked b).
Semiconductor Group 1-184
LSPB T670
Relative spektrale Emission I
rel
= f (), T
A
= 25 C, I
F
= 10 mA
Relative spectral emission
V() = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik I
rel
= f ()
Radiation characteristic
Semiconductor Group 1-185
LSPB T670
Durchlastrom I
F
= f (V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Relative Lichtstrke I
V
/I
V(10 mA)
= f (I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 C
Durchlastrom I
F
= f (V
F
)
Forward current
T
A
= 25 C
Relative Lichtstrke I
V
/ I
V(20 mA)
= f (I
F
)
Relative luminous intensity
T
A
= 25 C
Semiconductor Group 1-186
LSPB T670
Zulssige Impulsbelastbarkeit I
F
= f (t
p
)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current I
F
= f (T
A
)
Only one system biased
Zulssige Impulsbelastbarkeit I
F
= f (t
p
)
Permissible pulse handlingcapability
Duty cycle D = parameter, T
A
= 25 C
Maximal zulssiger Durchlastrom
Max. permissible forward current I
F
= f (T
A
)
All systems biased
Semiconductor Group 1-187
LSPB T670
Wellenlnge der Strahlung
peak
= f (T
A
)
Wavelength at peak emission
I
F
= 10 mA
Durchlaspannung V
F
= f (T
A
)
Forward voltage
I
F
= 10 mA
Dominantwellenlnge
dom
= f (T
A
)
Dominant wavelength
I
F
= 10 mA
Relative Lichtstrke I
V
/ I
V(25 C )
= f (T
A
)
Relative luminous intensity
I
F
= 10 mA
Semiconductor Group 1-188
LSPB T670
Mazeichnung (Mae in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
G
P
L
0
6
9
0
0