Alumno: BRUNO QUISPE EDUARDO

Carrera: Ingeniera de Sistemas e Informtica

Semiconductor es un elemento que se comporta como un
conductor o como aislante dependiendo de diversos factores,
como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la
presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del
ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos
semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla
adjunta.
El elemento semiconductor ms usado es el SILICIO, el
segundo el GERMANIO, aunque idntico comportamiento
presentan las combinaciones de elementos de los grupos 12 y
13 con los de los grupos 14 y 15 respectivamente (AsGa, PIn,
AsGaAl, TeCd, SeCd y SCd). Posteriormente se ha comenzado
a emplear tambin el AZUFRE. La caracterstica comn a
todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio
una CONFIGURACIN ELECTRONICAS sp.
SEMICONDUCTORES INTRINSECOS
Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se
encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna
impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura.
En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones
en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser
igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran
presentes en la banda de conduccin.
Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se
comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos
electrones libres y huecos debidos a la energa trmica.
En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos,
aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin
de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares,
por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente
total es cero.
Como se puede apreciar en
la figura, los electrones
factibles de ser liberados de
la fuerza de atraccin del
ncleo son cuatro
ESTRUCTURA CRISTALINA DE UN
SEMICONDUCTOR INTRNSECO
Compuesta solamente por tomos de silicio (Si) que forman una
celosa. Como se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio
(que slo poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de
valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho
electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas
condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un
cuerpo aislante.

En un semiconductor perfecto, las concentraciones de
electrones(n) en la banda de conduccin y de huecos(p) en
la banda de valencia son iguales (por unidad de volumen);
as como la concentracin intrnseca de portadores.
En la produccin de semiconductores, se denomina
dopaje al proceso intencional de agregar impurezas
en un semiconductor extremadamente puro (tambin
referido como intrnseco) con el fin de cambiar sus
propiedades elctricas. Las impurezas utilizadas
dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los
semiconductores con dopajes ligeros y moderados se
los conoce como extrnsecos. Un semiconductor
altamente dopado que acta ms como un conductor
que como un semiconductor es llamado degenerado.

SEMICONDUCTORES
DOPADOS
El nmero de tomos dopantes necesitados para crear una
diferencia en las capacidades conductoras de un
semiconductor es muy pequeo. Cuando se agregan un
pequeo nmero de tomos dopantes (en el orden de 1
cada100.000.000 de tomos) entonces se dice que el dopaje
es bajo o ligero.
Cuando se agregan muchos ms tomos (en el orden de 1
cada 10.000 tomos) entonces se dice que el dopaje es alto
o pesado. Este dopaje pesado se representa con la
nomenclatura N+ para material de tipo N, oP+ para material
de tipo P.


Adicin de un elemento de impureza a un semiconductor puro donde
los electrones libres y huecos se encuentran en igual nmero y son
producidos nicamente por la agitacin trmica para as cambiar su
conductividad.

Las impurezas donadas o pentavalentes aumentan el nmero de
electrones libres

SEMICONDUCTORES DOPADOS
Si aplicamos una tensin al cristal de silicio, el positivo
de la pila intentar atraer los electrones y el negativo
los huecos favoreciendo as la aparicin de una
corriente a travs del circuito

SEMICONDUCTOR TIPO P
Se llama as al material que tiene tomos de impurezas que
permiten la formacin de huecos sin que aparezcan electrones
asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los
tomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman
un electrn. Suelen ser de valencia tres, como
el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el tomo introducido
es neutro, por lo que no modificar la neutralidad elctrica del
cristal, pero debido a que
solo tiene tres electrones en su ltima capa de valencia, aparecer
una ligadura rota, que tender a tomar electrones de los tomos
prximos, generando
finalmente ms huecos que electrones, por lo que los primeros
sern los portadores mayoritarios y los segundos los minoritarios.
El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el
Boro (P dopaje). En el caso del boro le falta un electrn
y, por tanto, es donado un hueco de electrn.
SEMICONDUCTOR TIPO N
Se llama material tipo N al que posee tomos de impurezas que permiten la
aparicin de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los tomos de
este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen
ser de valencia cinco, como el Arsnico y el Fsforo. De esta forma, no se ha
desbalanceado la neutralidad elctrica, ya que el tomo introducido al
semiconductor es neutro, pero posee un electrn no ligado, a diferencia de
los tomos que conforman la estructura original, por lo que la energa
necesaria para separar lo del tomo ser menor que la necesitada para
romper una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor original).
Cuando se aade el material dopante aporta sus electrones ms dbilmente
vinculados a los tomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es
tambin conocido como material donante ya que da algunos de sus
electrones.

El siguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el
Fsforo (dopaje N). En el caso del Fsforo, se dona un
electrn.

Electrnicas:

http://www.uv.es/candid/docencia/ed_tema-02.pdf

http://es.wikipedia.org/wiki/Dopaje_(semiconduct
ores)

http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dop
ado.asp