LA CONDUCTIVIDAD ELCTRICA

La corriente elctrica (I) resulta del movimiento

de partculas elctricamente cargadas ante la
presencia de un campo elctrico (E).
El fenmeno de la conduccin elctrica es carac-
terstico de muchos materiales slidos.
La ley de Ohm (George Simon Ohm !"#"$!#%&)
relaciona la diferencia de potencial (V) con la
corriente elctrica (I) ' la resistencia (R)(
V = IR
Las unidades son el voltio ()*s) el amperio (+*s) '
el ohmio ()*+)( , - ' respectivamente.
depende de la geometra del material ' en
muchos casos es independiente de I.
La resistividad no depende de la geometra ' se
relaciona con .(

l
RA
=

Il
VA
=
Las unidades de son $m.
La conductividad elctrica es el recproco de (

!
=
Las unidades de son
$!
m
$!
.
La le' de ohm tam/in se puede e0presar como(
J 1 E
donde J es la densidad de corriente (I*A) ' E es la
fuer2a de campo elctrico(

l
V
E =
Los materiales slidos varan su conductividad
elctrica en un rango mu' amplio. -s los metales
son /uenos conductores de la electricidad entre
!0!3
6
' !0!3
8

$!
m
$!
. En estos casos
disminuye al aumentar T.
Los materiales dielctricos aislantes son malos
conductores de la electricidad entre !0!3
8
'
!0!3
20

$!
m
$!
.
Los semiconductores son slidos 4ue presentan
conductividad elctrica intermedia entre los
metales ' los aislantes. Los superconductores son
materiales (metales cer5micas) cu'a resistividad
disminu'e marcadamente a /a6a temperatura ' su
conductividad aumenta considera/lemente.
+onductividad elctrica de algunos materiales(
Material
(
1
m
1
)
7lata 8#0!3
7
+o/re templado est5ndar %#330!3
7
Oro &90!3
7
-luminio templado 9%980!3
7

:ierro mnimo ;;;;< !3930!3
7
-cero al car/n 830!3
6
7/S alta pure2a 9#&
Germanio alta pure2a =3
Silicio alta pure2a &30!3
4
-l>mina !30!3
10
(m50imo)
?'lon 88 !30!3
12
(m50imo)
,idrio /orosilicato !30!3
13
(m50imo)
7olietileno !30!3
13
(m50imo)
La condicin de temperatura crtica T
c
es a4uella
donde la resistividad () es cero.
Material T
C
(K) Material T
C
(K)
-l != 7/ "=
?/
3
Sn !# ?/
3
Ge =9
La
2
+uO
4
98 @Aa
2
+u
3
O
7
;=
En muchos slidos la corriente elctrica surge del
flu6o de electrones Conduccin electrnica. En
ciertos materiales es posi/le el movimiento de
especies inicas portadoras de carga (cationes
aniones) Conduccin inica.
La conduccin electrnica se e0plica a travs de la
teora de andas En un 5tomo los electrones

distri/u'en en niveles energticos( oritales
atmicos (O-).
En un con6unto mu' grande de 5tomos de
molculas los electrones e0ternos de los 5tomos se
distri/u'en en niveles energticos denominados
oritales moleculares (OB).
+uando la diferencia de energa entre los niveles es
mu' pe4ueCa los OB se so/reponen ' forman
andas de ener!a.
E0iste en consecuencia una anda de conduccin
(vaca o parcialmente llena con electrones) ' una
anda de valencia (llena con electrones).
Estas /andas est5n separadas por una regin de
energa prohi/ida llamada recha de ener!a.
La denominada "ona de #rillouin corresponde a la
/anda de energa llena (ocupada con electrones)
4ue se u/ica por de/a6o de la recha de ener!a.
Diagrama de /andas de conduccin ' valencia(

Los electrones de la /anda de valencia no pueden
despla"arse liremente. Ellos participan en la
formacin del enlace $umico.
7or el contrario los electrones 4ue se encuentran
en la /anda de conduccin pueden despla"arse
liremente por todo el slido. El modelo de
andas permite distinguir los materiales en
conductores aislantes ' semiconductores(

En los metales los electrones llenan totalmente la
/anda de valencia.
Se admite 4ue os electrones de un metal a la T de
cero asoluto llenan una sucesin de niveles
energticosE as nivel m%s alto alcan2ado por los
electrones se denomina nivel de &ermi.
En los semiconductores ' aislantes la /recha de
energa es pe4ueCa (semiconductor intrnseco)
grande.
En los semiconductores e'trnsecos la presencia
de (impure"as) (doping 3!<) esta/lece niveles

adicionales en la /recha con lo cual los electrones
pueden alcan2ar la /anda de conduccin.
-lgunos dopantes de*ectos act>an como
donores (de electrones) a la /anda de conduccin
+emiconductor tipo n (negativo)( 7 en Ge
FnO. Otros dopantes de*ectos act>an como
aceptores (de electrones) de la /anda de
conduccin +emiconductor tipo p (positivo)(
+u
2
O.
Consulta. -verigue la conductividad elctrica de
los siguientes materiales( Ge +o ?i -g +u -lE +
(grafito) Si Ge GaE 5m/ar 7,+ aceite mineral.
En los materiales conductores los electrones
li/res se Hdespla2anI hacia niveles vacos u/icados
por encima del nivel de Germi.
Las imperfecciones cristalinas (vacancias
intersticios dislocaciones) aumentan la resistividad
de los metales. Jales defectos dependen de la
temperatura ' de la composicin (impure2as).
La conductividad elctrica tam/in se puede en
trminos de la densidad de portadores de carga n

la carga del electrn e ' la movilidad del electrn
(
1 ne
La velocidad de despla2amiento (v
d
) del electrn es
proporcional a la fuer2a de campo elctrico(
v
d
1 E
La re!la de Mathiessen esta/lece 4ue la
resistividad () de un metal tiene contri/uciones de
vi/racin trmica impure2as ' deformacin
pl5stica.
1
T
K
i
K
D
+on relacin a la temperatura es evidente 4ue la
resistividad se incrementa de acuerdo con una
relacin del tipo(
1
o
K aT
donde a es el coe*iciente trmico resistividad.
Consulta( averigue el valor de a para el co/re el
aluminio el oro el platino ' el mercurio.

-lgunas aleaciones 4ue poseen alta resistividad
como el ?ichromeL ( 1 !0!3
6
m) se utili2an
en la fa/ricacin de resistencias elctricas.
7ropiedades elctricas ' medicin de T ,aria-
cin de ' con la temperatura(
1 f(T) ' 1 f(T)
Dispositivos transductores de T( termocuplas
(termopares) ' termorresistencias.
Mn circuito termocupla consiste en dos hilos
conductores met5licos ( aleaciones) diferentes
soldados en un e0tremo (punta caliente a T
1
). En
uno de los hilos se introduce una punta *ra 4ue se
encuentra ( simula) a una temperatura T
2
de
referencia (3 N+).
Entre los conductores se genera una diferencia
potencial elctrico m, denominado potencial
+eeec, en virtud de (T
1
$ T
2
) , 1 f(J).

Jermocuplas comunes(
Tip
o
-omre . (/) # (/) T (0C)
A
7t$.h*7t$.h
"3$93 ;&$8 !"33
E
?i$+r*?i$+u
;3$; &&$%% #"3
)
Ge* ?i$+u
!33 &&$%% "83
O
?i$+r*?i$-l
;3$; ;&$8 !=83
.
7t$.h*7t
#"$!9 !33 !&#3
S
7t$.h*7t
;3$!3 !33 !&#3
J
+u*?i$+u
!33 &&$%% 9"3
La ma'ora de las termocuplas presentan linealidad
entre , ' T.
La conductividad () de los metales se incrementa
en la medida en 4ue disminu'e T. 7ara algunos
materiales (:g ?/ , 7/) e0iste una temperatura
(T
c
) a la cual 1 3 +uperconductores1
T
c
7auta del desarrollo de los superconductores(
!;!! (:g &!=O) !;"% (?/
3
Ge =99O) !;#8
(La
2
+uO
4
9%O) !;#" (@Aa
2
+u
3
O
7
;%O) !;##
(Jl
2
Aa
2
+a
2
+u
3
O
10
!="O) !;;9 (:gAa
2
+a
2
+u
3
O
8

!99O).


Materiales dielctricos( entre !0!3
10
' !0!3
16

1
m
1
.
El comportamiento de los aislantes se e0amina a
partir de los capacitores elctricos(
La capacitancia C relaciona la carga almacenada
(Q) ' la diferencia de potencial (V)(
V
Q
C =
Las unidades de C son +*, el *aradio (F).
En el dielctrico se forma una densidad
super*icial de car!a D (+*m
2
) despla"amiento

dielctrico 4ue es proporcional a la fuer2a del
campo elctrico(
D 1 E
es la permisividad elctrica (en +*, m) del
material aislante. De otra forma(
D 1

E
donde
o
es la permisividad en el vaco 4ue tiene
un valor de ##%0!3
12
F*m.
Jam/in es posi/le esta/lecer 4ue
l
A
C
o
=
7ara cual4uier material dielctrico D 1

E
donde es la constante dielctrica. E0iste una
diferencia de potencial a la cual la condicin
dielctrica falla &uer"a dielctrica.
Material

&
2
(,34mm)
-l>mina ;# ;%
Aerilia 8" !3=
7orcelana 83 33&
Bica %& =3
+ordierita &! =&
99<E*?'lon 88 9" =3%
-cetal 9" !;"

7olister 98 =!"
Jefln =! 3&
+uando dos cargas opuestas de magnitud q est5n
separadas en el espacio por una distancia d
aparece entre ellas un momento dipolar p(
p = qd
Si a este con6unto (dipolo) se le aplica un campo
elctrico el dipolo se orienta con respecto al
campo 5olari"acin (P).
Jipos ( fuentes) de polari2acin( electrnica P
e

(materiales dielctricos) por despla2amiento de
nu/es de electrones con relacin al n>cleo inica
P
i
(materiales inicos) por movilidad de iones '
orientada6 P
o
, (materiales con dipolos permanen-
tes).
La polari"acin orientada se contrarresta con la
vi/racin trmica P
o
decrece con T.
7ara cual4uier sustancia P 1 P
e
K P
i
K P
o
-lgunos materiales aislantes sufren polari2acin en
ausencia de campo elctrico &erroelctricos(

AaJiO
3
sal de .ochelle (tartrato de sodio '
potasio) O:
2
7O
4
7/FrJiO
6
O?/O
3
).
Este comportamiento se atri/u'e a modificaciones
estructurales 4ue surgen en funcin de T 7*ecto
microestructural cristalogr5fico.
Los materiales pie"oelctricos son slidos 4ue dan
respuesta elctrica a la aplicacin de presin
Las seCales elctricas son converti/les a presin(
cuar2o titanato de /ario dihidrgeno fosfato de
amonio 2irconato de plomo.
SEMICONDUCTORES
+emiconductores( 3333! > < !3333 (
1
m
1
).
7ortadores de carga 7lectrones ' huecos.
Slido E
g
(e,)
(
1
m
1

e
(m
2
*,s)
h
(m
2
*,s)
Si !!! 3333& 3!& 33%
Ge 38" == 39# 3!#
Ga7 ==% $ 33% 333=
Ga-s !&= !0!3
6
3#% 3&%
PnS/ 3!" =3333 "" 33"
+dS =&3 $ 339 $
FnJe ==8 $ 339 33!

! e, 1 !83=0!3
19
).
+lasificacin( intrnsecos ' e'trnsecos.
Semiconductores intrnsecos(
La promocin de e a la /anda de conduccin de6a
HhuecosI en la /anda de valencia. -s
1 ne
e
K pe
h
donde n ' p es el n>mero de portadores de carga
por m
3
. Es evidente 4ue n 1 p.
La semiconduccin intrnseca es un proceso 4ue
depende de T (
kT
E
o
g
e
=

=

donde
o
es un factor de frecuencia E
!
es la /anda
de energa prohi/ida ' k es la constante de
Aolt2mann (!9#!0!3
2
) O
$!
).
T k
E
g
o
!
=
ln

=
La gr5fica de ln en funcin de !*T se denomina
!r%*ico ( plano) de .rrhenius.
Este hecho muestra 4ue para un semiconductor la
conductividad () se incrementa con el aumento de
temperatura.
Semiconductores e'trnsecos E0ceso de e de
HhuecosI de/ido a la presencia de impure2as( tipo
n ' tipo p.

En los semiconductores tipo n la impure2a act>a
como un donor de e a la /anda de conduccin n
Q p. E6emplos( 7 -s ' S/ (grupo ,-) en Si.
En los semiconductores tipo p la impure2a act>a
como un aceptor de e de la /anda de valencia n
R p. E6emplos( -l A ' Ga en Si.
Las impure2as 4ue se adicionan al semiconductor
intrnseco de alta pure2a se denominan dopantes.
Jipo n ?ivel de Germi cercano a la /anda de
conduccin. Jipo p ?ivel de Germi cercano a la
/anda valencia.
La semiconduccin e'trnseca es un proceso 4ue
tam/in depende de J Jipo n(
kT
E E
o
d g
e

=

donde E
d
es el nivel de energa del donor
T k
E E
d g
o
!
ln ln

=
El plano de -rrhenius para estos materiales destaca
el siguiente comportamiento(
En la regin de a!otamiento e0iste un n>mero fi6o
de portadores de carga constante. Jipo p(
dopantes elementos del grupo PPP-.
T
E
o
a
e

=

T k
E
a
o
!
ln ln

=
En este caso el gr5fico de -rrhenius es similar al
del semiconductor tipo n. La regin donde todos
los niveles aceptor se llenan con electrones se
denomina "ona de saturacin.
E!ECTO "ALL
El e*ecto 8all (EdSin :er/ert :all !#%%$!;9#) se
o/serva cuando se aplica un campo magntico (B)
de fuer2a H en forma a la corriente elctrica.
La magnitud de V
8
depende de H ' de I(
t
IH R
V
H
H
=
donde R
8
es el coe*iciente 8all.
ne
R
H
!
=
' es constante para un slido dado.

7uesto 4ue
ne
e

=
entonces
e
1 R
H

La medicin de V
8
permite cuantificar el n>mero
de portadores de carga n.
COM#UESTOS SEMICONDUCTORES
1. Sustancias formadas por elementos del grupo
IIIA (B 9K) ' elementos del grupo VA (T %K)
BT( -lS/ Ga7 Ga-S GaS/ Pn7 Pn-s PnS/.
2. Sustancias formadas por elementos del grupo
IIA (=K) ' elementos del grupo VIA (%K)( FnSe
FnJe +dS +dJe :gJe.
-lgunos compuestos amor*os de los grupos P,-
(Ga-S) ' ,P- (GeSe GeJe ' -s
2
Se
3
) son
semiconductores ' en virtud de tal
propiedad se aplican en la construccin de
celdas solares ' en forma de
recurimientos *otoconductores en los
procesos 0erogr5ficos.
DIS#OSITIVOS SEMICONDUCTORES

Los circuitos elctricos en miniatura resultan de la
com/inacin ingeniosa de semiconductores tipo n
' tipo p. E6emplos(
!. El recti*icador (diodo) Mnin p$n( un volta9e
directo produce polari"acin ' el flu6o de I es
mnimo.
La inversin del volta6e hace 4ue los portadores se
diri6an hacia la unin donde se recominan
Glu'e I por todo el circuito.
=. Transistores( transistor de unin ' GEJ.

:e!iones de un transistor de unin ( imodal)(
emisor /ase ' colector Jransistor de unin
/ipolar (A)J). +onfiguraciones p$n$p ' n$p$n.
La unin ! seme6a un diodo. Mna /ase tpica tiene
un espesor de ! m. La corriente 4ue alcan2a el
colector I
c
es una funcin e0ponencial del
potencial de entrada V
e
(
B
Ve
o
e I I =
donde I
o
' B son constantes.
Mn transistor es un ampli*icador Mn pe4ueCo
incremento en V
e
aumenta I
c
.
Los GEJ son transistores de efecto de campo.

La fuente (F) act>a como emisor la entrada (!) es
la /ase ' el drena6e (D) corresponde al colector. El
canal conduce cuando se aplica un diferencia de
potencial en la /ase.
Los diodos ' los transistores se usan como
dispositivos interruptores en operaciones
aritmticas ' lgicas Cdi!o inario.
Jendencias en la miniaturi"acin de dispositivos
electrnicos(
2ispositivo +i!las Circuitos
m
Pnt. pe4ueCa escala SSP !$!33 !3
Pnteg. escala media BSP !33$!333 %
Pnt. gran escala LSP !333$!3333 9 $ %
P. escala mu' grande ,LSP Q !3333 R !
P. ultra alta escala M:SP 3!$333!
Electrnica molecular 333!