LE TRANSISTOR MOS DE PUISSANCE ( MOSFET )

1. Symbole et constitution :

Compromis : tenue en tension , courant admissible
Type I
D
(A)
V
DSS
(V)
R
DS(on)
()
t
d off
( s)
pri
( ! )
TSD"#$%$&V "$$ &$ $,$$# ' (&
ST)*%+$,I ",( +$$ -,& $,- *'
IR!&*$ "( "$$ $,$(( $,$+ -"
2. Caractristique statique :
R
DS
.e transistor /0S se comporte comme une
r1sistance (R
DS
) command1e en tension (V
2S
)
V
2S
R
DS
Transistor passant :
V
2St3
4 V
2S
4 V
2S/
R
DSon
Transistor blo5u1 :
V
2S
V
2S
4 V
2St3
V
2St3
V
2S/
R
DSon
et V
2St3
sont tr6s sensibles 7 la temp1rature :
dRDSon
dT
c $ &89 ,
dVGSth
dT
mV c ( 9
3. Caractristiques dynamiques :

Au commutations il faut c3ar:er et d1c3ar:er ces capacit1s
"
.e transistor /0S n;a pas de temps de stoc<a:e comme le transistor bipolaire mais des temps de retard du
au capacit1s ( c3ar:e et d1c3ar:e de C
ISS
)
Allures des commutations sur charge inductive ( cellule hacheur :
V
GS
+ E
V
GSth
t
V
DS

I
D


t
fv
t
off
V
DS
E
t
on

V
GS
t

t
on
t
off
I
D
I
RRM
t
on!
D1lay time 7 la mise en t
f"
conduction
t
off! D1lay time au bloca:e
t
#!
Rise time
t
f!
!all time t
#"
t
=Ces temps de commutation sont relati>ement stables en fonction de la temp1rature =
=.es pertes de commutation sont li1es 7 la commande de :rille, il est important d;a>oir un :1n1rateur de
commande 1ner:i5ue surtout pour les 3autes fr15uences de d1coupa:e=
Aire de scurit :
Il n;y a pas de p31nom6ne de second cla5ua:e
0n remar5ue la possibilit1 de forte surc3ar:e
en r1:ime impulsionnel

$. !rotection du "#S$%T :
)rotection contre les
dv
dt
important ou les surtensions dues au inductances deli:ne :
2?/0V, VDR, TRA%SI., Circuit 1cr1teur RCD=
)rotection contre les 1c3auffements trop importants, respect de l;aire de s1curit1, diminution des
pertes : Circuits d;Aide 7 .a Commutation
)rotection contre les surintensit1s : Syst6me d;asser>issement V
2S
, I
D

'

t"4t
'
t'
I
D

I
D/

V
DS

V
DSS

MOS SPECIAU% & T#'n("(to# MOS ' )"#o"# * +o,#'nt
@ne partie des cellules est destin1e 7 d1ri>er une part du
courant I
D
afin d;en faire une mesure
/esure effectu1e entre les points / et A
-. !uissance dissi&e dans le com&osant :
Pertes par conduction : Pc = R
DSon

Deff
Pertes par commutation : Ps = V
DS
I
D
( t
r
+ t
f
)

F
)our diminuer ces pertes on peut aBouter au composant des circuits d;aide 7 la commutation et a>oir une
commande de :rille a>ec une tension suffisamment 1le>1e pour diminuer R
DSon=
.. Commande de grille :
Sc31ma de principe :
.e circuit o>ers3oot permet de fournir l;1ner:ie
n1cessaire a la c3ar:e des capacit1s du /0S=
.a diode Cener prot6:e la :rille contre les surtensions
P#o/01)* * 0' "o* * (t#,+t,#* &
Dans la plupart des applications cette diode lente est :Dnante, on utilise alors le sc31ma de principe sui>ant
pour la rendre inop1rante :





2. Crit'res de choi( et domaines d)utilisations :
Crit6res de c3oi : Domaines d;utilisations :
Tension de fonctionnement =
!aible tension ( 4'$$ > )
Co urant admissible =Simplicit1 de la commande
!r15uence d;utilisation =!r15uence relati>ement 1le>1e (

"$$ <EC )
)ri
Il eiste au ni>eau des transistors /0S de puissance de tr6s nombreuses tec3nolo:ies : V/0S FD/0S F
G!?T F %/0S Fetc===
-
S
D
2
/
A
V
:

Diode rapide
Diode basse tension a
faible Vf (1>entuellement
sc3ott<y )