Instalaciones Solares Fotovoltaicas Cap2

CENTRO DE FORMACIN PROFESIONAL ESPECFICA NUESTRA SEORA DE LAS MERCEDES
Capitulo 2
Introduccin a la
Fotovoltaica
Instalaciones Solares Fotovoltaicas

Jonathan Medina Garca

Centro de Formacin Profesional Nuestra Seora de las Mercedes.
Instalaciones Solares Fotovoltaicas.
Jonathan Medina Garca.

2

2.1. El efecto fotovoltaico.
Se puede definir el efecto fotovoltaico como la capacidad que tiene algunos
elementos qumicos, para absorber fotones (nombre que reciben las partculas de
luz del sol y cuya energa es proporcional a la frecuencia de la radiacin) y luego
liberar una corriente de electrones que, si se captura, puede ser utilizada como
electricidad.

El efecto fotovoltaico (FV) es la base del proceso mediante el cual una clula FV
convierte la luz solar en electricidad. La luz solar est compuesta por fotones, o
partculas energticas. Estos fotones son de diferentes energas, correspondientes a
las diferentes longitudes de onda del espectro solar. Cuando los fotones inciden
sobre una clula FV, pueden ser reflejados o absorbidos, o pueden pasar a su
travs. nicamente los fotones absorbidos generan electricidad. Cuando un fotn es
absorbido, la energa del fotn se transfiere a un electrn de un tomo de la clula.
Con esta nueva energa, el electrn es capaz de escapar de su posicin normal
asociada con un tomo para formar parte de una corriente en un circuito elctrico.

Las partes ms importantes de la clula solar son las capas de
semiconductores, ya que es donde se crea la corriente de electrones. Estos
semiconductores son especialmente tratados para formar dos capas diferentemente
dopadas (tipo p y tipo n) para formar un campo elctrico, positivo en una parte y
negativo en la otra. Cuando la luz solar incide en la clula se liberan electrones que
pueden ser atrapados por el campo elctrico, formando una corriente elctrica. Es
por ello que estas clulas se fabrican a partir de este tipo de materiales, es decir,
materiales que actan como aislantes a bajas temperaturas y como conductores
cuando se aumenta la energa. Desdichadamente no hay un tipo de material ideal
para todos los tipos de clulas y aplicaciones. Adems de los semiconductores las
clulas solares estn formadas por una malla metlica superior u otro tipo de
contacto para recolectar los electrones del semiconductor y transferirlos a la carga
externa y un contacto posterior para completar el circuito elctrico. Tambin en la
parte superior de la clula hay un vidrio u otro tipo de material encapsulante
transparente para sellarla y protegerla de las condiciones ambientales, y una capa
antireflexiva para aumentar el nmero de fotones absorbidos.

Fig.1. Las clulas FV convierten pues, la energa de la luz en energa elctrica.

3

El rendimiento de conversin, esto es, la proporcin de luz solar que la clula
convierte en energa elctrica, es fundamental en los dispositivos fotovoltaicos, ya
que el aumento del rendimiento hace de la energa solar FV una energa ms
competitiva con otras fuentes (por ejemplo la energa de origen fsil).
2.2. Semiconductores.
Los materiales se clasifican elctricamente : conductores , aislantes y
semiconductores.

Conductores son aquellos que ofrecen poca resistencia al paso de la corriente
elctrica, es decir tienen un baja resistividad, ejemplo a 20 C el Cobre Cu 20C =
0,01785 *mm
2
/m ; aislantes son materiales que tienen una gran resistividad
ejemplo Caucho sinttico = 1015 *cm; semiconductores cuya resistividad
esta comprendida entre 10-4 y 1010 * cm. Son sustancias semiconductoras entre
otras: B, C, Si, Ge, As etc.

Tabla 1 Materiales elctricos.

CLASIFICACION
MATERIALES

APLICACION

20C
= W
mm
2
/m

Buenos
conductores

Plata Contactos 0,016
Cobre Hilos y Cables 0,017
Aluminio Chasis y blindajes 0,028
Hierro Chasis 0,132
Estao Soldadura 0,139
Malos
conductores
Wolframio Filamento lmpara 0,55
Nichrome Resistencias bobinadas 1,12
Carbn resistencia 20-100
Semiconductores Silicio Diodos y transistores 10
6
Germanio Diodos y transistores 10
9

Aislantes
Baquelita Regletas conexin 10
10
Madera Varios 10
11
Mica Aislante de resistencias
incandescentes

10
13
Vidrio Aisladores 10
14

Si nos fijamos en la tabla peridica vemos que existen tomos como los de
Carbono, Silicio, Germanio y otros que tienen cuatro electrones en su ultima capa
(electrones de valencia), como se muestra en la figura para el Silicio.


4

Fig.2. Disposicin de los electrnes en el silicio.

Todo elemento para obtener una configuracin estable, tiende a tener 8
electrones en su ultima capa, para obtener esto el Silicio tendera a unirse a otros
tomos de Silicio, compartiendo sus 4 electrones con cuatro tomos prximos,
mediante un enlace, denominado enlace covalente. Formando un cristal (red
cristalina) que es elctricamente neutro, como se muestra en la figura.

Fig.3. Estructura cristalina del silicio.


5

Si a estos cristales los dopamos (impurificamos), obtendremos materiales del
tipo P y materiales del tipo N como a continuacin vamos a explicar.
2.3. Semiconductores del tipo P
Si a un material de Silicio lo impurificamos con elementos del grupo 3 de la
Tabla Peridicas como son: Boro (B), Aluminio (Al), Galio (Ga), Indio (In) y Talio (Tl),
que poseen 3 electrones en su ultima capa, estos los compartirn con los del Silicio,
por lo que le faltar un electrn como se muestra en la figura, obtenindose un
hueco, es decir un material de tipo P. Los huecos con la energa trmica ambiente
es suficiente para rellenarlos con electrones, con lo que obtendramos huecos
mviles.
Fig.4. Disposicin de los electrnes.

2.4. Semiconductor tipo N
Si a un material de Silicio lo impurificamos con elementos del grupo 51 de la
Tabla Peridicas, como son: Antimonio (Sb), Fsforo (P), Arsnico (As) y Bismuto
(Bi), que contienen 5 electrones en su ultima capa, los cuales compartirn con los
del Silicio, por lo que sobrara un electrn, originndose en este caso electrones
libres, como se muestra en la figura


6

Fig.5. Disposicin de los electrnes.

2.5. Diodos.
Cuando un material de tipo P, se pone en contacto con un material de tipo N, los
electrones y los huecos de las proximidades de la unin se recombinan entres si,
formndose una barrera de potencial, como se muestra en la figura debido a que
esta recombinacin deja con un defecto de electrones al N y un defecto de huecos
al P, se establece un campo elctrico que da lugar a una corriente de electrones y
huecos, siendo la corriente total nula, si le suministramos la energa necesaria para
que se sobrepase la barrera de potencial se producir una corriente no nula, si la
energa que le suministramos para producir esta corriente, es la luz se denomina "
efecto fotovoltaico".

Fig.6. Zona N n electrones = n cationes, donadores

Fig.7. Zona P - n huecos = n aniones, aniones

7

El efecto fotovoltaico se explica por el impacto que se produce entre un fotn
(partcula de luz) de una radiacin con la estructura electrnica del cuerpo que la
recibe (elemento semicandente). Al chocar un fotn incidente, con la suficiente
energa, con un tomo de un material semiconductor, se produce un
desplazamiento de un electrn que, a su vez, puede ser ocupado por otro electrn
prximo.

En los metales , el electrn as excitado disipa la energa recibida rpidamente
en forma de calor, mientras en los semiconductores, la duracin del estado de
excitacin es mayor y por tanto aumenta la probabilidad de que electrn salte del
tomo, De esta manera se produce un movimiento de electrones, que como en el
interior de los semiconductores PN y NP existe un campo elctrico, se produce una
separacin de huecos y electrones, da lugar a una corriente elctrica.

Fig.8. Paso de la intensidad.

2.6. Las clulas: Clula solar de silicio.
Las clulas solares convierten la energa de la luz del Sol en energa elctrica
por un proceso denominado " efecto fotovoltaico": hay que tener en cuenta que esta
conversin no aumenta con el calor, sino al contrario, un excesivo calor disminuye
su rendimiento.

Las clulas solares de mayor difusin y comercializacin son las de silicio
monocristalino, policristalino o amorfo, por ello el estudio de estructura,
caractersticas, funcionamiento ..etc. de las clulas, lo haremos en base al silicio
monocristalino, teniendo presente que lo que se exponga es valido para otras
clulas.


8

2.7. Fabricacin de las clulas fotovoltaicas.
Hemos de distinguir dos fases bien diferenciadas en el proceso de fabricacin
de las clulas fotovoltaicas, el primero consiste en la purificacin del silicio que se
extrae principalmente como xido de silicio y que por reduccin con carbono, se
separa el silicio con una pureza del 98 % ( silicio metalrgico), que al no ser
suficiente se vuelve a purificar hasta obtener una pureza del 99,9999%, a este silicio
puro se le da el nombre de silicio electrnico.

Una vez obtenido el silicio electrnico se lleva en un crisol hasta una
temperatura de 1400 C, para fundirlo e impurificarlo con boro y formar un material
de tipo N, una vez conseguido esto, se solidifica en forma de pieza cilndrica, al girar
una varilla

La materia base es una barra de silicio monocristalino con impurezas de boro,
es una barra de material tipo N, de 2 a 12,5 cm. de dimetro y un metro de longitud,
las barras as obtenidas lo son por el denominado mtodo Czochralski .

Las barras de Si, se cortan en laminas delgadas ("obleas") de 300 a 400 m de
espesor, que son tratadas convenientemente para convertir la energa luminosa en
energa elctrica. Para lo cual, se calientan en un horno a una temperatura entre
800 C y 1000 C, donde se expone a una atmsfera con Fsforo. El Fsforo
penetra en el Silicio a una profundidad muy pequea, del orden de una fraccin del
m, formando as la unin P-N. Tambin se puede conseguir la N-P.

Para prepararla para su mejor utilizacin, se evapora un contacto de rejilla sobre
el lado N, que ser la cara que va a ir expuesta a la luz, y un contacto opaco sobre
el la posterior, en caso de que no sean bifaciales.

En la cara P, el contacto cubre totalmente la superficie para as captar ms
fcilmente las cargas elctricas generadas por los fotones, y dirigirlas por el campo
elctrico de la unin P-N. Por el contrario, el contacto de la cara N, debe cumplir lo
siguiente:

1 Captar el mximo nmero de cargas que provienen de la unin P-N

2 Permitir el paso a la mayor cantidad de radiacin solar.

9

La luz que incide sobre los contactos se pierde a efectos de conversin
elctrica, eso explica la complicada estructura de los electrodos.

Fig.9. Corte a una clula.

10

Para evitar el efecto de reflexin de la luz al incidir sobre la clula, esta lleva un
revestimiento anti-reflactante en la superficie expuesta al Sol.

Para ello se procede a la aplicacin de una capa anti-reflactante, para evitar la
reflexin de las radiaciones solares, bien sea por evaporacin del material
antireflactante o por la texturizacin, generacin de dientes de sierra en la
superficie.
2.8. Etapas de fabricacin de una clula FV


11

2.9. Tipos de clulas solares.
Existen diferentes tipos de clulas solares dependiendo del tipo de material que
se usa para su construccin, aunque ya hemos dicho que ya hemos dicho que la
que ms se utiliza, es la que emplea el Silicio como material base.

i) Clulas de silicio monocristalino.

Son las clulas fotovoltaicas formadas por un solo tipo de cristal, silicio puro
dopado, este tipo de clulas es difcil de obtener y por tanto su precio es elevado,
sin embargo su duracin establece en unos 40 aos, lo que hace que se utilicen en
muchos tipos de instalaciones, ms teniendo en cuenta que el rendimiento de las
clulas monocristalinas es el ms elevado de las clulas comerciales, ya que ronda
entre el 14 y 16 %. Sus dimensiones son de 10*10 cm2 y entre 200 - 350 m de
grosor, la potencia en que se fabrican va desde 5 Wp a 150 Wp.

ii) Celulas de silicio policristalino.

No necesitan grandes controles en su fabricacin, ni de temperatura, ni de
crecimiento de la red cristalina. Tiene este nombre por que la solidificacin la hace
en mltiples cristales y no en uno, bsicamente se compone de silicio mezclado con
arsnico y galio, se fabrica con los residuos de las clulas monocristalinas.

Son una de las ms utilizadas, ya que su precio es ms barato que el de las
monocristalinas, aunque tienen menos duracin, y un menor rendimiento que puede
llegar hasta el 14 %, la potencia en que se fabrican va desde 5 Wp a 150 Wp. A
igualdad de caractersticas elctricas los mdulos policristalinos son ms
econmicos y de mayor tamao que los monocristalinos

iii) Clula de sulfuro de cadmio y sulfuro de cobre.

Estn compuestas de dos capas una de sulfuro de cadmio (SCd) y otra de
sulfuro de cobre (SCu2). Tiene bajos rendimientos en la practica, por debajo del 5
%. Son muy baratas, pero tienen el problema que se degradan con el tiempo.

iv) Celulas de Arseniuro de Galio

Su rendimiento en la versin monocristalina, alcanza el 20-21 %. Al ser un
material raro y estando su tecnologa poco avanzada, es por lo que su coste resulta
an excesivamente alto.


12

Tiene adems las ventajas de que tiene un poder de absorcin relativamente
alto, y adems puede trabajar a altas temperaturas, con menos perdidas. Se utiliza
en tecnologa aerospacial

v) Celulas Bifaciales.

Esta tecnologa consiste en crear una doble unin, de tal forma que la clula sea
activa tanto por la cara frontal, como por la posterior.

Por este procedimiento se logra captar la radiacin de albedo (reflejada), que a
veces adquiere valores importantes, aunque siempre menores que la directa y
difusa.

Su rendimiento es ms alto, pero tambin su precio, por lo que de momento solo
se emplea en algunas instalaciones en las que la radiacin de albedo alcance,
valores importantes.

2.10. Tipos de pelculas FV.

Existen varios tipos de pelculas fotovoltaicas que se utilizan, hoy en da para la
construccin de paneles fotovoltaicos

i) Pelicula de silicio amorfo.

Tiene la gran ventaja que el espesor de que se pueden fabricar es de unas 50
veces ms pequeo que el equivalente en Silicio monocristalino. La velocidad de
recombinacin es muy alta e imperfecta lo que se corrige aadiendo Hidrogeno.

Su produccin es diferente a las anteriores, ya que utiliza la tcnica del thin
film o capa fina. Este procedimiento permite obtener espesores de 30 m, al
proyectar slice gasificado sobre vidrio, en el que se ha instalado una base metlica
transparente (denominada TCO), que sin frenar la captacin solar proporciona la
energa calorfica necesaria para que el silicio cristalice.

Se pueden conseguir superficies compactas de hasta 1 m
2
, la es igual al de las
clulas fotovoltaicas anteriores o tradicionales, hace prever un gran desarrollo para
estos paneles, que hasta hace muy poco solo se utilizaba, para calculadoras, relojes
y aplicaciones similares.

Tiene un alto factor de absorcin, su rendimiento esta entre un 7 y un 9 %, que
resulta bajo.

Su mayor ventaja es el bajo costo que tienen, se quiere aumentar el rendimiento
superponiendo capas.

13

Los mdulos de silicio amorfo, se utilizan principalmente en unidades
independientes y en aplicaciones de baja potencia

ii) Pelicula de Telurio de Cadmio

Es el material policristalino de fabricacin ms fcil y su coste es muy bajo.
Hace ms de 10 aos que se emplea en calculadoras. Los mdulos comerciales
tienen una eficiencia del 8,5 %, en laboratorio se ha conseguido un 16 %. Sin
embargo tienen el inconveniente de trabajar con Cadmio, material considerado
txico. Se han conseguido mdulos de 7200 cm
2
.

iii) Pelicula de CIS. Diseleniuro de cobre indio.

Este tipo de clulas se obtienen con una pelcula muy fina de material
policristalino, alcanzando rendimientos comerciales del 10 %, en laboratorio se ha
conseguido un 17%. Tienen la ventaja de ser las que mejor mantienen la eficiencia a
lo largo de los aos de vida del panel. Sin embargo tienen la dificultad que se
pueden formar defectos durante la deposicin, que previenen a la formacin de
capas uniformes.

2.11. Caractersticas de una clula solar.
Como se ha mencionado anteriormente, las clulas fotovoltaicas ms usadas
son las de Silicio monocristalino. Una clula de este tipo no es otra cosa que un
diodo de unin P-N que se hace especialmente sensible a la iluminacin, generando
entonces la corriente elctrica. En la figura se observa el circuito equivalente de una
clula fotovoltaica, donde el generador de corriente, el diodo, un pequeo efecto
capacitivo ( expresado por un condensador ) y dos resistencias tpicas de la
fabricacin, una serie y otra paralelo, que estn formadas por los propios materiales
utilizados.

Fig.10. Circuito elctrico de un Panel solar.


14

2.11.1. Curva Intensidad-Tensin.
La curva intensidad-tensin (I-V) que define el comportamiento de una clula
fotovoltaica en la oscuridad es la tpica de un diodo. Solo circula corriente cuando la
clula esta polarizada en sentido directo, es decir, positivo a P y negativo a N, ya
que en sentido inverso la corriente que circula es muy pequea.

Al iluminar la clula se produce un desplazamiento de la curva caracterstica. En
esta se observa que para que la corriente sea nula, es preciso que la clula est
polarizada en sentido directo con una tensin Vca (potencial en circuito abierto).
Cuando la tensin externa se hace menor que Vca por la clula circula una corriente
de la capa N a la P, lo que representa que la corriente generada por la radiacin
solar, es superior a la externa.

Cuando la tensin de polarizacin decrece, hasta hacerse cero, la corriente
tiene un valor Icc (corriente en cortocircuito), que es debida nicamente a la
iluminacin. Por tanto, en el 4 cuadrante la clula iluminada genera energa
elctrica, por ello esta ser la zona de inters bajo el punto de vista fotovoltaico, y
ser la que tengamos en consideracin, al estudiar las caractersticas.
En ella se pueden ver las medidas tpicas que definen una clula, y que son:

Fig.11. Curvas I-V

2.11.2. Intensidad de Cortocircuito, Icc.
Es aquella que se produce a tensin cero y que puede ser medida directamente
con un ampermetro conectado a la salida de la clula solar. Su valor vara en
funcin de la superficie y de la radiacin luminosa a que la clula esta expuesta.

Normalmente, y para clulas de 100 mm de dimetro, su valor est prximo a
los 2,5 a 3 amperios.

15

2.11.3. TENSION EN CIRCUITO ABIERTO Vca.-
Es la tensin que podemos medir al no existir carga conectada y representa la
tensin mxima que puede dar una clula. Su medida se realiza simplemente
conectando un voltmetro entre bornes y su valor oscila, segn el tipo de
construccin interior de la clula, alrededor de los 0,6 V.
2.11.4. POTENCIA PICO Wp.-
Es la potencia elctrica mxima que puede suministrar una clula y se define
por el punto de la curva I-V, donde el producto de la intensidad producida mxima
por la tensin mxima.

Fig.12. Curva de Mxima Potencia.

Ejemplo:

Pmax = 50 W Vmp = 18 V Imp = 2,777 A ISC = 3,1 A

VOC = 22 V

Con una radiacin de las siguientes caractersticas 1000 W/m
2
AM 1,5 a una
temperatura de 25 C

La clula solar puede operar en cualquier punto de la caracterstica,
produciendo una potencia * P V I . El valor mximo de esta potencia est en
max * P Vpm Ipm . Fijaremos este punto idneo de funcionamiento mediante la
aplicacin de un potencial externo Vpm o conectando una resistencia.
Vpm
R
Ipm

Para conocer bien el funcionamiento de una clula fotovoltaica debemos tener
presentes dos conceptos fundamentales:
I
SC
V
OC
I
mp
P
max
V
mp

16

1.- La tensin en bornes de la unin P-N vara en funcin de la temperatura,
pero a una determinada temperatura esta tensin es constante.

2.- La corriente suministrada por una clula solar a un circuito exterior es
proporcional a la intensidad de la radiacin y a la superficie de la clula, aunque
tambin varia algo la tensin con la radiacin.

Los grficos nos muestran claramente estos conceptos, ya que
observamos que si mantenemos la iluminacin constante y variamos la
temperatura, la curva inicial se va desplazando, a la vez que la tensin de
circuito abierto se va haciendo ms pequea.

Estudiando las grficas observamos que la potencia que nos da la clula
disminuye al aumentar la temperatura, debido a que la tensin decrece mas
rpidamente de lo que aumenta la intensidad.

En una instalacin realizada en el Polo Sur, las clulas solares funcionaron
perfectamente dando una mayor energa de la que se esperaba.

Fig.13. Curva I-V

En otro grfico vemos que si mantenemos constante la temperatura y
disminuimos la radiacin incidente, obtenemos unas corrientes de cortocircuito
cada vez menores pero que estn relacionadas proporcionalmente con la
radiacin incidente.

17

Fig.14. Curva I-V
2.12. Rendimiento.
El efecto fotovoltaico se puede conseguir en todos los semiconductores,
diferencindose este en el rendimiento obtenido y en el costo.

El rendimiento de una clula se define como el cociente entre la energa
elctrica generada y la energa solar incidente. Siendo el Silicio el que mejor se
adapta a las necesidades, y el ms abundante.

El rendimiento mximo terico de las clulas de Silicio es del 23 % , pero
en las clulas comerciales es del 12 al 16 % , aunque se esta superando en la
actualidad.

Fig.15. Curvas de rendimiento.

De todo lo anteriormente expuesto podemos decir, que a medida que la
temperatura a que se encuentra la clula aumenta, disminuye el rendimiento,
producindose el efecto contrario si la temperatura disminuye.

18
La respuesta espectral de una clula de Silicio es mxima alrededor de 0,8
m. Tiene respuesta no slo en la luz visible, sino tambin en el infrarrojo
cercano.

Fig.16. Longitud de onda electromagntica del sol.
2.13. Panel FV.
Panel fotovoltaico modulo fotovoltaico, no es otra cosa que un conjunto
de clulas conectadas convenientemente; de tal forma que renan condiciones
ptimas para su integracin en sistemas de generacin de energa, siendo
compatibles (tanto en tensin como en potencia) con las necesidades y
equipos standares existentes en el mercado.

Normalmente se habla de paneles de 1,5, 6, 12 y 24 Voltios, si bien es
cierto que su tensin est por encima de los mencionados, oscilando las
potencias producidas entre 10 y los 150 Wp.

Las clulas que integran un mismo panel, deben tener muy prximos los
parmetros ( Icc, Vac y Wp ) para evitar descompensaciones.

Los mdulos fotovoltaicos tienen estructuras y formas muy variables,
segn los diferentes fabricantes. podamos hacer una divisin general, diciendo
que un modulo puede estar formado por :

- CUBIERTA EXTERIOR
- CAPA ENCAPSULANTE ANTERIOR
- CLULAS FOTOVOLTAICAS
- CAPA ENCAPSULANTE POSTERIOR
- MARCO SOPORTE
- CONTACTOS ELCTRICOS
19

2.14. Caracterstica de los paneles FV.
Las caractersticas de los paneles fotovoltaicos especificadas por los
fabricantes se dan bajo las siguientes condiciones:

Irradiancia Incidente: 1000 W/m2

Incidencia Normal

Espectro Radiante: AM 1,5 (Latitud 45)

Temperatura: 25 C

La tensin total del panel se obtiene de la siguiente forma:

Vab = n de clulas en serie * 0,6

La intensidad total del panel se obtiene de la siguiente forma:

Iccp = n de grupo de clulas en paralelo * Icc (clula)

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