I.

TEMA:
Diodo Semiconductor
II. OBJETIVOS:

- Familiarizar al estudiante con la visualizacin de las curvas caractersticas de dichos
dispositivos utilizando el osciloscopio en la modalidad X Y.
- Realizar un anlisis detallado del rectificador de media onda con y sin filtro capacitivo.

III. ELEMENTOS REQUERIDOS:

- 4 diodos
- 1 resistencia de
- 1 resistencia de
- 2 resistencias de
- 1 condensador de
- Transformador de AC
- 3 cables coaxiales para osciloscopio
- Osciloscopio digital

IV. FUNDAMENTO TERICO:

- Diodo semiconductor: el diodo semiconductor se forma al unir estos materiales
(construidos a partir de la misma base: Ge o Si). En el momento en que los dos
materiales se unan, los electrones y los huecos en la regin de unin se combinar, y
como consecuencia se originar una carencia de portadores en la regin cercana a la
unin.

Esta regin de iones positivas y negativas descubiertos se denomina regin de
agotamiento debido a la disminucin de portadores en ella.

Ya que el diodo es un dispositivo de dos terminales, la aplicacin de un voltaje a travs
de sus terminales ofrece tres posibilidades: sin polarizacin (

), polarizacin
directa (

), y polarizacin inversa (

). Cada posibilidad es una condicin

que implica una respuesta, sta se debe entender claramente por el usuario si es que
se desea aplicar el dispositivo de manera efectiva.

- Sin Aplicacin de Polarizacin (

): bajo condiciones sin polarizacin (sin un

voltaje aplicado), cualquier portador minoritario (hueco) en el material tipo n que se
encuentre dentro de la regin de agotamiento fluir directamente hacia el metal tipo
p. Mientras ms cercano se encuentre el portador minoritario a la unin, mayor ser
la atraccin hacia la capa de iones negativos y menor la oposicin de los iones
positivos de la regin de agotamiento del material tipo n.
En ausencia de un voltaje de polarizacin aplicado, el flujo neto de carga en cualquier
direccin para un diodo semiconductor es cero.

- Polarizacin Directa (

): se establece una situacin de polarizacin directa o de

encendido cuando se aplica un potencial positivo a un material tipo p y un potencial
negativo a un material tipo n como se muestra en la figura.











Entonces como regla futura:

Un diodo semiconductor se encuentra en polarizacin directa cuando se establece una
asociacin tipo p con positivo y tipo n con negativo.

- Polarizacin Inversa (

): si se aplica un potencial externo de V volts a travs de

la unin p n de tal forma que la terminal positiva se conecta al material tipo n y la
terminal negativa al material tipo p como se muestra en la figura, el nmero de iones
descubiertos positivos en la regin de agotamiento del material tipo n se incrementar
debido al gran nmero de electrones libres atrados por el potencial positivo del
voltaje aplicado. Por razones similares, el nmero de iones descubiertos negativos se
incrementar en el material tipo p. El efecto neto ser, por lo tanto, un crecimiento
del rea de agotamiento, con lo cual tambin se establecer una barrera que detendr
el paso de los portadores mayoritarios, lo que da como resultado una reduccin a cero
del flujo de stos como se muestra en la figura.










Sin embargo, el nmero de portadores minoritarios que entran en la regin de
agotamiento no cambia, con lo que resultan vectores de flujo de portadores
minoritarios que tienen la misma magnitud sin voltaje aplicado.

La corriente que se forma bajo una situacin de polarizacin inversa se denomina
corriente de saturacin inversa y se representa por

.

V. PROCEDIMIENTO:

1. Polarizacin Directa:

Monte el siguiente circuito:














Desarrollo terico:

Con el valor de

y el diodo . Llene la siguiente tabla:

Valores tericos:

Valores simulado:

Valores experimentales:

2. Polarizacin Inversa:

Monte el siguiente circuito:














Desarrollo terico:

Con el valor de

y el diodo . Llene la siguiente tabla:

Valores tericos:

Valores simulado:

Valores experimentales:

3. Rectificador de media onda:

Usando el generador de seales (curva senoidal, ,

) implementar el
siguiente circuito:
Usando el canal 1 del osciloscopio en la entrada del circuito y el canal 2 en la
resistencia . Anote lo observado en el osciloscopio.
Conecte un condensador electroltico de en paralelo a la resistencia y conecte
el canal 2 nuevamente en la resistencia .
Dibuje lo que observa en el osciloscopio (seal de entrada y seal de salida) con sus
datos respectivos.

4. Rectificador de onda completa:

Implementar el siguiente circuito usando un transformador y la resistencia :
Usando el canal 1 del osciloscopio en la entrada del circuito y el canal 2 en la
resistencia . Anote lo observado en el osciloscopio y luego aada un
capacitor de en paralelo a la resistencia. Dibuje lo que observa en el osciloscopio
(seal de entrada y seal de salida) con sus datos respectivos.

5. Rectificador de onda completa tipo puente:

Implemente el siguiente circuito:
Usando el canal 1 del osciloscopio en la entrada del circuito y el canal 2 en la
resistencia . Anote lo observado en el osciloscopio y luego aada un
capacitor de en paralelo a la resistencia. Dibuje lo que observa en el osciloscopio
(seal de entrada y seal de salida) con sus datos respectivos.

VI. CUESTIONARIO FINAL:

1. Qu diferencia existe entre un diodo de silicio y un diodo de germanio?



2. Explique en que se usa cada tipo de diodo (silicio y germanio).


3. Qu es la resistencia directa del diodo?


4. Qu es la resistencia inversa del diodo?


5. Cul es la diferencia entre un rectificador de media onda y onda completa?


6. Cul es la funcin del condensador? Qu efecto tendra sobre la forma de onda de
tensin de salida y de corriente por los diodos, el aumentar el valor de condensador?



VII. BIBLIOGRAFIA: