Uevi,!a Mexicana de Fsica 42, No.

3(1996) 449-458
Lmites para lamxima eficienciadeceldas solares de
silicio: efectos debidos alageneracin Auger yaniveles
profundos
ARTURO MORALES ACEVEDO
Centro de Investigacin y de Estudios Avanzados del IPN
Departamento de Ingeniera Elctrica
Apartado postal 14-740; 07000 Mxico, D.F., Mxico
Recibido el 24 de mayo de 1005; aceptado el 7 de febrero de 10DG
RESU~IEN.Se discute cmo cambia la mxima eficiencia de celdas solares de silicio como con-
secuencia del efecto fotovoltaico por impurezas (IPV) y el de la generacin Auger de pares de
portadores calientes, los cuales son fenmenos que se han observado experimentalmente en aos
recientes. Nuestros resultados indican que el efecto IPV causa una reduccin delaeficiencia mxima
esperada, lo cual confirma la recomendacin hecha en el pasado de evitar este mecanismo para
mejorar la eficiencia, mientras que la generacin Auger (de pares electrn-hueco por portadores
calientes) slo produce una pcqueIia mejora de dicho lmite. Para hacer los clculos menciona-
dos hemos desarrollado una nueva versin de la teora dcl balancc detallado que es simple, y que
est ms de acuerdo con una notacin moderna, en el campo de las celdas solares. Esta teora
puede utilizarse para determinar cmo se puede mejorar la mxima eficiencia de celdas basadas en
otros semiconductores al incluir los efectos mencionados.
AUSTRACT. \Ve discuss how the maximum efficiency for silicon solar cells will be changed by
the impurity photovoltaic (IPV) ami the Auger geueration effects, phenomena that have becn
observed experimentally lately. Our results iudicate that the IPV effect causes a reduction of the
upper efficicncy limit, canfirming the suggestian made in the past far avoiding this mechanism to
improve the efficicncy, whilc the Auger generation (of elcctran-hole pairs by hot carriers) causes
allly a small bencficial improvemcut for such limit. In arder to do the abovc calculations we have
developed a new \'crsion of t1ledetai!ed balance theory which is simple and more in accordance
with a modern notation in t1lc solar cclIs ficld. This thcory can be llsed to determine how the
maximum cfficicncy may be improved for cells bascd OH other semiconductors when the aboye
cffects are taken into accollnt.
PACS: 84.60.J
l. INTRODUCCIN
La comprensin de los factores que limitan la converSlOn de energa solar en elctrica
ha permitido el clculo de los lmites mximos para la eficiencia de conversin de las
celdas solares [1-4). La teora ms simple y completa ha sido la llamada teora del balance
detallado, desarrollada por Shoekley y Que;sser [2], la cual establece que la corriente
producida por una celdasolar est,\.detcnnillada por ladiferencia entre el nmero defotones
absorbidos y el de aquellos emitidos por el mismo dispositivo. Puesto que los fotones
absorbidos determinan la fotocorricIltc~Illi('l1trasque los clntidos estn relacionados con
450 ARTURO MORALES ACEVEDO
FOt~
altaenerga
~nerga enexceso transferida aotro par e-h
Bandadeconduccn
Eg
Bandadevalenca
FIGURA 1. Representacin esquemtica de la generacin Auger. Los fotones de alta energa en el
espectro solar generan portadores calientes que se relajan cediendo su energa en exceso a otro par
electrn-hueco.
el voltaje de operacin, es posible determinar la curva corriente-voltaje de una celda y,
por lo tanto, obtener todos sus parmetros importantes.
De acuerdo con esta teora ha sido posible calcular que lamxima eficiencia esperada
para silicio es del orden de30% a31%bajo radiacin decuerpo negro a6000 K, o radiacin
solar AM 1.5, respectivamente. Por otro lado, en los ltimos aos sehan hecho celdas de
silicio con eficiencias del orden de 24% (bajo el espectro AM 1.5); o sea, cada vez ms
cercanas al lmite superior [5]. Esto sehalogrado con base enlamejora delarespuesta en
laporcin infrarroja del espectro solar, por medio deestructuras con mayor atrapamiento
de laluz y con menor recombinacin superficial [6]. Por eso, en el futuro inmediato no se
espera un aumento apreciable de laeficiencia de celdas solares de silicio bajo radiacin
solar sin concentracin (1 sol).
Sin embargo, recientemente dos hechos han provocado un gran inters por revisar los
lmites esperados de eficiencia. Por un lado, Li el al. [7] report celdas de silicio con
eficiencias de 35% mediante la introduccin de defectos fotoactivos dentro del material.
Este hecho pronto fuerefutado por el autor y otros investigadores [8,9], pero hacausado la
revisin deuna antigua idea propnesta por \Volf [10] para aumentar laabsorcin defotones
con energas menores que la banda prohibida del material (E
g
) con base en "ingeniera
de defectos". Incluso, Keevers y Creen [11] han predicho que mediante la introduccin
deindio en silicio ser posible aumentar laeficiencia deceldas PERL (passivated emitter,
rear locally diffusetl) al obtenerse una mejora de la fotorrespuesta en el infrarrojo, por
debajo del borde de absorcin en silicio. Los mismos autores [121 han podido determinar
experimentalmente que, en efecto, hay un aumento de laabsorcin de fotones con energa
por debajo del borde cuando se introduce indio en silicio, aunque no han mostrado la
mejora predicha para laeficiencia deconversin.
Por otro lado, Kolodinski et al. [13, 14] han medido una eficiencia cuntica interna
mayor que la unidad para fotones con energas arriba de 3.4 eV en celdas de silicio, lo
cual se ha explicado como consecuencia de la excitacin de pares electrn-hueco adicio-
nales (generacin Auger) por portadores calieutes fotogenerados con alta energa (mayor
que 2E
g
). La generacin Anger sera un fenmeno inverso a la rccombinacin Anger; es
decir, un portador fotogenerado con alta energa (caliente) podra relajarse y pasar al
borde desu banda respectiva al excitar un par electrn-hueco (vase laFig. 1), en vez de
proporcionrselo alos fonones de lared.
LMITES PARA LA MXIMA EFICIENCIA DE CELDAS SOLARES... 451
Nuestro propsito en este artculo es el de ampliar la discusin sobre los nuevos lmites
posibles para la eficiencia de celdas solares ante dichos resultados experimentales. Lo
haremos en particular para el silicio, pues ste sigue siendo el material ms utilizado en este
tipo de dispositivos, adems de que resulta ser un material en el cual se cumplen algunas
reglas de seleccin necesarias para la mencionada excitacin Auger de pares electrn-
hueco [141. Tambin nos limitaremos al espectro solar sobre la superficie terrestre AM 1.5,
pues no se espera gran cambio cuando se haga incidir otro tipo de espectro corno el AMO
(o el de un cuerpo negro de GOOOK). Para ello, utilizaremos una versin mejorada de la
teora del balance detallado propuesta por Mathers [3).
Con base en lo anterior, mostraremos que la idea de aumentar la absorcin de fotones
en el infrarrojo sigue siendo inadecuada, por lo menos en lo que respecta a la eficiencia
mxima esperada en silicio, aunque podra ser til para mejorar celdas (no-ptimas) en
las que la recombinacin no radiativa sea mayor que la radiativa, corno lo han propuesto
Keevers y Green [Uj. En cambio, la posible generacin Auger de pares electrn-hueco
adicionales en silicio, al absorber fotones de alta energa, s traer corno consecuencia un
aumento, aunque muy peqneiio, de la eficiencia mxima esperada. En este caso, daremos
resultados de los clcnlos de mxima eficiencia de conversin, a diferencia de aquellos de
eficiencia ltima (ultimale efficiency) obtenidos por Kolodinski el al. [14]' qne no tornan
en cuenta la curva corriente-voltaje real de una celda solar.
2. VERSIN SIMPLE DE LA TEORA DE BALANCE DETALLADO
Suponiendo que sobre nna celda solar con una determinada rea incide un espectro de
radiacin con I,(v) fotones por unidad de rea cada segundo en cada banda unitaria de
frecuencia. Por lo tant, idealmente, la razn de pares electrn-hueco generados en el
material al absorber los fotones de la radiacin es
G, =1 N(v)I,(v) dv,
Vmin
(1)
en donde N(v) es el nlmero de pares electrn-hueco generados por cada fotn incidente.
El factor N(v) involucra tanto la probabilidad de absorcin de los fotones corno la de
generacin adicional de pares electrn-hueco por efectos tales como la generacin Auger.
En general, esta probabilidad ser dependiente de la frecueucia (v), como ha sido calculado
por Sano y Yoshii [15] para silicio, y ocurrir slo en algunos semiconductores que cumplan
con algunas reglas de seleccin discutidas por Kolodinski el al. [14].
deahuente, cada fotn cou energa E > hVmin ser absorbido con probabilidad igual
a la unidad. Generalmente, Vmin =E
g
/ h (h es la constante de Planck) corresponde al
borde de absorcin del material dado. As tambin, tpicamente se ha supuesto que N(v)
es igual a un solo par generado por cada fotu absorbido con energa mayor al borde de
absorcin. En nuestro caso Vmin corresponder a la mnima frecuencia de la radiacin que
canse generacin de pares, la cual, illcluso, pucde ser mellor que E
g
/ h cuando existan
defectos fotoactims dentro de la banda prohibida d"lmatl'ria1. Adems, en general N(v)
podr ser mayor que la unidad cuando se tome en cuenta la generacin Auger de pares
452 ARTURO MORALES ACEVEDO
electrn-bueco por los portadores calientes fotogenerados. Por ejemplo, en condiciones
ideales, N(v) podra ser N(v) =2 cuando 2E
g
<hv <3E
g
, mientras que N(v) =3
cuando 3E
g
<hv <4E
g
, Y as sucesivamente, siempre y cuando se cumplan las reglas de
seleccin mencionadas.
Cuando todos los portadores generados sean colectados por la unin (eficiencia de co-
leccin de 100%), como ser en el caso ideal que nos ocupa, la densidad de corriente debida
a la iluminacin es
(2)
en donde q es la magnitud de la carga del electrn.
La generacin de portadores en el material causar el desequilibrio termodinmico,
incrementndose as el potencial V en el mismo. Si se desprecia la emisin estimulada de
fotones, la razn de recombinacin radiativa [3] en la celda estar dada por
Rd(V) =ROTexp(V!VT),
ROT =r 8rr (::.) 2 exp (_ ' ~ V) dv,
JVmin e kT
(3)
(4)
en donde k es la constante de Iloltzman, c es la velocidad de la luz y VT =kT/q es el
potencial trmico a la temperatura T. Como se mencion antes, en condiciones ideales, se
ha asumido que la probabilidad de absorcin es igual a la unidad para v >Vmin, es decir,
todo fotn con energa mayor que /Vmin ser absorbido por el material (y por lo tanto,
emitido en condiciones de equilibrio termodinmico). Cuando el potencial electroqumico
sea V =O(i.e., en equilibrio), la razn de recombinacin radiativa ser RJ (O) =ROT, que
corresponde a la radiacin generada por la celda solar en equilibrio termodinmico con la
radiacin de fondo a una temperatura T.
El principio del balance detallado establece que la densidad de corriente que fluya
en la celda estar determinada por la razn de generacin de pares electrn-hueco (por
la radiacin incidente) menos la recombinacin total en desequilibrio; por lo tanto, si
llamamos ir a la fraccin de pares electrn-hueco que se recornbinan radiativarnente,
J
- =c, -
q
(5)
En circuito abierto se tendr J =O, o sea,
y, por lo tanto, el voltaje de circuito abierto Voe est dado por
(
i, .C, )
V
oe
=Vr In ._- +1 .
ROT
(6)
(7)
LMITES PARA LA MXIMA EFICIENCIA DE CELDAS SOLARES... 453
Es claro que el maxlmo voltaje de circuito abierto se obtendr cuando fr =1, es
decir, cuando la recombinacin no radiativa de pares electrn. hueco sea nula y toda la
recombinacin sea debida a la emisin de radiacin desde la celda a una temperatura T.
Para determinar la eficiencia de conversin de la celda solar se requiere calcular el
llamado factor de forma que toma en cuenta la dependencia exponencial de la corriente
con el voltaje. En condiciones en que no hay prdidas de energa por resistencias internas,
como se desea para obtener la mxima eficiencia, el factor de llenado depende slo del
voltaje de circuito abierto. Para el clculo de este factor se utilizar la relacin emprica
obtenida por Green [161para el factor de forma (o de llenado):
F F =_U_oe_-_I_n-,(_u_oe_+_0_._72~) .
U
oe
+1
(8)
En la ecuacin anterior, !loe=Voe/V
T
es el voltaje de circuito abierto V
oe
normalizado
al potencial trmico V
T
. Por lo tanto, la eficiencia de conversin es
'1 = (9)
en donde P,ne es la potencia total de la radiacin incidente dada por
Pine =fu hvl,(v) dv.
l/n'ln
(10)
En resumen, la generalizacin que hemos introducido aqu, con base en una notacin
moderna, est relacionada con la posibilidad de absorcin de fotones con energa menor
que Eg , y con la generacin adicional de pares electrn. hueco por portadores calientes
fotogenerados con energas mayores que 2E
g
. Estos dos fenmenos han sido observados
recientemente en silicio, romo se explic anteriormente.
As, ahora podremos hacer clculos y discutir las posibilidades de obtener mejores efi.
ciencias que aquellas calculadas previamente cuando se asuma que no haba absorcin
de radiacin por abajo del borde y que todo fotn absorbido poda generar slo un par
electrn.hueco, incluso cuando la energa del fotn fuese mayor que 2E
g

3. LA EFICIENCIA MXIMA EN CELDAS SOLARES DE SILICIO

3.1. El efecto de la g enemcin A !lyer
Los clculos descritos a continnaciu se hicieron suponiendo el espectro Al\! 1.5 que se
ilustra en la Fig. 2, pues es el espectro solar normalizado (1000 \V/m
2
) que usualmente se
utiliza para caracterizar celdas en condiciones terrestres. En particular, trataremos el caso
de celdas solares de silicio, pues en este material se han observado tanto el efecto 1PV [12)
como el debido a la generacin Auger [13,141.
En primer trmino se puede realizar el clculo de JL, V;,e, F F y de la eficiencia TI cuando
ninguno de los fenmenos mencionados influya en el funcionamiento de la celda. En este
454 ARTUROMORALESACEVEDO
1J O ()
!... ,
,Y -- ESPECTRO sa.AA .AM1.5
1400
I
1200
i
I( , \
~
: h
(
tJ ()()
I '1\
N'
E
' 1
-
800

~
I
III
I
' 0 800
I
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1
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J
~
I
,
"
o..
400 ,
I i
'\
i
J
\r~
,
200
1
"
O
/\ "
0.5 10 15 2.0 2.5
Longi tudde onda (~m)
FIGURA2,Espectro delaradiacin solar sobrelasuperficieterrestre(Al\ !1.5 directo), normalizado
al KW/m
2

caso, para silicio, hVmi n =E

g
=1.1 eY a temperatura ambiente (300 K). Adems, se
asume queN(v) =1 para v >Vmin' Usando las ecuaciones dela seccin anterior, en el
caso ideal en quefr = 1,sepuede calcular que: J L = 44,3 mA/cm
2
, Vac = 813.5 mY ,
F F =0,862 Y r =31.06%.
Luego, podemos analizar el efecto dela generacin Auger. Un caso interesante sera
queel umbral para tener generacin Auger en silicio fueseprecisamente para fotones con
energas mayores que2E
g
En el caso ideal:
N(v) =1,
N(v) =2,
N(v) =3,
1.1 eY <hv <2.2 eY ;
2.2 eY <hv <3, 3 eY ;
3.3 eY <hv.
(11)
Asumiendo esto, setendra queh= 54.88 mAjcm
2
, V
ac
= 819 mY , FF = 0.862 y
r =38.76%.
Los resultados anteriores seran muy interesantes si pudiera lograrse quela generacin
Auger fuesecomo en la Ec.(11). Desafortunadamente, para quesed la generacin Auger
con energas a partir de2.2 eY , serequerira que en silicio la primera banda directa
estuviera a 2.2 eY del borde dela banda devalencia, pero no es as.
Las mediciones hechas por Kolodinski iJ 3J han mostrado queprecisamente para fotones
con energa luayor que 3.4 eY las celdas sula res de silicio pueden tener una eficiencia
cuntica mayor que1.Esta energa coincidecon transiciones para la primera banda directa
del silicio en el punto desimetra ra lo largo dela direccin (100).
Dadas otras reglas deseleccin y las mediciones hechas por Kolodinski el al. [14],el
nmero posible depares generados por fotones con energas mayores que3.4 eY sera de
LMITESPARALA MXIMAEFICIENCIADE CELDASSOLARES... 455
TABLAI. Resumen de los resultados de eficienciaobtenidos a 300 K. Lacelda (A) corresponde al
ideal de una celda convencional de silicio. La (B) incluye el efecto de la generacin Auger en el
caso ideal. La celda (C) corresponde a un caso ms real, de acuerdo a las mediciones hechas por
Kolodinski et al. para lageneracin Auger. Lacelda (D) incluyeel efecto fotovoltaico por impurezas
deindio en siliciocuando toda larecombinacin esradiativa. Lacelda (E) muestra valores posibles
para celdas solares en las que sehaya introducido niveles de indio en silicio, tomando en cuenta la
recombinacin no-radiativa.
Celda
le(mA/cm') Jo (A/cm') Vo, (mV) FF
'7 (%)
A 44.3 1.14 x 10-
15
813.5 0.862 31.06
B 54.9 1.14 x 10-1.
819 0.862 38.76
C 44.7 1.14 x 10-1.
813.7 0.862 31.35
D 51.3 2.8 x 10-
13
674.5 0.841 29.11
E 51.3 1.42 x 10-
12
632 0.833 27
N(v) =2. Un nuevo clculo con base en las ecuaciones descritas anteriormente nos da que
en tal caso, h=44.71 mA/cm', V
oc
=813.7 mV, FF =0.862 y T I =31.35%. O sea, que
habra muy poco cambio respecto al valor si no hubiese generacin Auger. Los resultados
mencionados se resumen en la Tabla l, en donde podr hacerse una comparacin ms
directa de los mismos.
Lo anterior indica que, aunque la generacin Auger ocurre en silicio, no es muy relevante
para aumentar la eficiencia de celdas solares en este material. Para poder lograr una mejor
eficiencia en base a este fenmeno, se requiere un material con ancho de banda indirecto
E
g
, pero que tenga fuerte absorcin para fotones con energa mayor que 2E
g
(i.e., al menos
una banda directa con este valor), lo cual posiblemente podr tenerse en el futuro cuando
se hagan materiales a la medida.
Este resultado es importante porqne la disensin hecha por Kolodinski el al. causa la
impresin de que ser posible obtener mny alta eficiencia, incluso en silicio, particular-
mente porque presentan clcnlos que corresponden a lo qne se llama eficiencia ltima
(ultimate efficiency), qne no toma en cuenta la recombinacin radiativa, ni la dependencia
exponencial de la corriente en funcin del voltaje.
3.2. El efecto de niveles profundos fotoactivos
Veamos ahora lo qne se espera si se introdncen defectos fotoactivos en silicio. En la Fig. 3
se ilustra el caso de un semiconductor con niveles profnndos dentro de la banda prohibida,
en el cual ser posible la absorcin de fotones con energa menor que E
g
Keevers y
Creen han sugerido que se introduzcan niveles que no estn precisamente a la mitad de
la banda, de forma que slo una de las bandas interacte fotnicamente con los niveles
profundos [11). Por ejemplo, ellos han hecho experimentos introduciendo indio en silicio.
De esa forma, la absorcin de fotones con energa por abajo del borde de absorcin del
silicio, causar la emisin de electrones d<:'sdclos niveles profundos (previamente excitados
trmicamente desde la banda de valencia). Incluso, ellos han hecho clculos que les ha
llevado a concluir que es posible obtener celdas solares con mayor eficiencia al introducir
Banda de conduccin
456 ARTUROMORALESACEVEDO
~1
Fotones . '". .
Nivel de Impureza
Banda de valencia
FIGURA 3, Representacin esquemtica para ilustrar la posible absorcin de fotones por debajo
del borde (hv <E.) en un semiconductor con niveles profundos,
los niveles de indio en silicio, al mejorarse la fotorresistencia en el infrarrojo (impurity
photovoltaic effect).
sta es precisamente la sngerencia de Keever> y Green, aunque debe notarse que es
vlida slo para celdas de partida que no sean ptimas. Una celda solar ptima, ideal-
mente slo estar limitada por la recombinacin radiativa generada por el material a una
temperatura dada. En ese caso, la introduccin de niveles profundos causara un aumento
de la recombinacin, tanto radiativa como no radiativa, reducindose as la eficiencia de la
celda, como mostraremos posteriormente. Aqu, es importante notar que Keevers y Green
han presentado evidencia experimental para el aumento de la fotorrespuesta de celdas
solares de silicio impurificadas con indio, pero no han mostrado que se haya mejorado la
eficiencia, seguramente porque se ha reducido fuertemente el voltaje de circuito abierto
en las mismas.
Analicemos lo que predice la teora en el caso en que se introduzcan niveles profundos
que interacten trmicamente con una de la, bandas y fotnicamente con la otra, como
se muestra en la Fig. 4. En este caso, N(v) =1 para Vm;n >Edlt, en donde El <Eg es
la energa requerida para fotoexcitar portadores desde el nivel profundo hasta la banda
correspondiente. Por ejemplo, en la Fig. 4, se ilustra el ca,o del indio en silicio. Esto
significa que habr absorcin de fotones en un mayor intervalo de energas del espectro
solar, pero al mismo tiempo, por el principio de balance detallado, habr una mayor
recombinacin radiativa como se intuye a partir de las Ecs. (3) y (4). Por lo tanto, si
suponemos que la recombinacin contina sieudo radiativa predominantemente (Ir =1)
se tendra que J L = 51.33 mA/cm
2
, V
ac
= 674.46 mV, FF = 0.841 Y r = 29.11%. Este
valor de eficiencia mxima sera menor que aquella que esperaramos en silicio, como se
calcul antes. Es decir, en una celda en la que se introduzcan niveles profundos fotoactivos
s se tendr una mayor corriente de iluminacin, pero al mismo tiempo habr una reduccin
del mximo voltaje de circuito abierto, y por lo tanto se alcanzar una menor eficiencia.
La reduccin del mximo voltaje de circuito abierto se debe a que la introduccin de los
niveles profundos tambin causa un aumento de la recombinacin radiativa. En el caso
de silicio con niveles de indio sera hasta 200 veces mayor que la que habra en silicio sin
tales niveles. En otras palabras, cuando se intro,!l,zcan niveles de indio, el mnimo valor
de la corriente de saturacin sera del orden de 2.8 x 10-
13
A/cm
2
, que puede compararse
con el valor ideal de 1.14 x 10-
15
A/crn
2
Sin embargo, las c"'das actuales no alcanzan
los valores ideales de eficiencia debido a que la recombinacin de portadores se lleva al
LMITES PARA LA MXIMA EFICIENCIA DE CELDAS SOLARES... 457
Fotones ~ 0.94eV
Fonones i'"
~ 0.157eV
Banda de conduccin
Banda de valencia
FIGURA 4. Posicinde los nivelesde indioen silicio(300 K). Seilustra que bajo iluminacin,
debido a las secciones transversales de captura, los niveles de indio interactan trmicamente con
labandadevalenciay fotnicamenteconlabandadeconduccin.
cabo en gran parte no-radiativamente (j, ~1 x 10-
2
) por lo que slo se pueden obtener
corrientes de iluminacin cercanas a 41 mA/cm
2
, voltajes de circuito abierto entre 680
y 700 mV (o sea Jo ~ 1.14 x 10-
13
), factores de llenado del orden de 0.84 y eficiencias
cercanas al 24%.
Si suponemos que la razn de recombinacin no radiativa slo aumenta en un orden de
magnitud adicional al introducir losniveles profundos deindio, las densidades mnimas de
corriente desaturacin sern del orden de 1.14x 10-
12
+2.8 x 10-
13
=1.42 x 10-
12
A/cm
2

Por lo tanto, tendremos que la fotocorriente podr ser de hasta 51.33 mA/cm
2
-como en
el caso apenas mencionado- debido al anmento en laabsorcin por losniveles fotoactivos,
pero, al mismo tiempo, el voltaje de circuito abierto se reducir hasta 632 mV, lo cual
nos dara un factor de llenado mximo de 0.833. En otras palabras, la eficiencia en este
caso sera del orden de 27%. Esta es mayor que laeficiencialograda hasta hoy (24%), pero
menor que la mxima que podra alcanzarse en silicio (31%) si la recombinacin total
pudiera reducirse al mnimo dado por el principio de balance detallado.
Los resultados tericos de Keevers y Green [U], adems de que se basan en modelos
sin suficiente confirmacin experimental para las secciones transversales de captura de
los portadores y para la fotoemisin por los niveles de indio en silicio (por ejemplo, ellos
mencionan dos diferentes modelos para las secciones transversales de fotoemisin), no
incluyeron la recombinacin radiativa que puede ser apreciable en este caso. Deacuerdo a
sus clulos, para uno de los dos modelos de fotoemisin, la eficiencia se podr aumentar
hasta ms de 29%, lo cual, como hemos visto antes, slo ocurrira en el caso en que toda
la recombinacin fuese radiativa. Esto por supuesto que es poco probable, sobre todo si
tomamos en cuenta qne habr la recombinacin no-radiativa del tipo Shockley-Read-Hall
(y del tipo Auger). Bastara con que al introducir los niveles de indio la recombinacin
no-radiativa se incrementara hasta en dos rdenes de magnitud, para que no seobtuviera
mejora alguna, eincluso se podra tener una reduccin de laeficiencia, aun teniendo una
alta densidad de corriente de iluminacin.
En resumen, la introduccin de niveles profundos fotoactivos en silicio causar la re-
duccin delaeficienciamxima esperada ensilicio, aunque podra ser Itil como una forma
de aumentar la eficiC'ncia en celdas actuales, con la condicin de que la razn de rccom.
hinacin no radiativa no se illcremente en forma apreciable por la presencia de los niveles
profundos adicionales en silicio.
458 ARTURO MORALES ACEVEDO
4. CONCLUSIONES
Mediante una versin simple de la teora del balance detallado hemos podido determinar
el posible cambio en la mxima eficiencia de celdas solares de silicio (bajo el espectro
AM 1.5 normalizado a 1 K\V 1 m
2
) como consecuencia de dos efectos importantes que se
han observado recientemente en este material: la generacin Auger de pares electrn-hueco
y la fotorrespuesta aumentada por niveles dentro de la banda prohibida, ltimamente
llamado efecto fotovoltaico por impurezas (IPV effect) por Keevers y Green.
Nuestros resultados nos indican que si se cumplieran todas las reglas de seleccin para
la generacin Auger en silicio podramos obtener eficiencias mximas de hasta 38% a 39%
a temperatura ambiente (300 K), pero debido a que el silicio slo presenta este fenmeno
para fotones con energa mayor que 3.4 eV, la cual coincide con la primera banda directa,
la eficiencia mxima slo podr ser de 31.35%, es decir, muy poco diferente del 31% que
actualmente se tiene como lmite superior cuando no hay generacin Auger.
Por otro lado, la introduccin de niveles profundos fotoactivos como el indio en silicio
causar un aumento de la fotocorriente, pero al mismo tiempo inducir una reduccin del
voltaje de circuito abierto al incrementarse tanto la recombinacin radiativa como la no
radiativa. Por ejemplo, en el caso de introducir indio en silicio, la mxima eficiencia se
reducir a cerca del 29%. Sin embargo, si como consecuencia de la introduccin de niveles
profundos adicionales la razn de recombinacin no-radiativa slo cambiar en un orden
de magnitud, respecto de las razones de recombinacin actuales, la eficiencia de las celdas
modernas podra incrementarse solamente hasta 27%.
REFERENCIAS
1. C.L. Arauja yA. Mart, Sol. Energy Mat. Solar Cdls 33 (1994) 213.
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