Alumno Hector Hugo Carrillo Ibarra

Fotoconductividad
Fecha de realizacion : 9 de diciembre de 2003
Resumen
Uno de los objetivos de la practica es estudiar las propiedades de los semicinductores, y sus diferencias
con un conductor y un aislante. El objetivo principal es estudiar la creacion de portadores de carga
iluminando un material semiconductor con una frecuencia tal que se pueda apreciar el cambio casi
instatantaneo de la conductividad del material, este fenomeno se llama fotoconductividad.
1. Introduccion
1.1. Semiconductores.
Un semiconductor es una sustancia cristalina que tiene una estructura de bandas de energa en la queuna
banda de estados electronicos, completamente llena a la temperatura cero, se separa de otra que esta to-
talmente vaca al cero absoluto, por medio de una region angosta de energas prohibidas. Esta estructura
de banda se ilustra en la gura 1. En el cero absoluto, el semiconductor es un aislador perfecto, ya que
no cuenta con bandas parcialmente llenas. Sin embargo, a temperaturas mas altas, algunos electrones de la
banda de valencia pueden adquirir suciente energa termica aleatoria para exitarse a traves de la banda
prohibida con el n de convertirse en electrones de conduccion en la banda de conduccion que hasta entonces
estaba vaca. Los estados vacos que quedan en la banda inferior o de valencia pueden contribuir tambien a
la conductividad comportandose como huecos positivamente cargados. Es evidente que el n umero de elec-
trones de conduccion y el n umero de huecos debe elevarse al incrementarse la temperatura y, por tanto, la
conductividad electrica tambien aumenta al subir la temperatura.
Figura 1: Bandas de conduccion y de valencia de un semiconductor(de izquierda a derecha) al cero absoluto
y a la temperatura ambiente, mostrando electrones y huecos termicamente exciados.)
Cuando N atomos aislados se combinan en un cristal, los niveles atomicos 2s y 2p se amplan a bandas
de energa; conforme el espaciamiento interatomico disminuye, estas bandas se hacen cada vez mas anchas y
terminan por superponerse. Cuando la distancia interatomica se hace mas peque na todava, el continuo de lo
que originalmente eran los estado 2s y 2p se divide una vez mas en do bandas, cada una de las cuales cuenta
ahora precisamente con 4N estados. A la distancia interatomica de equilibrio a, estas bandas estan separadas
por un vaco de energa.
o
region prohibida cuya anchura es . Puesto que la estructura electronica del
carbono es 1s
2
2s
2
2p
2
, se tiene 4N electrones de valencia disponoble que basta exactamente para llenar la
mas baja de las dos bandas y formar la banda de valencia del cristal. La banda superior s convierte en la
de conduccion. La region de energa prohibida en condiciones normales tiene una anchura aproximada de
7eV en el diamante, 1,2eV en el silicio y 0,7eV en el germanio. Debido a la expansion termica de la red,
este vacio de energiatiene una dependencia debil en funcion de la temperatura; y sera una funcion
de la presion haciendose mayor conforme se reduce el espaciamiento interatomico mediante la aplicacion de
presion por medios hidrostaticos o de otra naturaleza.
Los electrones de la banda de valencia son los que forman los enlaces covalentes de parejas de electrones
tetraedricamente dispuestos entre los atomos. La excitacion termica de un electron de la banda de valencia
a la de conduccion corresponde fsicamente a la supresion de un electron de la pareja del enlace covalente
por medio de la agitacion termica de la red. Por tanto el electron libre fuera del enlace covalente de la red y
queda disponible para funcionar como portador de carga a n de conducir a traves del cristal. La excitacion
de un electron deja un defecto localizado en la estructura del enlace covalente del cristal, que se puede
identicar como un estado de banda de valencia que podra ser ocupado por un electron; pero en realidad
esta vaco (hueco). Tanto el electron libre como el hueco son migratorios; el electron libre puede vagar dentro
del cristal en una forma aleatoria, impelido por la energa termica que pueda adquirir de la propia red. Del
mismo modo, el hueco puede moverse porque un electron de un enlace covalente adyacente al hueco puede
moverse con suma facilidad hacia el hueco, completando as la pareja del enlace en el sitio original del hueco;
pero transriendo la ubicacion del hueco al sitio donde provino el electron.
Los electrones libres y los huecos se moveran tambien en respuesta a un campo electrico y pueden dar
origena una corriente macroscopica que uye por el cristal.
Un semiconductor en el que los huecos y los electrones se crean exclusivamente mediante una excitacion
termica a traves de la banda prohibida de energa, se conoce como semiconductor intrnseco. Los huecos y
electrones creados de esta manera a menudo se denominan portadores intrnsecos de carga y la conductivi-
dad originada por estos portadores se llama conductividad intrnseca. En un semiconductor intrnseco, las
concentraciones de electrones y huecos siempre deben ser las mismas, ya que la excitacion termica de un
electron origina inevitablemente solo un hueco.
1.2. Conductividad.
La densidad de corriente debida a huecos y electrones es igual al producto de su densidad de carga
y velocidades respectivas. Por tanto, la densidad de corriente o densidad de carga por unidad de tiempo
transportada por huecos y electrones es
I
n
=
n
v
n
= env
n
y
I
p
=
p
v
p
= env
p
En donde
n
y
p
se reeren a las densidades de carga asociadas con las densidades de electrones y huecos
n y p, y v
n
y v
p
son las velocidades vectoriales promedio de los electrone y los huecos, respectivamente. Puesto
que la velocidad electronica promedio es
n
E yla velocidad promedio de los huecos es
p
E, en donde
n
y
p
son las movilidades de lelectron y el hueco y E es el campo, se puede escribir como:
I
n
= ne
n
E
y
I
p
= ne
p
E
Por lo cual, la densidad total de corriente electrica I se puede expresar como
I
n
= e(n
n
+ p
p
)E = E
La conductividad electrica esta dada entonces por.
= e(n
n
+ p
p
)
las movilidades
n
y
p
de las formulas anteriores se denen como

n
=
e

n
m
n
y
e

p
m
p
en donde

n
y

p
son los promedios ponderados de los tiempos de ralajacion
n
para electrones y
p
para
huecos. Tambien se debe observar que n y p son los valores instantaneos reales de la concentracion de huecos
y electrones que no necesariamente son identicos a las densidades de equilibrio de huecos y electrones n
0
y
p
0
.
1.3. Fotoconductividad.
El efecto fotoelectrico interno (efecto fotoconductor o fotorresistnte) es un procesoo de ionizacion de
atomos del semiconductor bajo la accion de la luz, que da lugar a la formacion de portadores de carga en
desequilibrio adicionales. la conductibilidad adicional debida a efecto fotoelectrico interno se llama fotocon-
ductibilidad.
El proceso primario en el efecto fotoelectrico interno es la absorcion de un foton con la energa suciente
para exitar un electron de la banda de conduccion o en los niveles locales, dispuestos en la banda prohibida
del semiconductor.
Si la exitacion optica de los electrones ocurre de la banda de valencia a la banda de conduccion, se observa
la fotoconductibilidad intrnseca, que se crean los portadores de ambos signos. En este caso, es evidente
que la energa del foton h no debe ser menor que la anchura de la banda prohibida del semiconductor
(h E
g
= E
c
E
v
).
Figura 2: Transiciones entre bandas.
1.4. Relajacion de la fotoconductibilidad.
Supongamos que un semiconductor se ilumina por un impulso luminoso rectangular, como se muestra en
la gura 3
Si en la muestra se crea una concentracion estacionaria de portadores en desequilibrio n
est
y en el
instante t = 0 se interrumpe la luz, la concentracion de portadores de carga en deequilibrio decrece hasta el
valor cero por la ley
n = n
est
e

= Ie

Donde es el tiempo de vida de los portadores, es el coeciente de renimiento cantico, es el factor de

absorcion e I es la intensidad luminosa. Por consiguiente, para un peque no nivel de inyeccion la relajacion
de la concentracion de desequilibrio de portadores de carga al conectar e interrumpir instantanemente la luz
ocurre por la ley exponencial con constante de tiempo, correspondiente al tiempo de vida de los portadores
de carga.
Figura 3: Conductividad ganada por un pulso de luz.
2. Desarrollo experimental.
Lo primero que se hizo fue colocar la celda fotoconductiva, frente a la lampara estroboscopica de tal
manera que la luincida sobre la celda produciendo un fot-corriente, y para crear una corriente a favor de la
foto-corriente, se conecta un potenciometro. La corriente producida por la celda fotoconductiva se registra con
un electrometro(en realidad lo que se mide en el electrometro es na caida de voltaje en una resistencia muy
grande), el cual tambien esta conectado a un osciloscopio para medir el tiempo de generacion y recombinacion
de los portadores.
Este se puede medir gracias a que la lampara estroboscopica genera pulsos luminosos a una frecuencia
en intervalos controlados de tiempo a 10Hz.
En la siguiente parte se hizo lo mismo con una fotocelda. El arreglo experimental se ilustra en la gura
4.
Figura 4: Arreglo experimental para observar la fotoconductividad.
Los datos obtenidos se tabularan a continuacion:
a) Resultados de las mediciones con la celda fotoconductiva.
No. (s) V (V)
1 1 23,4
2 2 23,2
3 3 22,4
4 4 21,2
5 5 19,2
6 7 18,4
7 9 17,2
8 10 16,8
9 12 15,4
10 14 14,2
11 16 12,4
12 18 11,6
13 20 10,6
14 22 9,8
15 25 9,2
16 27 8,2
17 29 7,2
18 31 6,6
19 33 6,2
20 35 5,8
21 40 4,4
b) Resultados de las mediciones con la fotocelda.
No. (s) V (V)
1 2 59,6
2 4 56,0
3 6 46,8
4 8 38,4
5 10 32,0
6 12 26,4
7 14 22,8
8 16 20,8
9 18 18,4
10 20 16,0
11 22 13,6
12 24 11,6
13 26 8,8
14 28 6,8
15 30 5,6
16 32 4,4
17 34 3,6
18 36 2,4
19 38 2,0
20 40 1,6
Lo que se hace a continuacion es plasmar en gracas el tiempo de vida de los portadores al gracar como
cae el voltaje cuando a la muestra(fotocelda o celdafotoconductiva) se le hace incidir luz con la lampara
estroboscopica. Mas adelante se calculara el tiempo de vida al gracar los mismos puntos pero en una graca
semilogartmica, en donde el logaritmo se aplico al voltaje en ambos casos.
Entonces dada la pendiente en las gracas semilogartmicas el tiempo de decaimiento es el inverso de
esta. Entonces para la celda fotoconductiva tenemos que = 23,5849s y para la fotocelda tenemos que
= 10,6044s, como se puede observar el tiempo de regeneracion en la fotocelda es mayor por ser un
material mas sencible.
3. Conclusiones
En general el objetivo se cumplio ya que pudimos observar que al aplicar una luz fuerte a un semiconductor
se hace mejor conductor. Tambien pudimos observar que la fotocelda tiene un tiempo de reaccion mayor que
la celda fotoconductiva ya que el tiempo de los portadores fue menor. Lo unico malo es que no podemos
comparar para saber si hicimos bien el experimento, aunque como era muy simple puede que no haya mucho
error.
Referencias
[-] Shalmova,K.V. Fisica de los semiconductores (Editorial Mir, Mosc u, 1975).
[-] Mckelvey, M. , Fisica del estado solido(Limusa, Mexico, 1997).