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Circuitos Integrados y Microelectrnica

PROCESOS DE FABRICACIN DE
CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS
Autores:
Marta Portela
Luis Entrena
Celia Lpez
Mario Garca
Enrique San Milln
Almudena Lindoso
Circuitos Integrados y Microelectrnica
NDICE
Procesos bsicos
Fabricacin de la oblea
Oxidacin trmica
Proceso de dopado
Implantacininica
Difusin
Fotolitografa
Eliminacin de pelcula delgada
Deposicin de pelcula delgada
Secuencia de procesos CMOS (flujo de procesos)
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2
Circuitos Integrados y Microelectrnica
Procesos bsicos: Fabricacin de la oblea
La produccin de obleas se lleva a cabo en
tres pasos:
Refinado del silicio: Varios procesos son necesarios
para obtener pedazos de silicio policristalino con la
suficiente pureza.
Slice en un horno a 2000
o
C con una fuente de carbono
SiO
2
(solido)+2C(solido)Si(liquido)+2CO(gas)
Procesos de reduccinqumica
Crecimiento del cristal: Mtodo de Czochralski
Formacin de la oblea: 1 mm de espesor (El
espesor puede incrementarse con el dimetro de la
oblea)
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http://www.youtube.com/watch?v=NvwGrim4ug
Circuitos Integrados y Microelectrnica
Procesos bsicos: Oxidacin trmica
Al exponer silicio en presencia de un oxidante a elevada temperatura se
formar una capa delgada de xido de silicio (SiO
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) sobre toda la superficie
expuesta.
SiO
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es un elemento esencial en la tecnologa CMOS:
Alta calidad como dielctrico lo que le hace adecuado para su uso como aislante de
puerta en los transistores
Usado como barrera en los procesos de implantacin, difusin y fijacin de las
distintas mscaras
El xido de silicio ofrece una interfaz prcticamente ideal con el silicio debido a su
estructura cristalina.
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La oblea de silicio se expone en
presencia de un gas oxidante a altas
(900-1200
o
C) :
O2: Oxidacin seca
Vapor de agua: oxidacin hmeda
Obleas
Elementosde
calor
Material
oxidante
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Circuitos Integrados y Microelectrnica
Procesos bsicos: Dopado
Introduccin controlada de impurezas dopantes en el silicio
Dopantes de tipo N: P, As, Sb
Dopante de tipo P: B
La difusin era el mtodo tradicional de dopado. La difusin
de impurezas que se obtiene es directamente proporcional al
gradiente de la concentracin de dopantes presentes y a la
energa trmica del proceso
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Difusin lateral
Circuitos Integrados y Microelectrnica
Dopado: Implantacin inica
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La implantacin inica es el mtodo ms utilizado hoy en da en la fabricacin de circuitos
integrados CMOS.
Los tomos/molculas de dopantes son ionizados, se aceleran a travs de un campo
electromagntico alto (del orden de pocos kV a MegV) para dirigirlos hacia la oblea. Los
iones altamente energticos que bombardeanla oblea se implantanen su superficie.
N
p
=concentracin de pico
R
p
=Profundidad
Distribucin Gaussiana del perfil
de dopantes implantados
Oblea
Fuentede
iones
Espectrmetro
demasas
Acelerador
Lentes
electroestticas
Np
Concentracinde
impurezas
Distanciax
Rp
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Circuitos Integrados y Microelectrnica
Dopado: Implantacin inica
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La implantacin inica daa la red cristalina del silicio que debe ser reparada.
Para ello, la oblea se somete a un recocido a altas temperaturas que produce
una agitacin de las impurezas dopantes, logrando que stas se recoloquen en
la red cristalina.
Comparado con el proceso de difusin, la implantacin inica tiene la ventaja
de ser un mtodo realizado a baja temperatura y altamente controlable.
Actualmente, la difusin se usa para redistribuir los dopantes una vez realizada
la implantacininica.
Iones()aceleradosdeBoro
Area delapuerta
deltransistor
Oxidodesilicio
SiliciotipoP
Circuitos Integrados y Microelectrnica
Proceso usado para seleccionar las zonas
de una oblea que deben ser afectadas por
un proceso de fabricacindeterminado.
Un polmero sensible a la luz, denominado
fotorresina, se utiliza como mscara para
seleccionar las zonas necesarias en la
implantacin inica y para otras mscaras
de grabado.
La fotorresina puede ser negativa (insoluble
tras la exposicin UV) o positiva (soluble
tras la exposicin a la luz). La fotorresina
positiva presenta una mayor resolucin.
Resolucin: La difraccin de la luz limita el
tamao mnimo que se puede imprimir en
un circuito.
Haz de electrones
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Procesos bsicos: Fotolitografa
a) Oblea tras la
oxidacin
Oblea
xido
Fotorresina
b) Aplicacinde la
fotorresina
Luz UV
Mscara
c) Alineacin y
exposicin
d) Revelado
e) Grabado del
xido
e) Eliminacinde
la resina
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Procesos bsicos: Eliminacin de pelcula delgada
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Procesos para eliminar pelculas delgadas
Hmedo. Una solucin qumica elimina el material sobrante. Es un
proceso altamente selectivo en comparacin con el proceso de
eliminacin seca.
Seco. La oblea es bombardeada con iones cargados que al golpear la
superficie arrancan los tomos/molculas del material que se quiere
eliminar.
Plasma
Obleas
Gas Gas
Difusor
Electrodo
superior
Electrodo
inferior
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Procesos bsicos: Deposicin de pelcula delgada
Son los mtodos utilizados para depositar pelculas delgadas de materiales como aislante,
conductor o semiconductor enla superficie de la oblea
El espesor de la pelcula debe ser altamente uniforme (rugosidad <5nm)
Physical vapor deposition (PVD). tomos/molculas atraviesan un gas a baja presin que
se condensanposteriormente en la superficie del substrato. :
Evaporacin
Deposicin por bombardeo (similar al mtodo seco de eliminacin de pelcula delgada)
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Oblea
Vacio Vapor
deoro
Plasma
Oblea
Materialdelque
obtenerlosiones
V()
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Circuitos Integrados y Microelectrnica
Procesos bsicos: Deposicin de pelcula delgada
Chemical vapor deposition (CVD). Gases reactivos se introducen en una
cmara donde se producen reacciones qumicas de los gases con la
superficie del sustrato que generan la capa de material deseada.
A presin atmosfrica y a bajas temperaturas CVD se aplica en un reactor
similar al horno utilizado para el proceso de oxidacin trmica.
A baja presin, el proceso puede producir mejores pelculas de material
pero a expensas de una mayor temperatura durante el proceso de
deposicin.
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Polisilicio Deposicin de una pelcula fina de silicio sobre SiO
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MetalizacinAleacin AlCu/Ti
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Obleas de
silicio
Aislar
elctricamente
transistores
PMOS and NMOS
(field oxide)
Pozos: n, p,
twin tub
Puertas
Fuente/drenador Contactos
Metalizacin
1
Deposicin
incremental
del
dielctrico 1
Via1
Metalizacin
2
Pasivacin
final
Autoalineado
Secuencia de procesos CMOS
Varios cientos de pasos son necesarios para poder fabricar circuitos
integrados en una oblea de silicio.
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Secuencia de procesos CMOS
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Dados
YIELD
(rendimiento)
p p
N+ N+
Autoalineado
x x
x x
x x
No utilizables debido a
algn error
x
Circuitos Integrados y Microelectrnica
Bibliografa
W.K. Chen, The VLSI Handbook (second
edition). CRC Press
J . Rabaey Circuitos integrados digitales (second
edition) Pearson Preantice Hall
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