TRANSISTOR FET

FUNDAMENTO TERICO
En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada (corriente de base) controla la
corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeo voltaje de
entrada que controla la corriente de salida.
La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de un pico amperio).
Esto es una gran ventaja, cuando la seal proviene de un dispositivo tal como un micrfono de
condensador o un transductor piezo elctrico, los cuales proporcionan corrientes insignificantes.
Los FETs, bsicamente son de dos tipos:
El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET.
El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, tambin conocido como
semiconductor de xido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.
POLARIZACIN FIJA

Tambin conocida como autopolarizado por resistencia de fuente: en este circuito solo se usa una
fuente, que es la del drenador suprimiendo la fuente de puerta. Y se acopla una resistencia de
surtidor. La configuracin de autopolarizacin elimina la necesidad de dos fuentes de DC. El voltaje
de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a travs del resistor R
S
, que se
conecta en la terminal de la fuente de la configuracin como se muestra en la siguiente figura:

Para el anlisis en DC los capacitares pueden reemplazarse una vez ms por circuitos abiertos, y
el resistor R
G
puede cambiarse por un corto circuito equivalente dado que I
G
= 0A. El resultado es
la red de la figura siguiente para el anlisis en DC



Para 5V estos son los datos













La corriente a travs de RS es la corriente de la fuente IS, pero IS = ID y
V
RS
= I
D
R
S

Para el lazo cerrado que se indico en la figura anterior se tiene que
-V
GS
- V
RS
= 0
V
GS
= -V
RS

V
GS
= -I
D
R
S

En este caso podemos ver que VGS es una funcin de la corriente de salida ID, y no fija en
magnitud, como ocurri para la configuracin de polarizacin fija.
Puede conseguirse una solucin matemtica mediante la simple sustitucin de la ecuacin
anterior en la ecuacin de Shockley como mostramos a continuacin:


IS 3.28mA
I
D
3.28mA
I
G
0mA
V
GS
0.71V
V
RS
0.72V
V
RD
3.94V
Q1
2N4393
RD
1.2k
RS
220
+5V
RG
1M
Al desarrollar el trmino cuadrtico que se indica y al reorganizar los trminos, puede lograrse una
ecuacin de la siguiente forma:
ID2 + K1I
D
+ K2 = 0
Puede calcularse el valor de V
DS
si aplicamos la ley de voltaje de Kirchhoff al circuito de salida, lo
que da por resultado
V
RS
+ V
DS
+ V
RD
- V
DD
= 0
V
DS
= V
DD
- V
RS
- V
RD
= V
DD
- I
S
R
S
-I
D
R
D

Pero
I
D
= I
S

V
DS
= V
DD
- I
S
(R
S
+ R
D
)
Adems:
V
S
= I
D
R
S

V
G
= 0V
V
D
= V
DS
+ V
S
= V
DD
- V
RD


CONCLUSIONES

Los dispositivos semiconductores tienen las siguientes ventajas sobre los tubos de vaco o
bulbos. Son: ms pequeos, ms livianos, ms robustos, y ms eficientes.
Adems, no requieren calentamiento, ni calentador, y conducen voltajes de operacin ms
bajos.