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ELECTRONI CA I MODULO I I I

ACTIVIDADES DE REPASO

Cuestionario:

1. Diferencie:
a) Semiconductor de conductor
b) Electrones de valencia de electrones libres
c) Electrones libres de huecos
d) Semiconductores extrnsecos de intrnsecos
e) Semiconductor P de semiconductor N

2. Defina:
a) Diodo de unin
b) Zona de deplexin
c) Barrera de potencial de zona de unin P-N
d) Zona de ruptura
e) Efecto de avalancha
f) Efecto Zener

3. Cuntos protones contiene el ncleo de un tomo de cobre?
a) 1 b) 4 c) 18 d) 29

4. La carga resultante de un tomo neutro de cobre es:
a) 0 b) +1 c) -1 d) +4

5. Si un tomo de cobre pierde su electrn de valencia, la carga resultante es:
a) 0 b) +1 c) -1 d) +4

6. Cuntos tipos de flujos de portadores presenta un conductor?
a) 1 b) 2 c) 3 d) 4

7. Cuntos tipos de flujos de portadores presenta un semiconductor?
a) 1 b) 2 c) 3 d) 4

8. Cuntos electrones de valencia tiene un tomo de silicio?
a) 0 b) 1 c) 2 d) 4

9. El nmero de protones que contiene un tomo de silicio es:
a) 4 b) 14 c) 29 d) 32

10. Cuntos electrones hay en la rbita de valencia de un tomo de silicio, dentro
de un cristal?
a) 1 b) 4 c) 8 d) 14



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11. Cuntos electrones de valencia tienen los tomos trivalentes?
a) 1 b) 3 c) 4 d) 5

12. Cuntos electrones de valencia tiene un tomo donador?
a) 1 b) 3 c) 4 d) 5

13. Al electrn de valencia de un conductor se le conoce tambin por:
a) electrn ligado b) electrn libre
c) ncleo d) protn

14. Los tomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el
nombre de:
a) enlace covalente b) cristal
c) semiconductor d) rbita de valencia

15. Un semiconductor intrnseco presenta algunos huecos a temperatura ambiente
causados por:
a) el dopado b) electrones libres
c) energa trmica d) electrones de valencia

16. La unin de un electrn libre con un hueco recibe el nombre de:
a) enlace covalente b) tiempo de vida
c) recombinacin d) energa trmica

17. A temperatura ambiente un cristal de silicio intrnseco se comporta como:
a) una batera b) un conductor
c) un aislante d) un hilo de cobre

18. El tiempo que transcurre durante la creacin de un hueco y su desaparicin
recibe el nombre de:
a) dopado b) tiempo de vida
c) recombinacin d) valencia

19. Cuando se aplica una tensin a un semiconductor, los huecos fluyen:
a) hacia el potencial negativo b) hacia el potencial positivo
c) en el circuito externo d) ninguna de las anteriores

20. En un semiconductor intrnseco, el nmero de electrones libres es:
a) igual al nmero de huecos b) mayor que el n de huecos
c) menor que el n de huecos d) ninguna de las anteriores

21. A temperatura ambiente un semiconductor intrnseco presenta:
a) muchos huecos b) algunos electrones libres y huecos
c) muchos electrones libres d) ningn hueco


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22. El nmero de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrnseco
aumenta cuando la temperatura:
a) disminuye b) aumenta
c) se mantiene constante d) ninguna de las anteriores

23. El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los huecos
fluyen hacia:
a) la izquierda b) la derecha
c) en cualquier direccin d) ninguna de las anteriores

24. Los huecos se comportan como:
a) tomos b) cargas negativas
c) cristales d) cargas positivas

25. Si quisiera producir un semiconductor tipo P, qu empleara?
a) tomos aceptadores b) tomos donadores
c) impurezas pentavalentes d) silicio

26. Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo:
a) extrnseco b) intrnseco
c) tipo N d) tipo P

27. Cuntos electrones libres contiene un semiconductor tipo P?
a) muchos b) ninguno
c) los producidos por la energa trmica d) igual que de huecos

28. Si un semiconductor intrnseco tiene 1 billn de electrones libres a la
temperatura ambiente, cuntos presentar a la temperatura de 75 C?
a) menos de 1 billn b) 1 billn
c) ms de 1 billn d) imposible de contestar

29. Los iones positivos son tomos que han:
a) ganado un protn b) perdido un protn
c) ganado un electrn d) perdido un electrn

30. Un semiconductor tipo P contiene huecos y:
a) iones positivos b) iones negativos
c) tomos pentavalentes d) tomos donadores

31. A qu se debe la zona de deplexin?
a) al dopado b) a la recombinacin
c) a la barrera de potencial d) a los iones



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32. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de:
a) 0,3 V b) 0,7 V
c) 1 V d) 2 mV por grado Celsius

33. Para producir una gran corriente de un diodo de silicio polarizado en directa, la
tensin aplicada debe superar:
a) 0 V b) 0,3 V c) 0,7 V d) 1 V

34. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente:
a) muy pequea b) muy grande
c) cero d) en la regin de ruptura

35. La corriente superficial de fugas es parte de la corriente:
a) de polarizacin directa b) de ruptura en polarizacin directa
c) inversa d) de ruptura en polarizacin inversa

36. La tensin que provoca el fenmeno de avalancha es:
a) la barrera de potencial b) la zona de deplexin
c) la tensin de codo d) la tensin de ruptura

37. La difusin de electrones libres a travs de la unin de un diodo produce:
a) polarizacin directa b) polarizacin inversa
c) ruptura d) la zona de deplexin

38. Cuando la tensin inversa crece de 5 V a 10 V, la zona de deplexin:
a) se reduce b) crece
c) no le ocurre nada d) se rompe

39. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinacin de electrones
libres y huecos puede producir:
a) calor b) luz
c) radiacin d) todas las anteriores

40. Si aplicamos una tensin inversa de 20 V a un diodo, la tensin en la zona de
deplexin ser de:
a) 0 V b) 0,7 V c) 20 V d) ninguna de las anteriores

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