Netz-Thyristor-Modul

Phase Control Thyristor Module

TT500N
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Technische Information /
technical information






enndaten






























































Key Parameters
V
DRM
/ V
RRM
1200 1800 V
I
TAVM
500 A (T
C
=85 C)
3570A (T
C
=55C)
I
TSM
17000 A
V
T0
0,85 V
r
T
0,35 m
R
thJC
0,055 K/W
Base plate 60 mm


Weight 1450 g


For type designation please refer to actual
short form catalog
http://www.ifbip.com/catalog

Merkmale Features
Druckkontakt-Technologie fr hohe
Zuverlssigkeit
Pressure contact technology for high reliability
Advanced Medium Power Technology (AMPT) Advanced Medium Power Technology (AMPT)
Industrie-Standard-Gehuse Industrial standard package
Elektrisch isolierte Bodenplatte Electrically insulated base plate


Typische Anwendungen Typical Applications
Sanftanlasser Soft starter
Gleichrichter fr Antriebsapplikationen Rectifier for drives applications
Kurzschlieer-Applikationen Crowbar applications
Leistungssteller Power controllers
Gleichrichter fr UPS Rectifiers for UBS
Batterieladegleichrichter Battery chargers
Statische Umschalter Static switches






content of customer DMX code DMX code DMX code

digit digit quantity
serial number 1..5 5
SAP material number 6..12 7
Internal production order number 13..20 8
datecode (production year) 21..22 2
datecode (production week) 23..24 2

www.ifbip.com
support@infineon-bip.com
TD TT


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Technische Information /
technical information


Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
TT500N TD500N

Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Tvj = -40C... Tvj max VDRM,VRRM 1200
1600
1400
1800
V
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Tvj = -40C... Tvj max VDSM 1200
1600
1400
1800
V
V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Tvj = +25C... Tvj max VRSM 1300
1700
1500
1900
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
ITRMSM 900 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85C

ITAVM 500

A
Stostrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
ITSM 17000
14500
A
A
Grenzlastintegral
It-value
Tvj = 25C, tP = 10ms
Tvj = Tvj max, tP = 10ms
It 1445000
1051000
As
As
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s
(diT/dt)cr 200 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
(dvD/dt)cr
1000

V/s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 1700A

vT

max. 1,45

V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V(TO) max. 0,85 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max rT max. 0,35 m
Zndstrom
gate trigger current
Tvj = 25C, vD = 12V IGT max. 250 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25C, vD = 12V VGT max. 2,2 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM

IGD max.
max.
10
5
mA
mA
Nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,25 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25C, vD = 12V, RA = 1 IH max. 300 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25C, vD = 12V, RGK 10
iGM = 1A, diG/dt = 1A/s, tg = 20s
IL max. 1500 mA
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR max. 100 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
Tvj = 25C, iGM = 1A, diG/dt = 1A/s
tgd max. 4 s

prepared by: HR date of publication: 2014-01-21
approved by: ML revision: 3.3



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Thermische Eigenschaften
















Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/s, -diT/dt = 10 A/s
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter O
tq




typ.




250




s
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1min
RMS, f = 50 Hz, t = 1sec
VISOL 3,0
3,6
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, = 180 sin
pro Zweig / per arm, = 180 sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
RthJC max.
max.
max.
max.
0,0290
0,0580
0,0275
0,0550
K/W
K/W
K/W
K/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
RthCH max.
max.
0,01
0,02
K/W
K/W

Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
Tc op -40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg -40...+130 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3

Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact

Innere Isolation
internal insulation
Basisisolierung (Schutzklasse 1, EN61140)
Basic insulation (class 1, IEC61140)
AlN
Anzugsdrehmoment fr mechanische Anschlsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance 15% M1 6 Nm
Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance 10% M2 12 Nm
Steueranschlsse
control terminals
DIN 46 244 A 2,8 x 0,8
Gewicht
weight
G typ. 1450 g
Kriechstrecke
creepage distance
19 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s

file-No. E 83335




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Technische Information /
technical information

d

1 2 3
TT
4 5 7 6

1 2 3
TD
4 5








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Technische Information /
technical information


Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
R
thn
[K/W] 0,019 0,019 0,0111 0,00486 0,00137

n
[s] 3,12 0,56 0,101 0,0086 0,00076
Analytische Funktion / Analytical function:

max
n
n=1
thn thJC
n
t
- e 1 R Z



Erhhung des Z
th DC
bei Sinus und Rechteckstrmen mit unterschiedlichen Stromflusswinkeln
Rise of Z
th DC
for sinewave and rectangular current with different current conduction angles
Z
th rec
/ Z
th sin

= 180 = 120 = 90 = 60 = 30
Z
th rec

[K/W]
0,00466 0,00760 0,00988 0,01362 0,02118
Z
th sin

[K/W]
0,00272 0,00390 0,00547 0,00833 0,01577
Z
th rec
= Z
th DC
+ Z
th rec

Z
th sin
= Z
th DC
+ Z
th sin

























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Technische Information /
technical information

Diagramme



































Durchgangsverluste

0,000
0,020
0,040
0,060
0,001 0,01 0,1 1 10 100
Z
(
t
h
)
J
R
[
K
/
W
]
t [s]


Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm ZthJC = f(t)

Sinusfrmiger Strom / Sinusoidal current

Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle

0,1
1
10
100
10 100 1000 10000
v
G
[
V
]
i
G
[mA]
T
v
j
m
a
x
=
+
1
2
5

C

T
v
j
=

-
4
0

C
T
v
j
=

+
2
5

C
a
b
c


Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zndbereichen fr VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V

Hchstzulssige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :

a - 20W/10ms b - 40W/1ms c - 60W/0,5ms




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Technische Information /
technical information






















Gehusetemperatur bei Rechteck


0
200
400
600
800
1000
1200
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
P
T
A
V

[
W
]
I
TAV
[A]
DC
180 rec
120 rec
90 rec
60 rec
Q = 30 rec
180 sin


Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm PTAV = f(ITAV)

Strombelastung je Zweig / Current load per arm

Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert bercksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)

Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle

20
40
60
80
100
120
140
0 100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
T
C

[

C
]
I
TAVM
[A]
DC
Q = 30 rec 60 rec 90 rec 120 rec 180 rec
180 sin


Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(ITAVM)

Strombelastung je Zweig / Current load per arm

Berechnungsgrundlage PTAV (Schaltverluste gesondert bercksichtigen)
Calculation base PTAV (switching losses should be considered separately)

Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle




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Technische Information /
technical information


0,08
0,12
0,15
0,20
0,25
0,30
0,40
0,50
0,60
0,80
2,00
1,20
0
1000
2000
3000
10 30 50 70 90 110
P
t
o
t
[
W
]
T
A
[C]
R
thCA
[K/W]
0,18
+
-
B2
I
D
~
1,20

0 200 400 600 800 1000 1200 1400
I
D
[A]
L-Last
L-load
R-Last
R-load


Hchstzulssiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID

B2- Zweipuls-Brckenschaltung / Two-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wrmewiderstand pro Element zwischen den Gehusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
10 30 50 70 90 110
P
t
o
t
[
W
]
T
A
[C]
0,25
0,40
0,15
2,00
0,20
+
-
B6
I
D
3~
R
thCA
[K/W]
0,60
0,80
0,08
0,50
0,25
,
0,12
0,30
1,20
1,20

0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
I
D
[A]



Hchstzulssiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current ID

B6- Sechspuls-Brckenschaltung / Six-pulse bridge circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wrmewiderstand pro Element zwischen den Gehusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA




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Technische Information /
technical information


0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
10 30 50 70 90 110
P
t
o
t

[
W
]
T
A
[C]
R
thCA
K/W]
0,50
0,40
2,00
0,60
0,20
0,12
0,15
0,06
0,25
~
~
I
RMS
W 1C
0,80
0,08
1,20
0,30
2,00

0 200 400 600 800 1000 1200 1400
I
RMS
[A]


Hchstzulssiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wrmewiderstand pro Element zwischen den Gehusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA

0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
10 30 50 70 90 110
P
t
o
t
[
W
]
T
A
[C]
~
~
W3C
~
~
I
RMS
~
~
0,50
0,30
0,80
0,40
1,20
0,08
0,12
0,15
0,20
0,50
0,02
0,60
0,25
2,00
R
thCA
[K/W]

0 200 400 600 800 1000 1200 1400
I
RMS
[A]


Hchstzulssiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current IRMS

W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit

Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit Ptot

Parameter:
Wrmewiderstand pro Element zwischen den Gehusen und Umgebung /
Thermal resistance per chip cases to ambient RthCA




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Technische Information /
technical information












































































100
1000
10000
1 10 100
Q
r
[

A
s
]
-di/dt [A/s]
i
TM
= 2000A
20A
50A
100A
200A
500A
1000A


Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)

Tvj = Tvjmax, vR 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM

Parameter: Durchlastrom / On-state current iTM

0
2.000
4.000
6.000
8.000
10.000
12.000
0,01 0,1 1
I
T
(
O
V
)
M
[
A
]
t [s]
b
T
A
= 45C
a
T
A
= 35 C


Grenzstrom / Maximum overload on-state current IT(OV)M = f(t), vRM = 0,8 VRRM

a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit ITAVM / after load with ITAVM
TA = 35C, verstrkte Luftkhlung / Forced air cooling
TA = 45C, Luftselbstkhlung / Natural air cooling




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