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TRANSISTORES BIPOLARES
TRANSISTORES BIPOLARES: POLARIZACIN
I. OBJETIVOS:
Conocer experimentalmente las corrientes y los voltajes que pasan por un transistor bipolar.

II. EXPERIMENTO:
A. MODELO FSICO:
Los transistores son dispositivos de tres terminales, de tres capas semiconductores que tienen
una base o capa central mucho ms delgada que las otras dos. Las dos capas externas son de
materiales tipo n o p, con la capa emparedada de tipo opuesto.
El transistor de unin bipolar es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos
uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al
desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y
son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre
ellos su impedancia de entrada bastante baja.
Loa transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en
electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la
tecnologa TTL o BICMOS.

Un transistor de unin bipolar est formado por dos uniones PN en un silo cristal
semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres
regiones:

Emisor: que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportndose
como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de
portadores de carga.
Base: la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector: de extensin mucho mayor.
En su funcionamiento normal, la unin base-emisor esta polarizada en directa, mientras que
la base colector en inversa. Los portadores de carga emitidos atraviesan la base, porque
es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El
transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado
de actividad.









Fig.1. Transistor de unin bipolar

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TRANSISTORES BIPOLARES
TIPOS DE TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR

A.TRANSISTOR NPN
Es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras N y P se refieren a los
portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de
los transistores bipolares usados hoy en da son PNP, debido a que la movilidad del electrn es
mayor que la movilidad de los huecos en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes
y velocidades de operacin.
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la base) entre
dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a lavase en configuracin
emisor-comn es amplificada en la salida del colector.
La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin
en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.








Fig.2. Transistor tipo NPN

B.TRANSISTOR PNP
El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras P y N refirindose a las cargas
mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en
da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las
circunstancias.
Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas
de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y
el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga
elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente
mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la
corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.








Fig.3. Transistor tipo PNP

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TRANSISTORES BIPOLARES
B. DISEO:










Fig. 01 Fig. 02

C. MATERIALES:
1. Fuente de voltaje DC.
2. Multmetro digital.
3. Protoboard.
4. Transistor tipo NPN.
5. Resistencias de distintos valores.
6. Cables de conexin.







Fuente de voltaje DC. Multmetro digital. Protoboard.






Cables de conexin. Transistor tipo NPN. Resistencias de
Distintos valores.

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TRANSISTORES BIPOLARES
D. PROCEDIMIENTO:
Armamos el circuito de la fig. 01, y anotamos los valores correspondientes.
Luego armamos el circuito de la fig. 02, y anotamos sus datos.
Al tener todos los datos, lo anotamos en la tabla n01 y veremos sus diferencias.

E. ANLISIS:
Circuito Bsico de Polarizacin:
Suponiendo = 200 y VBE = 0.7v
El circuito de la fig. 02 es equivalente al circuito de la fig. 01.
El Requ se halla:
R
equ
=
R
1
R
2
R
1
+R
2

Reemplazando los valores:
R1 = 10K
R
2
= 10K
Requ = 5K

El VBB se halla:
V
BB
=
V
CC
R
2
R
1
+ R
2

Reemplazando los valores:
VCC = 10v
VBB = 5v

Hallando IB:
I
B
=
V
BB
V
BE
R
equ
+ ( + 1)R
E
=
5v 0.7v
5k +201 820
= 25.3A

Hallando IC:
I
C
= I
B
= 200 25.3A = 5mA

Hallando IE:
I
E
= I
C
+ I
B
= 5mA + 25.3A = 5.0253mA
Hallando el VCE:
V
CE
= V
BB
I
C
(R
C
+ R
E
) = 5v 5mA(1K +0.82K) = 0.9v

Hallando VE:
V
E
= I
E
R
E
= 5.0253mA 0.82K = 4.12v

Hallando VB:
V
B
= V
E
+V
BE
= 4.12v +0.7v = 4.82v

Hallando VC:
V
C
= V
E
+V
CE
= 4.12v +0.9v = 5.02v


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TRANSISTORES BIPOLARES
Los datos obtenidos anteriormente son tericos. A continuacin le daremos los datos
obtenidos en el laboratorio, ya sea en el circuito original i el simplificado.

TABLA N01.

Terico Practico (Original) Practico (Simplificado)
IB 25.3A 0.22A 0A
IE 5.0253mA 5.15mA 4.9mA
IC 5mA 5.4mA 4.94mA
VCE 0.9v 0.7v 1.02v
VE 4.12v 4.23v 4.05v
VB 4.82v 4.93v 4.75v
VC 5.02v 4.97v 5.07v


III. CONCLUSIONES:
Los datos obtenidos son diferentes, esto se debe a las impurezas que tiene cada componente, ya
sea el transistor como las resistencias.

IV. ENLACES:
http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar

V. BIBLIOGRAFIA:
1. Boylestad Nashelsky/ Electrnica: teora de circuitos y dispositivos electrnicos/ octava
edicin/ pg. 175 184.