Campo Grande MS

Universidade Catlica Dom Bosco

Caracterstica de ganho de
corrente em transistor bipolar
NPN

Engenharia de Controle e Automao
Acadmicos:



Disciplina: Eletrnica II Laboratrio
Professor: Cesar Meschiatti





Junho de 2014 23
Resumo

Nesse experimento montou-se o circuito com um transistor NPN afim de se estudar as
suas caractersticas de ganho de corrente e obter o ganho de corrente
experimentalmente, para isso variou-se o valor da fonte de tenso acoplada ao resistor
da base e obteve-se os valores de Ic. Logo aps foi montado um grfico Ic x Ib para
obter o valor de experimental. Em seguida comparou-se o valor experimental com o
medido no multmetro e com o encontrado no data sheet.







































Objetivos

Conhecer o componente eletrnico transistor bipolar NPN. Avaliar a caracterstica de
ganho de corrente e obter, experimentalmente, o ganho de corrente . Aprender a
utilizar o data sheet para verificar o significado de cada pino do componente e,
tambm, para verificar o valor terico de .






















Materiais Utilizados
- 1 Transistor BC547
- 2 Resistores 100k e 100
- 1 Fonte de alimentao regulvel
- Multmetro
- EWB







































Procedimento

Deve-se, primeiramente, montar o circuito abaixo, utilizando-se do data sheet para
conhecer a pinagem do componente.

Em seguida, variando-se o valor da fonte de tenso acoplada ao resistor da base
devesse preencher a tabela com os valores do Ic (para EWB e protoboard).




























Apresentao dos dados

EWB:

IB(A) IC(mA)
0 6,34214e-011
10 1,13932
20 4,53808
30 7,99106
40 11,3644
50 14,6338
60 17,7957
70 20,8532
80 23,8112
90 26,6755
100 29,4519

Experimental:

IB(A) IC(mA)
0 0
10 1,15
20 4,75
30 8,12
40 11,12
50 15,01
60 16,98
70 20,54
80 23,82
90 26,62
100 29,30
















Grfico



Clculo do experimental:
Valores: 0- 115 237,5 270,66 278 300 283 293 296 300
Valor do encontrado no data sheet:
Min 110 e Mx 800
Valor do medido com o multmetro:
235





















0
20
40
60
80
100
120
0 5 10 15 20 25 30 35
Ic X Ib
Concluso

De acordo com os dados coletados observou-se ento o comportamento de um
transistor bipolar NPN para ento atravs da simulao no EWB e na prtica pudesse
obter as correntes no coletor desse transistor de maneira que pudesse encontrar o
beta plotando o grfico Ic x Ib.
O beta tambm foi medido com um multmetro e observado no data sheet do
transistor BC547.
Comparando os valores obtidos com o grfico e com o valor medido observou-se que
um desses valor encontrado no grfico era o mais prximo do medido o 237,5 com o
medido 237 e observou-se que no data sheet esse valor do beta tem um valor variado
entre o mnimo e o mximo e concluiu-se que o beta varia em funo de Ic e que no
data sheet existe uma condio de tenso entre o coletor e o emissor e tambm de
corrente no coletor que : VCE=5V, IC=2mA
Tambm sabe-se que ganho de um transstor, uma caracterstica do transistor, o
fator de multiplicao da corrente de base (I
b
)ou Beta ou hfe do transstor.
A formula matemtica que permite efetuar o clculo :
I
c
= I
b
x .
Encontra-se tambm o beta atravs da diviso de Ic por Ib.