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Kultur Dokumente
\
|
|
|
.
|
\
|
+
=
q
E
A ln
q
T k
.
2
1
4
x
A
1 A 2
x
C
0
n
S C
0
R
(3)
2 pour b x
R
>
|
|
.
|
\
|
=
q
E
A ln
q
T k
.
2
1
4
x
A
1 A
x
C
0
n
R
(4)
d
a
N
N
A = Coefficient dasymtrie de dopage
a
N ,
d
N Concentrations de dopage
( )
1 A
A V V 2
x
0
d
n
+
= Epaisseur de la zone de charge despace
d
V est le potentiel de diffusion et
( )
( ) 1 A
A . V V . N q 2
d d
0
+
= le champ lectrique
linterface mtallurgique.
Constante dilectrique des deux semi-conducteurs GaAs et Al
0.4
Ga
0.6
As.
b q
E
C
0 C
=
b q
E
V
0 V
=
On constate que pour ( b x
R
= ), les conditions (3) et (4) concident et donnent lexpression:
( ) A b b
V
= .
( )
=
|
|
.
|
\
|
=
0
E
V E
V
q
T k
L
1
T k
E
.
2
L
4
x
A
1 A
A b
n
(5)
Le courant
R
J prend deux formes selon la position du point
R
x dans la zone de charge
despace.
Si: | |
n R
x , b x alors
=
|
|
.
|
\
|
=
0
E
E
in
R
q
T k
L
T k 2
V q
exp L
n q
2
J
(Courant de Shockley-Noyce-Sah [5] (6)
Si: | | b , 0 x
R
R
J est donn par [6]
|
|
.
|
\
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|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
T k
V q
exp x
T k
q
exp 1 f n
T k
2
J
R
C
ip
V
R
(7)
H. Ben Slimane et al.
262
avec
( )
(
(
|
|
.
|
\
|
+
|
.
|
\
|
+
=
1 A T k
V q
exp
N
n
2
cos
1
1
2
f
d
a
ip
(8)
o:
V
C
= ;
C V
C V
+
= ;
T k
q
C
C
= ;
T k
q
V
V
= ; ( ) +
+
+
= 1 .
A
1 A
La figure 3 reprsente la courbe ( ) A b
V
. Lespace hachur reprsente le domaine de validit
de lexpression de Shockley-Noyce-Sah o le point
R
x se trouve dans la rgion large bande
interdite de la zone de charge despace.
A titre dexemple, si lpaisseur
c
b b = , (Fig. 3), alors le point
R
x se trouve dans le semi-
conducteur large bande interdite pour des tensions
C
V V < .
Si la tension V dpasse la valeur
C
V , le point de recombinaison maximale
R
x va se
dplacer vers la rgion de transition et le courant
R
J sera donn par la formule (7). La condition
pour que le pic soit compltement limin est donn par (6):
1 m
b b > , (avec
b
E
b
C
1 m
= ).
Fig. 3: Domaine de validit de lexpression de Shockley-Noyce-Sah
La figure 4 montre les caractristiques (courant tension) lobscurit de lhtrojonction
p
+
(GaAs)/ n Al
x
Ga
1-x
As/N (Al
0.4
Ga
0.6
As) pour 100 A = , eV 5 . 0 E
g
= et pour diffrentes
valeurs de lpaisseur b .
Les courbes 1 et 2 reprsentent respectivement la densit du courant direct de lhomo jonction
GaAs et de lhtrojonction (p
+
GaAs/ N (Al
0.4
Ga
0.6
As). Dans les deux cas, le courant direct est
calcul par Sah-Noyce, [5]. Il est noter que le courant direct de lhtrojonction est moindre que
le courant direct de lhomo jonction GaAs.
La courbe 3 dcrit la densit de courant dinjection (courant de recombinaison nglig). Les
lignes continues de (4) (7) reprsentent les caractristiques (courant tension) des structures
p
+
(GaAs)/n (Al
x
Ga
1-x
As)/N (Al
0.4
Ga
0.6
As) pour diffrentes valeurs de lpaisseur de la couche de
transition qui diminue de la courbe (4) la courbe (7).
Etude analytique dune cellule solaire htrojonction
263
On remarque que le courant direct dcrot avec la dcroissance de lpaisseur de la couche de
transition. Une partie de la courbe (7) concide avec la courbe (2), ce qui montre que dans les
faibles tensions, le courant direct est minimal, il est donn par la formule de Shockley-Noyce-Sah.
Cest le cas o,
c
b b = de la figure 3).
Pour des tensions peu leves (
1 C
V V V < < , Fig. 3), le courant direct est donn par la
relation (7). Si la tension V dpasse la valeur
1
V , le courant direct prend lallure du courant
dinjection.
Fig. 4: Caractristique courant tension lobscurit de la cellule
p
+
(GaAs)/ n (Al
x
Ga
1-x
As)/ N (Al
0.4
Ga
0.6
As)
3. CELLULE SOLAIRE A HETEROJONCTION
p
+
(GaAs)/n (Al
x
Ga
1-x
As)/N (Al
0.4
Ga
0.6
As)
Le diagramme nergtique de la cellule est reprsent sur la figure (2).
o A la surface claire de lhtrojonction, on dpose une couche fentre de type p, cette couche
est trs troite dune manire quon peut ngliger son absorption de la lumire, donc
contribution au photo courant.
o Entre les deux semi-conducteurs GaAs et Al
0.4
Ga
0.6
As bandes interdites 1.42 eV et 1.92 eV
respectivement, on a une couche de transition bande interdite variable, cette couche est de
type n, elle est localise dans la zone de charge despace.
o Vitesse de recombinaison linterface entre la fentre et la couche p
+
-(GaAs) nulle.
o Puisque lAsGa absorbe la quasi-totalit des photons incidents sur 2 3 m dpaisseur [1] et
si on prend une paisseur de lAsGa (d > 3 m), alors la lumire ne peut atteindre que la zone
(absorbante) ] x , d [
p
, [4].
o Dans le but de diminuer la rsistance srie, on va rduire lpaisseur de la zone arrire
] H , x [
n
.
Finalement, le courant dans la rgion ] x , d [
p
est un courant de diffusion.
La densit de courant total dans la cellule aux points
p
x x = , scrit:
H. Ben Slimane et al.
264
( ) ( ) ( ) ( )
( )
( ) ( )
( )
|
|
|
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
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|
|
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.
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.
|
\
|
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|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
=
1
L
L
x d
gh tan
. x d exp
L
x d
cosh
1
L 1
R 1 q
1
T k
V q
exp
L
x d
tanh
L
n D q
J
n
n
p
p
n
p
2
n
2
2
n
p
n
0 p n
T
(9)
n
x W et 0 x
p
, donc on peut simplifier lexpression du courant total comme:
( ) 1 e J J J
T k V e
S ph
=
|
|
.
|
\
|
=
n n
0 p n
S
L
d
tanh
L
n D q
J (10)
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
( )
( ) ( )
( )
|
|
|
|
|
.
|
\
|
+
|
|
.
|
\
|
|
|
|
|
|
.
|
\
|
|
|
.
|
\
|
= 1
L
L
d
gh tan
. d exp
L
d
cosh
1
L 1
R 1 F q
J
n
n
n
2
n
2
2
0
ph
(11)
Certains porteurs de charges se recombinent en traversant la zone de charge despace. La
densit de courant de recombinaison sajoute la densit de courant
T
J .
La figure 5 reprsente la caractristique courant tension de la cellule solaire la base de
lhtrojonction p
+
(GaAs)/ /N (Al
0.4
Ga
0.6
As) interface graduelle.
La courbe 1 reprsente la caractristique courant tension dune cellule homojonction
base dAsGa, o la zone de charge despace une largeur de bande interdite constante, le courant
direct de cette homojonction est calcul par le modle de Shockley-Noyce-Sah, [5].
La courbe 2 reprsente la caractristique courant tension de la cellule solaire base
dhtrojonction p
+
(GaAs)/ /N (Al
0.4
Ga
0.6
As) o, on nglige le courant de recombinaison dans la
zone de charge despace.
Les courbes 3 6 montrent que le courant total dbit par la cellule (p
+
GaAs/n Al
x
Ga
1-x
As/N
Al
0.4
Ga
0.6
As) crot avec la dcroissance de lpaisseur b .
Etude analytique dune cellule solaire htrojonction
265
Fig. 5: Caractristique courant tension de la cellule
p
+
(GaAs)/n (Al
x
Ga
1-x
As)/N (Al
0.4
Ga
0.6
As)
La figure 6 montre la variation du rendement de conversion photovoltaque avec lpaisseur
b . Cette augmentation est due essentiellement ce que le courant direct a diminu.
Fig. 6: Rendement de conversion photovoltaque de la cellule
p
+
(GaAs)/n (Al
x
Ga
1-x
As)/N (Al
0.4
Ga
0.6
As)
4. CONCLUSION
Dans ce travail, nous avons montr que nous pouvons diminuer le courant de recombinaison
par lutilisation des cellules htrojonctions bande interdite variable dans la zone de charge
despace.
Nous avons vu que la couche de transition graduelle permet dliminer le pic qui apparat au
niveau de la jonction entre les deux semi-conducteurs de nature diffrente. Cette barrire influe
sur la sparation des porteurs, qui est ncessaire pour le fonctionnement de la cellule.
Ltude de la recombinaison dans une zone de charge despace, comportant une couche de
transition bande interdite variable et une rgion bande interdite large montre que le courant de
H. Ben Slimane et al.
266
recombinaison diminue avec la diminution de lpaisseur de la couche de transition. Cette
diminution ne doit pas dpasser une valeur minimale laquelle le pic est toujours limin.
REFERENCES
[1] M. Orgeret, Les piles Solaires, le Composant et ses Applications, Edition Masson, 1985.
[2] H.J. Hove land J.M. Woodall, Ga
1-x
Al
x
As GaAs p-p-n Heterojunction Solar Cell, Journal of
Electrochemical Society, Vol. 120, p. 1246, 1973.
[3] A.L. Fahrebruch and R.H. Bube, Fundamentals of Solar Cells, Photovoltaic Solar Energy Conversion,
Academic Press, 1983.
[4] D.T. Cheung, S.Y. Chiang and G.L. Pearson, A Simplified Model for Graded-Gap Heterojunctions, Solid
State Electronics, Vol. 18, pp. 263 266, 1975.
[5] Chih-Tang Sah, Robert N. Noyce and W. Shockley, Carrier Generation and Recombination in p-n
Junctions and p-n Junction Characteristics, IRE 45, pp. 1228 1243, September 1957.
[6] O.V. Konstantinov and O.A. Mezrin, Recombination in deep levels in the p-n Heterojunction, Vol. 19,
N7, p. 796, 1986.
[7] O.V. Konstantinov, O.A. Mezrin, B.V. Egorov, V.M. Lantratov and S.I. Troshkov, Theory of a Solar Cell
with a Band-gap Gradient in the Space Charge Region of p-n Heterojunction, Sov. Phys. Semicond., Vol.
20, N7, p. 796, 1986.