Trabalho cientfico apresentado como avaliao parcial da disciplina de Qumica Inorgnica sob orientao do professor Daniel Thiele.
Macei/AL- 2014 3
Sumrio 1-Objetivos ..................................................................................................................... 04 2-Introduo ................................................................................................................... 05 3-Estruturas dos slidos................................................................................................06 3.1-Clulas unitrias: definio e classificao...............................................................06 3.2-Sistemas de empacotamento em camadas.................................................................09 3.3- Interstcios tetradricos e octadricos......................................................................10 3.4-Nmero de coordenao e grau de ocupao............................................................11 3.5-Polimorfismo e alotropia...........................................................................................12 3.6-Ligas..........................................................................................................................13 3.7-Sistemas cristalinos inicos.......................................................................................14 3.8-Relao de raios em sistemas cristalinos inicos......................................................17 3.9-Defeitos em slidos cristalinos..................................................................................19 4-Concluso....................................................................................................................22 5-Referncias Bibliogrficas.........................................................................................23
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1. OBJETIVO
A compreenso da qumica dos compostos em estado slido central para o estudo de muitos materiais inorgnicos importantes, tais como as ligas, os sais simples de metais, os pigmentos inorgnicos, os materiais de estrutura manomtrica, as zelitas e os supercondutores de alta temperatura. 5
2. INTRODUO
Ao se entender as estruturas slidas, deve se analisar ela como um modelo mais simples, onde os tomos so representados por esferas rgidas e a estrutura do slido o resultado do empilhamento compacto dessas esferas. Este empilhamento compacto fornece uma boa discrio de muitos metais e ligas e um bom caminho para analise dos numerosos slidos inicos. Entende-se tambm que, estruturas slidas simples podem ser consideradas como as unidades estruturais bsicas para a construo de materiais inorgnicos mais complexos, onde o carter covalente parcial da ligao influncia a escolha da estrutura e, assim, as tendncias no tipo estrutural adotado pelo slido se correlacionam com as eletronegatividades dos tomos constituintes, chegando as estruturas eletrnicas dos materiais em termos de uma extenso da teoria dos orbitais moleculares para os arranjos praticamente infinitos de tomos encontrados nos slidos. Sabe-se que a maioria dos compostos inorgnicos existe como slidos, os quais so formados por arranjos ordenados de tomos, ons ou molculas. Alguns slidos mais simples so metais, cujas estruturas podem ser descritas em termos do preenchimento do espao por arranjos regulares dos tomos metlicos. Onde eles interagem entre si atravs da ligao metlica, gerando deslocamento de eltrons por todo o slido. Assim, os metais so maleveis e dcteis porque os eltrons podem ajustar-se rapidamente ao reposicionamento dos ncleos dos tomos metlicos e no h direcionalidade na ligao; eles so lustrosos porque os eltrons podem responder quase que livremente a uma onda incidente de radiao eletromagntica e refleti-la. Por outro lado, tambm h os slidos inicos que so aquele cuja rede cristalina formada por ligaes inicas, encontrando-se os ies dispostos de tal forma que alcanam uma configurao estvel, submetidos a interaes mtuas. Os slidos inicos apresentam as seguintes propriedades macroscpicas: baixa condutividade, tanto eltrica como trmica, temperatura normal, aumentando para temperaturas elevadas; dureza, fragilidade e um ponto de fuso alto, originado pelas foras eletrostticas que atuam entre os ies; Precisando os ies de momentos magnticos, apresentam tambm diamagnetismo. 6
3. ESTRUTURAS DOS SLIODOS O arranjo de tomos ou ons nas estruturas slidas simples pode, frequentemente, ser representado por diferentes arranjos de esferas rgidas. As esferas usadas para descrever os slidos metlicos representam os tomos neutros, porque cada ction ainda est rodeado pelo seu complemento de eltrons. As esferas usadas para descrever slidos inicos representam os ctions e os nions, uma vez que houve uma substancial transferncia de eltrons de um tipo de tomo para o outro So pequenas grupos de tomos que formam um padro repetitivo. 3.1- Clulas unitrias: definio e classificao Uma clula unitria escolhida para representar a simetria da estrutura cristalina, ela consiste na unidade estrutural bsica ou bloco de construo bsico da estrutura cristalina e define a estrutura cristalina em virtude da sua geometria e das posies dos tomos no seu interior.
Uma clula unitria de um cristal uma regio imaginria, de lados paralelos ( um paraleleppedo), a partir do qual o cristal inteiro pode ser construdo por deslocamentos puramente translacionais; as clulas unitrias assim geradas se encaixam juntas preferencialmente, sem excluir qualquer espao. Os ngulos (,,) e os comprimentos (a,b,c) usados para definir o tamanho e forma de uma clula unitria so os parmetros da clula unitria , logo, por conveno, o ngulo entre a e b o , o entre b e c o e o entre a e c o . As clulas unitrias podem ser escolhidas de vrias formas, mas a perfeita geralmente a menor clula que exibe a maior simetria. Com 7
isso as relaes entre os parmetros nas trs dimenses, como resultado da simetria da estrutura, do origem a sete sistemas cristalinos. Os sete sistemas cristalinos Sistema Relaes entre os parmetros de rede A clula unitria definida por Simetrias essenciais Triclnico abc 90 a b c Nenhuma Monoclnico abc 90=90 a b c Um eixo binrio de rotao Ortorrmbico abc ===90 a b c Trs eixos binrios perpendiculares ou planos de reflexo Rombodrico a=b=c ==90 Um eixo ternrio de rotao Tetragonal a=bc ===90 a c Um eixo quaternrio de rotao Hexagonal a=bc =120 a c Um eixo de rotao de ordem seis Cbico a=b=c ===90 a Quatro eixos ternrios de rotao. Arranjos tetraedricamente.
Observe como seria o arranjo de cada uma no espao. Note que o entorno de cada ponto de rede idntico, consistindo de 8 outros pontos de rede nos vrtices de um cubo. Lembrando que, redes centradas so algumas vezes, preferidas em relao primitiva, pois a simetria estrutural essencial da clula mais aparente. Lembrando que uma clula unitria primitiva tem exatamente um ponto de rede na clula unitria j a clula de corpo centrado com dois e quatro pontos de rede em cada clula unitria.
1 Rede de linha um arranjo de pontos tridimensional, onde cada um dos pontos est rodeado por pontos vizinhos, os quais definem a estrutura do cristal. 8
Vale ressaltar que a posio de um tomo em uma clula unitrio normalmente descrita em termos de coordenadas fracionais, que so coordenadas expressas como uma frao do comprimento de um lado da clula unitria. Dos 7 sistemas cristalinos podemos identificar 14 tipos diferentes de clulas unitrias, conhecidas com redes de Bravais. Cada uma destas clulas unitrias tem certas caractersticas que ajudam a diferenci-las das outras clulas unitrias. Alm do mais, estas caractersticas tambm auxiliam na definio das propriedades de um material particular. Alguns metais e no-metais podem ter mais de uma estrutura cristalina dependendo da temperatura e presso. Esse fenmeno conhecido como polimorfismo. Geralmente as transformaes polimorficas so acompanhadas de mudanas na densidade e mudanas de outras propriedades fsicas. 3.2- Sistemas de empacotamento em camadas
Muitos slidos inicos e metlicos podem ser considerados como construdos a partir de entidades tais como tomos e ons, representados como esferas rgidas. Se no h ligaes covalentes direcionais, estas esferas esto livres para empacotarem to prximas quanto a geometria permitir e, consequentemente, adotar uma estrutura de empacotamento compacto, na qual h um mnimo de espao ocupado. Uma das estruturas mais comum de empacotamento compacto so as cbicas e hexagonal. Onde 9
possui nmero de coordenao de uma esfera em um arranjo 12, o maior nmero possvel que a geometria permite. Quando ocorre alguma participao de ligaes direcionais, as estruturas resultantes no so mais de empacotamento compacto e o nmero de coordenao menor do que 12. Lembrando que o empacotamento compacto de esferas idnticas pode resultar numa variedade de polotipos. Observando como aconteceria esses empacotamentos, note que o espao no ocupado em uma estrutura corresponde a 26% do volume total, entretanto, este espao no ocupado no esta vazio em um slido real, porque a densidade eletrnica no termina abruptamente como o modelo de esferas rgidas sugere. O tipo de distribuio dos vazios so importantes uma vez que muitas estruturas, incluindo aquelas de algumas ligas e muitos compostos inicos, podem ser consideradas como formadas a partir de um arranjo de empacotamento compacto expandido, no qual tomos ou ons adicionais ocupam todos ou alguns dos stios vazios. Note que empacotamento compacto hexagonal (ECH) tem como padro de camada ABAB... Onde A simboliza camadas que tm esferas diretamente acima uma das outras e igualmente para B, origina uma estrutura com uma clula unitria hexagonal, e assim denominado empacotamento compacto hexagonal.
(empacotamento compacto hexagonal)
J o empacotamento compacto cbico tem um padro de camada ABCABC..., onde C simboliza camadas que possuem esferas diretamente acima uma das outras, mas no acima das camadas A ou B, corresponde a estrutura com uma clula unitria cbica, e assim denominado empacotamento compacto cbico(ecc) ou, mais especificamente, cbico de face centrada. 10
(empacotamento compacto cbico)
Os arranjos ech e ecc so modelos simples mais eficientes de preenchimento do espao com esferas idnticas. Eles diferem somente na sequncia de empilhamento das camadas de empacotamento compacto, e outras sequncias mais complexas de empacotamento compacto podem ser formadas pelo posicionamento de planos sucessivos em diferentes posies relativas aos seus vizinhos. Qualquer coleo de tomos tais como os tomos dessas estruturas, a menos que existam razes energticas adicionais, especificamente interaes covalentes, para a escolha de arranjos alternativos. 3.3- Interstcios tetradricos e octadricos
Sabe se que mesmo sendo empacotamentos densos, restam espaos vazios entre os tomos, que so chamados interstcios. Estes interstcios podem ser ocupados por outros tomos menores em uma liga metlica. As redes compactas cfc e hcp possuem dois tipos de interstcios, os tetradricos e os octadricos. Onde os stios tetradricos so menores de que os stios octadricos. Sabe-se que um stio tetradrico formado por um tringulo plano de esferas que se tocam, encimadas por uma nica esfera posicionada sobre a depresso entre elas. Os stios tetradricos em qualquer slido podem ser divididos em dois tipos: em um deles, o pice do tetraedro dirigido para cima(T), e no outro o pice aponta para baixo(T). Em um arranjo de N esferas, h N deles de cada tipo e 2N no total. J em um stio octadrico situa-se entre dois tringulos planos de esferas em camadas vizinhas. Para um cristal considerado de N esferas em uma estrutura, h N stios octadricos. 11
A figura a seguir exibe um empilhamento de dois planos compactos de esferas de mesmo tamanho, que pode representar tanto a rede cfc quanto a rede hcp. O plano superior constitudo de esferas transparentes. O plano inferior por esferas azuis claras. Onde possvel identificar ambos os tipos de interstcios.
Os interstcios octadricos esto ocupados por esferas vermelhas. Tomando uma esfera do plano compacto inferior como referncia, nota-se que h sempre uma esfera vermelha associada a ela. Isto significa que para cada esfera do plano compacto h um interstcio octadrico. Em redes cristalinas inicas compactas, as esferas dos planos compactos representam os ons maiores e as esferas menores que ocupam os interstcios octadricos representam os ons menores. Os interstcios tetradricos esto ocupados por esferas azuis escuras e por esferas amarelas. Tomando-se uma esfera do plano compacto inferior como referncia, nota-se que h sempre uma esfera tetradrica amarela associada a ela. H tambm uma esfera azul escura para cada esfera do plano compacto inferior. Portanto, ao todo, para cada esfera do plano compacto, h dois interstcios tetradricos. Em redes cristalinas inicas compactas, as esferas dos planos compactos representam os ons maiores e as esferas menores que ocupam os interstcios tetradricos representam os ons menores. Note que, nem todos os stios podem estar ocupados em uma estrutura cristalina. Isto depende das cargas de cada on e da estequiometria do material.
3.4- Nmero de coordenao e grau de ocupao
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Nem todos os metais apresentam empacotamento compacto, e alguns outros padres de empacotamento usam o espao de forma quase to eficiente. Mesmo os que seguem o padro mais comum podem sofrer uma transio de fase para uma estrutura menos compacto quando eles so aquecidos e seus tomos sofrem vibraes de grande amplitude. Uma estrutura comum a cbica de corpo centrado (ccc) na qual h uma esfera no centro de um cubo, com esferas em cada vrtice. Metais com essa estrutura tm um nmero de coordenao 8, uma vez que o tomo central est em contato com os tomos nos vrtices da clula unitria. A estrutura ccc adotada por quinze dos elementos nas condies padro, incluindo todos os metais alcalinos e os metais dos grupos 5 e 6. Desta forma, este arranjo simples de tomos algumas vezes chamado do tipo tungstnio A estrutura metlica menos comum a estrutura cbica primitiva, na qual as esferas esto localizadas nos pontos de rede de uma rede cbica primitiva, tomadas como vrtices de um cubo. O nmero de coordenao de uma estrutura desse tipo 6. Uma forma de polnio o nico exemplo desta estrutura entre elementos sob condies normais, no entanto h elementos que possuem estruturas prximas. A partir desses aspectos deve levar em considerao que o nmero de vizinhos mais prximos de um tomo em uma determinada estrutura que denominado nmero de coordenao os nmeros de coordenaes das estruturas mencionadas at agora so 12,8 e 6. J o grau de ocupao a quantidade de vazios (Interstcios) tambm diferente para as estruturas, onde esse grau de ocupao denominado fator de empacotamento atmico(FEA), onde definido como: FEA=
3.5- Polimorfismo e alotropia Vrios elementos apresentam no estado slido diferentes estruturas cristalinas. A denominao para isto alotropia. Quando o slido uma substncia composta, a denominao habitualmente usada polimorfismo. Estas mudanas de estruturas geralmente ocorrem em funo de variaes de temperatura e presso. Elas causam 13
variaes de volume de alguns porcentos, isto , muito altas para serem acomodadas elasticamente em um slido cristalino. Em outras palavras, estas transformaes acarretam deformao plstica (permanente). Geralmente so classificados como , , , ... com o aumento da temperatura. A estrutura ccc comum a altas temperaturas para metais com empacotamento compacto a baixas temperaturas, porque o aumento da amplitude das vibraes atmicas no slido mais aquecido demanda uma estrutura empacotada menos densa. Para muitos metais como clcio, titnio e mangans, a temperatura de transio esta acima da temperatura ambiente. Para outros como ltio e sdio, a temperatura de transio est abaixo da temperatura ambiente. A estrutura ccc favorecida por um nmero pequeno de eltrons de valncia por orbital. Esta observao sugere que um mar de eltrons denso necessrio para atrair ctions para o interior do arranjo empacotado compacto e que os metais alcalinos no possuem eltrons de valncia suficientes para alcanar tais empacotamentos compactos. 3.6- Ligas
uma mistura de metais preparada por meio da fuso de componentes, logo depois resfriada. Elas podem ser solues slidas homognea, na qual os tomos de um metal so distribudos ao acaso entre os tomos de outro ou, solues slidas com composio e estrutura interna definida. Solues slidas so algumas vezes classificadas como substitucional ou intersticial. Soluo slida substitucional aquela na qual os tomos do metal soluto ocupam algumas das localizaes dos tomos do metal solvente.
So formadas quando trs critrios so satisfeitos:
Os raios atmicos dos elementos so aproximadamente 15% um do ouro. As estruturas cristalinas dos dois metais puros so as mesmas; isto 14
indica que as foras direcionais entre os dois tipos de tomos so compatveis entre si. O carter eletropositivo dos dois componentes similar; caso contrrio, a formao de um composto seria mais provvel. Soluo slida intersticial aquela na qual os tomos do soluto ocupam os interstcios (os buracos) entre os tomos do solvente. So formadas por soluto no- metlico (tais como boro e carbono), que possuem tomos pequenos o suficiente para habitar os interstcios na estrutura do solvente. Por motivos geomtricos e com nenhuma reconstruo da estrutura cristalina, para acomodar esferas rgidas dos tomos de H,B,C ou N, os raios atmicos dos tomos metlicos hospedeiros devem ter no menos do que 0,90 , 1,95 , 1,88 ou 1,80 , respectivamente. Solues slidas com composio e estrutura interna definida so aquelas formadas entre dois metais considerados mais apropriadamente compostos reais, apesar da similaridade das eletronegatividade dos metais.
3.7- Sistemas cristalinos inicos
Slidos inicos, tais como o cloreto de sdio e o nitrato de potssio, so frequentemente reconhecidos por serem quebradios, porque os eltrons que so disponibilizados pela formao dos ctions esto localizados, formando um nion vizinho, ao invs de contriburem para um mar de eltrons mvel e malevel. Slidos inicos comumente tm altos pontos de fuso e so solveis em solventes polares, particularmente em gua. Nos cristais puramente inicos, os poliedros aninicos so arranjados de modo a manter neutralidade eltrica e minimizar a energia de ligao por unidade de volume, sem induzir qualquer repulso forte entre ons de mesmo sinal. A repulso maior entre os ctions porque sua carga est concentrada num menor volume e ento os poliedros devem ser empilhados de modo que os ctions, nos centros, estejam o mais afastados possvel uns dos outros, de modo que a repulso seja desprezvel. Pequenos poliedros de coordenao (tringulos e tetraedros) em torno de ctions altamente carregados usualmente compartilham entre si apenas seus vrtices, maximizando assim a distncia entre ctions. menos comum que compartilhem arestas e nunca so empilhados face a face. medida que o nmero 15
de coordenao cresce e a carga do ction decresce, os poliedros aninicos podem ser empilhados mais compactamente, isto , podem compartilhar arestas ou mesmo faces, sem que os ctions se aproximem muito uns dos outros. Os arranjos dos poliedros de coordenao de algumas estruturas cristalinas mais representativas ilustram esses pontos. Estruturas cristalinas que contm ctions coordenados tetradrica ou octaedricamente e que no so fortemente carregados podem tambm ser discutidas dentro do mesmo ponto de vista geomtrico. Se os ctions no so altamente carregados, os poliedros aninicos podem ser empilhados o mais compactamente possvel, para minimizar a energia por unidade de volume; e um arranjo repetitivo, compacto, de tetraedros, contm espaos octadricos entre os tetraedros. Do mesmo modo, um arranjo repetitivo, compacto, de octaedros, contm espaos vazios tetradricos. Isto outro modo de dizer que nem os tetraedros, regulares, nem os octaedros regulares, sozinhos, podem preencher completamente o espao, mas uma combinao dos dois o far. Ento, consideraremos os dois, conjuntamente. Cristalograficamente, esta combinao de tetraedros e octaedros corresponde a colocar nions nas posies atmicas da estrutura CFC ou HC, ficando os ctions nas posies entre eles, coordenadas tetradrica ou octaedricamente. A classificao de um slido como inico baseada na comparao de suas propriedades com aquelas do modelo inico, o qual trata o slido como um conjunto de esferas carregadas com cargas opostas que interagem primariamente por foras coulombianas no direcionais, juntamente com as repulses entre as camadas eletrnicas completas dos ons em contato. Se as propriedades termodinmicas calculadas para o slido por este modelo concordam com os resultados experimentais, ento o slido pode ser inico. H alguns slidos inicos que ganham destaque, no caso da estrutura da sal- gema que baseada em um arranjo cfc de nions volumosos no qual os ctions ocupam todos os buracos octadricos. O nmero de coordenao de cada tipo de on , 6; assim, diz-se que a estrutura tem coordenao (6,6). Nesta notao, o primeiro nmero entre parntese o de coordenao do ction, e o segundo o de coordenao do nion. Para visualizar o ambiente local de um on na estrutura do sal-gema, observamos 16
que os seis vizinhos mais prximos do on central da clula mostrada na figura encontram-se nos centros das faces das clulas e formam um octaedro ao redor 18 do on central. Todos os seis vizinhos possuem uma carga que oposta aquela do on central.
Uma outra estrutura que vale apena mencionar a estrutura do cloreto de sdio(CsCl), onde ela tem uma clula unitria cbica de corpo centrado, com cada vrtice ocupado por um nion e um ction ocupando o buraco cbico no centro da clula. A coordenao , portanto, (8,8), como mostrado na figura:
Muito menos comum que a estrutura do sal-gema e encontrada em cloretos, brometos e iodetos de Cs e Tl e muitos outros compostos e ligas metlicas. A estrutura da esfarelita , ou tambm conhecida como blenda de-zinco, recebe esse nome pela formao do mineral ZnS. Como a estrutura do sal-gema, ela baseada numa rede de nions ecc expandida, mas neste caso os ctions ocupam um tipo de stio tetradrico, metade dos stios tetradricos presentes na estrutura de empacotamento compacto. Cada on est rodeado por quatro vizinhos, de forma que a estrutura tem coordenao (4,4). A estrutura da fluorita(CaF2) Recebe seu nome de seu exemplar fluorita (CaF2). Nesta os ctions ocupam metade dos buracos cbicos em um arranjo primitivo cbico 17
de nions. Alternativamente, os nions ocupam ambos os tipos de buraco tetradrico numa rede de ctions cfc expandida. Assim a estrutura tem coordenao (8,4). A estrutura da wurtzita (ZnS) Recebe o nome de outro polimorfo de ZnS. Ela difere da estrutura da esfarelita, sendo derivada de um arranjo de nions de ech, expandido, com ctions ocupando um tipo de buraco tetradrico. Apresenta coordenao (4,4) e aparece no ZnO, AgI, em um polimorfo de SiC e em vrios outros compostos. Por fim, a strutura do rutilo(TiO2), que retirou seu nome do rutilo, uma forma mineral do xido de titnio, TIO2. Esta estrutura consiste de uma rede de nions ech, com ctions ocupando metade dos buracos octadricos. Apresenta coordenao (6,3) e ocorre em vrios xidos metlicos (SnO2 e PbO2) e difluoretos de metais de transio. Lembrando que ainda h varias outras estruturas dependendo apenas das suas fazes.
3.8- Relao de raios em sistemas cristalinos inicos
Uma dificuldade com a qual se confrontam muitos estudantes o significado do termo raio inico. Como se sabe necessrio repartir a separao internuclear dos ons vizinhos mais prximos entre duas espcies diferentes. A maneira mais direta de resolver o problema presumir o raio de um on e, ento, usar este valor para calcular um conjunto de valores autoconsistentes para todos os outros ons. Existe uma relao de raios que diz que, a razo dos raios do menor on(r < ) e do maior on(r > ), ou seja = Esta razo d uma indicao do nmero de coordenao provvel (NC) de um composto: quanto mais alto o raio, maior o nmero de coordenao. Em muitos casos, r < o raio do ction e r > o raio do nion. A razo mnima de raio que pode tolerar um dado nmero de coordenao ento calculada considerando o problema geomtrico de empacotamento de esferas de tamanhos diferentes. Uma lista parcial da proporo limite dos raios dada na tabela abaixo: 18
A Tabela acima indica que o nmero de coordenao 12 possvel quando a proporo dos raios 1,000. Geometricamente possvel colocar 12 tomos ao redor de um tomo central, porm impossvel obter uma mtua coordenao 12 para ctions e nions por causa de limitaes geomtricas. Tal nmero de coordenao ocorre em estruturas cristalinas complexas de xidos metlicos mistos, nos quais um dos metais atua como um dos tomos que compem o empacotamento denso e o outro est localizado nos interstcios. Em geral, conforme diminui o volume dos ctions o retculo estabilizado (a energia reticular torna-se mais negativa) at a ocorrncia do contato nion-nion. Um encolhimento do retculo, alm disto, impossvel sem diminuio no nmero de coordenao; portanto sulfeto de zinco adota a estrutura wurtzita ou blenda, ganhando energia alm daquela que seria possvel em uma estrutura com um nmero de coordenao maior. Em sais 1:1 ou 1:2, a proporo dos raios normalmente dado pelo raio do menor on (usualmente o ction) sobre o maior, de forma que se pode determinar quantos ons podem ser colocados ao redor do on menor.
Os raios utilizados nesses clculos so aqueles obtidos considerando-se as estruturas sob condies normais. Em altas presses, estruturas diferentes podem ser preferidas, especialmente aquelas com nmeros de coordenao mais altos e maior densidade. Assim, muitos compostos simples se modificam para os nmeros de 19
coordenao (4,4);(6,6) e (8,8), sob presso. A capacidade de prever as estruturas dos compostos sob presso importante para a compreenso do comportamento dos compostos inicos sob tais condies. O xido de clcio, por exemplo, previsto se transforma da estrutura da sal-gema para a estrutura de cloreto de csio a aproximadamente 600kbar, a presso da parte inferior do manto terrestre. 3.9- Defeitos em slidos cristalinos
Compreendesse que cristais reais sempre possuem defeitos. A natureza favorece a presena espontnea deles, pois isto pode reduzir a energia livre da estrutura. Defeitos podem ainda ser introduzidos por fatores externos tais quais tenses, bombardeamento inico, contaminao etc. Um defeito na estrutura cristalina pode ser compreendido como a ruptura de sua regularidade. Os defeitos podem ser classificados como puntiformes, lineares e de superfcie. Com isso, os defeitos na rede cristalina so responsveis por inmeros processos que so fundamentais para a utilizao de certos materiais em engenharia. Por isso, processos que introduzem defeitos nos cristais so desenvolvidos. No caso dos defeitos puntiformes, encontraremos um dos mais simples a lacuna, ou seja, a ausncia de um tomo em uma posio atmica originalmente ocupada por um tomo. As lacunas constituem no nico tipo de defeito que est em equilbrio com o cristal. Assim o n de lacunas para uma dada quantidade de material funo da temperatura de acordo com a equao: N V =Nexp(-Q v /KT) Onde: N o n de tomos; T a temperatura absoluta (K) ; k a constante de Boltzmann (1,38 10 -23 J/tomo K ou 8,62 10-5 eV/tomo K) e Qv a energia de ativao (J ou e V) . Para grande parte dos metais, a frao de lacunas (Nv/N) logo abaixo da temperatura de fuso da ordem de 10 -4 (0,01%) . Exemplo: 1 m3 de Cobre possui 8 1028 tomos e a 1000C apresenta Nv = 2.2 1025. 20
J os defeitos lineares, podemos analisar que so imperfeies da rede que ocorrem ao longo de uma linha. As discordncias so defeitos lineares. Sabe-se da existncia de trs tipos de discordncias: em cunha, em hlice e mista (mistura de discordncia em hlice e em cunha). Onde, a discordncia em cunha pode ser compreendida como um semiplano de tomos introduzido entre planos cristalinos regulares.
(discordncia em cunha)
Onde as discordncias deformam localmente a rede, criando tenses locais compressivas e trativas. Com isso, as discordncias ocorrem naturalmente na rede, como forma de reduzir a energia livre, ou so criadas por tenses externas. Em materiais lentamente resfriados a densidade de discordncias da ordem de um milho de cm de linha de discordncia por cm 3 . Por fim os defeitos de superfcies so imperfeies que ocorrem ao longo de uma superfcie. Estes defeitos possuem alta energia e so responsveis alguns fenmenos. Pode ser feito a analise atravs da superfcie externa onde demarca os limites do cristal. Onde nesta regio existem muitas ligaes desfeitas e tomos deslocados de suas posies regulares. Isto eleva a energia do cristal. A alta energia superficial uma barreira para o processo de crescimento de cristal no incio da solidificao e a causa da sinterizao. Agora se for analisado os contornos de gro, onde eles so as interfaces entre gros. Nestes locais, tm-se o desalinhamento das redes dos gros adjacentes. H maior concentrao de defeitos e ligaes desfeitas. A energia dos contornos de gro depende 21
do nvel de desalinhamento das redes dos gros adjacentes. Os contornos de gro atuam como barreiras ao movimento de discordncias, stios para nucleao de fases e caminhos de propagao de trincas. J as maclas e contornos de maclas. Representam distores da rede cristalina causadas por pequenos deslocamentos dos tomos de suas posies regulares, devido a tenses ou tratamento trmico, fazendo com que a parte deformada da rede parea ser uma imagem da parte no deformada refletida em espelho. A formao de maclas tambm um mecanismo de deformao plstica. A interface entre as pores deformada e no deformada denominada de contorno de macla.
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4. CONCLUSO
A partir dos estudos efetuados para o desenvolvimento desse trabalho foram analisados o processo dos slidos cristalinos, os tomos ou molculas fundamentais que os compem se dispem espacialmente numa forma geomtrica ordenada. Os microcristais bsicos, clulas componentes das redes cristalinas do slido, assumem formas cbicas, rmbicas, tetragonais, hexagonais ou prismticas irregulares. J para os cristais inicos, se destacou o entendimento da sua formao onde h so agregados de ons, tomos ou molculas que, durante transformaes qumicas, perderam ou capturaram eltrons e ficaram eletricamente carregados. Esses ons positivos e negativos se distribuem de forma intercalada, razo pela qual as ligaes resultantes se fundamentam nas foras compensadas de atrao eletrosttica existente entre eles. Com isso, entender os slidos metlicos e inicos e suas caractersticas do ponto de vista qumico, pode facilitar e render grandes lucros quando bem aplicados.
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5. REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS SHRIVER, D.F.; ATKINS, P.W. Qumica Inorgnica, 3 ed., Porto Alegre, Bookman, 2003. ATKINS, P.W.; JONES, Loretta. Princpios de qumica: questionando a vida moderna e o meio ambiente. 3.ed. Porto Alegre: Bookman, 2006. 965 p. LEE, John David. Qumica Inorgnica no to concisa. 1. ed. So Paulo: Edgard Blucher, 2003.