ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

FACULTAD DE INGENIERA ELCTRICA Y ELECTRONICA

LABORATORIO DE:
ELECTRONICA DE POTENCIA


INFORME: PREPARATORIO:

PRCTICA N 05
Ttulo: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MOSFET

Realizado por: Erick S. Pozo B.; Cristian Mora Grupo:
Fecha de entrega: 2014 / 03 /26 f. _____________________
ao mes da Recibido por
Sancin: _____________________________________________

Perodo: 2014-B
Gr -6

INFORME #5


TEMA: TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO MOSFET

OBJETIVO:

Disear el circuito de control para un MOSFET de potencia.
Conocer las caractersticas de conmutacin de los MOSFETs.

DESARROLLO:

Calcular la potencia de disipacin del MOSFET para los dos circuitos diseados
con los datos tomados en el laboratorio.
Circuito 1.
Para el diseo del circuito utilizamos un elemento: transistor mosfet inf740, este
elemento tiene las siguientes caractersticas:

Vss=400V
Rds(0n)=0.55
Id=10

Para esta prctica se utiliz un sistema de control construido a partir de dos lm555 el
cual se encontraba calibrado a una frecuencia de 1Khz.

Para el circuito siguiente tenemos los siguientes clculos de las perdidas en potencia
tanto en el encendido como en el apagado.
Adems el acoplamiento con la seal de control se realiz con una resistencia de 100.







CAPTURAS DE LA PRCTICA:
En esta imagen podemos ver la seal de control y en la parte inferior de la imagen se
observa la seal drenaje-fuente.



En esta imagen podemos observar el pequeo desfase que existe en el encendido.



En esta imagen podemos observar la seal en el tiempo de apagado



En la siguiente imagen podemos observar la multiplicacin de las seales de voltaje y
de corriente.


Clculo de Prdidas Estticas:

Pe=

Pe=

Pe=

Pe=1.16 +

Pe= 2.3W

Clculo de Prdidas Dinmicas:

Pd=

Pd=

) (

Pd=

) (

Pd=

Pd= 6.6 - 2W

Pd= 4.6W

Ptotal= 4.6 + 2.3 = 6.9W

Circuito 2.

Para el siguiente circuito aumentamos una inductancia en serie con la resistencia
adems en el diseo del circuito colocamos un diodo de recuperacin, este
elemento es proteccin para las corrientes de retorno que podran daar el
MOSFET.


ton=100us
toff=250us
Vce=44V
L=14.4mH
Clculo de Prdidas Estticas:
Pe=

Pe=

Pe=

Pe=0.4238 +

Pe= 0.8578W

Clculo de Prdidas Dinmicas:

Pd=

Pd=

Pd=

Pd= 6,14W
Ptotal=9.192W

Seal drenaje fuente y ademas la seal de control


Seal donde se observa los tiempos de encendido y apagado.



En la imagen se observa la multiplicacin de las seales de voltaje y de corriente.



CONCLUCIONES:

En los dos circuitos es muy notorio que el toff>ton.
A pesar de tener una carga totalmente resistiva en el circuito1 donde se coloc
un foco, estos tiempos idealmente deberan ser cero sin embargo aunque
pequeos existi un tiempo transitorio tanto en el encendido como en el
apagado.
Se pudo observar que los tiempos transitorios de encendido y apagado eran
mayores en el circuito2 donde adems del foco que consideramos resistivo se
coloc un inductor.
Si no se coloca un diodo de recuperacin rpida, el MOSFET podra sufrir dao
ya que el inductor se queda cargado, como proteccin se lo coloco as que el
MOSFET que a pesar de trabajar en frecuencias bajas no sufri ningn dao.
Estos tiempos son realmente importante tomarlos en cuenta ya que adems de
que representan perdidas de potencia podran ser causa de que el elemento se
mantenga encendido, claro est si son demasiadamente grandes aquellos
tiempos.



RECOMENDACIONES:

Antes de energizar el circuito revisar que ninguno de los cables este en corto.
Tener mucho cuidado al manipular el capacitor del laboratorio ya que este puede
estar cargado y se podra sufrir una descarga.
Utilizar el diodo de recuperacin rpida para evitar daos en el MOSFET.
Revisar que el fusible del varia se encuentre en buen estado ya que por este
motivo se podra perder tiempo en la prctica.


BIBLIOGRAFIA:

Apuntes de clase de electrnica de potencia, Ing. Luis Morales.
http://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=Irf740