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ESD-Schutz
Voraussetzung fr den erfolgreichen
Aufbau zuverlssiger elektronischer
Systeme
14.08.2012, FED-Regionaltreffen Berlin
Hans-J oachim Gnther, ESD-Consult&Service
Dr.-Ing. Bernd Schildwach, Ing.-Bro QUAPRO
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Der Physiker sagt:
ESD-Schutz ist ganz einfach
2. Sicherung einer langsamen Entladung,
so dass die dabei entstehende Stromstrke keine
Schden verursacht.
1. Vermeidungen von Aufladungen,
die mit ihrem Spannungswert ein Bauelement
gefhrden knnen.
Der Praktiker wei:
Das Radfahren ist auch ganz einfach:
Treten, Treten und Lenken.
Aber wie lange bentigt mancher dies zu beherrschen?
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Triboelektrizitt
C = * A/d U = Q / C
C =Kapazitt; Q =Gesamtladung; U =Spannung
= Dielektrizittskonstante; A = Berhrungsflche; d = Abstand
U =
Q*d
*A
U
1
= 1 mV
d
1
= 1nm
-
-
-
-
+
+
+
+
-
-
-
-
+
+
+
+
d = 0,1m
U
1
> 1 kV
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Einflussfaktoren fr Triboelektrizitt
Q*d
*A
U =
AAbstandstand
Material
(Cohnsche Tabelle)
Berhrungsflche
(Klar-sichthllen))
Weitere Faktoren:
o Reibung (Triboelektrizitt=Reibungselektrizitt)
o Anpressdruck
o Trenngeschwindigkeit
Gesamtladung
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Luft
Menschlicher Krper
Glas
Menschliches Haar
Nylon
Wolle
Seide
Aluminium
Papier
Baumwolle
Eisen
Holz
Hartgummi
Nickel Kupfer
Messing Silber
Gold Platin
Kunstseide
Polysteren
Polyester

Silizium
Cohnsche Tabelle
+
positiv
-
n e g a t i v
Mensch
und
Umfeld
A
u
f
l
a
d
u
n
g
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Influenz
++
++
++
++
++
--
--
--
--
--
--
--
--
--
Polarisation eines elektrisch leitfhigen
Krpers, der sich isoliert in einem
elektrostatischen Feld befindet
-+
+-
-+
+-
-+
-+
-+
-+
+-
-+
nach Verlassen des elektrostatischen
Feldes gleichen sich die Ladungen
wieder aus
++
++
++
++
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Risiko durch Influenz
--
--
--
--
--
--
--
--
--
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
bei kurzzeitiger Erdung wird die positive Ladung
durch den Erdkontakt ausgeglichen
nach Verlassen des elektrostatischen Feldes
berwiegen die negativen Ladungstrger
++
++
++
++
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Einfluss der Luftfeuchte
A: Laufen auf einer Gummimatte
B: Aufnehmen eines Plastik-
beutels von der Werkbank
C: Laufen auf einem Vinyl-Boden
ber eine Entfernung von 6m
D: Aufstehen von einem Stuhl
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Mollirdiagramm
Relative Luftfeuchte
10 20 30 40 50
Rel. Luftfeuchte auen RH1 [%]
10
20
30
40
50
R
e
l
.

L
u
f
t
f
e
u
c
h
t
e

i
n
n
e
n

R
H
2

[
%
]
(
I
n
n
e
n
t
e
m
p
e
r
a
t
u
r
:

2
2

C
)
-10C
0C
10C
20C
25
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mJ
10
1
0,1
0,01
0,001
0,0001
CMOS schnelle Trs. low-Power Trs. kl. Gleichr. Z-Dioden 0,3 1 3 10 (kV)
im Menschen gespeicherte Energie ( W =0,5 C*U
2
, Kap. des Menschen ca. 200 pF )
Strungs-/Zerstrungs-
energie in mJ
min/ max-Schwelle
Energieempfindlichkeiten
Das Risiko
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ESD-Hufigkeiten und Risikobereiche (Entwicklungsumgebung)
0-0,5kV 0,5 -1,0 1,0-1,7 1,7-3,0 3,0-5,0 5,0-8,0 >8,0
%
kV
36
28
20
8
5
2
1
Wahrnehmungsschwelle
90% 10%
MOSFET
J FET
BIPOL. TRS.
SCHOTTKY-TTL
CMOS
Quelle: Baumgrtner/Grtner
ESD-Elektrostatische Entladungen
Das Risiko
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Ziel:
Erarbeitung eines
ESD-Schutzprogramms
Referenzen:
- DIN EN 61340-5-1:2008
- DIN EN 61340-5-1, Beiblatt 1
(IEC/TR 61340-5-2:2007)
- ANSI/ESD S20.20-2007
Durchsetzung wirksamer Manahmen
fr den durchgngigen ESD-Schutz
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DIN EN 61340-2-1:2003,
Elektrostatik, Messverfahren Fhigkeit von Materialien und
Erzeugnissen, elektrostatische Ladungen abzuleiten
DIN EN 61340-2-3: 2000,
Elektrostatik, Prfverfahren zur Bestimmung des Widerstandes und des
spezifischen Widerstandes von festen planen Werkstoffen, die zur
Vermeidung elektrostatischer Aufladungen verwendet werden.
DIN EN 61340-3-1:2003
Elektrostatik, Verfahren zur Simulation elektrostatischer Entladungen
Human Body Model (HBM) Bauelementeprfung
DIN EN 61340-3-2:2003
Elektrostatik, Verfahren zur Simulation elektrostatischer Entladungen
Machine Model (MM) - Bauelementeprfung
Referenzen
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ESD-
Schutzprogramm-
Plan
Welche Geschftsstellen?
Welche Bereiche?
Welche Prozesse?
Welche Verantwortungsbereiche?
G
e
l
t
u
n
g
s
b
e
r
e
i
c
h
Zum Beispiel:
- Erarbeitung neuer Vorschlge zur Gestaltung des
ESD-Schutzes
oder
- Realisierung und Durchsetzung der notwendigen
Manahmen zum ESD-Schutz ?
ESD-
Schutzprogramm
Ziele
Voraussetzungen
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ESD-
Schutzprogramm
Planung der Anforderungen an:
1. Schulungsplan
2. berprfung der Einhaltung
3. Erdungs-/Anschlusssysteme
4. Personenerdung
5. Schutzzonenanforderungen
6. Verpackungssysteme
7. Kennzeichnungen
Von der Norm empfohlene Inhalte eines
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Das Risiko
Aufladungen lassen sich in Arbeitsprozessen nicht vermeiden, jedoch
schdigende Potenzialunterschiede, die zu ESD fhren knnen.
Es muss ein gelenkter Potenzialausgleich realisiert werden, der sichert,
dass die Entladung nicht ber gefhrdete elektronische Bauelemente
erfolgt und dabei die Geschwindigkeit der vorhandenen Arbeitsprozesse
beachtet.
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Schutzmanahmen, die wir heute treffen, knnen bereits
morgen durch Technologieentwicklungen unwirksam sein.
Entwicklung von Halbleiterstrukturen
1985: 1500nm
1990: 700nm
1998: 200nm
2000: 130nm
2002: 90nm
2005: 65nm
2007: 45nm
2008: 32nm
2010: 28nm
2012: 20nm
Das Risiko
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1. Phase: Analyse des IST-Zustandes
2. Phase: Anal yse des SOLL-Zustandes
3. Phase: Konzeption einer nachhaltigen und angemessenen ESD-
geschtzten Handhabung von elektronischen Bauelementen
4. Phase: Beschaffung, Realisierung,
Sicherung der ESD-Schutzmanahmen durch das QM-System
5. Phase: Schulung, Training, Motivation des Personals
6. Phase: kontinuierliche Verbesserungen, Analysen, Audits
Projektlebenszyklus
zum Aufbau und kontinuierlichen Verbesserung eines
ESD-Schutzprogramms
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Entwicklung,
Design
Material,
elektr.
Kompo-
nenten
Fertigung Prfung
Lagerung,
Vertrieb
Schwachstellen, Fehlerquellen-Analyse, z.B.:
Wo sind ESDS-gefhrdende Prozesse vorhanden?
Sind die Schutzmanahmen ausreichend?
Beschaffung
Analyse im geplanten Geltungsbereich
1. Phase: Anal yse des IST-Zustandes
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Analyse aller verwendeten elektronischen Bauelemente / Baugruppen
Analyse der Kenntnisse des Personals
Analyse der Technologien und Ablufe
Analyse bereits vorhandener ESD-Schutzmanahmen und deren
Wirksamkeit
Analyse von bereits aufgetretenen Fehlern
Analyse des notwendigen Publikumsverkehrs
1. Phase: Anal yse des IST-Zustandes
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Welche elektronischen Bauelemente werden im Geltungsbereich
gehandhabt ?
(beschafft/transportiert/verarbeitet/bestckt/gemessen/getestet/verpackt)
Wo, an welchen Arbeitspltzen erfolgt welche Handhabung?
Welche ESD-empfindlichen Bauelemente (ESDS) werden bereits
gehandhabt?
Welche Spannungsempfindlichkeitsschwellen sind bei diesen
Bauelementen (ESDS) zu beachten?
Welche Ladespannungen sind bereits bei welchen Ttigkeiten bekannt?
1. Phase: Anal yse des IST-Zustandes
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Klasse
Spannungsbereich
Human Body Model
0 < 250V
1A 250V bis < 500V
1B 500V bis < 1.000V
1C 1.000V bis < 2.000V
2 2.000V bis < 4.000V
3A 4.000V bis < 8.000V
3B >8.000V
Spannungsempfindlichkeitsklassen nach ESD Association
Quelle: IEC 61340-3-1:2002
1. Phase: Anal yse des IST-Zustandes
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Klasse
Spannungsbereich
Human Body Model
0 < 250V
1A 250V bis < 500V
1B 500V bis < 1.000V
1C 1.000V bis < 2.000V
2 2.000V bis < 4.000V
3A 4.000V bis < 8.000V
3B >8.000V
Spannungsempfindlichkeitsklassen nach ESD Association
Quelle: IEC 61340-3-1:2002
1. Phase: Anal yse des IST-Zustandes
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Klasse
Spannungsbereich
Charge Device Model
C1 < 125V
C2 125V bis < 250V
C3 250V bis < 500V
C4 500V bis < 1.000V
C5 1.000V bis < 1.500V
C6 1.500V bis < 2.000V
C7 >2.000V
Spannungsempfindlichkeitsklassen nach ESD Association
1. Phase: Anal yse des IST-Zustandes
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Klasse Spannungsbereich
Machine Model
M1 < 100V
M2 100V bis < 200V
M3 200V bis < 400V
M4 >400V
Spannungsempfindlichkeitsklassen nach ESD Association
Quelle: IEC 61340-3-2:2002
1. Phase: Anal yse des IST-Zustandes
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ESD-Schutzklassen:
1C, M2, C4
ESD-Empfindlichkeit
1. Phase: Anal yse des IST-Zustandes
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Klasseneinteilung fr ESD-Empfindlichkeiten
Achtung:
Es gibt unterschiedliche Klassenbenennungen!
ESD-Empfindlichkeit
1. Phase: Anal yse des IST-Zustandes
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Device type ESD withstand voltage
sensitivity HBM
Class
MR heads, RF FETs 10 - 100 V 0
Power MOSFETs, PIN diodes, laser diodes 100 - 300 V 0
Pre - 1990VLSI 400 - 1000 V 1A
ModernVSLI 1.000 - 3.000 V 1C
HCMOS 1.500 - 3.000 V 1C
CMOS B Series 2.000 - 5.000 V 2
Linear MOS 800 - 4.000 V 2
Small geometryolder bipolar 600 - 6.000 V 1B
Small geometrymodernbipolar 2.000 - 8.000 V 2
Power bipolar 7.000 - 25.000 V 3A
Filmresistor 1.000 - 5.000 V 1C
ESD-Empfindlichkeit und Klasseneinteilung nach ESDA
1. Phase: Anal yse des IST-Zustandes
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ESD-Empfindlichkeit, Klasseneinteilung nach ESA
1. Phase: Anal yse des IST-Zustandes
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- Class 1: Sensitivity Range 0 to < 1.000 Volts -
Metal Oxid Semiconductor (MOS) devices, including C, D, N, P, V and other MOS
technology without protective circuitry, or protective circuitry.
Surface Acoustic Wave (SAW) devices.
Operational Amplifiers (OP AMP) with unprotected MOS capacitors.
J unction Field Effect Transistors (J FETs)
Silicon Controlled Rectifiers (SCRs) with to <0,175 amperes at +100C ambient
temperature.
Precision Voltage Regulator Microcircuits: Line or Load Voltage Regulation <0,5%.
Microwave and Ultra-High Frequency Semiconductors and Microcircuits:
Frequency >1,0 gigahertz.
Thin Film resistors (Typ RN) with tolerance of <0,1%; power >0,05W.
Thin Film resistors (Typ RN) with tolerance of >0,1%; power <0,05W.
Large Scale integrated (LSI) Microcircuits, including microprocessors and memories
without protective circuitry, or protective circuitry.
(Note: LSI devices usually have 2 to 3 layers of circuitry with metallisation cross-overs
and small geometry active elements.)
Hybrids utilising Class 1 parts.
Quelle: ESA/SCC Basic Specification No. 23800
1. Phase: Anal yse des IST-Zustandes
ESD-Empfindlichkeit und Klasseneinteilung nach ESA
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Welche Prozesse mssen aus der IST-Analyse gendert werden?
Welche Prozesse sind fr eine Neueinfhrung geplant und welche
Arbeitsgeschwindigkeiten haben die neuen Prozesse?
Welche Ableitwiderstnde mssen erreicht werden?
Welche neuen Bauelemente werden fr neue Produkte verwenden
und welche ESD-Empfindlichkeiten weisen diese auf?
Welche Lieferanten werden mit der Fertigung von Teilsystemen
beauftragt?
Welches Personal ist in ESD zu schtzenden Prozessen eingesetzt?
2. Phase: Anal yse des Sollzustandes
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Basis-ESD-Schutzprogramm knnte beinhalten:
A. Geerdete Arbeitsoberflche,
B. Personal, geerdet mit einem Handgelenkerdungsband,
C. ESD-Schutzverpackung, um ESDS von einem Prozess zum
nchsten zu transportieren,
Komplexes-ESD-Schutzprogramm knnte beinhalten:
A. Geerdete Arbeitsoberflche,
B. Personal, geerdet ber ein permanent berprftes
Handgelenkerdungsband,
C. Personal, geerdet ber ESD-Schuhwerk und leitfhiger Fuboden,
D. Personal, das geerdet ESD-Kittel trgt,
E. Ionisation an jedem Arbeitsplatz
Handhabung von elektronischen Bauteilen in den Prozessen
3. Phase: Konzeption des ESD-Schutzes
Der Schutzgrad richtet sich nach den Bauteilen und Prozessschritten
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Anzustrebender
Wertebereich
3. Phase: Konzeption des ESD-Schutzes
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Quelle: Karl H. Helling, Elektrostatik Institut Berlin
3. Phase: Konzeption des ESD-Schutzes
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1. Es gibt keinen allgemeinen ESD-Schutz.
2. Schutzmanahmen mssen in Abhngigkeit von
den konkreten Erfordernissen im Unternehmen
aufgebaut, aufrechterhalten und kontinuierlich
verbessert werden.
3. Normen (z.B. DIN EN 61340-5-1) sind
anwendbare Referenzen und mssen jedoch auf
die Erfordernisse im Unternehmen angemessen
angewendet werden.
4. Der ESD-Schutz muss ein Teil der geltenden
Organisationsregeln werden.
5. Die Organisationsregeln zur Sicherung der Produktqualitt
sind Bestandteil des Qualittsmanagementsystems.
Thesen:
4. Phase: Realisierung
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Integration des ESD-Schutzes in das
Qualittsmanagementsystem der Organisation
Forderung der DIN EN 61340-5-1:2008
Jedes Unternehmen entwickelt sein
- eigenes,
- unternehmensspezifisches und
- mit dem betrieblichen QMS konformes
ESD-Schutzprogramm.
4. Phase: Realisierung
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Klrung der Verantwortlichkeiten durch die Oberste Leitung :
- Einfhrung der Schutzvorkehrungen nach DIN EN 61340-5-1,
- Einsetzen des ESD-Schutzbeauftragten
ESD-Schutzbeauftragter:
- Verantwortlich fr Schutz der ESDS und Umsetzung der
DIN EN 61340-5-1
- Erarbeitung des ESD-Schutzprogramms
Der ESD-Schutzbeauftragter (Normenbezeichnung: ESD-Beauftragter oder
ESD-Koordinator ) kann bei Erfordernis weitere Beauftragte einsetzen.
4. Phase: Realisierung
DIN EN ISO
9001:2008
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Angemessenheit der anzufertigenden
QM-Darlegungen
(Umfang, Darstellungstiefe, Art der Darstellung,
Sprache, Formulierungen)
AA
01
Prozess-
Beschreibungen
QM-
Handbuch
AA
02
AA
03
ESD-Schutz-
Programm
4. Phase: Realisierung
DIN EN ISO
9001:2008
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Schaffung von Vertrauen durch eine
Zertifizierung des QM-Systems:
Nachweis und Besttigung der
Qualittsfhigkeit von Lieferanten
in bereinstimmung
mit einer Referenznorm durch eine
unabhngige Stelle
Zertifikat
4. Phase: Realisierung
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5. Phase: Schulung, Training,
Motivation des Personals
Die Kenntnisse und Motivation des Personals sind die Grundlage fr
die Akzeptanz der festgelegten Handhabungs- und Prozessschritte.
Die kompetente Mitwirkung des Personals ist eine Voraussetzung zur
Aufrechterhaltung und kontinuierliche Verbesserung der ESD-
Schutzfhigkeit unter Beachtung der Wirtschaftlichkeit.
Schulungs-
plan
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Nchster Termin:
16.-18.10.2012
in Erlangen
ESD-Schutz-
management
mit Zertifizierung