Wykad 8

Zjawiska transportu w strukturach niskowymiarowych

W strukturach niskowymiarowych zjawiska transportu przewodnictwo elektryczne,
przewodnictwo cieplne itd., silnie rni si od analogicznych zjawisk w strukturach
trjwymiarowych. Spowodowane to tym, e w niskowymiarowych strukturach zjawiska
transportu s zwizane z natur kwantow nonikw !adunku, a zatem ze zjawiskami
"alowymi inter"erencj i dy"rakcj "al de #rogle$a, ktre odgrywaj teraz wan rol w
transporcie nonikw. %prcz tego, "unkcja gstoci stanw nonikw w strukturach
niskowymiarowych jest inna ni w przypadku struktur trjwymiarowych. &alej, w strukturach
niskowymiarowych powstaj nowe specy"iczne mechanizmy rozpraszania, ktrych 'rak w
strukturze trjwymiarowego gazu elektronowego.
(ransport nonikw !adunku w cia!ach sta!ych zaley od procesw ich rozpraszania.
)lektrony, zderzajc z innymi elektronami al'o rozpraszajc na drganiach sieci krystalicznej,
de"ektach al'o granicach zmieni swj stan. *rednia droga, ktr przechodzi elektron midzy
dwoma kolejnymi aktami rozpraszania nosi nazw redniej drogi swobodnej +mean free
path,.
W uk!adach makroskopowych droga swo'odnego prze'iegu elektronw jest zawsze
znacznie mniejsza od rozmiarw makroskopowej systemy. W niskowymiarowych
nanostrukturach warunki dla transportu nonikw !adunku zupe!nie inne. -a przyk!ad w
strukturach, ktrych rozmiary s mniejsze ni droga swo'odnego prze'iegu, ruch nonikw
zachodzi 'ez rozpraszania +transport balistyczny rys.../,. W!asnoci transportowe struktur
niskowymiarowych zale od nastpujcych parametrw pr'ki.
rednia droga swobodnego przebiegu przy rozpraszaniu sprystym +elastic mean
free path, to jest rednia odleg!o0, ktr przechodzi !adunek midzy dwoma kolejnym
aktami rozpraszania sprystego. W przypadku zwyrodnia!ego gazu elektronowego przy
niskiej temperaturze, t redni drog okrela wzr1
SC F e
l
, gdzie

m E
F F
2 3 4
prdko0 elektronu na poziomie 5ermiego
F
E
, a
3
2
F SC
Dd
4 czas rozpraszania, w ktrym
D 4 wsp!czynnik dy"uzji nonikw, d 4 wymiarowo0 struktury.
rednia droga swobodnego przebiegu przy rozpraszaniu niesprystym +inelastic
mean free path, to jest odleg!o0, na ktrej "ala elektronowa nie zmienia swoj "az wskutek
rozpraszania. (a droga jest rwna F in
l
, gdzie

4 czas relaksacji "azy +al'o energii,

6.
elektronu. 7zasami niespryste rozpraszanie !adunku. charakteryzuj dugoci koherencji
!sp"jnoci# $azowej +phase coherence length,
D l
, gdzie D 4 wsp!czynnik dy"uzji
nonikw. Warto zawsze pamita0, e przy rozpraszaniu niesprystym, rednia droga
swo'odnego prze'iegu oraz d!ugo0 koherencji "azowej s rnymi charakterystykami.
&!ugo0 koherencji "azowej jest mniejsza od redniej drogi swo'odnej przy rozpraszaniu
niesprystym. (e dwa parametry s 'ardzo wane przy analizie warunkw dla inter"erencji
"al elektronowych.
8ys.../. (ory elektronu w przypadku
transportu dy"uzyjnego +a,9 kwazi4
'alistycznego +', i 'alistycznego +c,
W cia!ach sta!ych rednia droga swo'odna dla
rozpraszania niesprystego jest wiksza od
drogi dla rozpraszania sprystego. (ransport
nonikw !adunku w strukturach z rozmiarem
wikszym ni
e
l
, ale mniejszym od
in
l
zachodzi :kwazi%balistycznie;, czyli ze
s!a'ym rozpraszaniem +rys.../,.
Wan charakterystyk nanostruktur jest
dugo fali Fermiego
F F
k 2 3
, gdzie
F
k
4d!ugo0 wektora "alowego na poziomie
5ermiego. <dy = ! elektrony znajduj si
w stanach, dla ktrych F
k k

, co jest
rwnowane "alom elektronowym z
d!ugociami "al
F

.
>orwnujc rozmiar nanostruktury z redni drog swo'odn elektronw oraz z
d!ugoci "ali 5ermiego, ktre s charakterystykami materia!u, mona przewidzie0 g!wne
oso'liwoci ruchu nonikw !adunku w danej nanostrukturze. W metalach rednia droga
swo'odna nawet w 'ardzo niskich temperaturach jest mniejsza od /= nm, co jest mniejsze
al'o rzdu rozmiarw typowych nanostruktur. ? tego powodu transport 'alistyczny w
nanostrukturach metalicznych realizuje si rzadko. %prcz tego, d!ugo0 "ali 5ermiego w
metalach jest rwnie 'ardzo ma!a i zwykle wynosi =,/ =,3 nm. &la tego kwantowanie
poziomw energetycznych w metalach nie jest wanym "aktorem +za wyjtkiem 'ardzo
niskich temperatur, kiedy odleg!o0 midzy dwoma ssiednimi poziomami staje si
porwnywaln z energi ciepln k! ,. ? tego rwnie powodu widmo energetyczne
kwantowych kropek z metalu okrela g!wnie oddzia!ywanie kulom'owskie.
6@
(ransport nonikw !adunku w p!przewodnikach charakteryzuje si wikszej drog
swo'odn, do kilku mikrometrw. -iektre wane parametry dla p!przewodnikw Si i
"a#s dla niskich temperatur s przedstawione w ta'eli ../. Warto podkreli0, e te
parametry s s!uszne dla nonikw !adunku z energi w po'liu poziomu 5ermiego i mog
zmienia0 swoje wartoci w niektrym zakresie. &la :gorcych; nonikw charakterystyki te
s znacznie inne.
W temperaturze pokojowej droga swo'oda rozpraszania niesprystego elektronw
osiga wartoci A= /== nm w Si oraz oko!o /3= nm w "a#s . Best oczywistym, e w
p!przewodnikowych nanostrukturach transport 'alistyczny !atwo realizuje si. %prcz tego
d!ugo0 "ali 5ermiego w p!przewodnikach osiga wartoci C=4A= nm. <dy rozmiar struktury
staje si porwnywalnym z tymi danymi, kwantowanie energii wskutek ograniczenia
kwantowego staje si wanym "aktorem, okrelajcym w!asnoci elektronowe oraz
transportowe nonikw !adunkw struktury.
(a'lica ../. >arametry, charakteryzujcy transport elektronw w Si i "a#s w niskich
temperaturach +( D E,
>arametr, jednostka pomiaru Si "a#s
>rdko0 5ermiego, /=
6
cm2c =,@6 3,6F
&!ugo0 "ali 5ermiego, nm C@ C@
7zas rozpraszania, /=
4/3
c /,/ C,.
7zas relaksacji "azy, /=
4/3
c A,6 /.
Wsp!czynnik dy"uzji, /=
C
cm
3
2c =,A3 /,DA
Swo'odna droga przy rozpraszaniu sprystym, nm /=6 /=A=
Swo'odna droga przy rozpraszaniu niesprystym, nm A== A===
&!ugo0 koherencji "azowej, nm AD= /F3=
Gasa e"ektywna,
=
m =,/@ =,=F6
7zas relaksacji spinu /D4F= mc
H
A4.= ps
w
3.
Si domieszkowanym "os"orem.
&zas relaksacji i ruchliwo'
? podstaw "izyki cia!a sta!ego wynika, e czas relaksacji

, okrelajcy ruchliwo0
nonikw +

m e $ 2
,, opisuje wzr
[ ] , + , + , +
3 /
2
3
3
p E p E %
p
& p
& '

&

, +../,
.=
gdzie k p

4 pd elektronu do rozpraszania9
& p p


2
jest pdem elektronu po
rozpraszaniu9
3
, +& '

4 element macierzowy rozpraszania.
?wykle w "izyce cia!a sta!ego przy o'liczeniach czasu relaksacji

w uk!adach
trjwymiarowych sumowanie w +../, zastpuj na ca!kowanie
( ) ( ) ( ) d ( d&d ( &

)
d& d& d&

)
&
* + ,

sin
D , 3 +
3
3
C C C

,
gdzie ) 4 o'jto0 pr'ki.
W przypadku uk!adu dwuwymiarowego musimy zamieni0 w +../, sumowanie na
nastpujce ca!kowanie
( )
( )
( ) ( )

&d&d

S
d& d&

S
&
+ ,

3 3 3
3 3
3
,
gdzie S 4 pole powierzchni uk!adu dwuwymiarowego.
%'liczenia macierzowego elementu rozpraszania
3
, +& '

wykazuj, e dla
typowych mechanizmw rozpraszania ten element jest "unkcj potgow1
-
#& & '
3
, +

. >o
podstawieniu tego elementu macierzowego do wzoru +../, i wykonaniu odpowiedniego
ca!kowania otrzymuje si, e w przypadku uk!adu dwuwymiarowego
-
D
p S

I
/
3
. +..3,
-atomiast dla uk!adu trjwymiarowego
/ /
C
I
+

-
D
p )
. +..C,
>oniewa a S ) +
a
jest gru'oci '!ony dwuwymiarowego uk!adu,, ze wzorw +..3, i
+..C, znajdujemy

pa
.

D
D

C
3
, +..D,
gdzie
.
jest wielkoci rzdu jednoci.
&la typowych koncentracji nonikw wielko0
/ , 2 + < pa
, a zatem przy identycznym
mechanizmie rozpraszania ze wzoru +..D, wynika, e
D D

C 3
<
, czyli czas relaksacji, a wic
rwnie ruchliwo0, w uk!adzie dwuwymiarowym 'dzie mniejszy ni w uk!adzie
trjwymiarowym i maleje przy zmniejszeniu gru'oci '!ony.
?e wzoru +..D, wynika, e ruchliwo0 nonikw w uk!adzie dwuwymiarowym 'dzie
inaczej zalee0 od temperatury ni w uk!adzie trjwymiarowym. Jstotnie w przypadku gazu
./
elektronowego niezwyrodnia!ego, pdy elektronw 'd rzdu energii cieplnej1
3 2 /
I 3 ! k! m p , a zatem ze wzoru +..D, znajdujemy
!

$
$
D
D
D
D
I
C
3
C
3

. +..A,
W przypadku rozpraszania na domieszkach w trjwymiarowych strukturach
3 2 C
C
I ! $
D
, a
zatem w dwuwymiarowym uk!adzie musi 'y0
3
3
I ! $
D
.
W przypadku gazu elektronowego zwyrodnia!ego energia elektronw jest rzdu
energii 5ermiego + ( ) ( )
C 2 3 3
. 2 C 3 2 n m h E
F
,. ?e wzoru m p E
F F
3 2
3
wynika, e pd
5ermiego
C 2 /
I n p
F
, a zatem zgodnie z +..D,
C 2 /
C
3
C
3
I n

$
$
D
D
D
D

, +..F,
czyli zaleno0 ruchliwoci nonikw !adunku od ich koncentracji w uk!adzie
dwuwymiarowym 'dzie odmienna w porwnaniu ze struktur trjwymiarow.
(ransport balistyczny) *kwantowane przewodnictwo) Wz"r +andauera
7harakter przewodnictwa drutu kwantowego w znacznej mierze zaley od d!ugoci
drutu. Beeli d!ugo0 drutu +nici, kwantowej / jest znacznie wiksza od drogi swo'odnego
prze'iegu elektronw l , w!aciwe przewodnictwo nici o jednostkowej d!ugoci + / / , jest
okrelone zwyk!ym wzorem klasycznym m l ne 0 2
3
, gdzie

jest prdkoci cieplnego

ruchu elektronw,
n
4 koncentracja elektronw. Bednak w odwrotnym przypadku l / <
elektrony docieraj z jednego koKca drutu do drugiego 'ez strat energii, podo'nie do na'oju
wystrzelonego z armaty. (aki ruch swo'odny +'ezzderzeniowy, nonikw nazywaj
balistycznym. %kazuje si, e w przypadku ruchu 'alistycznego przewodnictwo drutu
kwantowego staje si skwantowanym. (eori kwantowania przewodnictwa w strukturach
niskowymiarowych opracowa! Landauer. Me'y zrozumie0 "izyczny mechanizm skwantowania
przewodnictwa w niskowymiarowych uk!adach rozwamy jednowymiarow struktur,
umieszczon midzy metalowymi kontaktami. Eontakty mona uwaa0 za rezerwuary
elektronw o potencja!ach chemicznych +poziomach 5ermiego,
/
$
i
3
$
. Beeli midzy
kontaktami istnieje spadek potencja!u elektrycznego, to rnica potencja!w chemicznych
dwch kontaktw wynosi ( )
3 / 3 /
) ) e $ $ , gdzie
/
)
i
3
)
s odpowiednio potencja!y
elektryczne na metalowych kontaktach. &la uproszczenia za!my, e = ! i gaz elektronw
.3
w dwch kontaktach jest ca!kowicie zwyrodnia!y. (o oznacza, e poziomy energetyczne w
kontakcie lewym i prawym s ca!kowicie o'sadzone przez elektrony do odpowiednich
poziomw 5ermiego1
/
/
$ E
F

i
/
/
$ E
F

.
Beeli
3 /
$ $ >
, to elektrony z lewego kontaktu posiadajce energie
3
$ E <
nie mog
przej0 do drugiego kontaktu, poniewa w tym kontakcie wszystkie poziomy, dla ktrych
3
$ E <
s o'sadzone. N zatem wk!ad w prd elektryczny p!yncy przez drut daj wy!cznie
elektrony z lewego kontaktu o energiach z zakresu
/ 3
$ E $ < <
. ?najdziemy ten prd.
Beeli elektron ma wzd!u drutu kwantowego prdko0

, to jego wk!ad w prd

wynosi / e 2 + / 4 d!ugo0 drutu kwantowego,. 7a!kowity prd znajdujemy sumujc po
wszystkich podpasmach
3 /
n n wk!ady od elektronw z energi
/
3
3
3 2
3 / 3 /
$ m E E $
n n n n
< + <

+

3 /
/
3
3 / 3 /
,
, + , +
n n
$
$
n n n n
dE E g E
/
e
1
, +..6,
(u
, +
3 /
E
n n
4 prdko0 elektronu z podpasma
3 /
n n
w drucie kwantowym, a
, +
3 /
E g
n n
+
4
gsto0 stanw w podpasmie
3 /
n n
dla elektronw poruszajcych si od lewego kontaktu do
prawego. (a gsto0 jest rwna po!owie ca!kowitej gstoci stanw, okrelonej wzorem +F./.,
3 /
3 / 3 /
/ 3 2
, +
3
/
, +
n n * +
n n n n
E E / /
m
E g E g

,
E E
n n
<
3 /
, +...,
poniewa polowa stanw jest o'sadzona przez elektrony poruszajcy si od prawego kontaktu
do lewego.
?e wzorw +..6, i +..., wynika, e niezerowy wk!ad w ca!k we wzorze +..@, 'd
dawa0 tylko podpasma
3 /
n n
dla ktrych
/ 3
3 /
$ E $
n n
< <
. %znaczmy przez 2 ilo0 tych
podpasm.
>oniewa
( ) m E E E
n n n n
2 + 3 , +
3 / 3 /

w iloczynie
, + , +
3 / 3 /
E g E
n n n n
+

czynnik
( )
3 2 /
3 /
n n
E E si upraszcza i
hS S
E g E
n n n n
3 /
, + , +
3 / 3 /

+

, +..@,
gdzie * +
/ / S
4 pole powierzchni przekroju drutu.
?e wzoru +..@, wida0, e iloczyn
, + , +
3 / 3 /
E g E
n n n n

dla wszystkich podpasm jest taki
sam, a zatem
.C
( ) 3
hS
e
$ $
hS
dE E g E
$
$
n n n n
3 3
, + , +
3 /
/
3
3 / 3 /

.,...................+../=,
gdzie
3 /
) ) 3
4 spadek potencja!u na d!ugoci drutu.
>o podstawieniu +../=, do +..6, znajdujemy
23
/ hS
e
dE E g E
/
e
1
n n
$
$
n n n n

3
,
3
, + , +
3 /
/
3
3 / 3 /
. +..//,
?e wzoru +..//, znajdujemy dla przewodnictwa
)
2
h
e
3
1
"
3
3
, +../3,
gdzie S/ ) 4 o'jto0 pr'ki.
%trzymalimy, wic wzr na przewodnictwo idealnego jednowymiarowego
przewodnika w reymie 'alistycznym. ?e wzoru +../3, wynika, e wielko0 h e 2 3
3
jest
"undamentaln jednostk pomiaru przewodnictwa, okrelon tylko przez "undamentalne sta!e
4 !adunek elektronu i sta! >lancka. Wielko0 6D= , C. 2
3
h e

S +mikrosimens, nosi nazw

jednostki kwantowej przewodnictwa +al'o kwantem przewodnictwa,. %dpowiedni opr
.=6 , 3A./3 2
3
e h jest kwantem oporu.
Warto pamita0, e w przypadku, gdy kana! przewodzcy nie jest idealny, procesy
rozpraszania nonikw !adunku zmniejszaj natenie prdu, poniewa prawdopodo'ieKstwo
przenoszenia nonikw !adunku staje si mniejsze od jedynki. (o musimy uwzgldni0 przy
o'liczeniu przewodnictwa kana!u wprowadzajc wsp!czynnik D, okrelajcy
:przezroczysto0; kana!u. Wtedy dla przewodnictwa drutu kwantowego o jednostkowej
o'jtoci + / ) ,, z uwzgldnieniem procesw rozpraszania moemy zapisa0
D 2
h
e
0
3
3
. +../C,
Wzr +../C, nosi nazw wzoru ,andauera.
Schemat uk!adu, w ktrym w /@.. roku 'y!o zao'serwowane zjawisko kwantowania
przewodnictwa w strukturach niskowymiarowych oraz wyniki dowiadczalne s pokazane na
rys...3. Wskie zawenie w :zamroonym; dwuwymiarowym gazie heteroz!cza
#l"a#s "a#s 2 kontroluje si znajdujcymi si na powierzchni heteroz!cza 'ramkami,
majcymi kszta!t skierowanych ku sie'ie ostrych kontaktw. Szczelina midzy kontaktami
wynosi 3A= nm i tworzy drut kwantowy, !czcy dwa o'szary heteroz!cza +wyej i niej
.D
'ramki,, zawierajce dwuwymiarowy gaz elektronw. Me'y :wycisn0; dwuwymiarowy gaz
elektronowy z o'szaru midzy 'ramkami i s"ormowa0 wski kana! przewodniczcy, na
'ramki s przy!oone ujemne potencja!y. -apicie 3 okrela szeroko0 kana!u. >rzy
zwikszeniu ujemnego potencja!u szeroko0 kana!u zmniejsza si i kana! znika. Beeli
szeroko0 kana!u wzrasta, to ronie ilo0 dozwolonych stanw, znajdujcych si niej
poziomu 5ermiego. -a krzywej przewodnictwa powstaj schodki, odpowiadajce iloci tych
stanw 2 .

8ys...3. &owiadczalne dane dotyczce kwantowania przewodnictwa kanale stworzonym w
#l"a#s "a#s 2 . >rzewodnictwo kana!u jest przestawione w jednostkach h e e 2 3 2
3 3
.
(emperatura pr'ki wynosi!a =,A E
? rys...3 wida0, e w zalenoci przewodnictwa elektrycznego tego uk!adu w "unkcji
przy!oonej do 'ramki rnicy potencja!w ) o'serwuje si szereg prawie prostoktnych
stopni, kady o wysokoci D. , 66 2 3
3
h e

S /3@=F 2 /
/

.
-a zakoKczenie tego rozdzia!u zwr0my uwag na to, e istnienie skoKczonego
przewodnictwa w jednowymiarowym drucie kwantowym oznacza, e p!yncy przez drut prd
elektryczny musi w jednostce czasu wydzieli0 energi / ) 0 2
3
. (o jest klasyczne prawo
Boule$a Lenza. 5izyczny mechanizm tych strat energetycznych jest zwizany z tym, e
elektrony przyspieszone w polu elektrycznym oddaj cz0 swojej energii wskutek zderzeK z
sieci krystaliczn. Nle w przypadku ruchu 'alistycznego zak!adamy, e elektrony poruszaj
si 'ez zderzeK. Skd wtedy 'ior si straty cieplneO %kazuje si, e cieplne straty zachodz
nie w drucie kwantowym, a w kontaktach, !czcych drut kwantowy z zewntrznym
o'wodem elektrycznym. W uproszczonym rozwaaniu to mona zrozumie0 w nastpujcy
spos'. Beeli uwaa0 gaz elektronw jako gaz zwyrodnia!y, to w procesie przenoszenia
!adunku uczestnicz tylko elektrony z poziomu 5ermiego. Jnnymi s!owy, wszystkie elektrony,
przy'ywajce do kontaktu lewego z zewntrznego o'wodu posiadaj energi
/
$
+poziom
.A
5ermiego dla lewego kontaktu,. -atomiast elektrony, ktre opuszczaj lewy kontakt i
przechodz do drutu kwantowego, posiadaj energie z o'szaru
/ 3
$ E $ < <
. N zatem, elektrony
przed przejciem do drutu musz odda0 do sieci krystalicznej kontaktu cz0 swojej energii.
*redni energi, ktr oddaje elektron mona oszacowa0 jako
3 2 , +
3 /
$ $
. >odo'ny proces
zachodzi na prawym kontakcie, w ktry przechodz elektrony z energi z o'szaru
/ 3
$ E $ < <
.
>oniewa, elektrony uchodzce w zewntrzny o'wd z prawego kontaktu musz posiadaj
energi
3
$
+poziom 5ermiego prawego kontaktu,, to elektrony w prawym kontakcie musz
:ostygn0; do wartoci energii
3
$
, oddajc do sieci krystalicznej kontaktu energi w rednim
rwn
3 2 , +
3 /
$ $
.
-$ekty inter$erencji kwantowej) ,okalizacja stan"w kwantowych
?jawiska inter"erencji "al elektronowych rozproszonych od rnych centrw
przewodnika mog w znacznym stopniu zmieni0 opr przewodnika. (o po raz pierwszy
udowodni! Landauer wyprowadzajc nastpujcy wzr na opr drutu o d!ugoci /
( )
3
/ 2 3 ePp /
3
, + , +
3
/



l /
2 e
h
/ " / 4 , +../D,
gdzie l 4 droga swo'odnego prze'iegu elektronu.
?e wzoru +../D, wynika, ze w przypadku kwazi'alistycznego ruchu elektronw
/ l >>
l
/
2 e
h
/ 4
kl
/
3
, +
3
. +../A,
Wzr +../A, pokrywa si ze wzorem, ktry wynika, z klasycznego rozwaania procesw
rozpraszania w jednowymiarowym przewodniku, zak!adajc, e elektron jest czstk
klasyczn. ?e wzoru +../A, wynika, e opr drutu ronie liniowo ze wzrostem d!ugoci
przewodnika / . -atomiast, rozwaanie, uwzgldniajce "alowe w!asnoci elektronw,
wykazuje, e jeeli d!ugo0 drutu jest wiksza od drogi swo'odnej elektronu, opr zaczyna
rosn0 nieliniowo ze zwikszeniem d!ugoci drutu. (o wskazuje na to, e w d!ugich drutach
zjawiska inter"erencji kwantowej zaczynaj odgrywa0 wan role. ?jawiska inter"erencji
wymagaj trwa!ej spjnoci "al inter"erujcych. N zatem nadzwyczajne zachowanie oporu w
drutach kwantowych wiadczy o zjawisku tak zwanej lokalizacji stanw kwantowych.
%znacza to, e o'wiedni inter"erujcych midzy so' "unkcji "alowych s przestrzennie
:zamroone; +zlokalizowane, w potencjale pochodzcym od losowo rozmieszczonych w
.F
strukturze centrw rozpraszania. 8ole d!ugoci lokalizacji odgrywa droga swo'odnego
prze'iegu elektronu l .
?e wzoru +../D, wynika, e jeeli l / >> , to opr wzrasta eksponencjalnie ze
wzrostem / i jest wikszy ni k e h @ , /3 3 2
3
. W takim przypadku mwimy o silnej
lokalizacji stanw kwantowych. Beeli / l >> , to mwimy o s!a'ej lokalizacji stanw
kwantowych.
Warto jeszcze raz podkreli0, e zjawiska inter"erencyjne mona o'serwowa0, jeeli
midzy "alami inter"erujcymi zachowuje si rnica "az. W rzeczywistych materia!ach
elektrony rozpraszaj si na rnych przeszkodach, co dzia!a niemoliwym o'serwacj
zjawiska inter"erencji. W p!przewodnikach o wysokiej jakoci, rednia swo'odna droga jest
rzdu I /== Q w temperaturze pokojowej i I /=== Q w temperaturze ciek!ego helu. N zatem
w nanoskopowych urzdzeniach p!przewodnikowych w 'ardzo niskich temperaturach
mona o'serwowa0 e"ekty inter"erencji kwantowej. )"ekty te mona wykorzysta0 w
cy"rowych urzdzeniach oraz w komutatorach o 'ardzo ma!ym poziomie wykorzystanej
mocy.
5adania do 6+kadu 7
../. W przypadku uk!adu dwuwymiarowego rozpraszanie wie si ze zmian pdu czstki
tylko w p!aszczyRnie ruchu. ?ak!adajc, e
p p

2
, udowodni0, e w tym przypadku wzr
+../, na czas relaksacji moemy zapisa0 w postaci
( ) ( ) [ ] , + , + cos /
3
3 /
2
3
2
=
2 2
3 C
3
p E p E % ( p p ' dp p ( d

, +../F,
gdzie ( 4 kt midzy wektorami
p

i
2
p

.
..3. Sdowodni0, e po sca!kowaniu w +../F, po ( otrzymujemy
( ) d& &
p
&
& '
p
mS

p
D
3
3
/
3
3
3
=
C C
3
3
/
/

1
1
]
1

,
_

, +../6,
gdzie
p p &


2
.
..C. Sdowodni0, e w przypadku trjwymiarowym z sumy +../, otrzymujemy
( ) d& & & '
p
m)

p
D
C
3
3
=
C C
C
3
/

. +../.,
..D. Sdowodni0, e jeeli
( )
-
#& & '
3
, to ze wzoru +../6, znajdujemy

+ +
+
/
=
3
3 C
C
3 /
3 /
d,
,
,

m#
p S

- -
-
-
D

. +../@,
.6
..A. Sdowodni0, e jeeli
( )
-
#& & '
3
, to ze wzoru +../., otrzymujemy
, D +
3 /
C
D
/
C
+

+
+
+
-
m#
p )

-
-
-
D

. +..3=,
..F. Sdowodni0, e jeeli d!ugo0 nici kwantowej / jest znacznie wiksza od drogi
swo'odnego prze'iegu elektronw l , przewodnictwo nici okrela wzr1 m l ne 0 2
3
, gdzie

4 rednia prdko0 elektronw.

..6. Sdowodni0, e p!yncy przez drut o d!ugoci / prd elektryczny musi w jednostce
czasu wydzieli0 energi / ) 0 2
3
.
.... Sdowodni0, e rozwaajc rozpraszanie elektronw jako rozpraszanie klasycznych
czstek, otrzymujemy w +../C, nastpujcy wsp!czynnik przezroczystoci D drutu o
d!ugoci /
/
l
D
,
gdzie l ma sens e"ektywnej drogi swo'odnego prze'iegu elektronu.
..@. Sdowodni0, e w przypadku s!a'ej lokalizacji stanw kwantowych
3
3
/
3
, +

,
_

+
l
/
2 e
h
4 / 4
kl
,
gdzie
kl
4
okrela wzr +../A,.
..