Beruflich Dokumente
Kultur Dokumente
1
Prctica 2: Capacitancias Parasitas en el
MOSFET
(Marzo 2014)
Camilo Ortiz, Ana Mara lvarez, Felipe Duarte, Diego Robayo
20082005008, 20082005029, 20091005032, 20071005024
Electrnica de Potencia, Ingeniera Electrnica, Universidad Distrital Francisco Jos de Caldas
Bogot DC, Colombia
Resumen En este documento se pretende mostrar el desarrollo
de un circuito para medir el tiempo de activacin y desactivacin
en un transistor de efecto de campo calculando las capacitancias
parasitas; para la implementacin de dicho circuito ser necesario
utilizar un MOSFET como switch observando cmo varan los
tiempos a diferentes resistencias en el Gate, para finalmente
hallar el y compararlo con los resultados dados por el
fabricante.
Palabras claves MOSFET, condensador, Tiempo de carga.
I. INTRODUCCIN
Los Transistores son utilizados como interruptores en los
circuitos electrnicos de potencia. Los circuitos de excitacin de
los transistores se disean para que estos estn completamente
saturados (activados) o en corte (desactivados). Esto difiere de lo
que ocurre con otras aplicaciones de los transistores, como, por
ejemplo, un circuito amplificador, en el que el transistor opera en
la regin lineal o activa. Los transistores tiene la ventaja de que
proporcionan un control de activacin. [1]
Fig. 1. MOSFET y curva caracteristica [1]
El MOSFET es un dispositivo contolado por tension con su curva
caracteristica mostrada en la Fig.1 .Los MOSFET de potencia
son fundamentalmente de acumulacion mas que de
empobrecimiento. Una tension Gate-Source lo suficientemente
grande activara el dsipositivo, dando lugar a una pequea tension
Drain-Source.
Fig. 2. Comportamiento de un MOSFET ideal [1]
El circuito de excitacin para activar y desactivar un MOSFET es
normalmente ms sencillo que el utilizado para un BJT. En el
estado de conduccin, Las variaciones de
son linealmente
proporcionales a las variaciones de