Instituto Federal de Educao, Cincia e Tecnologia do

Rio Grande do Norte

Campus Caic
Disciplina: Eletricidade e Eletrnica
Prof.: Francisco das Chagas Souza Jnior, M. Sc.
Aluno: Turma:
Data: / /
Aula Prtica - Diodo semicondutor
1 Teoria
No campo da eletrnica, dentre os materiais utilizados, encontramos os semicondutores que possuem caracte-
rsticas intermedirias entre os condutores e os isolantes. O material semicondutor mais utilizado o silcio
(Si), que na sua forma pura (intrnseca) apresenta uma estrutura cristalina, tendo quatro eltrons na camada
de valncia, sendo por isso tetravalente. Sua estrutura vista na Figura 1.
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Ligaes
Covalentes
tomos de
Silcio
Figura 1: Estrutura do semicondutor intrnseco.
A -273
o
C, no h eltrons livres ou fracamente ligados. O semicondutor intrnseco comporta-se como isolante
perfe to. Elevando a temperatura, os tomos, recebendo energia, iniciaro um processo de agitao trmica,
quebrando a estabilidade, rompendo ligaes covalentes, liberando eltrons e originando, na falta destes, lacunas
ou buracos.
A partir do semicondutor intrnseco, podemos formar os materiais tipo P ou tipo N, adicionando impurezas, ou
seja, outros materiais, por processo conhecido como dopagem.
Esse semicondutor dopado passa a ser denominado material extrnseco. Para formarmos umma terial tipo P,
adicionamos ao cristal de silcio impurezas trivalentes, como por exemplo, o Boro (B). Essa estrutura vista na
Figura 2.
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
B
-
-
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
on
aceitador
Lacuna
Figura 2: Estrutura do semicondutor extrnseco tipo p.
1
Observando a gura, notamos que haver trs ligaes completas de eltrons e uma quarta incompleta, por
regio do material, originando uma lacuna e um on negativo xo estrutura do cristal, dando ao material
caractersticas receptivas, ou seja, de atrair eltrons para completar a quarta ligao.
Nesse material, as lacunas sero em maioria e por isso denominadas de poftadores majoritrios. Existiro tam-
bm eltrons como portadores minoritrios que aparecero pelo rompimento de ligaes covalentes, provocadas
pelo fornecimento da energia ao material. O material tipo P pode ser representado como mostra a Figura 3.
-
-
-
- - - -
- - - -
- - - -
Lacuna (Portadores
Majoritrios)
Eltron livres
(ons Aceitadores)
Pordadores
Minoritrios
Figura 3: Material extrnseco tipo p.
Para formar um material tipo N, adicionamos ao cristal do silcio impurezas pentavalentes, como, por exemplo,
o fsforo (P). Essa estrutura vista na Figura 4.
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
P
-
-
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
Si
-
- -
-
on
aceitador
Lacuna
-
-
Figura 4: Estrutura do semicondutor extrnseco tipo n.
Observando a gura, notamos que haver quatro ligaes completas, um eltron livre por regio do material,
e um on positivo xo a estrutura do cristal, dando ao material caractersticas doadoras, ou seja, de doar o
eltron livre de maneira a ca estvel. Nesse material, os eltrons sero os portadores majoritrios e as lacunas
os minoritrios. O material tipo N pode ser representado, como mostra a Figura 5.
Eltrons livres
(Portadores Majoritrios)
Eltron livres
(ons Doadores)
Pordadores
Minoritrios
+
+
+
- - - -
- - - -
- - - -
Figura 5: Material extrnseco tipo n.
Para constituir os dispositivos semicondutores, necessrio unir os materiais tipo P e tipo N de maneira a
2
formar a juno PN. Essa juno vista na Figura 6.
+
+
+
- - - -
- - - -
- - - -
-
-
-
- - - -
- - - -
- - - -
Tipo N Tipo P
Figura 6: Juno PN.
Na juno PN no polarizada, isto , sem conexo de fonte externa, haver um deslocamento de eltrons da
regio N para a regio P e simultaneamente um deslocamento de lacunas da regio P para a regio N, originando
uma corrente, denominada corrente de difuso. Durante esse deslocamento de portadores de cargas, eltrons e
lacunas recombinam-se, anulando suas cargas, surgindo ao lado da juno uma regio neutra, ou seja de carga
eltrica nula, denominada regio de depleo.
A medida que eltrons e lacunas vo se recombinando, teremos um aumento da regio de depleo at atingir
um ponto de equilbrio, isolando um material do outro. A Figura 7 mostra uma juno PN no polarizada com
a regio de depleo.
+
+
+
- - -
- - - -
- - -
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Tipo N Tipo P
Regio de
Depleo
Figura 7: Juno PN sem polarizao.
Podemos polarizar a juno PN de duas maneiras: diretamente ou reversamente. A polarizao direta consiste
em ligar o plo positivo de uma fonte no lado P e o negativo no lado N, conforme mostra a Figura 8.
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Tipo N Tipo P
Regio de
Depleo
Fluxo de eltrons
+
E
I
D
Figura 8: Juno PN diretamente polarizada.
Nesse tipo de polarizao, o polo positivo atrair os eltrons livres do lado N, fazendo-os vencer a barreira de
potencial, originando assim uma corrente de eltrons do polo negativo para o positivo da bateria. Simultanea-
mente sair uma corrente de lacunas do polo positivo para o negativo da bateria, sendo esta ltima adotada,
para ns de anlise, em circuitos com dispositivos semicondutores.
O material nesse caso tem caractersticas condutivas, pois circulando uma corrente. apresenta uma resistncia
hmica de valor baixo, na ordem de algumas dezenas de ohms Devido aos ons formados na barreira, entre os
terminais de juno aparecer uma difere) de potencial, que para o semicondutor de silcio est compreendida
entre 0,5 e 0,8V. A polarizao reversa consiste em ligar o polo positivo de uma fonte no lado N e o negativo
no lado P, conforme apresenta a Figura 9.
3
Regio de
Depleo
+
E
I = 0
D
+
+
+
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Tipo N Tipo P
Regio de
Depleo
Figura 9: Juno PN reversamente polarizada.
Nesse tipo de polarizao, o polo positivo atrair os eltrons e o polo negativa as lacunas, amentando assim a
barreira de potencial, no havendo, portanto, conduo de corrente eltrica devido aos portadores majoritrios,
existindo apenas uma corrente devido aos portadores minoritrios, denominada corrente de fuga, que para
o semicondutor de silcio da ordem de nanoampres (nA), tornando-se desprezvel. O material nesse caso
apresenta caractersticas isolantes, pois devido ao aumento da regio de depleo, no haver corrente, sendo
sua resistncia hmica de alto valor.
Com o devido encapsulamento e conexo de terminais, a juno PN se torna um componente eletrnico conhecido
como diodo semicondutor, ou simplesmente diodo, cu]a simbologia vista na Figura 10.
Anodo Catodo
P N
Figura 10: Smbolo do diodo.
O lado P da juno PN conhecido como anodo (A) do diodo e o lado N como catodo (K). Em polarizao o
diodo apresenta as mesmas caractersticas j estudadas, ou seja, quando polarizado diretamente, conduz uma
corrente de nodo para o catodo, e quando polarizado reversamente, no conduz corrente.
A curva caracterstica de um diodo I = f(V), vista na Figura 11, mostra que em polarizao direta s haver
conduo de corrente depois de vencida a barreira de potencial. A partir dai, a corrente aumenta de valor,
enquanto a tenso permanece praticamente constante (V
D
).
V (V)
D
I (mA)
D
Figura 11: Curva caracterstica do diodo.
4
Parte Laboratorial
1 - Objetivos:
Obter, experimentalmente, a curva caracterstica do diodo disponvel no laboratrio;
Vericar os erros provocados por cada modelo na resoluo de circuitos com diodo.
2 - Material Necessrio:
Fonte ajustvel;
Resistores;
Multmetro;
Diodo 1N4007.
3 - Descrio da Experincia
Com o multmetro na escala de teste de diodos, mea a queda de tenso do diodo quando polarizado diretamente
e reversamente. Com os valores preencha a tabela abaixo.
R
DIRETA
R
REV ERSA
Montagem 1) Monte o circuito da gura abaixo e ajuste a tenso na fonte para ter os valores mostrados no
quadro. Para cada valor de tenso, anote a corrente i correspondente e, a tenso entre os terminais do diodo.
E
_______W
I
D2
A
V
+
+
V
S
(V ) 0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 1,0 2,0 5,0
V
D
(mA)
I
D
(mA)
5
Montagem 2) Monte o circuito da gura abaixo e preencha a tabela ao lado com os valores de sada para cada
conjunto de valores das entradas.
1 kW
5 V
0 V
5V
0 V
5 V
0 V
0 V
5 V
5 V
V
A
V
A
V
0
V
B
V
B
V
0
Montagem 3) Monte o circuito da gura abaixo e mea as correntes em todos os ramos do mesmo e a e a
tenso entre os terminais dos diodos.
10 kW
+
-
V
0
5 V
+
-
5 kW
+
-
10 V
Pr-laboratrio
Questo 1 - Pesquise no catlogo do diodo 1N4007 e anote os valores para os quais este inicia sua conduo, a
corrente mxima que pode circular pelo mesmo e a mxima tenso que pode ser aplicado entre seus terminais.
Questo 2 - Utilize o modelo sem perdas (aquele que desconsidera a resistncia interna do diodo) e determine
as correntes em todos os ramos da rede, a tenso entre os terminais de todos os componentes e o balano de
potncia do circuito.
Ps-laboratrio
Questo 1 - Utilize o papel milimetrado em anexo e plote a curva caracterstica do diodo de acordo com os
dados medidos na montagem 1.
Questo 2 - Com base no grco da Questo 1, determine a resistncia interna do diodo e desenha o seu
modelo equivalente mais completo.
Questo 3 - No mesmo grco feito da Questo 1, plote a reta de carga do circuito para qual a tenso da fonte
for igual a 4 V. Aps encontrar o ponto de operao, calcule os erros relativos obtidos entre os valores tericos
(obtidos por meio da reta de carga), e os medidos e calculados utilizando o modelo desenvolvido na questo 2.
Questo 4 - Descreva o funcionamento do circuito da montagem 2 e estabelea uma lgica para este funcio-
namento.
6