Efecto fotoelctrico

El efecto fotoelctrico consiste en la emisin de electrones por un material cuando se hace

incidir sobre l una radiacin electromagntica (luz visible o ultravioleta, en general).
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A veces
se incluyen en el trmino otros tipos de interaccin entre la luz y la materia:
Fotoconductividad: es el aumento de la conductividad elctrica de la materia o en diodos
provocada por la luz. Descubierta por Willoughby Smith en elselenio hacia la mitad
del siglo XIX.
Efecto fotovoltaico: transformacin parcial de la energa lumnica en energa elctrica. La
primera clula solar fue fabricada por Charles Fritts en 1884. Estaba formada por selenio
recubierto de una fina capa de oro.
El efecto fotoelctrico fue descubierto y descrito por Heinrich Hertz en 1887, al observar que el
arco que salta entre dos electrodos conectados a alta tensin alcanza distancias mayores
cuando se ilumina con luz ultravioleta que cuando se deja en la oscuridad. La explicacin
terica fue hecha por Albert Einstein, quien public en 1905 el revolucionario artculo
Heurstica de la generacin y conversin de la luz, basando su formulacin de la
fotoelectricidad en una extensin del trabajo sobre los cuantos de Max Planck. Ms
tarde Robert Andrews Millikan pas diez aos experimentando para demostrar que la teora de
Einstein no era correcta, para finalmente concluir que s lo era. Eso permiti que Einstein y
Millikan fueran condecorados con premios Nobel en 1921 y 1923, respectivamente.
Se podra decir que el efecto fotoelctrico es lo opuesto a los rayos X, ya que el efecto
fotoelctrico indica que los fotones pueden transferir energa a los electrones. Los rayos X (no
se saba la naturaleza de su radiacin, de ah la incgnita "X") son la transformacin en un
fotn de toda o parte de la energa cintica de un electrn en movimiento. Esto se descubri
casualmente antes de que se dieran a conocer los trabajos de Planck y Einstein (aunque no
se comprendi entonces).

Introduccin
Los fotones tienen una energa caracterstica determinada por la frecuencia de onda de la luz.
Si un tomo absorbe energa de un fotn y tiene ms energa que la necesaria para expulsar
un electrn del material y adems posee una trayectoria dirigida hacia la superficie, entonces
el electrn puede ser expulsado del material. Si la energa del fotn es demasiado pequea, el
electrn es incapaz de escapar de la superficie del material. Los cambios en la intensidad de
la luz no modifican la energa de sus fotones, tan slo el nmero de electrones que pueden
escapar de la superficie sobre la que incide y por tanto la energa de los electrones emitidos
no depende de la intensidad de la radiacin que le llega, sino de su frecuencia. Si el fotn es
absorbido, parte de la energa se utiliza para liberarlo del tomo y el resto contribuye a dotar
de energa cintica a la partcula libre.
En principio, todos los electrones son susceptibles de ser emitidos por efecto fotoelctrico. En
realidad los que ms salen son los que necesitan menos energa para ser expulsados y, de
ellos, los ms numerosos.
En un aislante (dielctrico), los electrones ms energticos se encuentran en la banda de
valencia. En un metal, los electrones ms energticos estn en la banda de conduccin. En un
semiconductor de tipo N, son los electrones de la banda de conduccin los que son ms
energticos. En un semiconductor de tipo P tambin, pero hay muy pocos en la banda de
conduccin. As que en ese tipo de semiconductor hay que tener en cuenta los electrones de
la banda de valencia.
A la temperatura ambiente, los electrones ms energticos se encuentran cerca del nivel de
Fermi (salvo en los semiconductores intrnsecos en los cuales no hay electrones cerca del
nivel de Fermi). La energa que hay que dar a un electrn para llevarlo desde el nivel de Fermi
hasta el exterior del material se llama funcin de trabajo, y la frecuencia mnima necesaria, de
radiacin incidente, para sacar un electrn del metal, recibe el nombre de frecuencia umbral.
El valor de esa energa es muy variable y depende del material, estado cristalino y, sobre todo,
de las ltimas capas atmicas que recubren la superficie del material. Los metales
alcalinos (sodio, calcio, cesio, etc., presentan las ms bajas funciones de trabajo. An es
necesario que las superficies estn limpias a nivel atmico. Una de la mayores dificultades en
los experimentos de Millikan era que haba que fabricar las superficies de metal en el vaco.

Explicacin
Los fotones del rayo de luz tienen una energa caracterstica determinada por la frecuencia de
la luz. En el proceso de fotoemisin, si un electrn absorbe la energa de un fotn y ste ltimo
tiene ms energa que la funcin de trabajo, el electrn es arrancado del material. Si la
energa del fotn es demasiado baja, el electrn no puede escapar de la superficie del
material.
Aumentar la intensidad del haz no cambia la energa de los fotones constituyentes, solo
cambia el nmero de fotones. En consecuencia, la energa de los electrones emitidos no
depende de la intensidad de la luz, sino de la energa de los fotones.
Los electrones pueden absorber energa de los fotones cuando son irradiados, pero siguiendo
un principio de "todo o nada". Toda la energa de un fotn debe ser absorbida y utilizada para
liberar un electrn de un enlace atmico, o si no la energa es re-emitida. Si la energa del
fotn es absorbida, una parte libera al electrn del tomo y el resto contribuye a laenerga
cintica del electrn como una partcula libre.
Einstein no se propona estudiar las causas del efecto en el que los electrones de ciertos
metales, debido a una radiacin luminosa, podan abandonar el metal con energa cintica.
Intentaba explicar el comportamiento de la radiacin, que obedeca a la intensidad de la
radiacin incidente, al conocerse la cantidad de electrones que abandonaba el metal, y a la
frecuencia de la misma, que era proporcional a la energa que impulsaba a dichas partculas.
Leyes de la emisin fotoelctrica[editar]
Para un metal y una frecuencia de radiacin incidente dados, la cantidad de fotoelectrones
emitidos es directamente proporcional a la intensidad de luz incidente.2
Para cada metal dado, existe una cierta frecuencia mnima de radiacin incidente debajo de la cual
ningn fotoelectrn puede ser emitido. Esta frecuencia se llama frecuencia de corte, tambin
conocida como "Frecuencia Umbral".
Por encima de la frecuencia de corte, la energa cintica mxima del fotoelectrn emitido es
independiente de la intensidad de la luz incidente, pero depende de la frecuencia de la luz
incidente.
La emisin del fotoelectrn se realiza instantneamente, independientemente de la intensidad de
la luz incidente. Este hecho se contrapone a la teora Clsica:la Fsica Clsica esperara que
existiese un cierto retraso entre la absorcin de energa y la emisin del electrn, inferior a un
nanosegundo.
Formulacin matemtica[editar]
Para analizar el efecto fotoelctrico cuantitativamente utilizando el mtodo derivado por Einstein
es necesario plantear las siguientes ecuaciones:

Energa de un fotn absorbido = Energa necesaria para liberar 1 electrn + energa cintica del
electrn emitido.

Algebraicamente:

hf = hf_0 + {1 \over 2}{m}{v_m}^2,
que puede tambin escribirse como

hf = \phi + E_k\,.
donde h es la constante de Planck, f0 es la frecuencia de corte o frecuencia mnima de los fotones
para que tenga lugar el efecto fotoelctrico, es la funcin de trabajo, o mnima energa
necesaria para llevar un electrn del nivel de Fermi al exterior del material y Ek es la mxima
energa cintica de los electrones que se observa experimentalmente.

Nota: Si la energa del fotn (hf) no es mayor que la funcin de trabajo (), ningn electrn ser
emitido. Si los fotones de la radiacin que inciden sobre el metal tienen una menor energa que la
de funcin de trabajo, los electrones del material no obtienen suficiente energa como para
emitirse de la superficie metlica.
En algunos materiales esta ecuacin describe el comportamiento del efecto fotoelctrico de
manera tan slo aproximada. Esto es as porque el estado de las superficies no es perfecto
(contaminacin no uniforme de la superficie externa).

Efecto fotoelctrico en la actualidad[editar]
El efecto fotoelctrico es la base de la produccin de energa elctrica por radiacin solar y del
aprovechamiento energtico de la energa solar. El efecto fotoelctrico se utiliza tambin para la
fabricacin de clulas utilizadas en los detectores de llama de las calderas de las grandes centrales
termoelctricas. Este efecto es tambin el principio de funcionamiento de los sensores utilizados
en las cmaras digitales. Tambin se utiliza en diodos fotosensibles tales como los que se utilizan
en las clulas fotovoltaicas y en electroscopios o electrmetros. En la actualidad los materiales
fotosensibles ms utilizados son, aparte de los derivados del cobre (ahora en menor uso), el silicio,
que produce corrientes elctricas mayores.

El efecto fotoelctrico tambin se manifiesta en cuerpos expuestos a la luz solar de forma
prolongada. Por ejemplo, las partculas de polvo de la superficie lunar adquieren carga positiva
debido al impacto de fotones. Las partculas cargadas se repelen mutuamente elevndose de la
superficie y formando una tenue atmsfera. Los satlites espaciales tambin adquieren carga
elctrica positiva en sus superficies iluminadas y negativa en las regiones oscurecidas, por lo que
es necesario tener en cuenta estos efectos de acumulacin de carga en su diseo.

http://es.wikipedia.org/wiki/Efecto_fotoel%C3%A9ctrico
resistencias no lineales
las resistencias lineales tienen una curva caracterstica es una lnea recta; cuanto mayor
sea la tensin aplicada mayor ser la intensidad de corriente que circula por ellas, permaneciendo
su valor hmico inalterable.
Existen resistencias cuyo valor hmico no es constante, sino que depende de una magnitud no
mecnica externa entre ellas, como la temperatura, la tensin o la intensidad de la luz. Estas
resistencias reciben el nombre de resistencias no lineales, puesto que su valor hmico es alterable
y si curva caracterstica no es una recta.