Fundamento de Electónica I

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA
TEORA DE SEMICONDUCTORES
MDULO I
TEORA DE
SEMICONDUCTORES
MDULO I
TEORA DE SEMICONDUCTORES
1.- Semiconductor
Entre los materiales conductores que permiten una circulacin mayor de corriente
por presentar una resistencia relativamente baja, y los materiales aislantes, que no
permiten la circulacin de corriente, se encuentra una gama de materiales con
propiedades propias que se denominan semiconductores ellos tienen una
conductividad que vara con la temperatura, pudiendo comportarse como
conductores o como aislantes dependiendo del valor de esta.
Todos los semiconductores se caracterizan porque en su ltima capa de electrones
de su estructura atmica poseen cuatro electrones llamados electrones de valencia.
El elemento semiconductor ms usado es el Silicio (Si), pero ay otros
semiconductores como el Germanio (Ge) que tambi!n son usados en la "abricacin
de circuitos. El silicio es el segundo elemento ms abundante en la naturaleza,
despu!s del o#geno, constituye apro#imadamente el $%& de la corteza terrestre.
'dems, el Si presenta propiedades el!ctricas buenas debido a que su resistividad
el!ctrica que a temperatura ambiente es intermedia entre la de los metales y los
aislantes y su conductividad puede ser controlada agregando peque(as cantidades
de impurezas. En la industria del acero se usa como un constituyente de las
aleaciones de acero al silicio las cuales se utilizan para acer los ncleos de los
trans"ormadores el!ctricos porque esta aleacin disminuye la ist!resis magn!tica.
Su puri"icacin es relativamente sencilla )llegndose a Si puro del **,*****&+ y el
Si se presta "cilmente a ser o#idado, "ormndose Si,$ )di#ido de silicio+ y
constituyendo un aislante que se utiliza en todos los transistores de la tecnologa
-.,S. 'unque id!ntico comportamiento presentan las combinaciones de
elementos de los grupos // y /// con los de los grupos 0/ y 0 respectivamente 1GA!
)'rseniuro de 2alio+, In" )3os"uro de /ndio+, A!GA# )'rseniuro de 2alio y
'luminio+, CdTe )Teluro de -admio+, CdSe )Seleniuro de -admio+ y CdS )Sul"uro de
-admio+4 de la tabla peridica. 5ltimamente tambi!n se usa el azu"re )S+.
TEORA DE SEMICONDUCTORES $
En la tabla 6 7 se muestra algunos elementos pertenecientes a los grupos // )Cd
-admio+, /// )A# 'luminio, G 2alio, $ 8oro, In /ndio+, /0 )Si Silicio, Ge 2ermanio+, 0
)" 3s"oro, A! 'rs!nico, S% 'ntimonio+, 0/ )Se Selenio, Te Telurio, S 'zu"re+ de la
tabla peridica.
Estos elementos tienen una estructura ms estable si comparten electrones,
"ormando enlaces covalentes, de "orma que al compartir estos electrones con
tomos vecinos todos ellos tengan en la ltima capa oco electrones, situacin que
es muy estable.
E#emento Gru&o
E#ectrone! en
# '#tim c&
-d // ' $ e
9
'l, 2a, 8, /n /// ' : e
9
Si, 2e /0 ' ; e
9
<, 's, Sb 0 ' = e
9
Se, Te, )S+ 0/ ' > e
9
Tabla ?
7
Esto ace que se "orme una malla de tomos que se denomina red cristalina. El
diamante es un ejemplo de este tipo de estructura cristalina "ormada por tomos de
carbono. El silicio, el germanio y el arseniuro de galio "orman redes similares tal
como se puede apreciar en las "iguras 7.7a y 7.7b.
@n cristal est "ormado por un conjunto de tomos muy pr#imos entre s dispuestos
espacialmente de "orma ordenada de acuerdo con un determinado patrn
geom!trico. Aa gran pro#imidad entre los tomos del cristal ace que los electrones
de su ltima capa su"ran la interaccin de los tomos vecinos.
En estas condiciones todos los electrones tienen su lugar en la red, as que estos
materiales no permiten la movilidad de electrones y por lo tanto son aislantes.
@n aumento en la temperatura ace que los tomos en un cristal por ejemplo, de
silicio, vibren dentro de !l, a mayor temperatura mayor ser la vibracin. -on lo que
un electrn se puede liberar de su rbita, y deja un ueco )0aco que deja un
electrn al ser liberado de su orbita+, que a su vez atraer otro electrn, y as
sucesivamente.
TEORA DE SEMICONDUCTORES :

3ig. 7.7a.9 Bed -ristalina de Silicio )Si+ 3ig. 7.7b.9 Bed -ristalina de 'rseniuro de 2alio
)GA!+
3uenteC DDD.ele.uva.es
En la "igura 7.$a se puede observar un cristal de silicio antes del aumento de la
temperatura y en la "igura 7.$b el cristal de silicio despu!s de un aumento de
temperatura donde se produce la creacin del ueco y del electrn libre por el
rompimiento de los enlaces covalentes del cristal. ' E F, todos los electrones estn
ligados por su enlace covalente, la dependencia con la temperatura crea la limitante
al material semiconductor de no crear electrones libres. ' :EE F o ms, aparecen
electrones libres.
(a+ )b+
3ig. 7.$a.9 -ristal de Silicio )Si+ antes del aumento de la temperatura. 3ig. 7.$b.9 -ristal de
Silicio )Si+ despu!s del aumento de la temperatura.
3uenteC El 'utor
TEORA DE SEMICONDUCTORES ;
Aa unin de un electrn libre y un ueco se llama GrecombinacinG, y el tiempo entre
la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina Gtiempo de vidaG.
(.- $nd de Ener)* + Conducti,idd E#-ctric de# Cri!t#
El nivel energ!tico de cada electrn puede estar situado en la Gbanda de valenciaG o
en la Gbanda de conduccinG del cristal. @n electrn que ocupe un nivel dentro de la
banda de valencia est ligado a un tomo del cristal y no puede moverse libremente
a trav!s de !l, mientras que si el nivel ocupado pertenece a la banda de conduccin,
el electrn puede moverse libremente por todo el cristal, pudiendo "ormar parte de
una corriente el!ctrica.
Entre la banda de valencia y la de conduccin e#iste una Gbanda proibidaG, cuyos
niveles no pueden ser ocupados por ningn electrn del cristal. Aa magnitud de esa
banda proibida 1Eg4 permite de"inir otra di"erencia entre los semiconductores,
aislantes y conductores. H tiene por unidad de energa al Electrn9 0oltio 1e04, la
cual es igual a la energa que adquiere una partcula cargada, cuando es acelerada
en el vaco, a trav!s de una di"erencia de potencial de 7 voltio.
En la "igura 7.: se puede observar la estructura de los niveles o bandas de energa
segn el tipo del material. Aa magnitud de la banda proibida )Eg+ de algunos
semiconductores sonC para el Silicio )Si+ es apro#imadamente de 7,77 e0, 2ermanio
)Ge+ de E,>I e0, 'rseniuro de 2alio )GA!+ de 7,;: e0, Telurio de -admio )CdTe+
E,:: e0, 2alena )S"%+ de E,:I e0, 'ntimoniuro de /ndio )S%In+ de E,$: e0.
<ara la conduccin de la electricidad es necesario que ayan electrones en la capa
de conduccin, as se pueden considerar tres situacionesC
Aos conductores, en donde la banda de valencia y la banda de conduccin a
se superponen.
Aos aislantes, en donde la di"erencia e#istente entre las bandas de energa,
en el orden de > e0 impide, en condiciones normales el salto de los
electrones acia la banda de conduccin.
Aos semiconductores, en donde el salto de energa es peque(o, en el orden
de 7 e0, al suministrarles energa pueden conducir la electricidadJ pero
TEORA DE SEMICONDUCTORES =
adems, su conductividad puede regularse, puesto que al disminuir la
energa aportada es menor el nmero de electrones que salte a la banda de
conduccinJ cosa que no puede acerse con los metales, cuya
conductividad es constante, o ms propiamente, poco variable con la
temperatura.
3ig. 7.: Estructura de las bandas de energa de un 'islante, un Semiconductor y un
-onductor
3uenteC El 'utor
Es importante notar que la conductividad el!ctrica de los semiconductores es
directamente proporcional a la temperatura, y por ello se a"irma que su -oe"iciente
T!rmico de -onductividad es positivo, a di"erencia de los metales cuyo -oe"iciente
T!rmico de -onductividad es negativo.
Estos coe"icientes son positivos, al aumentar la temperatura la resistividad de los
metales aumenta o, en "orma equivalente, su conductividad disminuye.
<or lo contrario, a temperaturas normales )apro#. $IK-+, la conductividad de los
semiconductores aumenta en un =& por cada grado de incremento en la
temperatura.
TEORA DE SEMICONDUCTORES >
Semiconductor 'islante -onductor
8anda de
-onduccin
8anda de
0alencia
8anda de
<roibida
Eg L >e0
Eg 7e0
Solapamiento de la 8anda de
0alencia y la 8anda de conduccin
NOTAC ?o debe con"undirse la resistividad del material con la resistencia del
mismo. Aa resistividad es una propiedad caracterstica de cada material, mientras
que la resistencia depende de la "orma geom!trica.
Aa corriente en los conductores se debe al movimiento de los electrones libres
mientras que en los semiconductores se debe al movimiento de los electrones libre
y los uecos.
..- Ti&o! de Semiconductore!
..1 Semiconductore! Intr*n!eco
Aos semiconductores intrnsecos son los cristales semiconductores puros. '
temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos
electrones libres y uecos debidos a la energa t!rmica. En ellos, el nmero de
uecos es igual al nmero de electrones y es "uncin de la temperatura del cristal.
Aa conductividad en ellos a temperatura ambiente no suele ser muy alta, y la
cantidad de electrones libres es igual a la cantidad de uecos presente en el cristal
debido al "enmeno de recombinacin. ' una determinada temperatura, las
velocidades de creacin de pares electrn9ueco, y de recombinacin se igualan, de
modo que la concentracin global de electrones y uecos permanece invariable.
Siendo
n
la concentracin de electrones )cargas negativas+ y
p
la concentracin
de uecos )cargas &ositivas+, se cumple queC
p n n
i

Ec 7.7
Siendo
i
n
la concentrci/n intr*n!ec del semiconductor, "uncin e#clusiva de la
temperatura. 'l someter al cristal a una di"erencia de tensin, se producen dos
corrientes el!ctricas. <or un lado la debida al movimiento de los electrones libres de
la banda de conduccin, y por otro lado, la corriente debida al desplazamiento de los
electrones en la banda de valencia, que tendern a saltar a los uecos pr#imos,
TEORA DE SEMICONDUCTORES I
originando una corriente de 0ueco! en la direccin contraria al campo el!ctrico
cuya velocidad y magnitud es muy in"erior a la de la banda de conduccin.
,
_
T k
E
i
g
e T B n
* * 2
2 / 3
* *
Ec 7.$
MondeC
B C -onstante del material semiconductor especi"ico.
g
E
C Es la magnitud del nivel de energa entre banda )banda proibida+.
T C Temperatura en grado Felvin )F+
k C -onstante de 8oltzmann %>N7E
9>
e0O F
Aa constante del material para el Silicio )Si+ es =,$:N7E
7=
cm
9:
F
9:O$
, para el 'rseniuro
de 2alio )GA!+ es $,7EN7E
7;
cm
9:
F
9:O$
y para el 2ermanio )Ge+ es de 7,>> cm
9:
F
9:O$
.
..(.- Semiconductore! E1tr*n!eco
<ara aumentar la conductividad en un semiconductor intrnseco se somete al
semiconductor a un proceso de PDo&doQ, el cual consiste en agregar de una "orma
controlada tomos o impurezas para cambiar sus caractersticas el!ctricas del
material semiconductor y as convertirlo en un .aterial Semiconductor E#trnseco y
dependiendo del tipo de impurezas o tomos a(adidos se pueden tener dos tipos de
semiconductores e#trnsecos.
..(.1.- Semiconductore! E1tr*n!eco Ti&o N
Aos semiconductores e#trnsecos tipo ? son los semiconductores intrnsecos que en
el proceso de dopado se le an a(adido tomos o impurezas pentavalentes, es
decir, las que poseen = electrones de valencia, entre las que se pueden mencionar
3s"oro )"+, 'rs!nico )A!+, 'ntimonio )S%+, las cuales son llamadas tambi!n
/mpurezas Monadoras ellas a(aden un electrn libre al cristal a temperatura
TEORA DE SEMICONDUCTORES %
ambiente, los cuatros electrones de valencia restantes "orman enlaces covalentes
con los tomos vecinos del semiconductor. Estas impurezas introducen un nivel
donador entre la banda de valencia y la banda de conduccin pero mas cercano a
esta ltima.
En estos semiconductores a una temperatura cualquiera e#isten ms electrones que
uecos, los cuales sern llamados portadores mayoritarios y portadores minoritarios
respectivamente. En la "igura 7.; se puede observar un cristal de silicio al cual se le
a a(adido un tomo de "s"oro )"+ el cual genera un electrn libre.
3ig. 7.;.9 -ristal de Silicio contaminado con tomos de 3s"oro )Aiberacin de un electrn+ y
tomos de 8oro )'bsorcin de un electrn+. 3uenteC DDD.acapomil.cl
En la "igura 7.= se muestra el nuevo nivel de energa de un semiconductor con
tomos donadores )por ejemplo " en Si+, el nivel dador se encuentra justo por
debajo de la banda de conduccin. Aos electrones )R+ son promocionados
"cilmente a la banda de conduccin. El semiconductor es de tipo ?.
TEORA DE SEMICONDUCTORES *
3ig. 7.=. ?ivel donador o dador introducido por los tomos pentavalentes
3uenteC El 'utor
..(.(.- Semiconductore! E1tr*n!eco Ti&o "
Aos semiconductores e#trnsecos tipo < son los semiconductor intrnseco que en el
proceso de dopado se le an a(adido tomos o impurezas trivalentes, es decir,
poseen tres electrones de valencia, entre las que se pueden mencionar 8oro )$+,
/ndio )In+, 'luminio )A#+, 2alio )G+ las cuales son llamadas tambi!n /mpurezas
'ceptadoras ellas a(aden un ueco en el cristal a temperatura ambiente por cada
tomo agregado al semiconductor, tres de sus electrones de valencia "orman enlace
covalente con los tomos vecinos del semiconductor y queda un vaco en un de los
enlaces covalentes o simplemente no se llega a "ormar el enlace. Ellas introducen
un nivel aceptador entre la banda de valencia y la banda de conduccin pero ms
cercano a la primera. En estos semiconductores a cualquiera temperatura e#isten
TEORA DE SEMICONDUCTORES 7
ms uecos que electrones, los cuales sern llamados portadores mayoritarios y
portadores minoritarios respectivamente, contrario a los semiconductores
e#trnsecos tipo ?. En la "igura 7.; se puede ver un cristal de silicio al cual se le a
a(adido o agregado un tomo de boro )$+ el cual genera un ueco. En la "igura 7.>
se muestra el nuevo nivel de energa a(adido en un semiconductor con tomos
aceptores )por ejemplo $ en Si+, el nivel aceptor se encuentra justo por encima de la
banda de valencia. Aos electrones son promovidos "cilmente al nivel aceptor
dejando agujeros positivos )S+ en la banda de valencia. El semiconductor es de tipo9
<.
3ig. 7.>.9 ?ivel aceptador o aceptor introducido por los tomos trivalentes
3uenteC El 'utor
2.- Le+ de Acci/n de M!!
Se a podido observar que, al a(adir impurezas pentavalentes al semiconductor
intrnseco, disminuye el nmero de uecos. Me "orma similar ocurre al dopar al
semiconductor con impurezas trivalentes, disminuye la concentracin de electrones
libres a un valor in"erior al del semiconductor intrnseco, en condiciones de equilibrio
t!rmico, el producto de la concentracin de las cargas positivas y negativas libres es
una constante independiente de la cantidad de tomo donador o aceptador. Esta
ecuacin se denomina Aey de 'ccin de .asas y viene dada porC
2
*
i
n p n Ec 7.:
3.- Le+ de Neutr#idd de Cr)
En todo material semiconductor en circuito abierto se debe cumplir que la suma de
las cargas positivas debe ser igual a la suma de las cargas negativas. 's la
concentracin de cargas positivas esta constituida por la suma de los iones positivos
D
N y los uecos
p
, ) ( p N
D
+ . Me la misma manera la concentracin de cargas
negativas esta constituida por la suma de los iones negativos
A
N y los electrones
n
,
) ( n N
A
+
n N p N
A D
+ + Ec 7.;
-uando se tiene un material tipo ?, que tenga 0
A
N . El nmero de electrones
ser muco mayor que el nmero de uecos y se puede apro#imar la ecuacin
anterior aC
D
N n
D n
N n
Ec 7.=
<or lo tanto lo portadores minoritarios los uecos, se calculan utilizando la ley de
accin de masasC
D
i
n
N
n
p
2
Ec 7.>
Me igual manera, en un semiconductor del tipo pC
2
*
i p p
n p n
A p
N p


A
i
p
N
n
n
2
Ec 7.I
4.- Mo,i#idd + Conducti,idd
En los semiconductores la corriente el!ctrica es el resultado del movimiento de
ambas cargas, es decir, de los electrones libres y los uecos, esto esta asociado a
dos "enmenos "sicos.
Mensidad de -orriente de 'rrastre o Mesplazamiento )"uga+
Mensidad de -orriente de Mi"usin.
4.1 Den!idd De Corriente de Arr!tre
Este primer "enmeno se origina por el movimiento de las cargas cuando se le
aplica un campo el!ctrico al material semiconductor. -uando las cargas son
aceleradas por el campo el!ctrico se produce un aumento de la energa t!rmica la
cual va a "omentar el movimiento de las cargas en "orma no aleatoria. H los
portadores de carga se ven a"ectados de la siguiente maneraC
Eletrones li!res5 Aa "uerza que el campo el!ctrico ejerce sobre los electrones
provoca el movimiento de estos, en sentido opuesto al campo el!ctrico aplicado. Me
este modo se origina una corriente el!ctrica. Aa densidad de corriente el!ctrica
)nmero de cargas que atraviesan la unidad de super"icie en la unidad de tiempo+
depender de la "uerza que acta )
E q *
+, del nmero de portadores e#istentes y de
la movilidad con que estos se mueven por la red, es decirC
E q n J
n n
* * *
Ec 7.%
MondeC
n
J
C Mensidad de corriente de los electrones 1' O cm
$
4
n
C .ovilidad de los electrones en el material 1cm

$
O 0 Ns4
n
C -oncentracin de los electrones 1cm
9:
4
q
C -arga el!ctrica 17,> N 7E
97*
-4
E C -ampo el!ctrico aplicado. 10O cm4
Aa movilidad
n
es una caracterstica del material, y est relacionada con la

capacidad de movimiento del electrn a trav!s de la red cristalina.
"#eos5 El campo el!ctrico aplicado ejerce una "uerza sobre los electrones
asociados a los enlaces covalentes. Esa "uerza puede provocar que un electrn
perteneciente a un enlace cercano a la posicin del ueco salte a ese espacio. 's,
el ueco se desplaza una posicin en el sentido del campo el!ctrico. Si este
"enmeno se repite, el ueco contina desplazndose. 'unque este movimiento se
produce por los saltos de electrones, se puede suponer que es el ueco el que se
est moviendo por los enlaces.
3ig. 7.I.9.ovimiento de los uecos debido al movimiento de los electrones
3uenteC El 'utor
Aa carga neta del ueco vacante es positiva y, se puede pensar en el ueco como
una carga positiva movi!ndose en la direccin del campo el!ctrico. Se puede ver en
la "igura 7.I que los electrones individuales del enlace se involucran en el llenado de
los espacios vacantes por la propagacin del ueco, no muestran movimiento
continuo a gran escala. -ada uno de estos electrones se mueve nicamente una
vez durante el proceso migratorio. En contraste, un electrn libre se mueve de "orma
continua en la direccin opuesta al campo el!ctrico.
'nlogamente al caso de los electrones libres, la densidad de corriente de los
uecos viene dada porC

E q p J
p p
* * *
Ec 7.*
MondeC
E
t
7
t
$
t
:
t
;
/nstante
Tuecos Electrones
p
J
C Mensidad de corriente de los uecos 1' O cm
$
4
p
C .ovilidad de los uecos en el material 1cm

$
O 0 Ns4
p
C -oncentracin de uecos 1cm
9:
4
q
97*
-4
E C -ampo el!ctrico aplicado. 1 0O cm4
Aa movilidad p
es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad

de movimiento del ueco a trav!s de los enlaces de la red cristalina. Aa G"acilidadG
de desplazamiento de los uecos es in"erior a la de los electrones.
Se puede considerar el caso de un semiconductor que disponga de uecos y
electrones, el cual se somete a la accin de un campo el!ctrico. Aos electrones se
mueven en el sentido opuesto al campo el!ctrico, mientras que los uecos se
mueven segn el campo. El resultado es un "lujo neto de cargas positivas en el
sentido indicado por el campo, o bien un "lujo neto de cargas negativas en sentido
contrario. En de"initiva, la densidad de corriente total es la suma de las densidades
de corriente de electrones y de uecosC
p n Total Arrastre
J J J +
_ Ec 7.7E
4.(.- Den!idd De Corriente de Di6u!i/n
En segundo lugar se tiene el "enmeno de di"usinJ por regla las cargas electrones y
uecos, se mueven en sentido del gradiente de concentracin, van de regiones de
mayor concentracin a regiones de menor concentracin para "avorecer el equilibrio
de las cargasJ este movimiento genera una corriente proporcional al gradiente de
concentracin.
Aa di"usin no depende del valor absoluto de la concentracin de portadores, sino
solamente de su derivada espacial, es decir, de su gradiente la cual obedece Le+ de
Fic7 es la relacin de proporcionalidad entre la densidad de corriente y el gradiente
de concentracin de portadores de carga debido al "enmeno de la di"usin.
n q D J * *
Ec 7.77
MondeC
J C Mensidad de corriente 1'Ocm
$
4.
D: -onstante de Mi"usin o Mi"usividad 1cm
$
Os4.
q
97*
-4
n o
p
C 2radiente de concentracin de electrones )o uecos+ 1 cm
9:
4
En los metales, la di"usin no es un proceso de importancia, porque no e#iste un
mecanismo mediante el cual se pueda generar un gradiente de densidad. Mado que
en un metal nicamente ay portadores negativos de carga, cualquier gradiente de
portadores que se pueda "ormar desequilibrara la neutralidad de la carga. El campo
el!ctrico resultante crea una corriente de arrastre, de manera instantnea anula el
gradiente antes de que se de la di"usin. <or el contrario, en un semiconductor ay
portadores positivos y negativos de carga, por lo que ace posible la e#istencia de
un gradiente de densidad de uecos y de electrones, mientras se mantiene la
neutralidad de la carga.
En un semiconductor, los componentes de la densidad de corriente de di"usin
pueden e#presarse de "orma unidimensional mediante la ecuacinC
dx
dp
D q
dx
dn
D q J
p n Total Difusin
* * * *
_
Ec 7.7$
El segundo t!rmino de la e#presin tiene signo negativo porque la pendiente
negativa de los uecos da lugar a una corriente negativa de los uecos.
MondeC
Difusin
J
C Mensidad de Mi"usin total 1'O cm
$
4
p
D
C Mi"usividad de los uecos 1cm
$
O s4
n
D
C Mi"usividad de los electrones 1cm
$
O s4
n C -oncentracin de electrones 1cm
9:
4
p
C -oncentracin de uecos 1cm
9:
4
q
97*
-4
8.- Re#ci/n de Ein!tein
Establece la relacin entre la constante de di"usin )Mi"usividad+ y la constante de
movilidad de cada portador de carga ya que ambas son "enmenos estadsticos
termodinmicas y no son independientes. Esta relacin viene dada por la ecuacin
de Einstein
T
p
p
n
n
V
D
D

Ec 7.7:
Monde
T
V es el P<otencial equivalente de TemperaturaQ o 0oltaje T!rmico, de"inido
porC
q
T k
V
T
*
Ec 7.7;
MondeC
k C -onstante de 8oltzmann 17,:%N7E
9$:
UO F4
T C Temperatura en Felvin 1F4
q
C -arga del electrn 17,>N7E
97*
-4
Con!tnte! &r un Tem&ertur de (89C

G#o!rio de T-rmino!
Ace&tor5 m. 3s. /mpureza que se introduce en la red cristalina de ciertos
semiconductores para que acepten electrones en e#ceso.
Semiconductor
) (eV E
g
) (
2 / 3 3
K cm
B
) / (
2
s cm
D
n
) / (
2
s cm
D
p
) * / (
2
s V cm
n
) * / (
2
s V cm
p
Si 7.7 =.$:N7E
7=
:= 7$.= 7:=E ;%E
GaAs 7.; $.7EN7E
7;
$$E 7E %=EE ;EE
Ge E.>I 7.>>N7E
7=
7EE =E :*EE 7*EE
:tomo5 Es la partcula ms peque(a de un elemento que mantiene las propiedades
qumicas de este. Aos tomos son el!ctricamente neutros, tienen la carga positiva
concentrada en su ncleo y uno o ms electrones con carga negativa girando a su
alrededor.
$nd de Conducci/n5 Se denomina Pbanda de conduccinQ al nivel de energa
donde la atraccin del ncleo del tomo sobre los electrones es ms d!bil. Ese
nivel corresponde a la ltima rbita del tomo, la que puede compartir as sus
electrones entre el resto de los tomos de un cuerpo, all los electrones circulan
libremente.
$nd de ;#enci5 Se denomina banda de valencia al ltimo nivel de energa u
rbita ms alejada del ncleo del tomo. Aa banda de valencia permite que los
electrones que giran en la ltima rbita puedan pasar de un tomo a otro, en
dependencia de su Gnmero de valenciaG o Gnmero de o#idacinG, que puede ser
positivo )V+, o negativo )W+, de acuerdo con las propiedades espec"icas de cada
elemento.
$nd "ro0i%id5 Begin que est entre la banda de valencia y la de conduccin,
en la cual los electrones de un tomo o red de tomos, atraviesan por un proceso
cuntico para que, por ejemplo, los electrones de la banda de valencia lleguen a la
de conduccin. El anco de la banda proibida se mide en unidades de energa y
determina que un material sea conductor, semiconductor o aislante.
Concentrci/n5 Aa concentracin es la magnitud "sica que e#presa la cantidad de
un elemento o un compuesto por unidad de volumen.
Di6u!i/n5 El movimiento de tomos al azar, de una regin de alta concentracin a
otra de baja concentracin.
Dondor5 /mpureza que se introduce en la red cristalina de ciertos semiconductores
para que done o ceda electrones.
Do&do5 <roceso mediante el cual se le cambia las caractersticas el!ctricas al
material semiconductor al agregarle impureza.
E#ectr/n Li%re5 Es el electrn que a absorbido la energa su"iciente para pasar a la
banda de conduccin.
En#ce Co,#ente5 Es el compartimiento de electrones de valencias.
Grdiente5 Se denomina gradiente de un campo escalar a la variacin espacial del
mismo. El resultado es un vector. Este vector apunta en la direccin en la que la
variacin del campo es mayor por unidad de desplazamiento, y el mdulo nos indica
el valor de dico cambio, por tanto, el gradiente es la mayor de las derivadas
direccionales de un punto dado dentro de dico campo u. .atemticamente se
obtiene derivando parcialmente el vector respecto de cada una de las coordenadas
espaciales.
<ueco5 Es el vaco que queda en el tomo despu!s del rompimiento de un enlace.
I/n5 Es cuando un tomo gana o cede uno o varios electrones en su ltima rbita o
capa.
I/n "o!iti,o5 Se cuando el tomo cede o pierde electrones, debido a que en esa
situacin la carga el!ctrica positiva de los protones del ncleo supera a la negativa
de los electrones que quedan girando en sus respectivas rbitas.
I/n Ne)ti,o5 Se cuando el tomo gana algn electrn en la ltima rbita, en este
caso la carga el!ctrica negativa )W+ de los de electrones supera a la carga positiva
de los protones contenidos en el ncleo.
Ioni=ci/n5 .ecanismo mediante el cual un electrn de valencia absorbe energa
su"iciente para pasar a la banda de conduccin.
Le+ de Fic75 Aa ley de 3icX dice que el "lujo di"usivo que atraviesa una super"icie es
directamente proporcional al gradiente de concentracin. El coe"iciente de
proporcionalidad se llama coe"iciente de di"usin )D, en cm
$
s
97
+
Recom%inci/n5 Es cuando un electrn es recapturado por un ueco,
reestableciendo el enlace covalente.
Tiem&o de ;id5 Es el tiempo que tarda un electrn libre en ser capturado por un
ueco.
E>ercicio! Re!ue#to!
7.9 Metermine la concentracin intrnseca para una porcin de 'rseniuro de 2alio
GA! a una Temperatura de :EE F.
MatosC
) ( 10 * 10 , 2
2 / 3 3 14
K cm B
K T 300
eV E
g
4 , 1
K eV k / 10 * 86
6
?
i
n
Aa concentracin intrnseca viene dada por la ecuacin
,
_
T k
E
i
g
e T B n
* * 2 2 / 3
* *

K
K
eV
eV
i
e K K cm n
300 * 10 * 86 * 2
4 , 1
2 / 3 2 / 3 3 14
6
* ) 300 ( * 10 * 10 , 2

3 6
10 * 797 , 1

cm n
i
$.9 Metermine la concentracin de portadores .ayoritarios y minoritarios del silicio
Si al cul se le a a(adido una concentracin de tomos de ars!nico de >#7E
7%
cm
9:
a una temperatura de $E Y-
MatosC
) ( 10 * 23 , 5
2 / 3 3 15
K cm B
eV E
g
1 , 1
K eV k / 10 * 86
6
3 18
10 * 6

cm N
D
?
i
n
? n
? p
<ara pasar de grado -elsius a Felvin se la suman $I: a la temperatura dada.
C T

20 K C T 293 273 20 +

Se calcula la concentracin /ntrnseca del .aterial
K
K
eV
eV
i
e K K cm n
293 * 10 * 86 * 2
1 , 1
2 / 3 2 / 3 3 15
6
* ) 293 ( * 10 * 23 , 5

3 9
10 69 . 8

cm x
i
C T

20
-omo
D
N es muco mayor a
i
n
se puede decir queC
3 18
10 * 6

cm N n
D n
-oncentracin de <ortadores .ayoritarios
2
*
i n n
n p n
Zuedando la concentracin de portadores minoritarios
D
i
n
N
n
p
2
( )
3
3 18
2
3 9
58 , 12
10 * 6
10 * 69 . 8

cm
cm
cm
p
n
3
58 . 12

cm p
n
-oncentracin de <ortadores .inoritarios
:.9 Metermine la densidad de corriente de arrastre del germanio Ge cuando es
dopado con una concentracin de 7E#7E
$E
cm
9:
de tomos de 8oro a una
temperatura de :EE F, y se le aplica un campo el!ctrico de 7=E 0Ocm.
MatosC
) ( 10 * 66 , 1
2 / 3 3 15
K cm B
eV E
g
67 , 0
K eV k / 10 * 86
6
3 20
10 * 10

cm N
A
cm V E / 150
?
Arrastre
J

Se realiza el calcula la concentracin intrnseca del material
K
K
eV
eV
i
e K K cm n
300 * 10 * 86 * 2
67 , 0
2 / 3 2 / 3 3 15
6
* ) 300 ( * 10 * 66 , 1

3 13
10 98 , 1

cm x
i
-omo
A
N es muco mayor a
i
n
se plantea queC
3 20
10 10

cm x N p
A p
-oncentracin de <ortadores .ayoritarios
2
*
i p p
n p n

K T 300
Zuedando la concentracin de portadores minoritarios
A
i
p
N
n
n
2
( )
3 3
3 20
2
3 13
10 * 04 , 392
10 * 10
10 * 98 , 1

cm
cm
cm
n
p
-omo la corriente de arrastre depende de los electrones y de los uecos, se tiene
queC
Ap An Arrastre
J J J +
cm
V
cm
s V
cm
C nE q J
n An
150 * 10 * 04 , 392 *
*
3900 * 10 * 6 , 1
3 3
2
19

2 9
/ 10 * 69 , 36 cm A J
An

cm
V
cm
s V
cm
C pE q J
p Ap
150 * 10 * 10 *
*
1900 * 10 * 6 , 1
3 20
2
19

2 6
/ 10 * 6 , 45 cm A J
Ap

2 6 2 6 2 9
/ 10 * 9 , 45 / 10 * 6 , 45 / 10 * 69 , 36 cm A cm A cm A J
Arrastre
+

2 6
/ 10 * 6 , 45 cm A J
Arrastre

;. -alcule la corriente de Mi"usin para una porcin de 2a's la cual es dopada con
una concentracin de tomos de "s"oro de =#7E
7=
e
9:#
cm
9:
a una temperatura de :EE
F.
MatosC
) ( 10 * 10 , 2
2 / 3 3 14
K cm B
eV E
g
4 , 1
K eV k / 10 * 86
6
3 3 15
* 10 * 5

cm e N
x
D
?
Difusion
J
Se calcula la -oncentracin /ntrnsecaC
K T 300
K
K
eV
eV
i
e K K cm n
300 * 10 * 86 * 2
4 , 1
2 / 3 2 / 3 3 14
6
* ) 300 ( * 10 * 10 , 2

3 6
10 * 797 , 1

cm n
i
-omo
D
N es muco mayor a
i
n
se puede decir queC
3 3 15
* 10 * 5

cm e N n
x
D n

3 3 15
10 * 5

cm e n
x
n
3 3 4
3 3 15
2 3 6 2
10 * 458 , 6
* 10 * 5
) 10 * 797 , 1 (

cm e
cm e
cm
N
n
p
x
x
D
i
n
Aas concentraciones de portadores mayoritarios y minoritarios sonC
3 3 15
10 * 5

cm e n
x
n

3 3 4
10 * 458 , 6

cm e p
x
n
<ara calcular la corriente de di"usin se debe determinar las variaciones de
concentracin de los portadores de carga.
3 3 15 3 15
10 * 15 10 * 5 * 3

cm e e n
x x
n
3 3 4 3 4
10 * 37 , 19 10 * 458 , 6 * 3

cm e e p
x x
n
Se procede a determinar la -orriente de Mi"usin del .aterial
n q D J
n Dn
* *

p q D J
p Dp
* *
2 3 3 3 15
2
19
/ 528 , 0 10 * 15 * 220 * 10 * 6 , 1 cm A e cm e
s
cm
C J
x x
Dn

2 3 21 3 3 4
2
19
/ 10 * 09 , 3 10 * 37 , 19 * 10 * 10 * 6 , 1 cm A e cm e
s
cm
C J
x x
Dp

2 3 21
/ 10 * 09 , 3 cm A e J
x
Dp

( )
2 3 21 3
/ 10 * 09 , 3 528 , 0 cm A e e J
x x
Difusion

Si # L E la corriente de di"usin es apro#imadamente igual aC
2
/ 528 , 0 cm A J
Difusion

E>ercicio! "ro&ue!to!
7.9 -alcule la concentracin intrnseca para una porcin de 2ermanio )Ge+ a una
temperatura de ;= Y-
$.9 [-ul es la conductividad de un material del Si dopado uni"ormemente con 7E
7>
cm
9:
de tomos de "s"oro )"+\
:.9 Se tiene una muestra de Si la cual esta dopada con 7E
7;
tomos de boro )B+ por
cada cm
:
, [-ules son las concentraciones de los portadores de carga a :EE F\
;.9 Metermine la corriente de arrastre del 2a's a una temperatura de ;IE F cuando
se le aplica un campo el!ctrico de 7$E 0Ocm, el cual es dopado con tomos de 2alio
a una concentracin de 7E
>
cm
9:
=.9 -alcular la corriente de arrastre de los uecos y la corriente de di"usin de los
electrones, sabiendo que la densidad de corriente solo depende de estas y su valor
es de >.: 'Ocm
$
J se desea conocer el campo el!ctrico que se aplica para estas
respuestas. Se conocen los siguientes datosC
3 16
10

cm n ,
3 15
10 ) (

cm e x p
L
x
,
m L 12
,
s cm D
p
/ 12
2
,
s V cm . / 1000
2
>.9 Metermine la concentracin de portadores .ayoritarios y minoritarios del

2ermanio Ge al cul se le a a(adido una concentracin de tomos de 'ntimonio
de 7$#7E
7%
cm
9:
a una temperatura de == Y-.
TEORA DE DIODOS
MDULO II
TEORA DE DIODOS
MDULO II
TEORA DE DIODOS
1.- E# Diodo
@n diodo no es ms que la unin de un semiconductor tipo < con un semiconductor
tipo ? al que se le an a(adido $ terminales uno en la parte < y otro en la parte ?,
para poder acoplarse a un circuito. En la "igura $.7 se puede observar una
representacin idealizada de la unin <?.
3ig. $.7.9 @nin <?
3uenteC El 'utor
Es decir que el semiconductor de la regin < tiene impurezas de tipo aceptadora
con una concentracin ?' y la regin ? tiene impurezas de tipo donadora ?M. ' la
temperatura ambiente esas impurezas son ionizadas. @na impureza aceptadora ?'
da un ueco libre mvil y una impureza donadora ?M da un electrn libre mvil.
Mespu!s esas impurezas "orman iones cargados, "ijos en la red, iones negativos en
la regin < e iones positivos en la regin ? respecto a la caracterstica de la
neutralidad de los semiconductores antes del movimiento de los portadores.
-uando los trozos de semiconductores entran en contacto, comienza a actuar los
mecanismos de di"usin tanto en los electrones del semiconductor ? como en los
uecos del semiconductor <. El mecanismo de di"usin acta de modo similar al
comportamiento de un gas.
TEORA DE DIODOS
$
Tueco
Electrn
@nin
/on 'ceptador /on Monador
Tipo PpQ Tipo PnQ
<or Ejemplo, los uecos del semiconductor <, cuando se ven unidos a un trozo de
semiconductor en el que la presencia de uecos es casi nula )Semiconductor ?+,
comienzan a desplazarse acia el semiconductor tipo ?.
'ora bien, tal como lo ara un gas, los uecos que se encuentran en la "rontera
con el semiconductor ? comienzan a desplazarse acia la zona del semiconductor
tipo ?, con el propsito de equilibrar la concentracin de uecos a lo largo de toda la
unin <?.
,curre e#actamente lo mismo con los electrones del semiconductor ? que se
encuentran en la "rontera con semiconductor tipo < donde apenas ay unos cuantos
electrones, comienzan a desplazarse acia la zona del semiconductor tipo <.
[Zue ocurrira si los uecos de la zona < se dirigen a la zona ? y los electrones de
la zona ? se dirigen a la zona <\
-omo los electrones se dirigen a un sitio con mucos uecos, se recombinan con
los uecos, y como los uecos se dirigen a un sitio con mucos electrones, tambi!n
se recombinan con los electrones, esto conlleva que en la zona pr#ima a la unin
se produzca un vaciamiento de portadores libres )electrones y uecos+, quedando
por lo tanto en presencia de los iones de los semiconductores, cargada
positivamente en el semiconductor ? y negativamente en el <. 'ora bien, con"orm!
se va "ormando esa regin de carga espacial o tambi!n conocida como regin de
agotamiento, entorno a la unin, se va creando un campo el!ctrico
E
en dica
regin de carga, y dirigido de la parte positiva a la negativa como se puede
observar en la "igura $.$.
3ig. $.$.9 3ormacin de la regin de vaciamiento. 3uenteC El 'utor
TEORA DE DIODOS
:
En principio, los electrones y los uecos seguirn di"undi!ndose, pero en el
momento en que "orma el campo el!ctrico este se opone al movimiento de
electrones de la zona ? a la < y se opone al movimiento de uecos de la zona < a la
?. <or lo tanto ay, una doble tendencia que intenta mover a los electrones y a los
uecosC la di"usin y el campo el!ctrico que se generan en la regin de carga
espacial.
'l principio, la di"usin es su"iciente para vencer al campo el!ctrico, pero, al ir
creciendo la regin de carga espacial, el campo tambi!n crece, y cada vez se opone
con ms "uerza a la di"usin. <ero llega el momento en que el campo el!ctrico sea
lo su"icientemente grande como para detener el "lujo de los electrones y uecos
debido a la di"usin. Entonces se abr llegado a una situacin de equilibrio, y abr
cesado el "lujo de carga.
3ig. $.:.9 @nin <? en equilibrio. 3uente El 'utor
-omo se a dico anteriormente la unin <? con"orma un diodo. 'ora queda
a(adirle $ terminales e#ternos para ver como se comporta la unin <? cuando se le
aplica una determinada tensin entre la parte p y su parte n.
(.- "o#ri=ci/n en Sentido Directo.
Suponga que se le aplica una tensin positiva 0M entre la parte p y n como muestra
la "igura $.;.
TEORA DE DIODOS
;
Tipo p Tipo n
Neutr
o
Neutr
o
E
Begin de -arga
Espacial
3ig. $.;.9 <olarizacin en Mirecto de la unin <?
3uenteC El 'utor
El eco de aplicar esa tensin 0M ace que se "orme un campo el!ctrico
D
E
que
atraviesa toda la unin <?, y cuyo sentido es de la zona p a la zona n, ese campo
se superpone en sentido opuesto al campo el!ctrico que aba en la regin de carga
espacial el cual disminuye, provocando que se reanude la di"usin y que se genere
una corriente el!ctrica en el sentido de p a n, debida al "lujo de uecos acia la zona
n y el "lujo de electrones acia la zona p. En tal situacin la regin de carga espacial
abr disminuido. Situacin que se puede observar en la "igura $.=.
TEORA DE DIODOS
=
Tipo p
Tipo n
0
M
D
E
E
Tipo p
Tipo n
0
M
D
E
Tueco
Electrn
3ig. $.=.9 -irculacin de -orriente en la @nin <?
3uenteC El 'utor
Aa corriente es debida en su mayor parte al movimiento de los portadores
mayoritarios tanto de los uecos como de los electrones.
..- "o#ri=ci/n en Sentido In,er!o
Suponga aora que se le aplica una tensin positiva 0M entre la parte n y p como
muestra la "igura $.>.
3ig. $.>.9 <olarizacin en /nverso de la @nin <?
3uenteC El 'utor
'l aplicar ms tensin a la parte ? que a la parte < se genere un campo el!ctrico
D
E
dirigido de la zona ? a la zona <, que se superpone al campo de la regin de
carga espacial, y, al ser del mismo sentido, da como resultado que el campo
el!ctrico
E
de la regin de carga aumenteJ al ser el campo el elemento que se
opone a la di"usin, entonces, al aumentar imposibilita aun ms la di"usin. El
resultado es que, al igual que en el equilibrio, no circulara corriente a trav!s de la
unin, pero esta vez abr aumentado la regin de carga espacial. -omo se puede
observar en la "igura $.I.
TEORA DE DIODOS
>
Tipo p
Tipo n
0
M
D
E
E
3ig. $.I.9 'umento de la Begin -arga Espacial
3uenteC El 'utor
En la polarizacin /nversa se dice que no ay circulacin de corriente signi"icativa a
trav!s de la unin pero en realidad e#iste una peque(sima corriente el!ctrica que
es debida a los portadores minoritarios y "luye de la zona ? a la zona < la cual
recibe el nombre de corriente inversa de saturacin.
2.- Crcter*!tic! De Un Diodo En Uni/n "N
.atemticamente, la relacin e#istente entre la tensin directa 0M que soporta la
unin y la corriente que "luye de la zona < a la zona ? viene dada por la siguiente
e#presinC
) 1 (
T
D
V
V
e
Ec $.7
Esta es la e#presin L")0M+ de una unin ideal. En una unin real, es similar pero
no del todo id!ntica.
MondeC
C Es la intensidad de corriente que atraviesa el diodo )'+
0MC Es di"erencia de tensin en los e#tremo del diodo )0+
TEORA DE DIODOS
I
E
0
M
D
E
Tipo
p
Tipo
n
SC Es la intensidad de corriente de saturacin )Es decir valores negativos de 0M+
C -oe"iciente de -orreccin,
L 7 para el 2e y
L $ para el Si en niveles
relativamente bajos de corriente del diodo )En o abajo del punto de in"le#in de la
curva+ y
L 7 para el Si y 2e en mayores niveles de corriente del diodo )En la

seccin de crecimiento rpido de la curva+
0TC Es una -onstante que vara con la temperatura conocido como P0oltaje
T!rmicoQ o P<otencial equivalente de TemperaturaQ y que para una temperatura de
:EE F tiene un valor deC
mV V V
T
9 , 25 0259 , 0
Aa gr"ica de esta relacin tensin corriente es evidenteC
3ig. $.%.9 -urva -aracterstica del Miodo
3uenteC El 'utor.
Si a la unin <? se le aplica una tensin inversa muy grande, entonces por ella
circular una corriente inversa considerable, debida a dos mecanismos.
A,#nc0 ?Diodo! "oco Do&do!@5
Si la tensin inversa es muy grande, entonces el campo el!ctrico que soporta la
unin tambi!n lo es.
-omo ese campo atraviesa toda la unin, es capaz de captar tanto electrones
minoritarios de la zona < como uecos de la zona ?, y acelerarlos muco, de tal
modo que, tan grande es su energa cin!tica, que al colisionar con los enlaces
TEORA DE DIODOS
%
de la red cristalina, se llevan por delante a otros tantos electrones ) es decir,
rompen los enlaces, liberndose electrones+, que, por el mismo mecanismo,
pueden seguir rompiendo mas enlaces y en consecuencia generan al "inal una
gran cantidad de electrones en movimientos que dan lugar a la corriente
el!ctrica.
E6ecto Aener ? Diodo! mu+ Do&do!@5
El e"ecto zener se basa en la aplicacin de tensiones inversas que originan
"uertes campos el!ctricos que producen la rotura de los enlaces covalentes
dejando as electrones libres capaces de establecer la conduccin y no requiere
la aceleracin de un portador de carga )uecos o electrones+ debida al campo.
El e"ecto zener es reversible y as no es destructible cuando se limita la corriente
a un valor no demasiado elevado para que no se "unda la unin.
Me ese modo, la gra"ica real de la corriente que circula por la unin en sentido
de < acia ? en "uncin de la tensin directa serC

3ig. $.*.9 -urva -aracterstica real del Miodo
3uenteC El 'utor.
MondeC
;BC Tensin umbral.
TEORA DE DIODOS
*
Aa tensin umbral )tambi!n llamada barrera de potencial+ de polarizacin directa
coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no
polarizado.
m15 Corriente mC1im.
Es la intensidad de corriente m#ima que puede conducir el diodo sin "undirse por el
e"ecto Uoule.
!5 Corriente In,er! de Sturci/n
Es la peque(a intensidad de corriente que se establece al polarizar inversamente el
diodo por la "ormacin de pares electrn9ueco debido a la temperatura,
admiti!ndose que se duplica por cada incremento de 7E Y en la temperatura.
;r5 Ten!i/n de ru&tur.
Es la tensin inversa m#ima que el diodo puede soportar antes de darse el e"ecto
avalanca.
3.- Re&re!entci/n Sim%/#ic de# Diodo.
-omo se dijo anteriormente un diodo no es ms que una unin <? a la que se le
a(aden $ terminales e#ternos para conectarse a un circuito, en la "igura $.7E se
puede observar la representacin simblica y la "sica de un diodo normal )Me
<ropsito 2eneral o Becti"icador+ con son $ terminales ]nodo )<ositivo+ y -todo
)?egativo+.

3ig. $.7E.9 Bepresentacin Simblica y 3sica del Miodo
3uenteC El 'utor
4.- Re!i!tenci! de# Diodo!
-uando el punto de operacin de un diodo se mueve desde una regin a otra, la
resistencia del diodo tambi!n cambia debido a la "orma no lineal de la curva
TEORA DE DIODOS
7
caracterstica, si se analiza un diodo trabajando en r!gimen de continua o si est
trabajando en peque(a se(al, lo cual signi"ica que se aplica una se(al alterna
montada sobre un nivel de continua. Se puede decir que tiene $ tipos de resistenciaC
Besistencia Esttica.
Besistencia Minmica.
4.1.- Re!i!tenci E!tCtic.
Se obtiene al aplicar voltaje directo, el punto de operacin no cambia con el tiempo,
es decir la resistencia esttica de un diodo es independiente de la caracterstica en
la regin entorne al punto de inter!s solo depende del 0oltaje y la corriente en el
punto de polarizacin )Z+. Este punto corresponde a una tensin de polarizacin
que para un valor determinado da una corriente constante en r!gimen continuo.
d
d
D
!
V
"
Ec $.$
3ig. $.77.9 Bepresentacin del punto Z sobre la curva caracterstica de Miodo
3uenteC El 'utor
4.(.- Re!i!tenci DinCmic
Aa resistencia del diodo cambia con la corriente que le atraviese, por lo tanto se
de"ine una resistencia en cada punto de la caracterstica por la e#presinC
d!
dV
r
D
Ec $.:
D
r Se llama resistencia o dinmica de la unin, que corresponde a la resistencia
interna del diodo.
TEORA DE DIODOS
7
2r"icamente la resistencia dinmica
D
r es un punto de la caracterstica y se mide
por la pendiente de la recta tangente en ese punto.
Tericamente de la ecuacin $.7
) 1 (
T
D
V
V
T
D
T
D
V
V
e
V
!
dV
d!
r
1 1

<ero en la polarizacin directa
T
V
V
V
!
dV
d!
e
T
D

!
V
r
T
D

Ec $.;
Aa ecuacin $.; corresponde a la e#presin de la resistencia de unin
correspondiente a la corriente que la atraviesa, es decir, que "ija el punto sobre la
curva caracterstica )0+ llamado punto de polarizacin. Aa resistencia di"erencial
D
r cambia el punto de polarizacin sobre la curva caracterstica.
' la temperatura ambienteC
D
r L $=,* ^ cuando L 7m'
D
r L $,=* ^ cuando L 7Em'
D
r L $,=*F^ cuando L 7E_'
Aa resistencia di"erencial o dinmica
d!
dV
r
D
se puede determinar gr"icamente por
la medicin de la pendiente de la tangente a la curva caracterstica en el punto de
polarizacin. Esa pendiente da
D
r
1
.
E#perimentalmente se puede notar la resistencia dinmica del diodo
D
r como la
razn de una peque(a variacin de voltaje 0 y de la variacin correspondiente de
la intensidad .

TEORA DE DIODOS
7
!
V
r
D
Ec $.=
<rcticamente se toma una peque(a variacin de la alrededor del punto de
polarizacin y se nota la variacin correspondiente del 0. Esas variaciones deben
ser peque(as porque la caracterstica se apro#ima a una recta y eso es e#acto
sobre un peque(o intervalo alrededor de .
3ig. $.7$ Besistencia dinmica y 0ariacin del punto Z
3uenteC #######
8.- In6#uenci De L Tem&ertur So%re L! "ro&iedde! De L Uni/n
Aos semiconductores dependen muco del e"ecto de la temperatura. En el caso de
los diodos la temperatura cambiaC
TEORA DE DIODOS
7
' la corriente directa constante, el valor de la tensin a los bornes del
diodo.
' la tensin inversa constante, el valor de la corriente inversa de saturacin
S
Esos e"ectos se denominan PMerivas T!rmicasQ.
8.1.- In6#uenci de # tem&ertur !o%re # corriente de Sturci/n S
Aa corriente inversa de la unin viene del "lujo de los portadores minoritarios en la
unin. Es decir que la variacin de S en "uncin de la temperatura sigue la ley de
variacin de la generacin de los portadores en "uncin de la temperatura.
,
_
T k
E
g
e T B !
* 3
* *
Ec $.>
El t!rmino
KT
E
g
e
de la ecuacin anterior, cambia muco ms que T

:
alrededor de la
temperatura ambiente ):EE F+.
) (
0 1
0 1
) ( ) (
T T K

i
e T ! T !

Ec $.I
Monde
i
K
L E,EI$O-L I,$&O-, resultaC
10 / ) (
0 1
0 1
2 ) ( ) (
T T

T ! T !

, )e
E,I$
$+
PS se duplica apro#imadamente cada 7E - de aumento de T Q
Aa corriente inversa de los diodos de Si es menor que la corriente inversa para los
diodos Ge. Esta corriente aumenta rpidamente cuando aumenta la temperatura.
8.(.- In6#uenci de # tem&ertur !o%re # ten!i/n direct #o! %orne! de #
uni/n.
Me manera general la tensin a los bornes de un diodo de unin <? de Si o Ge
polarizada a corriente constante, disminuye apro#imadamente de $,: m0O-
cuando la temperatura ambiente aumenta 7-.
TEORA DE DIODOS
7
) ( ) ( ) (
1 2 1 2
T T k T V T V
# D D

Ec $.%
T k V
# D

Ec $.*
2 1
, T T C Temperatura
#
k
-oe"iciente de temperatura 0O- )usado en termmetros+
9$,= m0O- 2ermanio
9$,E m0O- Silicio
97,= m0O- ScottXy
3ig. $.7: /n"luencia de la temperatura sobre la
tensin del diodo.
3uenteC El 'utor
D.- E!Euem EEui,#ente de# Diodo en R-)imen A#terno.
-apacidad de agotamiento o Transicin.
-apacidad de Mi"usin.
D.1.- C&cidd de A)otmiento o de Trn!ici/n
Mel comportamiento de la unin PN en la regin inversa se puede observar la
analoga entre la capa de agotamiento )o deple#in+ de un condensador. ' medida
que cambia el voltaje en paralelo con la unin PN, la carga almacenada en la capa
de agotamiento cambia de con"ormidad. En la "igura $.7; se muestra una curva
caracterstica tpica de carga versus el voltaje e#terno aplicado de una unin PN.
TEORA DE DIODOS
7
3ig. $.7; -urva -aracterstica de la -arga 'lmacenada vs. Tensin /nversa 'plicada.
3uenteCEl autor.
-uando el dispositivo se polariza en inverso y la variacin de la se(al alrededor del
punto de polarizacin es peque(a como se ilustra en la "ig $.7; se puede usar una
apro#imacin de capacitancia lineal. Mesde esta apro#imacin a peque(a se(al, la
capacidad de agotamiento o transicin es simplemente la pendiente de la curva qJ
versus VR en el punto Q de polarizacin.
$ "
V V
"
J
%
dV
dq
C
Ec $.7E
3cilmente derivando se puede allar una e#presin para Cj. Si se trata la capa de
agotamiento como un condensador de placas planas paralelas se obtendr una
e#presin id!ntica para Cj.
agot
%
&
A
C

Ec $.77
MondeC
:
%
C
-apacitancia de unin o de transicin o de agotamiento
:
<ermitibilidad del semiconductor

:
agot
&
'nco de la regin de agotamiento.
: A ]rea de la unin
Aa e#presin resultante para Cj se puede escribir en una "orma conveniente
TEORA DE DIODOS
7
'
"
%o
%
V
V
C
C
+
1
Ec $.7$
MondeC

:
%'
C
-apacitancia con polarizacin cero es decir VR L VQ L E
:
"
V Tensin de polarizacin /nversa
:
'
V
<otencial de la regin de transicin
,
_
i
D A
T
n
N N
V Vo
2
*
ln
El anlisis precedente y la e#presin para Cj se aplican para uniones en las que la
concentracin de portadores se ace cambiar abruptamente en la "rontera de la
unin. @na "rmula ms general para Cj es
m
'
"
%'
%
V
V
C
C
,
_
1
Ec $.7:
Monde m es una constante cuyo valor depende de la manera en que cambia la
concentracin del lado P al lado N de la unin. Se denomina coe6iciente de
di!tri%uci/n, y su valor es de F a G. Tambi!n se conoce C$ H CT.
<ara resumir, a medida que un voltaje de polarizacin inversa se aplica a una unin
PN, ocurre un transitorio durante el que la capacitancia de agotamiento se carga al
nuevo voltaje de polarizacin. @na vez que gradualmente desaparezca el transitorio,
la corriente inversa de estado estable es simplemente . En realidad, corrientes de
asta unos pocos nanoamper )7E
9*
'+ circulan en direccin inversa, en dispositivos
para los que es del orden 7E
97=
'. Esta gran di"erencia se debe a "uga y otros
e"ectos. 'dems, la corriente inversa depende en cierta medida de la magnitud del
voltaje inverso, contrario al modelo terico, que e#presa que independiente
del valor del voltaje inverso aplicado. ?o obstante lo anterior, debido a que
TEORA DE DIODOS
7
intervienen corrientes muy bajas, por lo general no se toma en cuenta los detalles
de la curva caracterstica i9! del diodo en la direccin inversa.
En la 3igura $.7= se observa la variacin de CT en "uncin de VR para dos diodos
tpicos.
3ig. $.7= 0ariaciones de CT en "uncin de VR para dos diodos Tpicos
3uenteC `````
Se observa de la "igura $.7= que cuanto mayor sea la tensin inversa, mayor es el
anco "a#ot de la regin de agotamiento o de carga espacial, y como consecuencia,
menor la capacidad Cj.
Me manera anloga, si aumenta la tensin directa, "a#ot disminuye y Cj aumenta. En
ciertos circuitos se utiliza este e"ecto de la variacin de la capacidad con la tensin
de una unin PN polarizada inversamente.
D.(.-C&cidd de Di6u!i/n
Me la descripcin de la operacin de la unin <? en la regin de sentido directo se
observa que, en estado estable, cierta cantidad de e#ceso de carga de portadores
minoritarios se almacena en la mayor parte de cada una de las regiones P y N con
TEORA DE DIODOS
7
carga neutra. Si cambia la tensin entre terminales, este cambio "inaliza antes de
que se alcance un nuevo estado estable. Este "enmeno de carga y
almacenamiento da lugar a otro e"ecto capacitivo, muy di"erente del que se debe al
almacenamiento de carga en la regin de agotamiento.
<ara peque(as variaciones de carga situadas alrededor de un punto de
polarizacin, podemos de"inir la capacitancia de di"usin a peque(a se(al Cd comoC
dV
d$
C
d
Ec $.7;
H se pode demostrar que
!
V
C
T
T
d

,
_

Ec $.7=
Monde es la corriente del diodo en el punto de polarizacin. Es de ?otar que Cd es
directamente proporcional a la corriente del diodo y es, por lo tanto, tan peque(a
que es despreciable cuando el diodo se polariza inversamente. Es de notar tambi!n
que para mantener una Cd peque(a, el tiempo de trnsito T debe acerse peque(o,
lo cual es un requisito importante para diodos destinados para operacin a alta
velocidad o alta "recuencia.
I.- Mode#o! o A&ro1imcione! de# Diodo.
$odelo %deal
$odelo de ca&da de !oltaje constante
$odelo 'ineal por tramos
I.1.- Mode#o Ide#
@n modelo til para una gran variedad de instancias del anlisis es el PidealQ, que
describe al diodo como una vlvula unidireccional, esto es, como un conductor
per"ecto cuando es polarizado directamente )positivo en el nodo, negativo en el
ctodo+, y como un aislador per"ecto cuando es polarizado negativamente.
TEORA DE DIODOS
7
Aa "igura $.7> muestra la gra"ica el modelo ideal.
3ig. $.7> -urva 0 0s. de un Miodo /deal.
3uenteC El 'utor
-uando M es positiva, 0M es cero, y se dice que el diodo est en estado ,?
)encendido+.
-uando 0M es negativo, M es cero, y se dice que el diodo est en estado ,33
)apagado+.
El modelo ideal se puede utilizar si el conte#to del circuito se puede presumir que
los voltajes sern de magnitud su"iciente para asegurar uno u otro estado de
operacin de los diodos, y si, "rente a esos niveles de voltaje y corriente, los voltajes
de conduccin y las corrientes inversas resultan despreciables. Tambi!n resulta muy
til el modelo ideal si lo que se requiere es la comprensin del "uncionamiento de un
circuito )cualitativo+ ms que un anlisis e#acto )cuantitativo+.
En este modelo se sustituyen o se reemplazan en el circuito el smbolo de diodo por
cortocircuitos )los supuestos en estado ,?+ y por circuitos abiertos )los supuestos
en estado ,33+.
I.(.- Mode#o de C*d de Ten!i/n Con!tnte
TEORA DE DIODOS
$
En este modelo no solo se sustituyen o se reemplazan en el circuito el smbolo de
diodo por cortocircuitos los que estn en estado ,? y por circuitos abiertos los que
estn en estado ,33, sino que se lo agrega una "uente de tensin en serie al diodo
al diodo ideal, el valor de la "uente es la tensin umbral del diodo. En la "igura $.7I
se puede observar la curva caracterstica 0 vs. de diodo bajo usando esta
apro#imacin o modelo.
3ig. $.7I .odelo de cada de voltaje constante de la caracterstica directa del diodo y la
Bepresentacin de su circuito equivalente.
3uenteC El 'utor
I...- Mode#o Line# &or Trmo!
'lgunas aplicaciones cuyas solucin requiere de mayor precisin obligan a mejorar
el modelo anterior, aciendo consideracin tanto del voltaje de umbral )VD()
)di"erente de E104+ como del carcter "inito de la pendiente de la curva 09.
TEORA DE DIODOS
$
3ig. $.7% .odelo lineal por tramos de la caracterstica directa del diodo y su circuito
equivalente.
3uenteC El 'utor
rD L $E ^J D L E, VD a VD( J D L )VD W VD(+OrD * <ara 0D b VD(
rD: Besistencia interna del diodo vlida tanto para condiciones estticas como
dinmicas.
1J.- "rCmetro! + E!&eci6iccione! E#-ctric! De Lo! Diodo
Aa construccin de un diodo determina la cantidad de corriente que es capaz de
manejar, la cantidad de potencia que puede disipar y la tensin inversa pico que
puede soportar sin da(arse. ' continuacin se lista los parmetros principales que
se encuentran en la oja de especi"icaciones del "abricante de un diodo recti"icadorC
7. Tipo de dispositivo con el nmero gen!rico de los nmeros del "abricante.
$. Tensin de pico /nverso ?"I;@. Este valor es igual al m#imo valor que el
diodo puede tolerar cuando se polariza en inversa.
:. .#ima corriente inversa en </0 ?R@ )a temperatura y corriente
especi"icadas)
;. .#ima corriente de cd en directo ?6@. Este valor es igual a la m#ima
corriente que puede circular por el diodo sin da(arlo cuando !ste se
encuentra en el estado de conduccin.
=. -orriente promedio de media onda recti"icada en directo ?o@.
TEORA DE DIODOS
$
>. .#ima temperatura de la unin.
I. -apacitancia m#ima ?C@.
%. Misipacin de <otencia.
*. -urvas de degradacin de corriente.
7E. -urvas caractersticas para cambio en temperatura de tal "orma que el
dispositivo se pueda estimar para altas temperaturas.
TEORA DE DIODOS
$
3ig.$.7* Toja de Especi"icaciones del 3abricante 8'HI:
3uenteC DDD.dataseests.org
TEORA DE DIODOS
$
3ig.$.$E -urvas El!ctricas Tpicas del Miodo 8'HI:
3uenteCDDD.dataseests.org
TEORA DE DIODOS
$
11.- ;eri6icci/n de# E!tdo de un Diodo
Tay que recordar que los diodos son componentes que conducen la corriente en un
solo sentido, teniendo en cuenta esto, se pueden probar con un multimetro en la
posicin de GometroG ya que para acer la prueba de resistores, por !l circula una
peque(a corriente que suministra el propio instrumento. En otras palabras, el
multimetro como ometro no es ms que un microampermetro en serie con una
batera y una resistencia limitadora.
-uando el terminal positivo de la batera del multimetro se conecta en serie con el
nodo del diodo bajo ensayo y el otro terminal del instrumento se conecta al ctodo,
la indicacin debe mostrar una baja resistencia, mayor de"le#in se conseguir
cuanto ms grande sea el rango, segn se indica en la "igura $.$7a.
En inversa el instrumento causar alta resistencia. En teora la resistencia inversa
debera ser in"inita, con lo cual la aguja del multimetro no se debera mover, como lo
sugiere la "igura $.$7b, pero en algunos diodos, especialmente los de germanio,
cuando se los mide en rangos superiores a B # 7EE en sentido inverso, provocan
una de"le#in notable llegando asta un tercio de la escala, lo cual podra
desorientar a los principiantes creyendo que el diodo est de"ectuoso cuando en
realidad est en buenas condiciones. <or lo tanto, para evitar con"usiones la prueba
de diodos debe realizarse en el rango ms bajo del ometro tal que al estar
polarizado en directa la aguja de"lecte indicando baja resistencia y cuando se lo
polariza en inversa la aguja del instrumento casi no se mueva, lo que indicar
resistencia muy elevada. Si se dan estas dos condiciones, entonces el diodo est en
buen estado.
Si la resistencia es baja en ambas mediciones, signi"ica que el diodo est en
cortocircuito, en cambio si ambas lecturas indican muy alta resistencia, es indicio de
que el diodo est abierto. En ambos casos se debe desecar el componente.
Aa prueba es vlida para la mayora de los multimetros analgicos en los cuales el
negativo del GmultimetroG corresponde al terminal positivo de la batera interna,
cuando el multimetro "unciona como ometro, esto se ejempli"ica en la "igura $.$$
El m!todo aplicado es igualmente vlido para todos los diodos sin incluir los
recti"icadores de alta tensin empleados en televisores transistorizados, como por
TEORA DE DIODOS
$
ejemplo diodos de potencia para "uentes de alimentacin, diodos de se(al, diodos
varicap, diodos zener, etc., ya sean de germanio o de silicio.
Tay que observar que cuando se utiliza un multimetro digital que tiene una posicin
para el diodo, puede llevarse a cabo una prueba dinmica de este dispositivo
semiconductor. -on un diodo en buenas condiciones, el voltaje de polarizacin
directa que despliega el multimetro debe ser, apro#imadamente, de E,I 0. El
procedimiento anterior es la mejor prueba para veri"icar el estado de un diodo

a b
3ig. $.$7 0eri"icacin del estado de un diodo con un ometro.
a.9 -uando el diodo est polarizado en sentido directo, la lectura del ometro es baja
b. Si el diodo se polariza en sentido inverso, la lectura del ometro indica una
resistencia muy alta )in"inita+.
3uenteC Bevista .ultimetro
3ig. $.$$ .ultimetro -omo ,metro
3uenteC Bevista .ultimetro
?otaC En los multimetros analgicos, la punta roja corresponde al negativo de la
batera interna.
TEORA DE DIODOS
$
E>ercicio Re!ue#to
7.9 -alcule la corriente de polarizacin directa en una unin <?. -onsidere una
unin <? a T L :EE F en la cual S L =N7E
97;
' y 0M L E,>=0.
MatosC
T L :EE F
S L =N7E
97;
'
0M L E,>=0
L \
Se emplea la ecuacin )$.7+ y asumiendo
1
) 1 ( 10 * 5
65 , 0
14

T
V
V
e
Se determina el voltaje t!rmico para la temperatura dada aciendo uso de la
ecuacin )7.7;+, como T L:EE F mV V V
T
9 , 25 0259 , 0
mA e
mV
V
96 , 3 ) 1 ( 10 * 5
9 , 25
65 , 0
14

$.9 -alcule la capacitancia de unin de una unin <? de silicio a K T 300 , con
concentraciones de dopado de tomos 'ceptadores igual a 7E
7>
cm
9:
y una
concentracin de tomos Monadores de 7E
7=
cm
9:
. Se sabe que -j, L E,= p3 y que el
voltaje inverso aplicado es de $0.
Matos
K T 300
3 16
10

cm N
A
3 15
10

cm N
D
p( C
%o
5 , 0
V V
"
2
<ara determinar la capacitancia de unin se usa la ecuacin de )$.7;+ y para ello se
debe calcular el potencial de la barrera de la unin que viene dado por la siguiente
TEORA DE DIODOS
$
ecuacinC
,
_
i
D A
T
n
N N
V Vo
2
*
ln y para determinar este valor ay que determinar la
concentracin intrnseca para el silicio a la temperatura dada.
K
K
eV
eV
i
e K K cm n
300 * 10 * 86 * 2
1 , 1
2 / 3 2 / 3 3 15
6
* ) 300 ( * 10 * 23 , 5

3 10
10 * 499 , 1

cm n
i
( )
V mV Vo 635 , 0
10 * 499 , 1
10 * 10
ln 9 , 25
2
10
15 16
,
_
p(
V
V
p(
C
%
245 , 0
635 , 0
2
1
5 , 0
E>ercicio! "ro&ue!to!
7.9 Se tiene un diodo de silicio a una K T 300 que tiene una corriente de
saturacin inversa de S L 7E
97:
'. El diodo esta polarizado en directo y por el circula
una corriente de 7 m'. Meterminar la tensin del Miodo.
$.9 @na unin d e 2ermanio a es dopada a K T 300
3 17
10

cm N
A
y
3 16
10

cm N
D
se
sabe que la capacitancia de transicin es de E,% p3 cuando se le aplican =v de
polarizacin inversa. Encuentre la capacitancia de transicin con polarizacin cero
%o
C
.
TEORA DE DIODOS
$
TI"OS DE DIODOS
Recti6icdor
Aener
Tune#
;ric&
o
;rctor
Led
FotoDiodo
MDULO III
TI%OS DE DIODOS
MDULO III
TI"OS DE DIODOS
Segn su construccin, se podra decir que e#isten dos tipos de diodosC de -ontacto
por punta y de unin.
'os de contacto por punta estn "ormados por un cristal semiconductor montado
sobre una base de metal y por un alambre terminado en punta, la cual ace
contacto a presin con el semiconductor. @n Terminal de cone#in e#terior va
soldado al e#tremo libre del alambre y el otro a la base del metal. El alambre suele
ser de aleacin de platino, tungsteno, bronce "os"oroso, etc. El cristal semiconductor,
de silicio tipo < o germanio tipo ?. En realidad, no e#iste unin <? en este tipo de
diodo.
'os diodos de uni+n estn "ormado por la unin de dos cristales de di"erentes clases
uno tipo ? y otro tipo <. Aos terminales de cone#in e#teriores van unidos a las
super"icies e#tremas de los cristales. Este tipo de diodo trabaja con potencias ms
elevadas que los de contacto por punta.
'lgunos diodos dentro de los dos tipos planteados sonC
1. Diodo Aener
El diodo zener corresponde a una unin <? particular polarizada en sentido inverso
es decir que el ctodo )F+ se conecta a un potencial ms elevado que el nodo )'+,
se caracteriza porque conduce en la zona inversa a partir de una tensin negativa
0c. Tiene tres zonas de "uncionamiento, la zona de polarizacin en sentido directo
tiene las mismas caractersticas que el diodo recti"icador o de propsito general,
mientras que en polarizacin en sentido inverso se di"erencian dos zonas, una en la
que el diodo no conduce y en la que si conduce o permite la circulacin de corriente,
y la tensin tiene un valor menor o igual a la tensin cener o de ruptura )0c+, Esta
tensin de ruptura depende de las caractersticas de construccin del diodo, se
"abrican desde $ a $EE voltios.
TI"OS DE DIODOS
$
3ig. :E -urva -aracterstica del Miodo cener
Aas caractersticas que di"erencian a los diversos diodos cener entre si sonC
Tensiones de polarizacin inversa, conocida como Ten!i/n Aener.9 Es la
tensin que el zener va a mantener constante.
Corriente m*nim de 6uncionmiento.9 Si la corriente a trav!s del zener es
menor, no ay seguridad en que el cener mantenga constante la tensin en
sus bornes
"otenci mC1im de di!i&ci/n. <uesto que la tensin es constante, nos
indica el m#imo valor de la corriente que puede soportar el cener.
Aa m#ima corriente que puede conducir un diodo cener viene dada por la siguiente
ecuacinC
)
)*A+
*ax
V
,
!
<or tanto el cener es un diodo que al polarizarlo inversamente mantiene constante
la tensin en sus bornes a un valor llamado tensin de cener, pudiendo variar la
corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor
mnimo de "uncionamiento y el correspondiente a la potencia de zener m#ima que
puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.
TI"OS DE DIODOS
:
1.1.-Con!trucci/n de un diodo Aener
Aos diodos cener se "abrican por procesos de aleacin o proceso de di"usin segn
sean las caractersticas que se deseen obtener. Me modo general, podemos decir
que los diodos con tensiones de rupturas in"eriores a *0, presentan mejores
caractersticas cuando se "abrican por aleacin, mientras que cuando las tensiones
de rupturas son superiores a los 7$0 se "abrican por di"usin, pero para las
tensiones entre *0 y 7$0 el proceso de "abricacin depende de otros "actores.
Proceso de ,a-ricaci+n por .leaci+n .
Este m!todo consiste en calentar a una temperatura de >=EK- apro#imadamente,
una peque(a pastilla de cristal de silicio tipo ?, a la que se le coloca encima una
minscula cantidad de material tipo <. 'l calentarlos se produce la aleacin entre
ambos materiales en una zona de "orma circular.
Proceso de ,a-ricaci+n por Di/usi+n
Este tipo de diodos se obtienen depositando en una delgada lamina de cristal de
silicio, boro por una cara )para la "ormacin del materia tipo "+ y por la otra vapor de
"s"oro )para la "ormacin del materia tipo N+ el conjunto se introduce en un orno a
una temperatura superior a 7$EEY- el calor provocara que en el cristal de silicio
penetre el "s"oro por un lado y el boro por el otro, di"undi!ndose ambos materiales
en el cristal de silicio.
El tipo de encapsulado es igual que el de los diodos recti"icadores. 'unque no se
comportan como ellos, es por eso que en simbologa electrnica la "orma de
representarlos es tambi!n di"erente. 0er "igura :7
Aos modelos del diodo cener se "orman a partir de cualquiera de los modelos del
diodo de propsito general a(adiendo una zona de operacin, la de conduccin
inversa. Aa e#presin en polarizacin directa permanece sin cambios, pero en le
zona inversa ay que introducir una modi"icacin en la conduccin, que queda de la
siguiente "ormaC
TI"OS DE DIODOS
;
3ig. :7 'specto 3sico y Simbologa del Miodo cener
.odelo /dealC 0c a 0M a E ?o ay circulacin de corriente
Aos otros .odelosC 0c a 0M a 0d ?o ay circulacin de corriente
7
EB
'pro#imacin
8ajo esta apro#imacin el diodo se sustituye por una batera o "uente de tensin de
valor igual a tensin zener 0c. Esto solo es vlido entre /cmn y /cm#. 0er 3igura :$
$
M,
'pro#imacin
En esta segunda apro#imacin se sustituye al diodo por una batera de valor igual a
la tensin zener en serie con una resistencia, siendo est el inverso de la pendiente
de la curva caracterstica en sentido inverso. /gualmente esto solo es vlido entre
/cmn y /cm#,
)
)
)
D
V V
"
V V
!
. 0er "igura ::.

TI"OS DE DIODOS
=
3ig. :$ -urva -aracterstica del diodo zener para la primera apro#imacin
3ig. :: -urva -aracterstica del diodo zener para la segunda apro#imacin
El modelo ms utilizado del diodo zener es el que supone que las resistencias del
diodo tanto en directo como en inverso son muy peque(as y se desprecia dico
valor, quedandoC
) D
D )
D
V V !
! V V V
V V !

0
0
0
1.(.- C/di)o De Identi6icci/n De# Aener

E#isten tres tipos de identi"icacin de los diodos zener. El ms moderno consiste en
tres letras seguidas de un nmero de serie y el valor que ace re"erencia a la
tensin zener.
TI"OS DE DIODOS
>
7. Es un $, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor de silicio
$. Es una A, indica que se trata de un diodo zener
:. Es una K o A indica que se trata de aplicaciones pro"esionales
Mespu!s ira el nmero de serie indicado por el "abricante y la tensin zener,
utilizando la 0 como coma decimal. <or ejemploC
$AK-8I-3;1
En ocasiones se le a(ade una letra ms que nos indicara la tolerancia de la tensin
zener, segn el siguiente cdigoC
A---- 1L
$---- (L
C---- 3L
D----1JL
E----13L
,tro cdigo es el que utiliza Tambi!n tres letras y el nmero de serie del "abricante,
siendoC
7. Es un O, indicativa de que se trata de un elemento semiconductor.
$. Es AA, indica que se trata de un diodo zener
:. El numero de serie del "abricante.
H por ultimo el cdigo americano, que al igual que los diodos recti"icadores seriaC
1N seguido por un nmero de serie.
1...- A&#iccione!
Begulador de tensin.
Tensin de re"erencia.
-ircuito Aimitador.
TI"OS DE DIODOS
I
1.2.- E!&eci6iccione! de# 6%ricnte
En el caso de los diodos zener por lo general aparecen los siguientes parmetros en
las ojas de especi"icaciones.
Tipo de dispositivo con el nmero gen!rico o con los nmeros del "abricante.
Tensin zener nominal )tensin de temperatura por avalanca+.
Tolerancia de tensin.
.#ima disipacin de potencia )a $=K-+.
-orriente de prueba, /zt.
/mpedancia dinmica a /zt.
-orriente de v!rtice.
.#ima temperatura en la unin.
-oe"iciente de temperatura.
-urvas de degradacin para altas temperaturas.
(. Diodo Led M Fotodiodo
&'& Diodo LED
-iertos tipos de diodos son capaces de cambiar la "uente de energa el!ctrica en
"uente de energa lumnica. El diodo emisor de luz )AEM, Aigt emitting diode+
trans"orma la corriente el!ctrica en luz. Es til para diversas "ormas de despliegues,
y a veces se puede utilizar como "uente de luz para aplicaciones de comunicaciones
por "ibra ptica.
Aos diodos emisores de luz, se "abrican con materiales semiconductores de
"ormulacin especial 1'rseniuro de 2alio )2a's+, 3os"ato de 2alio )2a<+4 que
emiten "otones de luz visible o in"rarroja cuando conducen en polarizacin directa.
En polarizacin inversa se comportan como un diodo de propsito general, aunque
se di"erencian en que su tensin umbral de conduccin es de 7,=0 a $,$0
TI"OS DE DIODOS
%
apro#imadamente y la gama de corrientes que debe circular por !l est entre los 7E
y $E miliamperios )m'+ en los diodos de color rojo y de entre los $E y ;E
miliamperios )m'+ para los otros AEMs.
<ero como resulta di"cil distinguir, por pura inspeccin visual, el modelo del AEM as
como el "abricanteC los valores m#imos de tensin y corriente que puede soportar y
que suministra el "abricante sern por lo general desconocidos. <or esto, cuando se
utilice un diodo AEM en un circuito, se recomienda que la intensidad que lo atraviese
no supere los $E m', precaucin de carcter general que resulta muy vlida.
Aos AEM, se pueden obtener en el mercado en di"erentes coloresC Bojo, 0erde,
?aranja, 'marillo, /n"rarrojo, 8icolor etc. H ala intensidad de la luz tiene dependencia
lineal con la corriente de e#citacin. Estos dispositivos emisores de luz, vienen
constituidos para di"erentes corrientes de e#citacin, corrientes muy altas
disminuirn la vida til de AEM, por ello, es importante colocar en serie con el diodo
una resistencia de proteccin para que limite la corriente que circula por el AEM.
Mependiendo del material de que est eco el AEM, ser la emisin de la longitud
de onda y por ende el color.
3ig. :; Smbolo y 'specto "sico del Miodo AEM
<ara identi"icar los terminales del diodo AEM observaremos como el ctodo ser el
terminal ms corto, siendo el ms largo el nodo. 'dems en el encapsulado,
TI"OS DE DIODOS
*
normalmente de plstico, se observa un ca"ln en el lado en el que se encuentra el
ctodo.
Se utiliza ampliamente en aplicaciones visuales, como indicadoras de cierta
situacin espec"ica de "uncionamiento.
Ejemplos
9 Se utilizan para desplegar contadores.
9 <ara indicar la polaridad de una "uente de alimentacin de corriente directa.
9 <ara indicar la actividad de una "uente de alimentacin de corriente alterna.
9 En dispositivos de alarma.
Sus desventajas son que su potencia de iluminacin es tan baja, que su luz es
invisible bajo una "uente de luz brillante y que su ngulo de visibilidad est entre los
:EK y >EK. Este ltimo problema se corrige con cubiertas di"usores de luz.
&'(') *otodiodo
@n "otodiodo realiza la "uncin inversa al AEM. Esto es, trans"orma la "uente de
energa lumnica en corriente el!ctrica. -uando el "otodiodo es polarizado en sentido
directo, o"rece un comportamiento similar al de un diodo de propsito general pero
cuando se ilumina una unin <? polarizada inversamente se produce un aumento
de la corriente inversa que es proporcional a la intensidad de luz aplicada. Este
"enmeno se da porque los "otones de luz generan nuevos pares electrn9ueco en
las dos zonas, de "orma que los portadores minoritarios puedan atravesar la unin
por la accin del potencial inverso, contribuyendo aun aumento apreciable de la
corriente inversa, a ese "lujo de corriente, se denomina G "otocorriente G en el circuito
e#terno, que es proporcional a la intensidad de luz e"ectiva en el dispositivo. Este se
comporta como generador de corriente constante mientras la tensin no e#ceda la
tensin de avalanca.
TI"OS DE DIODOS
7
El "otodiodo e#ibe un pico de respuesta en una longitud de onda radiante
determinada. <ara esta longitud de onda, se produce la m#ima cantidad de pares
uecos9electrn en la pro#imidad de la unin.
El m#imo de la curva de respuesta espectral de un "otodiodo tpico se alla en %=E
nm, apro#imadamente.
Aa totalidad de los detectores de luz comunes consisten en una unin a "otodiodo y
un ampli"icador. En la mayora de dispositivos comerciales, la corriente del "otodiodo
se alla en el margen comprendido entre el submicroamperio y las decenas de
microamperios, pudiendo a(adirse a la pastilla un ampli"icador por un coste mnimo.
3ig. := Simbologa y 'spectos "sicos de un 3otodiodo
3ig. :> -urva caracterstica O 0 de un "otodiodo para di"erentes intensidades luminosas
TI"OS DE DIODOS
7
Composici+n
El material empleado en la composicin de un "otodiodo es un "actor crtico para
de"inir sus propiedades. Suelen estar compuestos de silicio, sensible a la luz visible
)longitud de onda de asta 7_m+J germanio para luz in"rarroja )longitud de onda
asta apro#. 7,% _m +J o de cualquier otro material semiconductor.
Tambi!n es posible la "abricacin de "otodiodos para su uso en el campo de los
in"rarrojos medios )longitud de onda entre = y $E _m+, pero estos requieren
re"rigeracin por nitrgeno lquido.
'ntiguamente se "abricaban e#posmetros con un "otodiodo de selenio de una
super"icie amplia.
Tabla de los semiconductores y su longitud de onda
.. DIODO DE $ARRERA O SC<OTTNM
El diodo ScottXy llamado as en onor del "sico alemn ealter T. ScottXy,
tambi!n denominado diodo pnpn o diodo de barrera, ya que se "orma una barrera a
trav!s de la unin debido al movimiento de los electrones del semiconductor a la
inter"az metlica, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones
muy rpidas entre los estados de conduccin directa e inversa )menos de 7ns en
dispositivos peque(os de = mm de dimetro+ y muy bajas tensiones umbral. Su
caracterstica de tensin corriente es muy similar a la del diodo de unin <? de
silicio e#cepto porque la tensin en directo, 0d, es E.: 0 en vez de E.I 0, la
capacitancia asociada con el diodo es peque(a. ' "recuencias bajas un diodo
normal puede conmutar "cilmente cuando la polarizacin cambia de directa a
inversa, pero a medida que aumenta la "recuencia el tiempo de conmutacin puede
llegar a ser muy alto, poniendo en peligro el dispositivo.
TI"OS DE DIODOS
7
El diodo ScottXy est constituido por una unin metal9semiconductor )barrera
ScottXy+, ligeramente dopada con un metal como el aluminio o platino, en lugar de
la unin convencional semiconductor9semiconductor utilizada por los diodos
normales. Es por ello que se dice que el diodo ScottXy es un dispositivo
semiconductor Gportador mayoritarioG. Esto signi"ica que, si el cuerpo semiconductor
est dopado con impurezas tipo ?, solamente los portadores tipo ? )electrones
mviles+ jugaran un papel signi"icativo en la operacin del diodo y no se realizar la
recombinacin aleatoria y lenta de portadores tipo ? y < que tiene lugar en los
diodos recti"icadores normales, con lo que la operacin del dispositivo ser muco
ms rpida.
Aa alta velocidad de conmutacin permite recti"icar se(ales de muy altas "recuencias
y eliminar e#cesos de corriente en circuitos de alta intensidad.
Aa limitacin ms evidente del diodo de ScottXy es la di"icultad de conseguir
resistencias inversas relativamente elevadas cuando se trabaja con altos voltajes
inversos pero el diodo ScottXy encuentra una gran variedad de aplicaciones en
circuitos de alta velocidad para computadoras donde se necesiten grandes
velocidades de conmutacin y mediante su poca cada de voltaje en directo permite
poco gasto de energa, otra utilizacin del diodo ScottXy es en variadores de alta
gama para que la corriente que vuelve desde el motor al variador no pase por el
transistor del "reno y este no pierda sus "acultades.
3ig. :I Simbologa y -urva -aracterstica del Miodo ScottXy
TI"OS DE DIODOS
7
2. Diodo "in
El "otodiodo </? es el detector ms importante utilizado en los sistemas de
comunicacin ptica. Es relativamente "cil de "abricar, altamente "iable, tiene bajo
ruido y es compatible con circuitos ampli"icadores de baja tensin. 'dems, es
sensible a un gran anco de banda debido a que no tiene mecanismo de ganancia.
Es un diodo que presenta una regin < y una regin ? tambi!n "uertemente dopada,
separadas por una regin de material que es casi intrnseco. Este tipo de diodos se
utiliza en "recuencias de microondas, es decir, "recuencias que e#ceden de 7 2Tz,
puesto que incluso en estas "recuencias el diodo tiene una impedancia muy alta
cuando est inversamente polarizado y muy baja cuando esta polarizado en sentido
directo. 'dems, las tensiones de ruptura estn comprendidas en el margen de 7EE
a 7EEE 0.
En virtud de las caractersticas del diodo </? se le puede utilizar como interruptor o
como modulador de amplitud en "recuencias de microondas ya que para todos los
propsitos se le puede presentar como un cortocircuito en sentido directo y como un
circuito abierto en sentido inverso. Tambi!n se le puede utilizar para conmutar
corrientes muy intensas yOo tensiones muy grandes.
Aos diodos <in acen bsicamente cambiar su resistencia en B3 en "uncin de las
condiciones de polarizacin. <or ello, pueden actuarC
7. -omo conmutador de B3
$. -omo resistencia variable
:. -omo protector de sobretensiones
;. -omo "otodetector
El diodo se "orma partiendo de silicio tipo < de alta resistividad. Aa capa < de baja
resistividad representada, est esta "ormada por di"usin de tomos de boro en un
bloque de silicio tipo < y la capa ? muy delgada est "ormada di"undiendo grandes
cantidades de "s"oro. Aa regin intrnseca es realmente una regin < de alta
resistividad y se suele denominar regin p. -uando el circuito est abierto, los
electrones "luyen desde la regin )p+ asta la regin < para recombinarse con los
uecos en e#ceso, y los uecos "luyen desde la regin para recombinarse con los
TI"OS DE DIODOS
7
electrones de la regin ?. Si el material )p+ "uese verdaderamente intrnseco, la
cada de tensin en la regin sera nula, puesto que la emigracin de uecos sera
igual a la emigracin de electrones. Si embargo, como el material es en verdad p )<
de alta resistividad+, ay mas uecos disponibles que electrones.
-uando se aplica una polarizacin inversa al diodo los electrones y los uecos del
material p son barridos )sDept "ree+. @n posterior aumento de la tensin inversa
simplemente incrementa las distribuciones de tensiones <9 e 9?. En el diodo </? la
longitud de la regin de transicin A es apro#imadamente igual a la regin y
apro#imadamente independiente de la tensin inversa. <or lo tanto, a di"erencia de
los diodos <? o ScottXy, el diodo </? tiene una capacidad inversa que es
apro#imadamente constante, independiente de la polarizacin. @na variacin tpica
de la capacidad podra ser desde E,7= asta E,7; p3 en una variacin de la
polarizacin inversa de, por ejemplo, 7EE 0. En virtud de que es igual a la longitud
de la regin , la longitud de la regin de transicin es apro#imadamente constante y
considerablemente mayor que la de otros diodos y, por lo tanto, la capacidad -B,
que es proporcional a 7OA es signi"icativamente menor que la de otros diodos, por lo
que el diodo </? es apropiado para aplicaciones de microondas. Aos valores
normales de -B varan desde E,7 p3 asta ; p3 en los diodos </?, comercialmente
asequibles.
-uando el diodo est polarizado en sentido directo, los uecos del material < se
di"unden el la regin p, creando una capa < de baja resistividad. Aa corriente es
debida al "lujo de los electrones y de los uecos cuyas concentraciones son
apro#imadamente iguales en la regin . En la condicin de polarizacin directa la
cada de tensin en la regin es muy peque(a. 'dems, al igual que el diodo <?,
cuando aumenta la corriente, tambi!n disminuye la resistencia. En consecuencia el
diodo </? es un dispositivo con su resistencia o conductancia modulada. En una
primera apro#imacin, la resistencia rd en peque(a se(al es inversamente
proporcional a la corriente /MZ con polarizacin directa, lo mismo que en el diodo <?.
En "recuencias de microondas se representa de maneras ms sencillas por una
capacidad -B en serie con la resistencia directa rd. -on tensiones directas, -B es
TI"OS DE DIODOS
7
apro#imadamente in"inito, mientras que en polarizacin inversa, rd es
apro#imadamente nula. Aa capacidad -T es la capacidad parsita paralelo que se
produce soldando el diodo a la cpsula y A es la inductancia serie debida a los ilos
de cone#in desde el diodo asta la cpsula.
3ig.:% -ircuito equivalente del diodo </? en la regin Mirecta e /nversa
3ig. :* Simbologa del Miodo </?
3. Diodo ;rctor O ;ric&
Aos diodos varactores 1llamados tambi!n varicap )diodo con capacitancia9voltaje
variable+ o sintonizadores4 son semiconductores dependientes del voltaje,
TI"OS DE DIODOS
7
capacitores variables. Su modo de operacin depende de la capacitancia que e#iste
en la unin <9? cuando el elemento est polarizado inversamente. En condiciones
de polarizacin inversa, se estableci que ay una regin sin carga en cualquiera de
los lados de la unin que en conjunto "orman la regin de agotamiento y de"inen su
anco ed. Aa capacitancia de transicin )-T+ establecida por la regin sin carga se
determina medianteC
-T L E )'Oed+
Monde E es la permitibilidad de los materiales semiconductores, ' es el rea de la
unin <9? y ed el anco de la regin de agotamiento.
-on"orme aumenta el potencial de polarizacin inversa, se incrementa el anco de
la regin de agotamiento, lo que a su vez reduce la capacitancia de transicin. El
pico inicial declina en -T con el aumento de la polarizacin inversa. El intervalo
normal de 0B para diodos varicap se limita apro#imadamente $E0. En t!rminos de la
polarizacin inversa aplicada, la capacitancia de transicin se determina en "orma
apro#imada medianteC
-T L F O )0T V 0B+n
dondeC
F L constante determinada por el material semiconductor y la t!cnica de
construccin.
0T L potencial en la curva segn se de"ini en la seccin
0B L magnitud del potencial de polarizacin inversa aplicado
n L 7O$ para uniones de aleacin y 7O: para uniones de di"usin
3ig.;E Simbologa del Miodo 0aricap y -ircuito equivalente
TI"OS DE DIODOS
7
3ig. ;7 -urva de 0ariacin de la capacitancia 0s Tensin /nversa aplicada
Aos valores de capacidad obtenidos van desde 7 a =EE p3. Aa tensin inversa
mnima tiene que ser de 7 0.
Aa aplicacin de estos diodos se encuentra, sobre todo, en la sintona de T0,
modulacin de "recuencia en transmisiones de 3. y radio.
Ventajas 0 des!entajas
El varicap tiene, entre otras, las siguientes ventajasC
.enor tama(o que los capacitores variables mecnicos.
<osibilidad de sintona remota.
Aa principal desventaja del varicap es la dependencia de algunos de sus parmetros
de la temperatura y por lo tanto requiere esquemas de compensacin.
4. Diodo Tune#
El "sico japon!s EsaXi, descubri que los diodos semiconductores obtenidos con un
grado de contaminacin del material bsico muco ms elevado que lo abitual
e#iben una caracterstica tensin9corriente muy particular. Aa corriente comienza
por aumentar de modo casi proporcional a la tensin aplicada asta alcanzar un
TI"OS DE DIODOS
7
valor m#imo, denominado corriente de cresta. ' partir de este punto, si se sigue
aumentando la tensin aplicada, la corriente comienza a disminuir y lo siga aciendo
asta alcanzar un mnimo, llamado corriente de valle, desde el cual de nuevo
aumenta. El nuevo crecimiento de la corriente es al principio lento, pero luego se
ace cada vez ms rpido asta llegar a destruir el diodo si no se lo limita de alguna
manera. Este comportamiento particular de los diodos muy contaminados se debe a
lo que los "sicos denominan e"ecto tnel, para las aplicaciones prcticas del diodo
tnel, la parte mas interesante de su curva caracterstica )ver "igura ;$+ es la
comprendida entre la cresta y el valle. En esta parte de la curva a un aumento de la
tensin aplicada corresponde una disminucin de la corrienteJ en otros t!rminos, la
relacin entre un incremento de la tensin y el incremento resultante de la corriente
es negativa y se dice entonces que esta parte de la curva representa una
Gresistencia incremental negativaG. @na resistencia negativa puede compensar total
o parcialmente una resistencia positiva. 's, por ejemplo, las p!rdidas que se
producen en un circuito resonante a causa de la presencia siempre inevitable de
cierta resistencia en el, se compensa asociando al circuito una resistencia negativa
de valor num!rico conveniente y realizada por ejemplo, mediante un diodo tnel. En
tal caso el circuito oscilante se trans"orma en un oscilador.
3ig. ;$ -urva -aracterstica del Miodo tnel
TI"OS DE DIODOS
7
-uando el voltaje de polarizacin directa se encuentra entre E,70 y E,=0, la corriente
empieza a reducirse con el aumento del voltaje, llevando a una caracterstica de
corriente9 voltaje en "orma de S, la regin central de esta curva se llama la regin de
resistencia negativa, el voltaje mnimo a la dereca de esta regin se denomina
tensin de valle )00+J la corriente en este punto se llama corriente de valle )0+, y la
corriente m#ima que "luye a bajos voltajes se llama corriente de pico )<+ y la
tensin en ese punto es el voltaje de pico )0<+.
El diodo tnel es til en aplicaciones de alta velocidad. -on"orme aumenta la
polarizacin directa, la corriente aumenta con rapidez asta que se produce la
ruptura, entonces la corriente cae rpidamente. Este a su vez es muy til debido a
esta cesin de resistencia negativa la cual se desarrolla de manera caracterstica en
el intervalo de =Em0 a $=Emv.
3ig. ;: -ircuito equivalente y simbologa del Miodo Tnel
8. Diodo De Contcto "untu#.
El recti"icador de contacto puntual consiste en un semiconductor sobre el que
descansa la punta de un alambre delgado.
Aa curva de corriente versus voltaje es cualitativamente similar a la del diodo de
unin. Sin embargo, para un voltaje positivo dado, el diodo de contacto puntual
conduce algo ms de corriente. .s an, con"orme el voltaje negativo aumenta, la
corriente inversa tiende a aumentar ms bien que permanecer apro#imadamente
constante. Aa marca in"le#in en la curva del diodo de unin en 90
f
no ocurre en los
diodos de contacto puntual, dado que el calentamiento de tal punto ocurre a voltajes
TI"OS DE DIODOS
$
muco mas bajos y produce un aumento gradual de la conductancia en la direccin
negativa.
TI"OS DE DIODOS
$
A"LIACIONES DE LOS DIODOS
CA%TULO I+
A%LICACIONES DE LOS
DIODOS
CA"TULO I;
A"LICACIONES DE LOS DIODOS
El diodo es un elemento semiconductor "ormado por la unin de dos pastillas
semiconductoras, una de tipo < )nodo+ y otra de tipo ? )ctodo+.
-uando la tensin en el nodo es ms positiva )o menos negativa+ que la del
ctodo, superndola en al menos E,> voltios en diodos de silicio y de E,: voltios en
los de germanio, el diodo se encuentra polarizado directmente. En esta
disposicin conducir el diodo y se comportar prcticamente como un cortocircuito
)en su modelo ideal+. Si la tensin en el nodo es menor que la correspondiente al
ctodo, el diodo estar polarizado in,er!mente y no conducir, siendo
equivalente a un circuito abierto )en su modelo ideal+.
1.- Recti6icdor
Conce&to
Aos recti"icadores se usan para trans"ormar una se(al alterna en una se(al
continua. Se usan por lo tanto en todos los circuitos electrnicos, salvo los que van
alimentados por bateras. -ualquier dispositivo que permita circular la corriente en
un solo sentido podemos decir que es un recti"icador. H !ste es el caso de los
diodos, pues nicamente cuando el nodo est! a una tensin ms positiva que el
ctodo dejar pasar la corriente a trav!s de !l, con el sentido convencional de
nodo a ctodo.

,',') Reti-iador de Media onda
@n circuito recti"icador de media onda slo recti"ica la mitad de la tensin alterna
presente en su entradaJ es decir, cuando el nodo tenga una tensin sea mas
positivo respecto a la tensin en el ctodo. <uede considerarse como un circuito en
el que la unidad recti"icadora est en serie con la tensin de entrada y la carga. 0er
"igura ;;.
A"LICACIONES DEL DIODOS $:

T1
D1
RL
O
-
;o
O
-
;i

3ig. ;; -ircuito Becti"icador de .edia ,nda
En el circuito de la "igura ;;, cuando llega el semiciclo positivo de se(al presente en
el secundario del trans"ormador al nodo del diodo, !ste queda polarizado
directamente y consecuentemente conducirJ la tensin en la salida 0o vista en los
terminales de la resistencia ser 0o L 0m9E,I 0, siendo 0m la amplitud de la se(al de
entrada.
-uando llegue el semiciclo negativo del secundario al nodo del diodo, !ste quedar
polarizado inversamente y no conducir, siendo 0o muy pr#ima a cero ya que
siempre circular una peque(sima corriente inversa.
A"LICACIONES DEL DIODOS $;
3ig. ;= Se(al de Salida de un -ircuito Becti"icador de .edia ,nda
Aas tensiones caractersticas vendrn dadas por las siguientes ecuacionesC
0alor E"icaz de la tensin de Salida B.S
2
7 , 0 V V
V
m
o

0alor .edio o Tensin de corriente contina
V
V
omed
7 , 0 V

m

A&#iccione!' Se emplean como alimentacin de mucos sistemas de baja tensin
y de aparatos universales, as como para proporcionar alta tensin a los
osciloscopios.

1.(.- Recti6icdor de Ond Com&#et o Do%#e ond
El recti"icador de doble onda, tambi!n denominado onda completa, est "ormado por
dos recti"icadores de media onda que "unciona durante alternancias opuestas de la
tensin de entrada.
TiposC
-on Trans"ormador de Toma -entral
<uente
Con Trans-ormador de Toma Central
A"LICACIONES DEL DIODOS $=
El secundario del trans"ormador tiene en su punto intermedio una toma conectada a
tierra, obteni!ndose as dos tensiones iguales y des"asadas 7%E grados que se
aplican alternativamente a los nodos de cada diodo.
-uando llega el semiciclo positivo a un diodo, al otro le llega el semiciclo negativo,
con lo cual uno conduce y el otro no, y viceversa. -onsecuentemente siempre abr
un diodo conduciendo, obteni!ndose en la salida nicamente semiciclos positivos.
En este circuito tenemosC
3ig. ;> -ircuito Becti"icador Moble ,nda con Trans"ormador de Toma -entral

3ig. ;I Se(al de Entrada al -ircuito Becti"icador Moble ,nda con Trans"ormador de Toma
-entral
A"LICACIONES DEL DIODOS $>
0o
)0
m
9 E,I0+
3ig. ;% Se(al de Salida del -ircuito Becti"icador Moble ,nda con Trans"ormador de Toma
-entral
3ig. ;* Se(al presente en los Miodos M7 y M$
2
7 , 0 V V
V
m
o

0alor .edio o Tensin de corriente -ontinua
) 7 , 0 2(V

m
V
V
omed

A.liaiones' Se usan en sistemas de todos los equipos de comunicacin,

teniendo un gran rendimiento y posibilidad de proporcionar una gran gama de
tensiones con corrientes moderadas. Se utilizan muco para la carga de bateras
porque as se evita el peligro de la saturacin del ncleo del trans"ormador.

Ti.o %#ente
Son cuatro recti"icadores de media onda conectados en la "orma indicada en el
circuito.
A"LICACIONES DEL DIODOS $I
3ig. =E -ircuito Becti"icador ,nda -ompleta Tipo <uente
Aa tensin alterna se aplica entre las uniones de un nodo y un ctodo de dos
diodos, obteni!ndose la salida en el punto de unin de dos ctodos )polo positivo+ y
de dos nodos )polo negativo+.
Murante el semiciclo positivo de la se(al de entrada conducen dos diodos,
cerrndose el circuito de circulacin de la corriente por la resistencia de cargaJ
durante el semiciclo negativo conducirn los otros dos diodos, cerrndose el circuito
tambi!n por la resistencia de carga. 's se obtiene en la salida nicamente
semiciclos positivos tal como ocurra en el circuito recti"icador de doble onda
anterior.
A"LICACIONES DEL DIODOS $%
3ig. =7 -ircuito Becti"icador ,nda -ompleta Tipo <uente
En este recti"icador las "rmulas y el tipo de aplicaciones son las mismas que en el
anterior, aunque debemos tener en cuenta que la tensin de salida ser E,I voltios
in"erior pues al aber dos diodos conduciendo la cada de tensin ser aora de
E,IVE,IL7,;. Sin embargo, la ventaja que presenta es que el trans"ormador no
necesita toma intermedia y que la tensin inversa se reparte entre dos diodos en
cada semiciclo, no sobre uno slo como en el circuito anterior.
2
4 , 1 V V
V
m
o

0alor .edio o Tensin de corriente contina
V
V
oDC
) 4 , 1 2(V

m

A"LICACIONES DEL DIODOS $*
(.- Fctor de Form F + ndice de Ondu#ci/n ?Fctor de Ri=o@
(.1.- Fctor de Form F6
El "actor de "orma de una recti"icacin es la relacin que e#iste entre el valor e"icaz
total de la magnitud ondulada y su valor medio
en-tdt V
T
-tdt en V
T
V
V
(
m
T
T
m
oDC
rms
f

0
0
2 2
1
1
-uanto mas se acerca a la unidad el "actor de "orma, mejor ser la recti"icacin
obtenida.
&'&')ndie de Ond#lai/n o *ator de Ri0o *r
El ndice de modulacin es igual al cociente entre el valor e"icaz de la ondulacin
e#clusivamente y su valor medio.
1
2

f r
( (
..-Com&rci/n Entre #o! Di6erente! Recti6icdore!
El recti"icador de media onda tiene un ndice de ondulacin igual a 7,$7. Este
resultado indica que la tensin e"icaz de ondulacin es mayor que la tensin
promedio de salida y este tipo de recti"icador es un circuito relativamente malo para
convertir corriente alterna en continua.
El rendimiento que se obtiene con este tipo de recti"icador era realmente bajo, ya
que medio perodo de la corriente quedaba completamente intil.
El otro tipo de recti"icador doble onda, no presenta este problema. Sin embargo este
recti"icador plantea otro problema, aora en los diodos. Aa tensin inversa que debe
soportar los diodos es el doble de la tensin recti"icada.
Mebemos tambi!n tener para este tipo de recti"icador un trans"ormador con toma
central en el secundario.
El recti"icador tipo puente soluciona estos problemas.
A"LICACIONES DEL DIODOS :E
Aas desventajas del recti"icador tipo puente son las siguientesC
?ecesidad de utilizar dos diodos por "ase )el doble de diodos que el
recti"icador con toma central+ y necesidad que estos diodos posean una
resistencia directa peque(a.
Aas 0entajas sonC
Aa tensin inversa que debe soportar cada diodo es la mitad que en el caso
con trans"ormador con toma central.
El trans"ormador no necesita toma central.
En conclusin se utiliza siempre un recti"icador de onda -ompleta que tiene un
ndice de ondulacin ms interesante que el media onda.
El recti"icador tipo puente es el que se utiliza con ms "recuencia.
Aa corriente recti"icada en cada tipo tiene una componente alterna muy importante.
Mebemos separar esta componente de la corriente, es decir "iltrarla.
..-Fi#tr>e.
Aa salida de cualquiera de los recti"icadores anteriormente e#puestos debe ser
modi"icada para que se apro#ime lo ms posible a una tensin continua pura. <ara
ello se utiliza un "iltro )tipo paso bajo+ para as aplanar los impulsos recti"icados.
(',') *iltra$e on ondensador
-on "recuencia el "iltraje se e"ecta colocando un condensador en paralelo con la
carga. El "uncionamiento de este sistema se basa en que el condensador almacena
energa durante el perodo de conduccin y entrega esta energa a la carga durante
el perodo inverso, o de no conduccin. Me esta "orma, se prolonga el tiempo
durante el cual circula corriente por la carga, y se disminuye notablemente el rizado.
Recti6icdor de medi ond con 6i#tro c&citi,o
El condensador en los "iltros paso bajo va en paralelo con el recti"icador y la carga.
Su capacidad debe ser grande para que la reactancia que presente sea muco
menor que la resistencia de la carga.
A"LICACIONES DEL DIODOS :7
3ig. =$ -ircuito Becti"icador de
.edia ,nda con 3iltro
-apacitivo
En el semiciclo positivo de la se(al de
entrada el diodo conduce, cerrndose as el circuito y aciendo que el condensador
se cargue a una tensin muy pr#ima a la tensin de pico de salida del secundario
del trans"ormador. Mebe elegirse con gran cuidado el diodo y el condensador para
evitar que cuando el condensador se encuentre totalmente descargado, el primer
pico de corriente sea e#cesivamente grande y da(e al diodo.

Murante el semiciclo negativo de la se(al de entrada )0s+ el diodo no conduce,
comportndose prcticamente como un circuito abierto. El condensador se
descargar sobre la resistencia asta que empiece un nuevo semiciclo positivo en el
secundario del trans"ormador, volviendo a cargarse el condensador en cuanto la
tensin de entrada supere a la que conserva entre sus e#tremos el condensador.

3ig. =: Se(al de Salida
de tensin )0,+ y
-orriente id -ircuito
Becti"icador .edia
,nda con 3iltro
-apacitivo.
A"LICACIONES DEL DIODOS :$
En ese momento el condensador volver a recuperar la carga perdida asta
alcanzar el valor de pico de la tensin de entrada, y as sucesivamente se vuelve a
repetir el suceso.
Aa magnitud del segundo pico de corriente, y los sucesivos, son bastante in"eriores
al primero y dependern de la carga que aun conserve el condensador y tambi!n de
la capacidad del mismo.

<odemos observar en el osciloscopio que ya no e#iste vaco en la se(al entregada
por el recti"icador sin "iltro, resultando as la se(al ms plana. 'umentando la
capacidad del condensador, la inclinacin de la descarga sera menor y con ello
disminuira el "actor de rizadoJ sin embargo, tal capacidad no puede aumentarse en
e#ceso porque el impulso de corriente que se producira en el instante de inicio de la
carga alcanzara una intensidad capaz de da(ar al diodo.
Aa constante de tiempo del condensador y la resistencia de carga debe ser grande
comparada con el perodo de la se(al de entradaC BA-gggT.
Fi#tro conden!dor en e# recti6icdor de do%#e ond
En este caso, el e"ecto producido por el condensador es el mismo, pero el tiempo de
descarga se reduce a la mitad y consecuentemente la magnitud de los impulsos de
corriente disminuye.
3ig. =; -ircuito Becti"icador ,nda -ompleta con 3iltro -apacitivo
A"LICACIONES DEL DIODOS ::
Aa tensin de salida del circuito y la corriente sern id!nticas a las obtenidas en el
recti"icador de media ondaJ aora bien, al ser el doble la "recuencia de los
semiciclos que llegan al condensador, la tensin de rizado ser menor y se obtendr
una tensin ms constante.
3ig. == Se(al de Salida -ircuito Becti"icador ,nda -ompleta con 3iltro -apacitivo
En la "igura == podemos ver las distintas tensiones y tiempos que se emplearn en
el anlisis del calculo del "actor de rizado. Tay que tener en cuenta que, como se
supone un rizado bajo, la se(al que se considera de salida es una onda en diente de
sierra si la constante de tiempo BA- es grande "rente al perodo de la se(al, o sea
BA-gggT como la siguienteC
3ig. => .!todo 2r"ico para estimar el "actor de rizado
' partir de esta se(al, deducimos que la tensin de continua a la salida viene dada
comoC
2
r
m dc
V
V V , donde 0m es la tensin de pico de la se(al recti"icada. Se
A"LICACIONES DEL DIODOS :;
observa de dica tensin de continua es la tensin de pico menos el valor medio del
rizado, el cual en este caso sencillo coincide con 0rO$.
El condensador se descarga linealmente durante TO$, luego la carga perdida se
puede e#presar comoC
2
T
!
dc
y nos queda que la tensin de rizado y de continua
vienen dadas por las ecuacionesC
fC
!
C
T !
C
$
V
dc dc
r
2 2

fC
!
V
V
V V
dc
m
r
m dc
4 2

El rizado se puede de"inir comoC
dc
rms
V
V
r
0rmsC 0alor e"icaz de la componente alterna
0dcC -omponente contina
,btenemos el valor e"icaz de la componente alterna aplicando la de"inicin, y nos
quedaC
3 2
2 3 4
1
2
1
0
2
2
3
0
2
r
r
r r
rms
V
V d
V V
V
1
]
1
+
1
]
1

'ora substituimos el valor 0rms obtenido en la "rmula del rizadoC
L dc
dc
dc
r
fC" fCV
!
V
V
r
3 4
1
3 4 * 3 2

Me nuevo se deduce que r disminuye con ", - y BA.
Fi#tro en "I con re!i!tenci
Aa particularidad de este "iltro es que lleva dos condensadores de "iltro, unidos por
una resistencia que tambi!n podra ser una bobina.
A"LICACIONES DEL DIODOS :=
T1
R1
28o0m
RL
..Jo0m
C1
28JuF
C(
28JuF
D1
1N2JJ1G"
D(
1N2JJ1G"
3ig. =I 3iltro en con resistencia
Aa carga y descarga del primer condensador produce un e"ecto como en el
recti"icador de media o doble onda con "iltro a condensador. Aa resistencia entre
ambos condensadores ace que se aplane aun ms la se(al, llegndole al segundo
condensador una corriente relativamente constante. <or ltimo, la carga y descarga
de este ltimo condensador, debido a la componente alterna, aplana todava ms
las "luctuaciones y a la carga llegar una corriente continua relativamente pura.

Estos "iltros no son buenos porque, debido a la cada de tensin en la resistencia,
disminuir la tensin en la salida del circuito y es muy posible que !sta sea
insu"iciente. Se emplean nicamente cuando la corriente demandada sea peque(a
)consecuentemente la cada de tensin ser despreciable en la resistencia entre
condensadores+. Tal es el caso dado, por ejemplo, en la alimentacin de alta tensin
en los tubos de rayos catdicos en los que se necesita una alta tensin con una baja
corriente.
1) Do!lador de Tensi/n
@n circuito multiplicador de tensin est "ormado por diversos recti"icadores de
media onda y condensadores dispuestos especialmente para entregar una tensin
mltiplo de la recibida en su entrada.

En el caso de un doblador, la tensin en la salida ser, en principio, el doble de la
tensin m#ima de la se(al de entrada.
A"LICACIONES DEL DIODOS :>
3ig. =% -ircuito Moblador de Tensin
-uando el interruptor est abierto, el circuito es similar al recti"icador de onda
completa, con una salida de apro#imadamente Vm cuando los condensadores son
grandes. -uando el interruptor est cerrado, el circuito opera como un doblador de
tensin. -7 se carga asta Vm a trav!s de M7 cuando la se(al del generador es
positiva y -$ se carga asta Vm a trav!s de M; cuando la se(al del generador es
negativa. Aa tensin de salida ser $0m. En este modo, los diodos M$ y M: estn
polarizados en inversa. El circuito doblador de tensin es til cuando se precisa
utilizar el equipo en sistemas de di"erentes estndares de tensin. <or ejemplo, se
podra dise(ar un circuito para que operase correctamente tanto en 0enezuela,
donde la tensin de la red es de 7$E 0, como en otros lugares donde la tensin de la
red es de $;E 0.
Si seguimos disponiendo diodos y condensadores iremos aciendo que la tensin
de salida sea el triple, cudruplo, etc. de la se(al alterna de entrada.
3.- Limitdor De Ten!i/n
Estos circuitos se emplean cuando se quiere seleccionar parte de una onda a unos
valores predeterminados. Su "uncin se basa en el eco de que un diodo no
conduce asta que no esta polarizado directamente. <odemos distinguir dos tipos
Aimitador Serie
Aimitador <aralelo
o Aimitador <ositivo
A"LICACIONES DEL DIODOS :I
o Aimitador negativo
o Aimitador <arcial o <olarizado de un nivel
o Aimitador <arcial Moble o <olarizado de dos niveles
3.1.- Limitdor Serie "o!iti,o
En el la se(al de salida se obtiene en serie con el diodo, son un caso particular de
los recti"icadores de media onda.

3ig. =* -ircuito Aimitador Serie
El la "igura >E se puede apreciar la se(al de entrada y salida del circuito anterior se
observa que tiene la misma "orma de onda que un circuito recti"icador de media
onda.
3.(.- Limitdor Serie Ne)ti,o
En este el diodo entra en conduccin para los valores del semiciclo negativo de la
se(al de entrada, y no conduce para los valores positivos de la se(al de entrada.
3ig. >7 -ircuito Aimitador Serie ?egativo
A"LICACIONES DEL DIODOS :%
3ig. >E Se(al de Entrada y Salida de un -ircuito Aimitador Serie <ositivo
3ig. >$ Se(al de Entrada y Salida de un -ircuito Aimitador Serie ?egativo
A"LICACIONES DEL DIODOS :*
3...- Limitdor "r#e#o
En ellos la se(al de salida se obtiene paralelo con el diodo, pueden ser positivos o
negativo depende de la posicin del diodo.
3ig. >: -ircuito Aimitador <aralelo )a+ <ositivo )b+ ?egativo
3ig. >; Se(ales de Salida de los -ircuito Aimitador <aralelo )a+ <ositivo )b+ ?egativo
A"LICACIONES DEL DIODOS ;E
3.2.- Limitdor "rci# o "o#ri=do de un ni,e#
En ellos la se(al de salida se observa la unin del diodo en serie con una "uente de
tensin que puede ser positiva o negativa respecto a tierra.
E>em&#o
3ig. >= -ircuito Aimitador <olarizado de un nivel.
222 Semiilo .ositivo de la tensi/n de entrada3
-uando la tensin de entrada es menor que la tensin de la "uente continua, el
diodo queda polarizado inversamente )circuito abierto+, con lo cual la tensin de
salida es igual a la tensin de entrada )0, L0S+.
-uando la tensin de entrada es mayor que la tensin de la "uente continua, el
diodo queda polarizado directamente )cortocircuito+, siendo aora la tensin de
salida igual al valor de la "uente mas la tensin del diodo )0,L0M-V 0ML =,I0+.

222 Semiilo ne4ativo de la tensi/n de entrada3
-omo la tensin de entrada es menor que la tensin de la "uente continua, el diodo
se encontrar polarizado inversamente )circuito abierto+ y la tensin en la salida
ser igual a la de la entrada )0, L 0S+.
A"LICACIONES DEL DIODOS ;7
3ig. >> Se(al de Salida de un -ircuito Aimitador <olarizado de un ?ivel
E>em&#o %
3ig. >I -ircuito Aimitador <olarizado de un nivel.
-uando la tensin de entrada es menor que la tensin de la "uente continua, el
diodo se polariza directamente )cortocircuito+ y consecuentemente la tensin de
salida es igual a la tensin de la "uente continua mas la tensin del diodo
)0,L0M-V0ML =,I0+.
A"LICACIONES DEL DIODOS ;$
Si la tensin de entrada es mayor que la de la tensin de la "uente continua, el
diodo queda polarizado inversamente )circuito abierto+ y consecuentemente la
tensin en la salida ser igual a la de la entrada )0,L0S+.

-omo la tensin de entrada es menor que la tensin de la "uente de continua, el
diodo queda polarizado directamente y la tensin en la salida ser igual a la tensin
de la "uente continua mas la tensin del diodo )0,L0M-V0ML =,I0+.
3ig. >% Se(al de Salida de un -ircuito Aimitador <olarizado de un ?ivel
E>em&#o c

3ig. >* -ircuito Aimitador <olarizado de un nivel.
A"LICACIONES DEL DIODOS ;:
-omo la tensin de entrada es mayor que la tensin de la "uente continua, el diodo
queda polarizado inversamente y la tensin en la salida ser la misma que la de la
entrada )0, L 0S+.
Si la tensin en la entrada es menor que la tensin de "uente continua, el diodo se
polariza inversamente y la tensin de salida ser igual a la de la entrada )0, L 0S+.
Si la tensin de entrada es mayor que la tensin de "uente continua, el diodo queda
polarizado directamente y en la salida tendremos una tensin igual a la tensin de la
"uente continua mas la tensin del diodo )0,L 90M- 90ML 9 =,I0+.
3ig. IE Se(al de Salida de un -ircuito Aimitador <olarizado de un ?ivel
E>em&#o d
3ig. I7-ircuito Aimitador <olarizado de un ?ivel
A"LICACIONES DEL DIODOS ;;
-omo la tensin de entrada es mayor que la tensin de la "uente continua, el diodo
queda polarizado directamente y la tensin en la salida ser igual a la tensin de la
"uente continua menos la tensin del diodo )0,L 90M- V0ML 9 ;,:0+.
Si la tensin de entrada es menor que la tensin de la "uente continua, el diodo
queda polarizado directamente y la tensin en la salida ser igual a la tensin de la
"uente continua menos la tensin del diodo )0,L 90M- V0ML 9 ;,:0+.
-uando la tensin de entrada sea mayor que la tensin de la "uente, el diodo ser
polarizado de "orma inversa y en la salida tendremos la tensin de la entrada
)0,L0S+.
3ig. I$ Se(al de Salida de un -ircuito Aimitador <olarizado de un ?ivel
3.3.- Limitdor "o#ri=do de Do! Ni,e#e!
E>em&#o e
3ig. I: -ircuito Aimitador <olarizado de dos ?iveles
A"LICACIONES DEL DIODOS ;=
.ientras que la tensin de entrada sea menor que la tensin de las "uentes de
tensin continuas, los diodos quedan polarizados inversamente y la tensin de
salida es igual a la tensin de entrada )0, L 0S+.
-uando la tensin de entrada sea mayor que la tensin de la "uente continua $, el
diodo 7 continua polarizado inversamente y el diodo $ se polariza en "orma directa
generando una tensin en la salida igual a la suma del valor de la "uente continua $
mas la tensin del diodo )0,L0M-$V 0M$L =,I0+.

'l igual que en el semiciclo positivo mientras que la tensin de entrada sea menor
que la tensin de las "uentes de tensin continuas, los diodos quedan polarizados
inversamente y la tensin de salida es igual a la tensin de entrada )0, L 0S+
En el momento en que la tensin de entrada sea mayor que la tensin de la "uente
continua 7, el diodo 7 queda polarizado directamente y el diodo $ inversamenteJ
obteni!ndose a la salida una la tensin igual a igual a la suma del valor de la "uente
continua 7 mas la tensin del diodo )0,L 90M-7 9 0M7L 9=,I0+.
3ig. I; Se(al de Salida de un -ircuito Aimitador <olarizado de Mos ?iveles
A"LICACIONES DEL DIODOS ;>
E>em&#o 6
3ig. I= -ircuito Aimitador <olarizado de dos ?iveles -on Miodos cener
.ientras que la tensin de entrada esa menor que la tensin en inverso del cener
este no conducir y se comporta como un circuito abierto, y la tensin en la salida
ser la misma de la entrada )0,L0S+.

-uando la tensin de entrada es mayor que la tensin en inverso del zener $, este
queda polarizado en inverso y el cener 7 en Mirecto obteni!ndose a la salida 0, una
tensin igual a la tensin de zener en inverso del diodo $ mas la tensin en directo
del Miodo 7 )0, L 0c$V 0M7L =,%0+.
En este semiciclo ocurre algo similar que en el semiciclo positivo pero el diodo 7
queda polarizado en inverso y el diodo $ en directo cuando la tensin entrada es
mayor que la tensin en inverso del diodo cener 7, generando una tensin de salida
igual a igual a la tensin de zener en inverso del diodo 7 ms la tensin en directo
del Miodo $ )0, L 90c7 9 0M$L 9 =,%0+.
A"LICACIONES DEL DIODOS ;I
3ig. I> Se(al de Salida de un -ircuito Aimitador <olarizado de Mos ?iveles con diodos cener
4.- Diodo =ener como Re)u#dor de Ten!i/n
Corriente m56ima 7 orriente m8nima
Sea el siguiente montaje, donde el diodo zener es utilizado como regulador de
voltaje.
3ig. II -ircuito Begulador de Tensin
Aa tensin de entrada vara entre EmnimaL Em y Em#ima L E. o Em h E h E..
Aa corriente m#ima corresponde al estado de utilizacin en circuito abierto )ALSLE+
y con E., es decir,
) *
*
"
V E
!

A"LICACIONES DEL DIODOS ;%

Aa corriente en el zener no debe ser menor que cmn )-orriente mnima para la cual
la tensin del diodo es todava igual a 0c+.
En el caso de la salida abierta )SL ALE+ la corriente mnima que atraviesa el zener
esC
) m
m
"
V E
!

-omo m g cmn
<ara el buen "uncionamiento del regulador, la corriente de entrada que vara entre
m e . debe estar comprendida en el intervalo cmn e cm# del diodo zener.
Si los valores lmites Em y E. de la tensin de entrada se conocen, y tambi!n las
caractersticas del diodo zener, se puede calcular la resistencia BS.
CC#cu#o de RS ?,#or m*nimo + ,#or mC1imo@.
3ig. I% -urva -aracterstica del Miodo cener
A"LICACIONES DEL DIODOS ;*
Aa pendiente de la curva caracterstica, nos permite calcular la resistencia del diodo
zener.
min
min
) )
) )
d
! !
V V
r
Esta relacin puede escribirseC

min) min
(
) ) d ) )
! ! r V V +
H la parte lineal de la curva puede como 0c L 0c, V rdNc donde 0c, c es un punto
sobre la curva, esta ecuacin es vlida si c 9 cmng EJ no e#iste regulacin si cmn gc.

<or otro parte, no se debe sobrepasar los lmites de cm# y 0cm#, en caso contrario
se quema el diodo, <cm# L 0c.# N cm#.
Aa resistencia BS deber ser calculada de tal manera queC
max min ) ) )
! ! ! < <
y
max min ) ) )
V V V < <
, siempre que E y BA varen entre ciertos
valores conocidos.
-onsiderando Mos -asosC
1
ER
C!o
BS no deber ser mayor que BS.# para lo cual c L cmn y 0c L 0cmn y se supone el
caso des"avorable, es decir E L Em y BA L BAmn.
min L
)*in
L*ax L
"
V
! !
'plicando la ley de Firco"" al circuito de regulacin
( )
min ) L*ax )*ax *ax m
V ! ! " E + +
min
min
min
min
max min
min
max
L
)
)
) m
L )
) m
"
V
!
V E
! !
V E
"
+
(
do
C!o
BS no deber ser menor que BSmn para c L cm# y 0c L 0cm# y se supone el caso
ms des"avorable, es decir, E L E. y BA L BAm#.
En este caso
A"LICACIONES DEL DIODOS =E
max
min
L
)*ax
L L
"
V
! !
'plicando la ley de Firco"" al circuito de regulacin
( )
max min min ) L )*ax *
V ! ! " E + +
max
max
max
max
min max
max
min
L
)
)
) *
L )
) *
"
V
!
V E
! !
V E
"
+
El problema tendra una solucin si

max min
" " " < <
, es decir, los lmites
impuestos a E y a BA son compatibles con los lmites de "uncionamiento cmn e cm#
del diodo.
En la prctica se puede tomar
2
max min s s
" "
"

.
Re!o#uci/n GrC6ic
Sabemos que
) L )
V ! + + ) ( R E
S
e
L
)
"
V
!L
J
) L )
V ! " ! " E + +
luego
L
) ) )
"
"
V V ! " E + +
,
_
+ +
L
) )
"
"
V ! " E 1 despejando c
)
"
"
"
V
"
E
!

,
_
+

1
Zue representa la ecuacin de una recta, que se llama recta de carga.
-onsideraremos dos casosC
1
2R
Caso Para 2 3 2m 0 R' 3 R'm&n
Si tomamos la ecuacin de recta de carga y acemos c L E tenemosC
min
1
L
m
)
"
"
E
V
+
A"LICACIONES DEL DIODOS =7

'ora acemos 0c L E obtener
m
)
"
E
!
, el punto de "uncionamiento es el punto '
en la "igura I*.
4
do
Caso Para 2 3 2$ 0 R' 3 R'm56
Tomando la ecuacin de la recta de carga y aciendo c L E tenemosC
max
1
L
*
)
"
"
E
V
+
'ora acemos 0c L E obtener
*
)
"
E
!
, el punto de "uncionamiento es el punto 8
en la "igura I*.
3ig. I* 'nlisis 2r"ico de Bs
E#isten otros casosC que toman los valores de 0c comprendidos entre
max min ) ) )
V V V < <
y los valores de BA comprendido entre
max min L L L
" " " < <
.
A"LICACIONES DEL DIODOS =$
EUE.<A,S
'.9 Se quiere construir un circuito regulador de tensin que entregue a la salida una
tensin de =,7 0, sabiendo que la carga consume una /Am# L 7EE m', siendo /Amn L E
y que dispone de una alimentacin que vara entre * 0 y 7E 0. Aos diodos zener de
que se dispone son los que se muestran en la siguiente tabla escoger el que
corresponda para el dise(o del circuito.
oluci+n:
Si se
elige c7C
Si se
abre la
carga
por el zener iran 7E= m' y como /cm# L I% m' no podra "uncionar, se quemara y
se da(ara no la resistira.
Si probamos con c$C
A"LICACIONES DEL DIODOS =:
0eamos si es su"iciente esa corriente, el peor de los casos es suponer que /Am# L
7EE m'.
Si abrimos la carga los 7=E m' van por el zener y como este soporta asta $*; m'
si servira, el c$ es el adecuado. 'ora elegiremos la resistencia )B+.
Tenemos dos puntos importantes para analizarlosC
"e#i)ro de Eue e# =ener !e Euede !in corriente
Suposiciones crticas para ese puntoC
A"LICACIONES DEL DIODOS =;

+
26
100 50
1 , 5 9
max min
min
mA mA ! !
# #
"
L )
) i
"e#i)ro de Eue e# =ener !e Eueme

+
26 , 13
0 294
1 , 5 9
min max
max
mA mA ! !
# #
"
L )
) i
Entonces la resistencia esta entre estos dos valoresC
< < 26 26 , 13 "
-ualquier valor entre estos dos valores valdra, tomamos por ejemploC B L $$^
0emos que ocurre en los $ casos e#tremosC
A"LICACIONES DEL DIODOS ==
'ora que sabemos en que zona trabaja el zener tenemos que calcular de qu!
potencia elegimos esa resistencia.
<eor casoC /c L $$$ m' < L )7E9=,7+N$$$i7E
9:
L 7,E% e
Se escoge un valor normalizado de $ e.
'ora vamos a ver el rango de valores por el que mueve la resistencia de carga
)BA+Cj
) ( 0
min
#acio " mA !
L L
51
100
1 , 5
100
max
mA
V
" mA !
L L
-alculo de la Becta de cargaC Tomaremos el convenio de la "igura con lo que nos
saldrn la intensidad y la tensin negativas )en el tercer cuadrante+.
A"LICACIONES DEL DIODOS =>
Punto A
Punto B
Finalmn! la "#"$n!a%i&n '"()i%a * $a$ %+a%i,n$ -+*a * la $i'+in!
man"a:
A"LICACIONES DEL DIODOS =I
Aas dos rectas de carga son paralelas. Aos dems puntos estn entre esas dos
rectas paralelas.
8.- Circuito Su>etdor de Ni,e# ?CLAM" CIRCUITS@
En ciertas aplicaciones se requiere que la se(al, sin perder su "orma de onda
original, se mantenga con"inada sobre o bajo un voltaje especi"icado de umbralJ
para el propsito se agrega a la se(al un nivel continuo tal que impida que sus
P</-,SQ e#cedan el umbral especi"icado. Aa "uncin es normalmente realizada en
base a diodos.
3ig. %E -ircuito Sujetador de ?ivel
A"LICACIONES DEL DIODOS =%
El circuito de la "igura %E enclava los picos positivos de la se(al de entrada en 9=0
)tensin de la "uente continua+.
-onsiderando el diodo como ideal y el condensador muy grande, las e#cursiones
positivas de 0S)t+ cargan el condensador al valor pico, a trav!s de la conduccin del
diodo. 'l disminuir la tensin de entrada el diodo asume estado apagado )circuito
abierto+ y la salida estar dada porC
0o)t+L 0S)t + 9 VC
3ig. %7 Se(al de Entrada y Salida de un -ircuito Sujetador de ?ivel
Suponiendo un valor de 0S)t+L 7Esen)Dt+ para el ejemplo anterior.
Es posible naturalmente producir el enclavamiento en di"erentes combinaciones de
pico enclavado )positivo o negativo+ y el voltaje al cual se enclava )positivo o
A"LICACIONES DEL DIODOS =*
negativo+, por medio de di"erentes polaridad de la batera y orientacin )sentido+ del
diodo.
-omo criterio de dise(o inicial se elige el producto B- )constante de tiempo+ en un
orden de magnitud mayor que el perodo de la se(al de entrada )T L $OD+.
A"LICACIONES DEL DIODOS >E
TEORA DE LOS TRANSISTORES
CA%TULO +
TEORA DE LOS
TRANSISTORES 9:T
CA"TULO ;
TEORA DEL TRANSISTOR $PT
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres terminales que generalmente
acta como ampli"icador de corriente.
E#isten cuatro modelos "abricados con di"erente tecnologa, y con caractersticas y
propiedades "sicas bastantes di"erentes, ellos sonC
Transistor 8ipolarC Son de doble unin de tres terminales, y es controlado por
corriente.
Transistor 3ETC Son de e"ecto de campo, unipolar que opera como un
dispositivo controlado por voltaje.
Transistor .,S3ETC Es un 3ET de metal Wo#ido semiconductor.
Transistor @UTC .onounin, usado esencialmente como interruptor de
engance.
Este captulo se basar en los aspectos relacionados con los transistores bipolares
1.- E!tructur De Un Trn!i!tor $i&o#r
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos
capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y
una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor
pnp.
<ara la polarizacin las terminales que se muestran en la "igura %$ las terminales se
indican mediante las literales E para el emisor, - para el colector y 8 para la base.
Aa abreviatura 8UT, de transistor bipolar de unin )del ingles, 8ipolar Uunction
Transistor+, suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales. El t!rmino bipolar
re"leja el eco de que los uecos y los electrones participan en el proceso de
inyeccin acia el material polarizado de "orma opuesta. Si slo se utiliza un
portador )electrn o ueco+, entonces se considera un dispositivo unipolar.
TEORA DE LOS TRANSISTORES >$
Aa representacin gr"ica de la estructura "sica y su smbolo es como se muestra
en la "igura %$.
3ig. %$ Estructura de los transistores 8UT
El Emisor el cual esta "uertemente dopado, la 8ase esta ligeramente dopada y es
ms angosta. H el -olector esta dopado en "orma intermedia.
Aos transistores bipolares vienen empacados enC
-psulas metlicasC Aos que disipan mayor potencia, g = D
-psulas plsticasC Aos de baja potencia
(.- Modo! De O&erci/n
Estos transistores por presentar dos uniones pueden tener en cada una de ellas dos
tipos de polarizacin directa e inversa. Mependiendo de cmo est!n polarizadas las
uniones se tendrn los modos de operacin como se puede observar en la siguiente
tabla.
TEORA DE LOS TRANSISTORES >:
Se describir la operacin bsica del transistor utilizando el transistor pnp de la
"igura %$ la operacin del transistor npn es e#actamente la misma que si
intercambiaran la "unciones que cumplen el electrn y el ueco. Se realizar el
estudio en el modo activo para trabajar al transistor como ampli"icador, y para ello se
muestra las polarizaciones, tanto para un N"N como para un "N". El espesor de la
regin de agotamiento se redujo debido a al polarizacin aplicada, lo que da por
resultado un "lujo muy considerable de portadores mayoritarios desde el material
tipo p acia el tipo n, mientras que la regin de agotamiento de la otra unin
aumenta debido a la polarizacin en inverso.
'l tener estas uniones polarizada de la manera indicada abr una gran di"usin de
portadores mayoritarios a trav!s de la unin p9n con polarizacin directa acia el
material tipo n. 's, la pregunta sera si acaso estos portadores contribuirn de
"orma directa a la corriente de base /8 o si pasarn directamente al material tipo p.
Mebido a que el material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja
conductividad, un nmero muy peque(o de estos portadores tomar esta trayectoria
de alta resistencia acia la terminal de la base.
Aa magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden de los
microamperes )k'+, comparando con miliamperes )m'+ para las corrientes del
emisor y del colector. Aa mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se
di"undir a trav!s de la unin con polarizacin inversa, acia el material tipo p
conectado a la terminal del colector. Aa razn de esta relativa "acilidad con la cual
los portadores mayoritarios pueden atravesar la unin con polarizacin inversa se
comprender con "acilidad si se considera que para el diodo con polarizacin
inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores con
TEORA DE LOS TRANSISTORES >;
polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como
portadores minoritarios en el material tipo n.
En otras palabras, tuvo lugar una inyeccin de portadores minoritarios al material de
la regin de la base tipo n. ' la combinacin de esto con el eco de que todos los
portadores minoritarios en la regin de agotamiento atravesarn la unin con
polarizacin inversa de un diodo puede atribursele el "lujo.
' lo largo de este captulo todas las direcciones de corriente arn re"erencia al "lujo
convencional )uecos+ en lugar de acerlo respecto al "lujo de electrones. <ara el
transistor la "leca en el smbolo gr"ico de"ine la direccin de la corriente del emisor
)"lujo convencional+ a trav!s del dispositivo. 0er 3igura %$
3ig. %: <olarizacin de los transistores 8UT
..- Con6i)urci/ne! De# Trn!i!tor
..1-Con6i)urci/n $!e Com'n ?$-COM@.
<ara la con"iguracin de base comn con transistores <?< y ?<?. Aa terminologa
de la base comn se deriva del eco de que la base es comn tanto a la entrada
TEORA DE LOS TRANSISTORES >=
como a la salida de la con"iguracin. ' su vez, por lo regular la base es la terminal
ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra.
3ig. %; -on"iguracin 8ase -omn
<ara el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los
ampli"icadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, una
para los parmetros de entrada y la otra para los parmetros de la salida. El
conjunto de entrada para el ampli"icador de base comn relacionar la corriente de
entrada )/E+ con la tensin de entrada )08E+ en "uncin de la tensin de salida )0-8+.
El conjunto de caractersticas de la salida relaciona la corriente de salida )/-+ con la
tensin de salida )0-8+ en "uncin de la corriente de entrada )/E+. 'll encontramos
las tres regiones bsicas de operacin.
3ig. %= -aracterstica de Entrada y Salida de la -on"iguracin 8ase -omn ?<?
En el e#tremo ms bajo de la regin activa, la corriente del emisor )/E+ es ceroJ esa
no es la verdadera corriente del colector, y se debe a la corriente de saturacin
inversa /-,.
TEORA DE LOS TRANSISTORES >>
Aa corriente /-, real es tan peque(a )microamperes+ en magnitud si se compara con
la escala vertical de /- L E. Aas condiciones del circuito que e#isten cuando /E L E
para la con"iguracin de base comn se muestra en la "igura %>. Aa notacin que
con ms "recuencia se utiliza para /-, en los datos y las ojas de especi"icaciones
es, /-8,.

3ig. %>
Mebido a las mejoras en las t!cnicas de "abricacin, el nivel de /-8, para los
transistores de propsito general )en especial los de silicio+ en los rangos de
potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su e"ecto.
Sin embargo, para las unidades de mayor potencia /-8,, as como /S, para el diodo
)ambas corrientes de "uga inversas+ son sensibles a la temperatura. ' mayores
temperaturas, el e"ecto de /-8, puede convertirse en un "actor importante debido a
que aumenta muy rpidamente con la temperatura.
..(-Con6i)urci/n Emi!or Com'n ?E-COM@
Se le denomina con"iguracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o
ace re"erencia a las terminales tanto de entrada como de salida )en este caso, es
comn tanto a la terminal de base como a la de colector+. @na vez ms, se
necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el
comportamiento de la con"iguracin de emisor comnC uno para el circuito de
entrada o base9emisor que relacionar la corriente de entrada )/8+ con la tensin de
entrada )08E+ en "uncin de la tensin de salida )0-E+. El conjunto de caractersticas
de la salida relaciona la corriente de salida )/-+ con la tensin de salida )0-E+ en
"uncin de la corriente de entrada )/8+.
TEORA DE LOS TRANSISTORES >I
3ig. %I -on"iguracin Emisor -omn
3ig. %% -aracterstica de Entrada y Salida de la -on"iguracin Emisor -omn ?<?
....-Con6i)urci/n Co#ector Com'n ?C-COM@ o Con6i)urci/n Emi!or
Se)uidor.
Aa con"iguracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de
acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y
una baja impedancia de salida, contrariamente a las de las con"iguraciones de base
comn y de un emisor comn.
Aa "igura %* muestra una con"iguracin de circuito de colector comn con la
resistencia de carga conectada del emisor a la tierra. ,bs!rvese que el colector se
encuentra conectado a la tierra aunque el transistor est! conectado de manera
similar a la con"iguracin del emisor comn. Mesde un punto de vista de dise(o, no
TEORA DE LOS TRANSISTORES >%
se requiere de un conjunto de caractersticas de colector comn para elegir los
parmetros del circuito. <uede dise(arse utilizando las caractersticas de salida para
la con"iguracin de colector comn son la mismas que para la con"iguracin de
emisor comn.

3ig. %* -on"iguracin -olector -omn o Emisor Seguidor
?o importa la con"iguracin, si al transistor se quiere trabajar en un modo en
particular, se deben realizar las polarizaciones correspondientes.
2.- Cur, Crcter*!tic!
Aos transistores, se estudian y analizan a trav!s de sus curvas caractersticasJ con
ellas se puede conocer el comportamiento o "uncionamiento el!ctrico del elemento,
e#presndose las relaciones gr"icas de las corrientes /8, /E e /- en "uncin de las
tensiones e#teriores aplicadas y para cualquiera de las con"iguraciones en que
puede ser empleado el transistor E9-,., 89-,. -9-,..
Aas curvas no son universales, cada tipo concreto de transistor, tiene las suyas,
normalmente di"erentes de los dems, aunque semejante en "orma.
Aas curvas dadas por el "abricante representa la caractersticas media de una serie
de "abricacin con un elevado nmero de unidades.
E#isten dos )$+ "amilias de curvas de especial importancia y son, la de entrada y la
de salida.
TEORA DE LOS TRANSISTORES >*
7. Las #rvas de entradaC E#presan gr"icamente la relacin entre la corriente
de base )/8+ y la tensin 8ase9Emisor )08E+ para una tensin colector9Emisor
constante. -on ellas se puede calcular la corriente que circula por la base
cuando se aplica una tensin e#terna entre est y el emisor. Ellas se
corresponde con las curvas del diodo de unin con polarizacin directa.
$. Las #rvas de salidaC E#presan la relacin entre la corriente de colector )/c+
para una tensin colector9 Emisor )0-E+, cuando /8 se mantiene constante.
En estas curvas se pueden identi"icar tres regiones de operacin del transistor las
cuales sonC
a') Re4i/n Ativa o LinealC Est ubicada por encima de la tensin -9E en E,I0,
donde las curvas caractersticas son casi constantes, es decir, /- aumenta
TEORA DE LOS TRANSISTORES IE
ligeramente a medida que 0-E aumenta, en esta zona /- depende de /8. En esta
regin el transistor trabaja como ampli"icador.
!') Re4i/n de Sat#rai/n3 Esta ubicada por debajo de 0-E L E.I0, donde las curvas
se unenJ en esta regin se tiene que /- aumenta rpidamente para peque(as
variaciones de 0-E, -uando 0-E cae por debajo de 08E, se tendr que 0-8 es
negativa ) 0-8 L 0-E W 08E+ y polariza directamente a la unin -98, entrando el
transistor a saturacin.
') Re4i/n de Corte3 Se ubica para una corriente /8 L E para este caso la corriente
de colector /- es muy peque(a, igual a la corriente de "uga /-E,.
3.- Re#ci/n De Corriente!
<or de"inicin /E L /8 V /-
/- L /E V /-8,
5 Es una constante de proporcionalidad, es decir, una proporcin de la corriente de
emisor en el colector, Tambi!n conocida como GANANCIA DE CORRIENTE $APO
LA CONFGIGURACIN DE $ASE COMQN. Aa cual siempre tiene un valor h 7.
/E L " )/8+ l /e L /8 V /E V /-8,
Si /-8, E /E L /8 V /E

1
B
E
!
!
) (
B C
! f !

CB' E C
! ! ! +
Si /-8, E

E C
! !

E
C
!
!

-omo

1
B
E
!
!
B C
! !
1
M,?ME
1
B
C
!
!
C 3actor de ampli"icacin de corriente, conocido comnmente como GANANCIA

DE CORRIENTE $APO LA CONFIGURACIN EMISOR COMQN.
Se puede conseguir a trav!s de las curvas caractersticas del "abricante

normalmente su valor oscila entre =E y ;EE.
TEORA DE LOS TRANSISTORES I7
1
H
1
4.- "o#ri=ci/n De# Trn!i!tor En Cd.
4.1.- "OLARIAACIN FIPA.
B8 L Besistencia de la 8ase
B- L Besistencia del -olector
0-- L Tensin de alimentacin
/8 L -orriente de base
/- L -orriente de -olector
3ig. *E -ircuito -on polarizacin 3ija
El anlisis del circuito de polarizacin se
realiza en "orma separada, es decir, se considerar primero el circuito de entrada
)8ase W Emisor+ y luego el circuito de salida )-olector WEmisor+.
Circuito De 2ntrada.
En la "igura *7 se muestra el circuito base9emisor, del cual se obtiene la siguiente
ecuacinC
0 *
BE B B CC
V " ! V
MondeC
B
BE CC
B
"
V V
!

TEORA DE LOS TRANSISTORES I$

3ig. *7 -ircuito Me Entrada
-omo los valores del voltaje de 0-- y 08E son "ijos, la seleccin de un resistor de
polarizacin de base "ija el valor de la corriente de la base /8.
Circuito De alida.
En la "igura se muestra el circuito de colector Wemisor, del cual se obtiene la
siguiente ecuacinC
0 *
CE C C CC
V " ! V

3ig. *$ -ircuito Me Salida
En la regin activa la corriente de colector se relaciona con la corriente de base a
trav!s de la ganancia de corriente del transistor
o 3E y se e#presa da la
siguiente "ormaC
B C
! ! *
Monde la corriente de base se a calculado a trav!s del circuito de entradaJ se
puede observar que la corriente de colector )/-+, solo depende de la corriente de
base y no de la resistencia B- en el circuito de salida.
-onociendo a /- por /8, entonces se puede calcular a 0-E como sigueC
C C CC CE
" ! V V *
El calculo de /-, 0-E e /8 representan el punto de trabajo )Z+ del transistor en
corriente continua )M-+.
E>em&#o.
-alcular los voltajes y corrientes de polarizacin en -M para el circuito mostrado
sabiendo que
L =E
TEORA DE LOS TRANSISTORES I:
3ig. *: Ejemplo de un -ircuito -on polarizacin 3ija
.T7R.C%8N D2' TR.N%T9R:
Siempre y cuando el transistor este trabajando en su regin activa o lineal se
cumple
B C
! ! *
, pero si el transistor se encuentra en la regin de Saturacin ya
esta ecuacin no se valida. Se debe recordar que, si el transistor trabaja en la regin
activa, la unin base9 emisor debe estar polarizada en directa y la unin colector W
base en inverso, esto es cierto slo si el voltaje 0-E g 08E. -omo 0-E L 0-- W /- N B-
que 0-- g /- NB- para que el transistor este activo, es decir,
C
CC
C
"
V
! <
. Si /- se
ace mayor o igual a
C
CC
"
V
, el transistor est operando en la regin de saturacin.
En este caso el valor de
C
CEAT CC
C
"
V V
!

, siendo 0-ES'T L E0 E.:0 y

B
BE CC
B
"
V V
!

. Si el circuito se necesita como ampli"icador, no se debe esperar

que el transistor este en la zona de saturacin.
C9RT2 D2' TR.N%T9RC
TEORA DE LOS TRANSISTORES I;
-uando el transistor est trabajando en la regin de corte, la corriente /8 L E /-L E
y 0-E L 0--. Begin no deseada para el transistor cuando se quiere trabajar como
ampli"icador.
4.(.- "OLARIAACIN CON RESISTENCIA EN EL EMISOR
Este circuito brinda una mejor estabilidad de polarizacin que el circuito de
polarizacin "ija, ya que en !ste
B C
! ! *
y
vara asta para el mismo tipo de

transistor, es decir, si se cambia el transistor por uno del mismo tipo la corriente /-
variar an con /8 constante.
B- LBesistencia de colector
BE LBesistencia de emisor
B8 LBesistencia de base
/E L -orriente de emisor
/- L -orriente de colector
/8 L -orriente de base
3ig. *; -ircuito -on polarizacin con
resistencia en el emisor
Circuito De 2ntrada:
Se tiene que
0 * *
E E BE B B CC
" ! V " ! V
por de"inicin
C B E
! ! ! +
e
B C
! ! *
, por lo tanto
B B B E
! ! ! ! * ) 1 ( * + + entonces sustituyendo tenemosC
0 * * ) 1 ( * +
B E BE B B CC
! " V " ! V
Monde
E B
BE CC
B
" "
V V
!
* ) 1 ( + +
e
B C
! ! *
.
TEORA DE LOS TRANSISTORES I=
3ig. *= -ircuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor
-ircuito Me SalidaC
Se tiene que
0 * *
E E CE C C CC
" ! V " ! V
como
E C
! ! *
tenemos
) (
E
C C CC CE
"
" ! V V + al igual que en el caso anterior el punto de trabajo )Z+
viene dado por los valores de /-, 0-E e /8.
3ig. *> -ircuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor
E>em&#o.
-alcular los valores de /c, /8 y 0-E sabiendo que L =E
TEORA DE LOS TRANSISTORES I>
3ig. *I Ejemplo -ircuito de entrada polarizacin con resistencia en el emisor
BesultadosC
/8 L ;E,7$'J /- L $.E7m'J 0-E L 7:.*;0
COM"ARACIN
-omo se mencion anteriormente, al agregar la resistencia de emisor a la
polarizacin de -M mejorar la estabilidad de est, es decir, las corriente y voltajes
de polarizacin de -M se mantienen ms cercanos a los puntos donde "ueron
"ijados por el circuito, an cuando cambie el valor de del transistor.
<ara el ejemplo anterior si se cambia a 7EE tendremos los siguientes resultadosC
/8 L :>.$I'J /- L :.>$m'J 0-E L *.E% 0
I$ ?A@ IC ?mA@ ;CE ?;@
3J ;E.7$ $.E7 7:.*;
1JJ :>.$I :.>$ *.E%
/- cambia casi un =E& para un cambio de
al 7EE&. El decremento de /8 ayuda a

mantener /- o al menos reducir al cambio total de /- con
.
4...- CIRCUITO DE "OLARIACAIN CD INDE"ENDIENTE DE .
En los circuitos de polarizacin de -M analizados anteriormente, se tena que los
valores de corriente y voltajes de polarizacin del colector dependan de . Mebido a
este problema se izo necesario un circuito de polarizacin independiente de ,
recordando de que es sensible a la temperatura )sobre todo si el transistor es de
Silicio Si+ y adems su valor nominal no esta bien de"inido. El circuito que se
muestra en la "igura *%, cumple con la condicin de que su polarizacin es
TEORA DE LOS TRANSISTORES II
independiente de , Tambi!n conocido como Circuito de "o#ri=ci/n &or Di,i!or
de Ten!i/n.
<ara el anlisis del circuito se sigue el procedimiento descrito en los circuitos
anterioresJ <rimero se trabaja con el circuito o malla de entrada y luego con el de
salida.
3ig. *% -ircuito de polarizacin por divisor de Tensin
Circuito 9 $alla De 2ntrada
Si la resistencia que se observa desde la base )B8+ es mayor que la resistencia B7,
entonces el voltaje de la base se ajusta mediante el divisor de voltaje de B7 y B$J si
esto es cierto, la corriente que circula a trav!s de B$ pasa casi por completo por B7 y
las dos resistencias pueden considerarse e"ectivamente en serie.
TEORA DE LOS TRANSISTORES I%

3ig. ** -ircuito de <olarizacin por Mivisor de Tensin malla de Entrada
Si B8 gg B7
/7 /$
Entonces el voltaje en la unin de las resistencias, que es tambi!n el voltaje de la
base del transistor, se determina simplemente por un divisor de voltaje de B7 y B$, y
el voltaje de alimentacinJ por lo tanto obtendremos queC
2 1
1
*
" "
V "
V
cc
BB
+
H
2 1
// " " "
B

Mando como resultado el siguiente circuitoC
TEORA DE LOS TRANSISTORES I*

3ig. 7EE -ircuito de <olarizacin por Mivisor de Tensin Simpli"icado
Becorriendo la malla de entrada tenemosC
0 * *
E E BE B B BB
" ! V " ! V
-omo
B B B C B E
! ! ! ! ! ! * ) 1 ( * + + +
EntoncesC
E B
BE BB
B
E B B BE BB
" "
V V
!
" " ! V V
) 1 (
. ) 1 ( /
+ +
+ +
<ara que las corrientes no dependan de , por lo general se considera que ?1O@RE
RR R$, entoncesC
E
BE BB
B
"
V V
!
) 1 ( +
como /c L /8 y como )7V+ entoncesC

E
BE BB
E
BE BB
C
"
V V
"
V V
!

) (
.
TEORA DE LOS TRANSISTORES %E
Circuito De alida.
3ig. 7E7 -ircuito de <olarizacin por Mivisor de Tensin .alla de Salida
Aa ecuacin de salida esC
0 * *
E E CE C C CC
" ! V " ! V
,
_
E
c C CC CE
"
" ! V V
-,?M/-/,? ME S'T@B'-/m?
0-ES'T L E E.:0
E C
CEAT CC
CAT
" "
V V
!
+
CAT
BAT
!
!
-,?M/-/m? ME -,BTE
/8 L E, /- L E H 0-E L 0--
EPEM"LO
Tallar el punto de operacin del siguiente circuito sabiendo que 08E L E,I0 y
considerando un L IE y 7;E.
K
K K
K K
"
B
55 . 3
39 9 . 3
39 * 9 . 3
+
V
K K
V K
V
BB
2
39 9 . 3
22 * 9 . 3
TEORA DE LOS TRANSISTORES %7

Trans"ormando el circuito de entrada tenemosC
Circuito de entradaC
E B
BE BB
B
E B B BE BB
" "
V V
!
" " ! V V
) 1 (
. ) 1 ( /
+ +
+ +
"r H8J
TEORA DE LOS TRANSISTORES %$
A
K K
V V
!
B
81 . 11
5 . 1 * 71 55 . 3
7 . 0 2
mA A ! !
B C
8268 . 0 81 . 11 * 70 *
"r H 12J
A
K K
V V
!
B
045 . 6
5 . 1 * 141 55 . 3
7 . 0 2
mA A ! !
B C
846 . 0 045 . 6 * 140 *
Circuito de salida.
"r H8J
,
_
E
c C CC CE
"
" ! V V S 9859 . 0
71
70

V
K
K mA V V
CE
47 . 12
9859 . 0
5 . 1
10 8268 . 0 22
,
_
+
"r H12J
9929 . 0
141
140

V
K
K mA V V
CE
26 . 12
9929 . 0
5 . 1
10 846 . 0 22
,
_
+
I$ ?A@ IC ?mA@ ;CE ?;@
8J 77.%7 E.%$>% 7$.;I
12J >.E;= E.%;> 7$.$>
4.2.- CIRCUITO DE "OLARIAACIN EN CD CON REALIMENTACIN DE
;OLTAPE.
TEORA DE LOS TRANSISTORES %:
'dems de la resistencia de emisor para mejorar la estabilidad del punto de
operacin )Z+, una retroalimentacin de voltaje se le suma a esta mejora. El circuito
de la "igura 7E$ muestra este tipo de polarizacin.
3ig. 7E$ -ircuito de <olarizacin con Bealimentacin de Tensin
Circuito o malla de entrada:
0 * * *
E E BE B B C CC
" ! V " ! " ! V
B E B C
! ! ! ! ! ! * ) 1 ( + +
0 * ) ( * * ) 1 ( + +
BE B B E C B CC
V " ! " " ! V
) )( 1 (
E C B
BE CC
B
" " "
V V
!
+ + +
B C
! ! *
Circuito de salida:
0 * *
E E CE C CC
" ! V " ! V

E
! !
) ( *
E C E CC CE
" " ! V V +
8.- AN:LISIS GR:FICO DE "OLARIAACIN EN CD
TEORA DE LOS TRANSISTORES %;
E#iste una t!cnica gr"ica para mostrar la ubicacin del punto de trabajo de un
circuito con transistor, !sta t!cnica se basa en dibujar una recta llamada recta de
carga de -M, la cual se consigue con la ecuacin de salida del circuitoJ esta
ecuacin se va a representar sobre los ejes de las curvas de salida, que relacionan
la corriente de colector )/-+ con la tensin -olector9Emisor )0-E+ si se trata de una
-on"iguracin Emisor -omn.
<'S,S ' SE2@/B <'B' A' 2B'3/-'-/m?.
Circuito .utopolari:ado.
3ig. 7E: -ircuito 'utopolarizado
Se busca la ecuacin de salida del circuitoC
,
_
E
C C CC CE
"
" ! V V
Se dibuja la ecuacin de salida sobre la curva caracterstica de salida del
transistor de la siguiente "ormaC
7. Se ace /- L E para conseguir el punto de corte en 0-E quedando que
0-E L 0--.
TEORA DE LOS TRANSISTORES %=
$. Se ace 0-E L E para conseguir el punto de corte en /- quedando que
E
C
CC
c
"
"
V
!
+
si se considera que /- /E
E C
CC
c
" "
V
!
+
:. @niendo los dos puntos se consigue la recta de carga de -M.

3ig. 7E; Becta de -arga en -ontinua
Se puede observar que la recta de carga en -M solo depende de 0--, B- y BEJ la
pendiente depende de B- y BE y es el inverso de la resistencia de salida en -M.
Si los valores de B- y BE varan, la pendiente de la recta de carga tambi!n variar.
En la "igura 7E= se puede observar como vara la pendiente de la recta para las
variaciones de )B- V BE+.
TEORA DE LOS TRANSISTORES %>
3ig. 7E= Becta de -arga en -ontinua para las 0ariaciones de B- y BE
Tambi!n el cambio de voltaje 0-- mover la recta de carga de -M en "orma paralela,
pero manteniendo la pendiente, tal como se muestra en la "igura 7E>.
3ig. 7E> Becta de -arga en -ontinua para las 0ariaciones 0--
Mebido que la operacin del circuito depende tanto de las caractersticas del
transistor, como de los elementos del circuito, la gra"icacin de ambas curvas )las
caractersticas del transistor y la recta de carga de -M+ sobre una gr"ica permite la
determinacin del punto de operacin )Z+ del circuito. Aa recta de carga de -M
describe todos los valores posibles de voltaje y corriente en la seccin de colector9
emisor del circuito.
TEORA DE LOS TRANSISTORES %I
V
CE
(V)
I
c
(mA)
V
cc
E C
CC
" "
V
+
Con valores de (R
C
+R
E
) pequeos
E C
CC
" "
V
+
E C
CC
" "
V
+
Con valores de (R
C
+R
E
) intermedios
Con valores de (R
C
+R
E
) grandes
3ig. 7EI Becta de -arga en -ontinua sobre la caracterstica de Salida del Transistor
D.- EL TRANSISTOR COMO INTERRU"TOR
@n transistor "unciona como un interruptor para el circuito conectado al colector )B-+
si se ace pasar rpidamente de corte a saturacin y viceversa. En corte es un
interruptor abierto y en saturacin es un interruptor cerrado. Aos datos para calcular
un circuito de transistor como interruptor sonC el voltaje del circuito que se va a
encender y la corriente que requiere con ese voltaje. El voltaje 0-- se ace igual al
voltaje nominal del circuito, y la corriente corresponde a la corriente /-S'T. Se calcula
la corriente de saturacin mnima, luego la resistencia de base mnimaC
CAT
BAT
!
!
min
min
max
BAT
'N
B
!
V
"
Monde 0on es el voltaje en la resistencia de base para encender el circuito, el circuito
debe usar una B8 por lo menos ; veces menor que B8ma#.
'dicionalmente se debe asegurar un voltaje en B8 de apagado 0,33 que aga que el
circuito entre en corte.
TEORA DE LOS TRANSISTORES %%
Aa principal aplicacin de transistor como interruptor es en los circuitos e integrados
lgicos, all se mantienen trabajando los transistores entre corte o en saturacin, en
otro campo se aplican para activar y desactivar rel!s, en este caso como la carga es
inductiva )bobina del rel!+ al pasar el transistor de saturacin a corte se presenta la
Gpatada inductivaG que al ser repetitiva quema el transistor se debe acer una
proteccin con un diodo en una aplicacin llamada diodo volante.
3ig. 7E% El Transistor ?<? como /nterruptor )a+ -ircuito 'pagado )b+ -ircuito Encendido
3ig. 7E* -ircuito para el accionamiento de un rel!
TEORA DE LOS TRANSISTORES %*

Fundamento de Electónica I

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FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

C .ovilidad de los electrones en el material 1cm

es una caracterstica del material, y est relacionada con la

C .ovilidad de los uecos en el material 1cm

es caracterstica del material, y est relacionada con la capacidad

>.9 Metermine la concentracin de portadores .ayoritarios y minoritarios del

L 7 para el Si y 2e en mayores niveles de corriente del diodo )En la

de la ecuacin anterior, cambia muco ms que T

<ermitibilidad del semiconductor

. 0er "igura ::.

1.(.- C/di)o De Identi6icci/n De# Aener

A.liaiones' Se usan en sistemas de todos los equipos de comunicacin,

A"LICACIONES DEL DIODOS ;%

Esta relacin puede escribirseC

El problema tendra una solucin si

A"LICACIONES DEL DIODOS =7

'ora acemos 0c L E obtener

C 3actor de ampli"icacin de corriente, conocido comnmente como GANANCIA

Se puede conseguir a trav!s de las curvas caractersticas del "abricante

TEORA DE LOS TRANSISTORES I$

, siendo 0-ES'T L E0 E.:0 y

. Si el circuito se necesita como ampli"icador, no se debe esperar

vara asta para el mismo tipo de

al 7EE&. El decremento de /8 ayuda a

como /c L /8 y como )7V+ entoncesC

TEORA DE LOS TRANSISTORES %7

:. @niendo los dos puntos se consigue la recta de carga de -M.

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