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APUNTES DE TEORA DE TE (2010/2011) BRGAINS, CASTRO, IGLESIA, LAMAS

CAPTULO 2. DISPOSITIVOS ELECTRNICOS Y FOTNICOS



TEMA 4. PRINCIPIOS FSICOS DE LOS SEMICONDUCTORES.

4.1 INTRODUCCIN
Las caractersticas fsicas que permiten distinguir entre un aislante, un
semiconductor y un metal estn determinadas por la estructura atmica, molecular y
cristalina de los diferentes materiales.
De acuerdo con el modelo
atmico de Rutherford, el tomo
est compuesto por un ncleo y una
corteza. La corteza est compuesta
por electrones que giran en rbitas
circulares alrededor del ncleo.
Sabemos que los electrones que
constituyen la corteza de un tomo
slo pueden poseer determinadas
energas discretas (lo que se recoge
en el primer postulado de Bohr). De
acuerdo con este postulado, los
electrones se mueven en ciertas
rbitas permitidas alrededor del ncleo sin emitir energa, de forma que
2
/ 1 r E ,
siendo E la energa de la rbita y r el radio de dicha rbita.
Cada nivel de energa u rbita (tambin denominado estado cuntico) slo
puede ser ocupado por un electrn (Principio de exclusin de Pauli), y stos ocupan
siempre los estados ms bajos o inferiores de energa. Los diferentes niveles posibles de
energa vienen definidos por cuatro nmeros cunticos
1
y se encuentran perfectamente
determinados en un tomo aislado. Los electrones van ocupando estos niveles de
energa empezando por los niveles ms bajos (de acuerdo con la Fig. 4.1, se empezara
con el nivel de mnima energa 1 y subnivel s).

4.1.1 Bandas de energa en slidos
Cuando dos tomos estn muy prximos, por ejemplo en los slidos, hay
interaccin entre los niveles de energa de los electrones cercanos, dando lugar, por el
principio de exclusin de Pauli, a desdoblamientos de los niveles de energa, que
comienzan por las rbitas superiores.
En la Figura 4.2, se ilustra el desdoblamiento de niveles de las subcapas d y p,
en funcin de la distancia entre los tomos:

1
Nmero cuntico principal, que indica la distancia entre el ncleo y el electrn (nivel energtico);
nmero cuntico secundario, que indica la forma de los orbitales en los que se encuentra el electrn
(subnivel); nmero cuntico magntico, que indica la orientacin espacial del subnivel de energa; y
nmero cuntico de spin, que indica el sentido de giro del campo magntico que produce el electrn al
girar sobre su eje.
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Fig. 4.2
d
0
: Distancia a la cual los tomos no tienen influencia entre s y los niveles no se
desdoblan (gases).
d
1
: Distancia entre tomos que produce desdoblamiento de niveles, pudiendo
encontrarse los electrones en las bandas permitidas AB y CD, pero no en la
banda prohibida BC. Este salto disminuye conforme la distancia interatmica
disminuye.
d
2
: Distancia a la cual la superposicin de niveles da lugar a una nica banda
permitida EF.
Cuando el nmero de tomos que interaccionan por su proximidad es muy
grande se produce un nmero tan elevado de niveles que da lugar a la formacin de
bandas de energa continuas, por lo que se puede ignorar el carcter discreto de los
niveles.
A la banda de energa formada por los electrones de la ltima capa (tambin
denominados electrones de valencia) que tiene todos o casi todos los subniveles
ocupados se le llama Banda de Valencia (BV). Para que exista conduccin en esta
banda han de existir subniveles desocupados (huecos).


(a) (b) (c)
Fig. 4.3
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A la banda de energa formada por los electrones libres que tiene todos o casi
todos los subniveles vacos se le llama Banda de Conduccin (BC). Para que exista
conduccin en esta banda han de existir subniveles ocupados (electrones libres).
En los materiales aislantes (Fig. 4.3.a), la BC est vaca (es decir, no existen
electrones de conduccin), la BV est llena y la Banda Prohibida (BP) es grande. De
ah que, aunque se aplique un campo elctrico exterior, ste ha de ser relativamente muy
grande para que puedan saltar electrones de la BV a la BC.
En el caso de los conductores (Fig. 4.3.b), las bandas de conduccin y valencia
se solapan pudiendo moverse libremente los electrones por la BC.
Los semiconductores (Fig. 4.3.c) son materiales en los que la anchura de la BP
es del orden de 1 eV. Al cero absoluto de temperatura, todos los electrones estn en la
BV y la BC est vaca, por lo que no puede producirse conduccin (aislante). Al
aumentar la temperatura ambiente, algunos electrones de la BV adquieren la suficiente
energa como para pasar de la BV a la BC, con lo que podra producirse conduccin en
el semiconductor.
Cuando en un semiconductor un electrn pasa de la BV a la BC, en la BV deja
un hueco (nivel vaco), que podr ocupar otro electrn de otro nivel de la BV,
desplazndose dicho hueco como un electrn positivo, lo que contribuye a la
conduccin. Por lo tanto, se producir tambin conduccin en la BV.



El movimiento en la banda de valencia de los electrones e

en un sentido
equivale al movimiento de las partculas denominadas huecos, del mismo valor que la
carga del electrn pero positiva, y que se denotan como e
+
, en sentido contrario.
Podemos entonces tratar el movimiento de los electrones de la banda de valencia como
un movimiento de cargas positivas (huecos) en sentido contrario.

4.2 SEMICONDUCTOR INTRNSECO
Se denominan semiconductores intrnsecos a aquellos materiales puros que
presentan caractersticas semiconductoras. Los ms importantes, por ser utilizados en
electrnica son el Silicio (Si), el Germanio (Ge) y el Arseniuro de Galio (GaAs). Dado
que el silicio es con diferencia el ms empleado, nos referiremos a l en este estudio.




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El silicio presenta una estructura
electrnica
2
: 1 s
2
2 s
2
p
6
3 s
2
p
2.

Como se puede ver, tiene cuatro electrones
en la ltima capa (tetravalente
3
). Y en su
configuracin cristalina, cada tomo se rodea de
otros cuatro, con los que comparte, mediante
enlaces covalentes
4
, los cuatro electrones de su
ltima capa. Los electrones libres, que no
formasen parte de ningn enlace, se encontraran
en la BC.
En un semiconductor a 0 K, la BC est
vaca y la BV llena. La altura o anchura de la BP
que separa las bandas de conduccin y valencia en el Silicio es de 1,1 eV.
A temperatura ambiente, la agitacin
trmica hace que algunos electrones se liberen del
enlace covalente y pasen a la BC quedando libres
para vagar por el interior del cristal. (proceso que
se denomina generacin). Adems, cuando un
electrn pasa de la BV a la BC se crea un hueco
(nivel libre) en la BV, que es tan efectivo en la
conduccin como el electrn libre en s mismo,
puesto que el hueco dejado en el enlace covalente
puede captar un electrn de un enlace vecino.
Cuando un electrn libre encuentra un hueco
puede producirse un proceso denominado
recombinacin: el hueco y el electrn libre se
combinan para formar un enlace. En equilibrio trmico, la velocidad de generacin ser
igual a la velocidad de recombinacin. Al aumentar la temperatura aumenta la
concentracin de portadores de carga y, por tanto, la conductividad.
Los desplazamientos de los electrones en la BC y de los huecos en BV, bajo la
accin de un campo elctrico, sern en sentidos contrarios, dando lugar por tanto a
corrientes que se suman.
En un semiconductor puro (intrnseco), el nmero de huecos es igual al nmero
de electrones libres. Utilizando la siguiente notacin:


2
Los valores del nmero cuntico principal (n), que corresponde al nmero del nivel energtico,
varan entre 1 e infinito. Sin embargo, slo se conocen tomos que tengan hasta 7 niveles energticos
en su estado fundamental. Para cada nivel n, existen n1 subniveles, determinados por el nmero
cuntico secundario l. Si l=0, el orbital es de tipo s, y puede contener 2 electrones. Si l=1, el orbital es
de tipo p, y puede contener hasta 6 electrones.
3
La valencia, tambin conocida como nmero de valencia, es una medida de la cantidad de enlaces
formados por los tomos. El silicio tiene cuatro electrones en su capa de valencia (su capa ms
externa) de ah su posicin en la tabla peridica.
4
Un enlace covalente se produce por comparticin de electrones entre dos tomos. No hay, por tanto,
transferencia de electrones de un tomo a otro.

Fig. 4.4
Fig. 4.5
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n = n de electrones libres en BC / volumen = concentracin de electrones
p = n de huecos en BV / volumen = concentracin de huecos

se tiene: n = p = n
i


siendo n
i
una constante denominada constante (o coeficiente) de concentracin
intrnseca, que como podemos suponer, depender notablemente de la temperatura. El
silicio intrnseco contiene unos 510
22
tomos/cm
3
. A temperatura ambiente (300 K)
tiene una n
i
=1,4510
10
cm
3
, que indica que el nmero de portadores de carga es
pequeo, comparado con el que encontramos en un buen conductor, donde por ejemplo,
como ocurre en el caso de los metales, todos los tomos estn ionizados
5
. La
resistividad es de 4,310
3
Om, que es una resistividad media entre la que presentan los
materiales conductores y la de los aislantes, de ah el nombre de semiconductor.
Al aumentar la temperatura aumenta la concentracin de portadores de carga y la
capacidad de conducir corriente del material, es decir, la conductividad de un
semiconductor intrnseco aumenta con la temperatura. El aumento de temperatura
produce continuamente nuevos pares electrnhueco, mientras que otros pares
desaparecen como resultado de la recombinacin. Este comportamiento difiere del de
los metales, cuya conductividad disminuye al aumentar la temperatura debido al
aumento de vibracin de los iones metlicos y, por tanto, de la probabilidad de
colisiones.

4.3 SEMICONDUCTOR EXTRNSECO. TIPOS DE IMPUREZAS
En un semiconductor puro disponemos de portadores de carga de dos tipos:
electrones libres y huecos. Ahora bien, en la fabricacin de dispositivos electrnicos es
necesario que la conductividad sea controlada y debida, fundamentalmente, a un solo
tipo de potadores. La razn principal es que la conduccin en los semiconductores
extrnsecos es ms fcil, ya que se va a necesitar una energa notablemente menor para
que exista circulacin de carga, tanto de huecos como de electrones.
Se les denomina extrnsecos, impuros o dopados, a aquellos semiconductores
intrnsecos a los que se les ha aadido impurezas (en la forma de pequeos porcentajes
de tomos trivalentes o pentavalentes) para aumentar su conductividad y rendimiento
elctrico. Aadir al cristal semiconductor pequeas cantidades de impurezas apropiadas
afecta de manera espectacular a las concentraciones relativas de huecos y de electrones,
como veremos.

4.3.1 Impurezas donadoras. Silicio tipo n
Son elementos del grupo V de la tabla peridica de elementos (Fsforo (P),
Arsnico (As), Antimonio(Sb)), por lo tanto pentavalentes, es decir, con 5 electrones en

5
No son elctricamente neutros, sino que estn cargados (denominndose iones), como resultado de
la transferencia de electrones de unos tomos a otros.
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su ltima capa, que cuando son utilizados como impurezas para dopar un material
semiconductor comparten cuatro electrones mediante enlaces covalentes con los
correspondientes cuatro tomos que lo rodean en la estructura cristalina, mientras que el
electrn no compartido se sita en una rbita cuyo nivel de energa es muy prximo al
de la BC, por lo que puede saltar fcilmente a ella y quedar libre para desplazarse por el
cristal.
Fig. 4.6

Como aportan portadores (electrones), a estas impurezas se les denomina
impurezas donadoras, y al semiconductor con estas impurezas extrnseco tipo n. En
los semiconductores tipo n la mayora de los electrones provienen de tomos donadores,
que a temperaturas normales de funcionamiento quedan ionizados positivamente, por lo
que el nmero de huecos en la BV es mucho menor que el nmero de electrones en la
BC, esto es: n p.
En un material de tipo n, la conduccin se debe principalmente a los electrones
libres, a los que se denomina portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les
denomina portadores minoritarios.

4.3.2 Impurezas aceptadoras. Silicio tipo p
Son elementos del grupo III de la tabla peridica (Boro (B), Indio (In) y Galio
(Ga)), trivalentes, con tres electrones en su ltima capa, y que, cuando se utilizan para
dopar un material semiconductor, los comparten mediante enlaces covalentes con tres
de los cuatro tomos que los rodean en la estructura cristalina.
Fig. 4.7.

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Con el cuarto tomo se forma un enlace covalente incompleto crendose un nivel de
energa de hueco muy cerca de la BV, por lo que puede captar fcilmente electrones de
enlaces covalentes prximos, generando un hueco (nivel libre) dentro de la BV que
puede desplazarse en su interior.
A estas impurezas se las denominan aceptadoras, porque originan niveles
aceptadores o captadores de electrones, y al semiconductor dopado con estas impurezas
extrnseco tipo p.
En los semiconductores tipo p, la mayora de los huecos provienen de tomos
aceptadores, que, a temperaturas normales de funcionamiento, quedan ionizados
negativamente, por lo que el nmero de electrones en la BC es mucho menor que el
nmero de huecos en la BV, esto es: p n.
En un material de tipo p la conduccin se debe principalmente a los huecos, a los
que se denomina portadores mayoritarios, mientras que a los electrones libres se les
denomina portadores minoritarios.

Resumen:
Intrnsecos(noimpurezas):n=p=n
i

Semiconductores ImpurezasG.V,donadoras
Tipon MuchoselectronesenlaBC(portadoresmayoritarios)
PocoshuecosenlaBV(portadoresminoritarios)
Extrnsecos
ImpurezasG.III,aceptadoras
Tipop MuchoshuecosenlaBV(portadoresmayoritarios)
PocoselectronesenlaBC(portadoresminoritarios)

4.3.3 Ley de accin de masas
Al aadir impurezas a un semiconductor intrnseco varan los niveles de n y p
(concentraciones de electrones libres y huecos). No slo aumenta la concentracin de un
tipo, sino que se reduce simultneamente la del otro, debido a que la abundancia de los
primeros hace ms fcil la recombinacin. Se demuestra que el producto de las
concentraciones de electrones libres y de huecos es constante (para una temperatura
dada), independiente de la cantidad de drenador o de aceptador, es decir:
2
i
n p n =
lo que se conoce como Ley de accin de masas. Recordar eso s que la concentracin
intrnseca es funcin de la temperatura.

4.3.3.1 Densidad de carga en un semiconductor
Consideremos un semiconductor con ambos tipos de impurezas. Sea N
D
la
concentracin de tomos donadores. Suponiendo que todos estn ionizados, tendramos
una densidad de cargas positivas total de N
D
+ p. Del mismo modo, si N
A
es la densidad
de tomos aceptadores, la densidad de cargas negativas total es N
A
+ n.
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Dado que el semiconductor es neutro, se verifica que N
D
+ p = N
A
+ n, por la ley
de la neutralidad elctrica.
Cuando la concentracin de donadores supera a la concentracin de aceptadores,
es decir, N
D
>N
A
, el material es de tipo n, y si la concentracin de aceptadores supera a
la concentracin de donadores, es decir, N
A
>N
D
, el material es de tipo p. Observamos
que aadiendo impurezas a un semiconductor se puede cambiar de tipo n a tipo p y
viceversa.
Si suponemos un material del tipo n con N
A
= 0, como n p
D
N n ~ , o sea, en
un semiconductor extrnseco la concentracin de electrones libres es aproximadamente
igual a la de impurezas donadoras. Entonces, la concentracin de huecos en el
semiconductor, teniendo en cuenta la ley de accin de masas, se obtiene como sigue
2
i
D
n
p
N
~ .
De igual manera, en un material de tipo p con N
D
= 0, como p n
A
p N ~ , de donde:
2
i
A
n
p
N
~ .
Notar que si se igualan las concentraciones de donadores y aceptadores en un
semiconductor (es decir, N
D
=N
A
), observamos que p=n, y entonces, n=n
i
, es decir, el
semiconductor permanece intrnseco.

4.4 CORRIENTES EN UN SEMICONDUCTOR
La corriente en un semiconductor es debida al desplazamiento de electrones a
travs de la banda de conduccin por un lado, y al de los huecos por la banda de
valencia, por otro.
Entre los diferentes fenmenos que dan lugar a corriente en un semiconductor
destacamos por su importancia los de arrastre y difusin.
Corriente de arrastre, deriva o desplazamiento: El efecto de arrastre es anlogo
al que se produce en los metales. Est motivado por el campo elctrico aplicado, debido
al cual los electrones libres de la BC y los huecos en la BV se mueven en sentidos
opuestos, dando lugar a una corriente en el mismo sentido, que es la suma de ambos. El
campo elctrico aplicado puede ser externo, debido a una f.e.m.(fuerza electromotriz,
como por ejemplo el campo creado por una pila), o bien interno, debido a una
separacin de carga. En ausencia de campo elctrico aplicado, no va a existir corriente
de arrastre.
Corriente de difusin: El efecto de difusin se produce cuando la concentracin
de portadores no es uniforme a lo largo del semiconductor, o lo que es lo mismo, existe
una variacin en la concentracin de portadores con la distancia, producindose un
desplazamiento de portadores que trata de establecer el equilibrio (igualar la
concentracin en la totalidad del volumen). Este desplazamiento de portadores dara
lugar a un transporte neto de carga a travs de una superficie y, por tanto, a una
corriente de difusin.
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La corriente total en un semiconductor es el resultado de ambos efectos:
desplazamiento por campo elctrico (o diferencia de potencial) y difusin por variacin
de concentracin.
En un semiconductor en circuito
abierto con una concentracin de
portadores no uniforme se va a producir un
corriente de difusin que da lugar a iones,
concentracin de carga y,
consecuentemente, un campo elctrico que
produce a su vez una corriente de arrastre.
Esta corriente de arrastre en el equilibrio
anula la corriente de difusin, dando lugar a
una corriente total nula. Por lo tanto, en el
equilibrio, la tendencia a la difusin se
compensa con la tendencia al arrastre.


4.5 UNIN P-N EN CIRCUITO ABIERTO

Se forma una unin p-n cuando en
un mismo cristal semiconductor se
difunden impurezas donadoras por un
extremo y aceptadoras por el otro.
En las cercanas de la unin se va
a producir una fuerte variacin en la
concentracin, debido a que los
portadores que a un lado de unin son
mayoritarios, pasan a ser minoritarios en
la otra, y viceversa.
Debido a esa variacin en la
concentracin, los electrones mayoritarios
de la regin n se van a difundir sobre la
regin p, y los huecos mayoritarios de la
regin p sobre la regin n, lo que dar
lugar a la aparicin de iones sin
neutralizar por cargas mviles a ambos
lados de la unin (Fig. 4.10). Estas cargas
fijas sin neutralizar forman un campo
elctrico, dirigido del lado n al lado p, que
va aumentando al ir pasando portadores de un lado al otro de la unin. El campo
elctrico as originado se opone al paso de cargas mviles, llegndose al equilibrio
cuando la tendencia a la difusin se contrarresta por el efecto de arrastre a que da
lugar dicho campo. Fuera de la zona de transicin el campo elctrico es nulo.
A la zona en la que no hay portadores mviles, pero s iones fijos, se le
denomina zona de transicin, de carga espacial, o de agotamiento (cuyo espesor de
aproximadamente 0,50 m se indica en la Fig. 4.10).

Fig. 4.8

Fig. 4.9
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Fig. 4.10
Asociado al campo elctrico de la zona de transicin, aparece el potencial de contacto o
barrera de potencial:
=
}

o
V E dl
. El potencial de contacto no genera tensin capaz de
producir corriente, sino que constituye una barrera de potencial que se opone a la
difusin de los portadores mayoritarios. Para entender esta idea con ms claridad
recordemos que las cargas positivas se mueven de las zonas de mayor a las de menor
potencial, y las cargas negativas a la inversa. En la zona p los portadores mayoritarios
son los huecos y como la zona n est a mayor potencial que la zona p, esta diferencia de
potencial dificulta o impide el movimiento de los huecos de la zona p a la n. Lo mismo
ocurre con el movimiento de los electrones de la zona n a la p.

La altura de la barrera de potencial V
o
depende de las concentraciones de
impurezas y de la temperatura. Tpicamente, para silicio a temperatura ambiente, est
comprendida entre 0,6 y 0,8 V.


Cuando los terminales de la
unin p-n se dejan en circuito abierto, el
voltaje medido entre ellos ser cero.
Esto es, el voltaje V
o
de la regin de
agotamiento no aparece entre los
terminales del diodo. Esto es as por las
cadas de potencial en los contactos de
los terminales del diodo, V
p
y V
n
, que se
oponen y equilibran exactamente el
potencial de barrera. Si no fuera as,
podramos sacar energa de la unin p-n
aislada, lo cual violara claramente el
principio de conservacin de la energa.
Dado que ha de cumplirse que V=V
p
V
J
+ V
n
= 0, se tiene que V
J
= V
o
= V
p
+V
n
,
siendo V
J
la tensin aplicada a la unin.
Fig. 4.11