Propriedades ticas de materiais

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Nos ltimos anos, a busca por novos dispositivos eletro-oticos tem impulsionado o
desenvolvimento de materiais com propriedades ticas diferenciadas. A partir disso, novos
materiais tem sido investigados e desenvolvidos, vislumbrando aplicaes tecnolgicas,
como os LEDs orgnicos (OLEDs), lasers, diodos, etc. A natureza destes materiais um
fator determinante para explicar os diversos fenmenos ticos observados na natureza.
ndice
[esconder]
1 Propriedades macroscpicas
2 Absoro interbanda
o 2.1 Transies interbandas
o 2.2 Absoro tica sob a influncia de campos eltrico ou magntico
o 2.3 Medida do espectro de absoro
3 xcitons
o 3.1 xcitons livres (xcitons de Wannier-Mott)
o 3.2 xcitons fortemente ligados (xcitons de Frenkel)
4 Luminescncia
o 4.1 Fotoluminescncia
o 4.2 Eletroluminescncia
4.2.1 Diodos emissores de luz
4.2.2 Lasers de semicondutores
5 Ver tambm
6 Ligaes externas
7 Referncias
8 Publicaes Brasileiras
Propriedades macroscpicas[editar | editar cdigo-fonte]
A partir de um pequeno nmero de fenmenos ticos gerais, possvel descrever um
nmero significativo de processos ticos. So observados alguns fenmenos quando
a luzinterage com o meio. Estes fenmenos ticos discutidos podem ser quantificados por
parmetros que determinam as propriedades macroscpicas.
Absoro um fenmeno tico relacionado com a diminuio da energia da luz ao
atravessar um determinado meio. Neste processo, um feixe de luz atenuado ao longo da
sua direo de propagao, sendo transmitida apenas a parcela de luz que no foi
absorvida pelo material. August Beer (1852) estudou a relao entre a luz transmitida por
um meio material e a concentrao deste meio, concluindo que a intensidade da luz de um
feixe monocromtico diminui exponencialmente com o aumento da concentrao do
meio.Lambert (1760) concluiu que, em um meio homogneo, a luz absorvida e sua
intensidade diminui exponencialmente com a espessura do meio. A absoro em um meio
tico quantificada pelo coeficiente de absoro e definida pela frao de luz absorvida
por unidade de comprimento do meio. A intensidade de um feixe que se propaga um uma
dimenso l dada pela lei de Beer-Lambert, tambm conhecida como Lei de Beer-
Lambert-Bouger

onde
intensidade da luz transmitida
intensidade da luz incidente.
coeficiente de absoro
espessura do meio


Refrao de um feixe luminoso na interface entre dois meios 1 e 2, onde n2 > n1.
Refrao um fenmeno que se caracteriza pela mudana da velocidade da luz e na sua
direo de propagao (com exceo se a incidncia for perpendicular) ao passar de um
meio material para outro. A mudana de velocidade e direo de propagao da luz em
um meio isotrpico descrita por um parmetro macroscpico chamado ndice de
refrao.

onde c a velocidade da luz no vcuo e v a velocidade da luz no meio considerado.
Quando a luz se propaga entre os meios homogneos e transparentes 1 e 2 com ndice de
refrao n
1
e n
2
, ao cruzar a superfcie de separao entre os meios, a direo de
propagao do feixe luminoso muda de acordo com a lei com a Lei da refrao, conhecida
tambm como Lei de Snell

onde
- ndice de refrao no meio 1
- ndice de refrao no meio 2
- ngulo de incidncia
- ngulo de refrao
Luminescncia um nome geral dado a um processo de emisso espontnea da luz por
tomos excitados em materiais. A promoo da excitao atmica pode se d atravs de
um processo de absoro da luz. A luminescncia um fenmeno de difcil descrio por
parmetros macroscpicos clssicos, pois um processo essencialmente quntico.

Espalhamento consiste em uma mudana de direo e/ou de freqncia da luz ao
interagir com o meio tico. No espalhamento elstico, a freqncia da luz no se altera,
enquanto que, o contrrio ocorre no caso de espalhamentos inelsticos. O espalhamento
causa atenuao do feixe de luz em uma maneira anloga a absoro. A intensidade
diminui exponencialmente de acordo com a relao

N o nmero de centros espalhadores por unidade de volume
a seo de choque de espalhamento o centro espalhador.
Esta relao idntica lei de Beer-Lambert, onde . O espalhamento est
relacionado com variaes no ndice de refrao do meio em uma escala de comprimento
e no comprimento de onda da luz. Isto poderia ser causado pela presena de impurezas,
defeitos ou inomogeneidades.
Absoro interbanda[editar | editar cdigo-fonte]
Materiais semicondutores e isolantes possuem uma borda de absoro nas regies
espectrais do infra-vermelho, do visvel e do ultravioleta. Esta borda de absoro
originada de transies dos eltrons que compe o slido. Quando o material irradiado,
o eltron da banda de valncia absorve energia e pode ser promovido para a banda de
conduo. Esse processo conhecido como absoro interbanda.
Transies interbandas[editar | editar cdigo-fonte]
Os nveis de energia de tomos isolados consistem em uma srie de estados com
energias discretas. Transies ticas entre essas bandas s ocorrero se forem satisfeitas
asregras de seleo. Em um processo de transio tica, o eltron salta de uma banda de
menor energia para outra banda com maior energia pela absoro de fton. Este tipo de
transio observado em semicondutores, onde um fton excita um eltron da banda
valncia (menor energia) preenchida para uma banda de conduo (maior energia) vazia.


Absoro tica interbanda entre um estado inicial de energia E1 em uma banda inferior ocupada para uma
banda superior vazia E2. A diferena de energia entre as bandas o hiato de energia Eg.
Aplicando a lei da conservao da energia para a transio interbanda

onde
E
i
a energia do eltron na banda inferior
E
f
a energia do estado final na banda superior hf a energia do fton incidente.
As transies interbandas sero possveis somente se hf > E
g
. Ao ser excitado, o eltron
deixa o estado inicial E
i
na banda mais baixa ocupada, criando um buraco neste estado.
Desta forma, o processo de absoro cria um par eltron-buraco nos estados final e inicial,
respectivamente.
Em materiais com hiato de energia direto, o mnimo da banda de conduo est alinha
com o mximo da banda de valncia, portanto, atransio interbanda ocorre de forma
direta. No caso dos materiais com hiato de energia indireto, o mnimo da banda de
conduo est deslocado em relao ao mximo da banda de valncia.
Em slidos com hiato de energia indireto, a transio interbanda ocorre com a assistncia
de um fnon, que emitido ou absorvido, ao contrrio das transies diretas, onde apenas
o fton participa do processo. O GaAs um exemplo padro de transies interbandas
diretas. Ele tambm um importante material para aplicaes optoeletrnicas. A fim de
compreender as transies interbandas diretas, possvel utilizar um modelo simplificado
de quatro bandas. As quatro bandas tm disperses parablicas. A curvatura positiva da
banda de conduo indica que ela corresponde a uma banda de eltron enquanto que a
curvatura negativa das bandas de valncia corresponde a estados de buracos. Duas
bandas dos buracos so degeneradas prximo ao topo. Estes so conhecidos como as
bandas de buracos pesados e buracos leves, onde a banda do buraco pesado possui
menor curvatura. A terceira banda, que est desviada para uma posio de menor energia,
conhecida como banda de buracos split-off.
Absoro tica sob a influncia de campos eltrico ou
magntico[editar | editar cdigo-fonte]
A absoro tica de um material semicondutor alterada mediante a aplicao de um
campo eltrico. Este efeito conhecido como Franz-Keldysh. As constantes ticas e o
ndice do material so moduladas atravs da aplicao de um campo eltrico. O campo
pode ser variado com dependncia linear ou quadrtica, produzindo um efeito eletro-tico.
Considerando a absoro em um campo magntico, a aplicao de um intenso campo
com uma densidade de fluxo B induz os eltrons do material a realizarem movimento
circular em torno do campo, com freqncia igual freqncia cclotron segundo a relao

onde
e - carga do eltron
m
0
- massa
Do ponto de vista quntico, as rbitas e energias dos eltrons tm valores quantizados e
so dados por

para n = 0, 1, 2... .Estes nveis quantizados de energia so chamados de nveis de
Landau. Em semicondutores sob a presena de um forte campo magntico na direo z, o
movimento dos eltrons na banda de conduo e dos buracos na banda de valncia ser
quantizado no plano xy, porem, livres na direo z.
Medida do espectro de absoro[editar | editar cdigo-fonte]


Diagrama esquemtico de uma medida de espectro de absoro.
O coeficiente de absoro de um material geralmente determinado pela medida
da transmisso de uma amostra. A luz de uma fonte de luz branca de baixa intensidade
atravessa a amostra, e o espectro da luz transmitida obtido. O coeficiente de
transmisso determinado pelo clculo da razo da luz incidente no detector com ou sem
a amostra presente. O coeficiente de absoro ento calculado a transmisso aps
medir as refletividades em um experimento separado.
Em comprimentos de onda mais longos o espectrgrafo e o detector devem ser
substitudos por um escner monocromtico com um apropriado detector de infra-
vermelho. Para comprimentos de onda alm de cinco micrometros, comum
usar espectrmetros deTransformada de Fourier para medidas de absoro. Cabe
ressaltar que, em alguns materiais, a absoro to intensa que se torna impraticvel usar
medidas de transmisso para obter o coeficiente de absoro. No silcio, por exemplo, o
coeficiente de absoro excede 10
8
m
(-1)
em alguns comprimentos de onda, o qual estaria
menos de 0.01%. Neste caso, a absoro calculada a partir da parte imaginria do ndice
de refrao complexo.
xcitons[editar | editar cdigo-fonte]
Em materiais isolantes ou semicondutores, a absoro de um fton com energia maior que
o hiato de energia (diferena de energia entre a banda de conduo e a banda de
valncia) do material, promove a transio do eltron da banda de conduo para a banda
de valncia. Desta forma, essa transio cria um eltron na banda de conduo e uma
lacuna, com carga oposta carga do eltron na banda de valncia, conhecido por buraco.
Esse par eltron-buraco uma quasipartcula, no qual h uma interao
coulombiana mtua entre essas partculas. Essa quasipartcula chamada de xciton. De
maneira mais simples, o xciton pode ser concebido como um pequeno sistema
hidrogenide, similar a um tomo positrnico, com o eltron e o buraco em uma rbita
estvel em torno um do outro.

Existem dois tipos bsicos, observados em materiais cristalinos:
xcitons livres (xcitons de Wannier-Mott)[editar | editar cdigo-fonte]
So principalmente observados em semicondutores. Em um xciton livre, a separao
media entre os eltrons e buracos muito maior que valor mdio do espaamento
atmico. Sendo assim, o xciton livre definido, de uma maneira simples, como um par
eltron-buraco fracamente ligado. Na descrio dos xcitons livres, tem sido utilizado
o modelo de Bohr.
xcitons fortemente ligados (xcitons de Frenkel)[editar | editar cdigo-
fonte]
so encontrados em cristais isolantes e cristais moleculares. Quando o raio do xciton se
torna comparvel ao espaamento interatmico, o modelo de xciton livre deixa de ser
vlido. Essa caracterstica observada em materiais com pequenas constantes dieltricas,
mas com alto valor da massa efetiva. xcitons de Frenkel tm raios muito pequenos e
energias de ligao significativamente grandes, com valores tpicos de 0.1 eV a vrios eV,
sendo geralmente estveis a temperatura ambiente. Efeitos excitnicos em polmeros
conjugados, como o polidiacetileno, tm gerado importantes produtos tecnolgicos nos
ltimos anos, seguindo o desenvolvimento de diodos orgnicos para uso em tecnologia de
display.
Luminescncia[editar | editar cdigo-fonte]
tomos podem emitir luz de forma espontnea quando decaem de estados excitados para
nveis de energia mais baixos. Nos materiais slidos, o processo de emisso espontnea
de luz chamado de luminescncia. Quando o decaimento do eltron ocorre da banda de
conduo para a banda de valncia, a luminescncia dita interbanda. Luminescncia
pode ocorrer atravs de diversos mecanismos, sendo os principais:
Fotoluminescncia: a re-emisso de luz aps absoro de um fton de alta energia.
Eletroluminescncia: a emisso de luz causada pela aplicao de uma corrente eltrica
atravs do material.
Fotoluminescncia[editar | editar cdigo-fonte]
A fotoluminescncia ocorre em semicondutores de hiato de energia direto, a re-emisso de
luz se d atravs de uma luminescncia interabanda, onde o eltron decai da banda de
conduo para a banda de valncia, quando o semicondutor excitado por um fton com
energia maior que a energia do hiato de energia E
g
.
Uma fonte de excitao emite ftons que promovem os eltrons da banda de valncia, que
acabam deixando buracos na banda de conduo. Para isso ocorrer, a energia dos ftons
emitidos deve ser maior que a energia do hiato de energia do material. Neste processo,
inicialmente, os eltrons so promovidos para estados mais altos na banda de conduo,
permanecendo por pouco tempo nestes estados. A energia desses eltrons diminui devido
emisso de fnons dentro da banda. A partir disso, observam-se transies que ocorrem
dentro da banda do tipo cascata.
Eletroluminescncia[editar | editar cdigo-fonte]
Eletroluminescncia um processo pelo qual a luminescncia gerada enquanto uma
corrente eltrica flui atravs de um dispositivo optoeletrnico. Existem dois principais tipos
de dispositivos:
1-Diodos de emisso de luz (LEDs)
2-Lasers de semicondutores.
Diodos emissores de luz[editar | editar cdigo-fonte]
As regies em p e n em um LED so altamente dopadas para produzir distribuies
degeneradas de buracos na regio p e eltrons na regio n. No equilbrio trmico, com
tenso nula aplicada sobe o dispositivo, a energia de Fermi deve ser a mesma em todos
os pontos do dispositivo. As bandas se alinham com as energias de Fermi das regies p e
n na mesma energia. Na juno, forma-se uma regio de depleo, onde no h presena
de eltrons e buracos. Nestas condies, no h emisso de luz porque no h populao
significante de eltrons e buracos dentro do dispositivo.
Quando uma tenso de V
0
~E
g
/e aplicada sobre o dispositivo para produzir uma corrente
promove desvios nos nveis de Fermi. A regio de depleo diminui, permitindo a difuso
dos eltrons das regies n para regies p e vice-versa e criando uma regio na juno
onde eltrons e buracos esto presentes. Os eltrons recombinam com os buracos,
emitindo ftons de energia E
g
por luminescncia interbanda. Os eltrons e buracos o qual
se recombinam so reabastecidos pela corrente que flui atravs do dispositivo do circuito
externo.


. Diagrama de bandas de um diodo. A linha pontilhada indica a posio do nvel de Fermi nas regies p e
n. A regio de depleo diminui, permitindo a presena de eltrons e buracos na juno.
Lasers de semicondutores[editar | editar cdigo-fonte]
Lasers de semicondutores, apesar da dificuldade de fabricao, o desempenho desses
dispositivos so superiores aosLEDs, portanto, empregado em aplicaes de maior
necessidade de eficincia. Os principais materiais utilizados para fabricao so baseados
em GaAs (Arseneto de Glio), operando em regies espectrais do infravermelho e
infravermelho prximo. Uma novidade tecnolgica recente so os lasers azuis, fabricado
com materiais baseados em nitrato. A palavra laser vem de Light Amplification by
Stimulated Emission of Radiation. Isso quer dizer que os lasers so dispositivos baseados
em emisso estimulada da luz. Na emisso estimulada, h um aumento do nmero de
ftons quando a luz interage com os tomos do meio, ou seja, este processo causa
amplificao do feixe luminoso, ao contrrio da absoro, onde o h diminuio dos ftons.
Considerando esquematicamente um laser em equilbrio trmico, a populao do nvel de
energia menor N
1
maior que a populao do nvel de maior energia N
2
, ou seja, N
1
> N
2
.
Isso significa que a taxa de absoro excede a taxa de emisso estimulada resultando em
uma atenuao do feixe. Modelando o dispositivo de tal forma que a populao de maior
energia N
2
seja maior que a populao de menor energia N
1
, a taxa de emisso
estimulada da luz seria superior taxa de absoro e, portanto, o feixe seria amplificado.
Esta condio se chama inverso de populao, pois neste caso N
2
> N
1
. Um tpico
arranjo para um laser de diodo formado apenas por um chip semicondutor. As
refletividades das superfcies nas extremidades do cristal tm rendimento de
aproximadamente 30%, considerado que, a refletividade em uma das extremidades deve
ser muito superior a segunda extremidade.