Sie sind auf Seite 1von 274

3.

Memorias, microprocesadores, microcontroller PIC y


AVR

3.1. Memoria del computador

En los sistemas digitales, no combinacionales, de proceso debe existir una
unidad de memoria en la que se almacenen los datos, los resultados parciales y
los resultados finales del proceso. Cuando el sistema digital de proceso es
programable, adems, han de memorizarse las instrucciones del programa.

En informtica, la memoria (tambin llamada almacenamiento) se refiere a
parte de los componentes que integran una computadora. Son dispositivos que
retienen datos informticos durante algn intervalo de tiempo. Las memorias
de computadora proporcionan una de las principales funciones de la
computacin moderna, la retencin o almacenamiento de informacin. Es uno
de los componentes fundamentales de todas las computadoras modernas que,
acoplados a una unidad central de procesamiento (CPU por su sigla en ingls,
central processing unit), implementa lo fundamental del modelo de
computadora de Arquitectura de von Neumann, usado desde los aos 1940.
En la actualidad, memoria suele referirse a una forma de almacenamiento de
estado slido conocido como memoria RAM (memoria de acceso aleatorio,
RAM por sus siglas en ingls random access memory) y otras veces se refiere
a otras formas de almacenamiento rpido pero temporal. De forma similar, se
refiere a formas de almacenamiento masivo como discos pticos y tipos de
almacenamiento magntico como discos duros y otros tipos de
almacenamiento ms lentos que las memorias RAM, pero de naturaleza ms
permanente. Estas distinciones contemporneas son de ayuda porque son
fundamentales para la arquitectura de computadores en general.


Figura 3.1. Esquemas dispositivos memoria

Adems, se refleja una diferencia tcnica importante y significativa entre
memoria y dispositivos de almacenamiento masivo, que se ha ido diluyendo
por el uso histrico de los trminos "almacenamiento primario" (a veces
"almacenamiento principal"), para memorias de acceso aleatorio, y
"almacenamiento secundario" para dispositivos de almacenamiento masivo.
No subttulo por conveniencia.


3.1.1. Terminologa de la memoria

Celda de memoria
Las unidades de memoria son mdulos conformados por un conjunto de
cerrojos o condensadores agrupados de tal forma que almacenan varias
Unidad
aritmetica
Unidad de
control
Memoria interna
(semiconductor)
Procesador central al CPU
Almacenamiento
externo masivo
(cinta, disco,
printer y otro)
palabras binarias de n bits. Cada una de ellas tiene la capacidad de almacenar
un bit de informacin (1 o 0), y se conocen con el nombre de celdas de
memoria. Las celdas o bits de memoria se ubican mediante la fila y la
columna en la que se encuentra.


Byte

Byte (pronunciada [bait] o ['bi.te]) es una unidad de informacin utilizada
como un mltiplo del bit. Generalmente equivale a 8 bits, por lo que en
espaol se le denomina octeto.
El trmino byte fue acuado por Waner Buchholz en 1957 durante las
primeras fases de diseo del IBM 7030 Stretch. Originalmente fue definido en
instrucciones de 4 bits, permitiendo desde uno hasta diecisis bits en un byte
(el diseo de produccin redujo este hasta campos de 3 bits, permitiendo
desde uno a ocho bits en un byte).

4096 palabras de 20 byte

1KiB = 1 Kibibyte = 1024 bytes = 2
10
.
1KB = 1 Kilobyte = 1000 bytes = 10
3
.


Mltiplos utilizando los prefijos del Sistema Internacional
Prefijo
Smbolo del
prefijo
Nombre resultante
del prefijo + Byte
Smbolo del
mltiplo del Byte
Factor y valor en el SI
Valor de
referencia
Byte B 10
0
= 1
Kilo k kilobyte KB 10
3
= 1 000
Mega M Megabyte MB 10
6
= 1 000 000
Giga G Gigabyte GB 10
9
= 1 000 000 000
Tera T Terabyte TB 10
12
= 1 000 000 000 000
Peta P Petabyte PB 10
15
= 1 000 000 000 000 000
Exa E Exabyte EB
10
18
= 1 000 000 000 000 000
000
Zetta Z Zettabyte ZB
10
21
= 1 000 000 000 000 000
000 000
Yotta Y Yottabyte YB
10
24
= 1 000 000 000 000 000
000 000 000

Actualmente los prefijos binarios al igual que el byte forman parte de la norma
ISO/IEC 80000-13.
Los primeros prefijos desde Kibi a Exbi fueron definidos por la Comisin
Electrotcnica Internacional (IEC) en diciembre de 1998, e incluidas en el IEC
60027-2 (Desde febrero del ao 1999), posteriormente en el ao 2005 se
incluyeron Zebi y Yobi.

Mltiplos utilizando los prefijos ISO/IEC 80000-13
Prefijo
Smbolo del
prefijo
Nombre resultante
del prefijo + Byte
Smbolo del
mltiplo del Byte
Factor y valor en el
ISO/IEC 80000-13
Valor de
referencia
Byte B 2
0
= 1
Kibi Ki Kibibyte KiB 2
10
= 1024
Mebi Mi Mebibyte MiB 2
20
= 1 048 576
Gibi Gi Gibibyte GiB 2
30
= 1 073 741 824
Tebi Ti Tebibyte TiB
2
40
= 1 099 511 627
776
Pebi Pi Pebibyte PiB
2
50
= 1 125 899 906
842 624
Exbi Ei Exbibyte EiB
2
60
= 1 152 921 504
606 846 976
Zebi Zi Zebibyte ZiB
2
70
= 1 180 591 620
717 411 303 424
Yobi Yi Yobibyte YiB
2
80
= 1 208 925 819
614 629 174 706 176

Oficialmente, el padrn IEC especificaba que los prefijos del SI fueran usados
solamente para mltiplos en base 10 (Sistema decimal) y nunca base 2
(Sistema binario).

Ejemplo. Qu memoria almacena mayor cantidad de bits: una de 5M8 y
otra que almacena 1M palabras, cada una con un tamao de 16 bits?
Solucin.



Cada localidad de palabra tiene una direccin binaria especfica
Direccin
000 Palabra 0
001 Palabra 1
010 Palabra 2
011 Palabra 3
100 Palabra 4
101 Palabra 5
110 Palabra 6
111 Palabra 7




Direccin.

En informtica, una direccin de memoria es un transmisor para una
localizacin de memoria con la cual un programa informtico o un dispositivo
de hardware deben almacenar un dato para su posterior reutilizacin.
Una forma comn de describir la memoria principal de un ordenador es como
una coleccin de celdas que almacenan datos e instrucciones. Cada celda est
identificada unvocamente por un nmero o direccin de memoria.
Para poder acceder a una ubicacin especfica de la memoria, la CPU genera
seales en el bus de direccin, que habitualmente tiene un tamao de 32 bits
en la mayora de mquinas actuales. Un bus de direccin de 32 bits permite
especificar a la CPU 2
32
= 4.294.967.296 direcciones de memoria distintas.
Debido a la estructura de 32 bits de un procesador comn como los de Intel,
las direcciones de memoria se expresan a menudo en hexadecimal. Por
ejemplo, para no tener que escribir 111111010100000000000010101100
podemos escribir 3F5000AC en hexadecimal.






Matriz de memoria Bsica



Operacin de lectura.

Lectura (consulta) - esta operacin consiste el leer la informacin contenida
en fichero sin alterarla.



Operacin de escritura.

Escritura (modificacin) - consiste en actualizar el contenido del fichero bien
aadindole nuevos datos o borrando parte de los que contena.




Apertura

Apertura - antes de acceder a un fichero, tanto para consultar como para
actualizar su informacin, es necesario abrirlo. Esta operacin se debe realizar
previamente a las operaciones de lectura o escritura.


Cierre

Cierre - cuando se ha terminado de consultar o modificar un fichero, por lo
general, del mismo modo que se tuvo que abrir para realizar alguna operacin
de lectura/escritura sobre l, ste deber ser cerrado.


Tiempo de acceso.
Tiempo de acceso a disco es el tiempo exigido para que un ordenador procese
datos de un procesador y que recupere los dados solicitados de un dispositivo
de almacenamiento, tal como un disco rgido. Para discos rgidos, el tiempo de
acceso a disco est determinado por la suma del tiempo de posicionamiento y
el retraso rotacional.


Memoria voltil.

La memoria voltil de una computadora, contrario a memoria no voltil, es
aquella memoria cuya informacin se pierde al interrumpirse el flujo elctrico.


Memoria interna.

Memoria Central (Interna): La CPU utiliza la memoria de la computadora
para guardar informacin mientras trabaja con ella; mientras esta informacin
permanezca en memoria, la computadora puede tener acceso a ella en forma
directa. Esta memoria construida internamente se llama memoria de acceso
aleatorio RAM. Se puede clasificar como:
Memoria Duradera La informacin permanece inalterada hasta que se
realice una nueva escritura sobre la misma. La informacin se mantiene
de forma permanente. Se dice que la memoria es no voltil.
Memoria Voltil La informacin debe ser alimentada con energa para
que no desaparezca.
Memoria con refresco Tipo especia de memoria voltil en la que el
contenido debe ser renovado constantemente.
Memoria Permanente La informacin no se puede alterar (solo lectura).

Memoria secundaria.

La memoria secundaria es un conjunto de dispositivos perifricos para el
almacenamiento masivo de datos de un ordenador, con mayor capacidad que
la memoria principal, pero ms lenta que sta. El diskette, el disco duro o
disco fijo, las unidades pticas, las unidades de memoria flash y los discos
Zip, pertenecen a esta categora. Estos dispositivos perifricos quedan
vinculados a la memoria principal, o memoria interna, conformando el sub-
sistema de memoria del ordenador.

El diagrama simple de ms arriba muestra los principales componentes de un
sistema informtico y la cantidad de memoria secundaria se refiere a los otros
componentes de un sistema informtico, con la Unidad Central de
Procesamiento (CPU) en el centro de todo. Memoria primaria y secundaria,
aunque similar en algunos aspectos, tienen caractersticas ligeramente
diferentes en el sistema informtico.

Central
Processing
Unit
(Processor
/CPU)
Secondary
Memory
(Backing
Store)
Primary
Memory
(RAM)
User
Interfase
(Input/
Output)
PLACA MAE







3.1.2. Historia de la memoria de computador

Organito


Figura 3.2. An organ grinder with a monkey, photographed in 1892.
Para producir msica solo hace falta girar un manubrio que hace mover sobre
su eje a un cilindro que contiene unas pas de diferentes formas y tamaos que
mueven a su vez a unos macillos que repercuten en las cuerdas de piano que
se sitan en el interior de un cajn hacindolas sonar. Cada rodillo sola tener
10 temas diferentes. En los instrumentos modernos la seleccin de la pieza se
efecta mediante una varilla con muescas, cada una corresponde a una
partitura.
Por su facilidad de manejo, fue un instrumento popular que convivi con el
piano e incluso con los gramfonos, sustituyndolos en las fiestas populares.
Era un instrumento tradicional en las verbenas de Madrid, en algunas de las
cuales an se utiliza.





La lampa electrodo

La vlvula electrnica, tambin llamada vlvula termoinica, vlvula de vaco,
tubo de vaco o bulbo, es un componente electrnico utilizado para amplificar,
conmutar, o modificar una seal elctrica mediante el control del movimiento
de los electrones en un espacio "vaco" a muy baja presin, o en presencia de
gases especialmente seleccionados. La vlvula originaria fue el componente
crtico que posibilit el desarrollo de la electrnica durante la primera mitad
del siglo XX, incluyendo la expansin y comercializacin de la radiodifusin,
televisin, radar, audio, redes telefnicas, computadoras analgicas y
digitales, control industrial, etc. Algunas de estas aplicaciones son anteriores a
la vlvula, pero vivieron un crecimiento explosivo gracias a ella.
A lo largo de su historia, fueron introducidos muchsimos tipos de vlvulas,
pero los principios de funcionamiento bsicos son:
Efecto Edison. La gran mayora de las vlvulas electrnicas estn basadas en
la propiedad que tienen los metales en caliente de liberar electrones desde su
superficie.
Gases ionizados. En otros casos, se utilizan las caractersticas de la
conduccin electrnica en gases ionizados, esto resulta principalmente
importante en los reguladores de tensin, rectificadores de vapor de mercurio,
vlvula de conmutacin T/R, etc.


Figura 3.3. La lampa electrodo de memoria
Efecto fotoelctrico En otros casos, el principio de funcionamiento se basa en
la emisin de electrones por el efecto fotoelctrico.
El ocaso de esta tecnologa comenz con la invencin del transistor y el
posterior desarrollo de componentes de estado slido que eran mucho ms
pequeos, baratos y fiables que la vlvula. Sin embargo hoy en da an
sobrevive en ciertas aplicaciones especficas, donde por razones tcnicas
resultan ms conveniente. Por ejemplo en transmisores de radiofrecuencia de
alta potencia y sistemas de radar se utilizan magnetrones, vlvulas de onda
progresiva TWT, thyratrones, etc. En televisin y sistemas de imagen
medicinal an se utilizan tubos de rayos catdicos o tubos de captura de
imagen, y en el hogar es la base de funcionamiento del horno microondas.
Tambin siguen siendo ampliamente utilizadas en preamplificadores de
micrfonos, guitarras y bajos, as como en equipos de sonido de alta fidelidad.


Tarjetas perforadas



Mucho antes de la llegada de las computadoras digitales, los equipos de la
primera generacin de 20 a 50 aos del siglo XX se utiliza tarjetas perforadas
como los principales medios para el almacenamiento y procesamiento de
datos.
Tarjeta - tarjeta perforada, llamada del latn Perforo - golpear y Charta -
papel. La informacin se aplica a la misma por los agujeros de perforacin.
Hay muchos formatos diferentes de tarjetas perforadas, la ms comn fue el
"Formato de IBM, adoptada en 1928 - una carta estndar con 80 columnas en
todo Tew junto mapa fue dividido en 12 filas (10 principal y 2 adicionales).
En una tarjeta perforada puede grabar hasta 80 caracteres.
En aquellos aos, la compaa IBM produce hasta 10 millones de estas
tarjetas de cada da.
La principal ventaja de tarjetas perforadas se consider para manipular los
datos.


Cinta magntica

A principios de los aos 50, cuando los primeros ordenadores fabricados en
serie UNIVAC 1 (Universal Automatic Computer), haba una necesidad de
ms grabadoras de alta velocidad. UNIVAC trabaja en conjunto con un
dispositivo que se utiliza como una cinta portadora - una tira delgada de metal
de ancho de 12, 65 mm, compuesto de bronce niquelado (llamado Vicalloy).
La densidad de grabacin fue de 128 caracteres por pulgada (198 micrmetros
/ carcter) en ocho pistas. Este fue significativamente ms eficaz que las
mquinas de tabulacin.
En 1952, la misma empresa IBM produce primera cinta de plstico flexible
recubierto con una capa magntica delgada que produjo un enorme xito
comercial, reemplazando completamente el uso de tarjetas perforadas.



Memoria de ncleo magntico

Acceso Primera memoria (RAM - Random Access Memory) apareci en los
50-s famosos, como alternativa a la cinta y tarjetas perforadas.
Memoria magntica (memoria magntica-ncleo) o ms - ferrita - que es una
memoria que almacena informacin en forma de la direccin de
magnetizacin de pequeos ncleos de ferrita, que requiere el uso de anillos
de hierro pequeas, espesor menor de 2 mm, que se cose en una matriz
rectangular, la creacin de una estructura magntica. Esto es casi el trabajo de
un joyero implicaba el uso del microscopio y sastres expertos, por lo que este
tipo de memoria era muy caro de producir y no se utiliza ampliamente en el
mercado.


Figura 3.4. Matriz de memoria de NCR


Tambor magntico

Precedido por la unidad "dura" del disco (HDD) - tambor magntico (tambor
magntico), es un cilindro de metal recubierto con ferromagntico, que est
rodeado por una serie de lectura de los repositorios cabezas - cada uno en su
propia pista. Tambor, as como unidades de disco duro, tiene una cabeza
esttica, el almacenamiento magntico de datos basado en el fenmeno del
electromagnetismo. La velocidad de este sistema es dependiente de la
velocidad de rotacin del cilindro, y el tiempo de acceso de un vehculo tal
que ciertamente no es el ms rpido.



Disco duro

Unidades de disco duro (Hard Ingls (unidad de disco magntico)), disco duro
en la jerga informtica "Winchester" - un dispositivo de almacenamiento es el
principal de almacenamiento de datos en la mayora de los equipos (ver
Wikipedia).
En 1956 la empresa IBM public un disco duro en una computadora
IBM350 IBM305 RAMAC. El peso de esta unidad fue 971 kg, que consista
en 50 discos de dimetro 60 cm, con el volumen en el momento simplemente
fantstico - 5 mV y un ritmo de trabajo elevado, no andando en comparacin
con los tambores magnticos.

Figura 3.5. RAMAC mechanism at Computer History Museum.
Disco duro IBM 350


Disquete

Disco magntico flexible o disquete, una memoria del primer dispositivo
porttil.
IBM lanz el primer disquete en 1971godu capacidad 80KB, tipo slo
lectura (de slo lectura). Primera unidad para la lectura y la escritura fue
creada un ao despus de Memorex, y un ao ms tarde, a todos los
ordenadores comunes fueron equipados con un dispositivo para la lectura -
disquete (disquete), que recibi amplio uso a finales de siglo, gracias a la
popularidad de la primera micro -ordenadores y computadoras para los
negocios.



Discos ptica

Es hora de que las unidades pticas.
En 1980 fue mostrado por primera vez el estndar de CD (Compact Disc) -
plato redondo de 120 mm de policarbonato transparente.
1982 - el ao de aparicin del primer disco de audio ptico (hasta audio
74minut), que marca el comienzo de una revolucin en los dispositivos de
almacenamiento de memoria.
En el 80 aparecido dispositivo de CD-ROM (disco compacto de slo lectura
de memoria), que permiten un solo CD-ROM para almacenar hasta 650 MB
de informacin.
Y mucho antes de que en 1961 lanz un disco de doble cara ptica analgica
con un dimetro de 30 cm Laser Videodisc para almacenar pelculas en l,
cuyo costo fue significativamente ms alto que el costo de las cintas de vdeo,
lo que provoc una bajada de xito en el mercado de consumo.



La memoria flash

Un acontecimiento importante en la historia de los medios de comunicacin
fue el surgimiento de una "memoria flash" (memoria Flash), inventado por el
ingeniero de la empresa Toshiba (Fujio Masuoka) en 1984. El nombre de
"Flash" fue acuado por su colega (Shoji Ariizumi) debido a que el proceso de
borrado de los contenidos de la memoria le record el flash (Ingls Flash).
La memoria flash es un tipo de tecnologa de semiconductores de memoria
reprogramable elctricamente en la vida cotidiana es el nombre de una amplia
clase de dispositivos de almacenamiento de estado slido (ver Wikipedia).
El consumo compacta, mecnicamente resistente, barato de baja potencia, la
memoria flash se utiliza ampliamente en los dispositivos porttiles y los
medios digitales.
En 1988 la empresa Intel introdujo el primer chip flash NOR-tipo. Un ao
ms tarde, en compaa 1989 a Toshiba anuncia la memoria flash de tipo
NAND, que, en consecuencia, debido a la alta velocidad, el volumen y la
compacidad del tratamiento desplaza otros tipos de medios de comunicacin.
Disqueteras ido desapareciendo y disquetes se han hundido en el olvido las
unidades de cinta, lo que reduce el nmero de discos pticos grabables...



3.1.3. Tipos memoria del computador

La clasificacin principal de memorias son Random Access Memory (RAM) y
Read Only Memory (ROM). Estas memorias son utilizados para,
almacenamiento primario.
La memoria voltil de una computadora, contrario a memoria no voltil, es
aquella memoria cuya informacin se pierde al interrumpirse el flujo elctrico.
Algunos tipos de memorias voltiles son:

Figura 3.6. Memoria Random Access Memory (RAM)

Las memorias suelen ser de rpido acceso, y pueden ser voltiles o no
voltiles.
RAM
D
R
A
M

S
R
A
M

S
D
R
A
M

R
D
R
A
M

F
R
A
M

V
R
A
M

T
-
R
A
M

Z
-
R
A
M

T
T
R
A
M

Algunos tipos de memorias no voltiles son:

Figura 3.7. Memoria Read Only Memory (ROM)


3.1.3.1. RAM

La memoria de acceso aleatorio (en ingls: random-access memory) se
utiliza como memoria de trabajo para el sistema operativo, los programas y la
mayora del software. Es all donde se cargan todas las instrucciones que
ejecutan el procesador y otras unidades de cmputo. Se denominan de acceso
aleatorio porque se puede leer o escribir en una posicin de memoria con un
tiempo de espera igual para cualquier posicin, no siendo necesario seguir un
orden para acceder a la informacin de la manera ms rpida posible. Durante
el encendido del computador, la rutina POST verifica que los mdulos de
memoria RAM estn conectados de manera correcta. En el caso que no
existan o no se detecten los mdulos, la mayora de tarjetas madres emiten una
serie de pitidos que indican la ausencia de memoria principal. Terminado ese
proceso, la memoria BIOS puede realizar un test bsico sobre la memoria
RAM indicando fallos mayores en la misma.

ROM
PROM EPROM EEPROM
EAPROM
(memoria flash)

Figura 3.8. DIMM normal y corriente de memoria RAM tipo DDR3
de 240 contactos.


Figura 3.9. Comparison image of 180 nanometre SRAM cells on
a STM32F103VGT6 microcontroller as seen by an optical microscope

Son memorias de lectura-escritura en las que los datos se pueden escribir o
leer en cualquier direccin seleccionada en cualquier orden. Se utilizada
habitualmente para almacenamiento de datos a cortoplazo, es voltil.
RAM esttica SRAM. Utilizan disparadores para almacenamiento.
RAM dinmica DRAM. Utilizan condensadores para almacenamiento.
Las datos se leen ms rpidamente en las SRAM que en una DRAM. Las
DRAM almacenan mucho ms datos que las SRAM. Ambas son voltiles.





Nomenclatura

La expresin memoria RAM se utiliza frecuentemente para describir a los
mdulos de memoria utilizados en los computadores personales y servidores.
En el sentido estricto, esta memoria es solo una variedad de la memoria de
acceso aleatorio: las ROM, memorias Flash, cach (SRAM), los registros en
procesadores y otras unidades de procesamiento tambin poseen la cualidad de
presentar retardos de acceso iguales para cualquier posicin. Los mdulos de
RAM son la presentacin comercial de este tipo de memoria, que se compone
de circuitos integrados soldados sobre un circuito impreso independiente, en
otros dispositivos como las consolas de videojuegos, la RAM va soldada
directamente sobre la placa principal.

Historia

Figura 3.10. Integrado de silicio de 64 bits sobre un sector de memoria de
ncleo magntico (finales de los 60).


Figura 3.11. 4MiB de memoria RAM para un computador VAX de finales
de los 70. Los integrados de memoria DRAM estn agrupados arriba
a derecha e izquierda.


Figura 3.12. Mdulos de memoria tipo SIPP instalados directamente sobre la
placa base.

Uno de los primeros tipos de memoria RAM fue la memoria de ncleo
magntico, desarrollada entre 1949 y 1952 y usada en muchos computadores
hasta el desarrollo de circuitos integrados a finales de los aos 60 y principios
de los 70. Esa memoria requera que cada bit estuviera almacenado en un
toroide de material ferromgnetico de algunos milmetros de dimetro, lo que
resultaba en dispositivos con una capacidad de memoria muy pequea. Antes
que eso, las computadoras usaban rels y lneas de retardo de varios tipos
construidas para implementar las funciones de memoria principal con o sin
acceso aleatorio.

1952


Figura 3.13. Esquema principal una la celda de memoria de 1952

Tabla 3.1. Tabla verdad para NOR
A B NOR
0 0 1
0 1 0
1 0 0
1 1 0


Figura 3.14. Grfico de tiempo de memoria de 1952


Figura 3.15. Esquema de electricidad una la celda de memoria de 1952

1962


Figura 3.16. Esquema principal una la celda de memoria de 1962


Figura 3.16. Grfico de tiempo de memoria de 1962


donde T periodo.

En 1969 fueron lanzadas una de las primeras memorias RAM basadas en
semiconductores de silicio por parte de Intel con el integrado 3101 de 64 bits
de memoria y para el siguiente ao se present una memoria DRAM de 1024
bytes, referencia 1103 que se constituy en un hito, ya que fue la primera en
ser comercializada con xito, lo que signific el principio del fin para las
memorias de ncleo magntico. En comparacin con los integrados de
memoria DRAM actuales, la 1103 es primitiva en varios aspectos, pero tena
un desempeo mayor que la memoria de ncleos.

1973


Figura 3.17. Esquema principal de memoria de 1973


Figura 3.18. Grfico de tiempo de memoria de 1973


donde T periodo.

En 1973 se present una innovacin que permiti otra miniaturizacin y se
convirti en estndar para las memorias DRAM: la multiplexacin en tiempo
de la direcciones de memoria. MOSTEK lanz la referencia MK4096 de 4096
bytes en un empaque de 16 pines, mientras sus competidores las fabricaban en
el empaque DIP de 22 pines. El esquema de direccionamiento se convirti en
un estndar de facto debido a la gran popularidad que logr esta referencia de
DRAM. Para finales de los 70 los integrados eran usados en la mayora de
computadores nuevos, se soldaban directamente a las placas base o se
instalaban en zcalos, de manera que ocupaban un rea extensa de circuito
impreso. Con el tiempo se hizo obvio que la instalacin de RAM sobre el
impreso principal, impeda la miniaturizacin, entonces se idearon los
primeros mdulos de memoria como el SIPP, aprovechando las ventajas de la
construccin modular. El formato SIMM fue una mejora al anterior,
eliminando los pines metlicos y dejando unas reas de cobre en uno de los
bordes del impreso, muy similares a los de las tarjetas de expansin, de hecho
los mdulos SIPP y los primeros SIMM tienen la misma distribucin de pines.
A finales de los 80 el aumento en la velocidad de los procesadores y el
aumento en el ancho de banda requerido, dejaron rezagadas a las memorias
DRAM con el esquema original MOSTEK, de manera que se realizaron una
serie de mejoras en el direccionamiento como las siguientes:

1975


Figura 3.19. CI RAM esttica de 1 Kbit nMOS de Intel (2102)


Figura 3.20. Ciclo lectura de Intel (2102)


donde T periodo.

Figura 3.21. Ciclo escritura de Intel (2102)

1985


Figura 3.22. Diagrama de un memoria de 324


Figura 3.23. RAM de 164


Figura 3.24. Elemento de memoria MOS sincronizado


FPM-RAM (Fast Page Mode RAM)

Inspirado en tcnicas como el "Burst Mode" usado en procesadores como el
Intel 486, se implant un modo direccionamiento en el que el controlador de
memoria enva una sola direccin y recibe a cambio esa y varias consecutivas
sin necesidad de generar todas las direcciones. Esto supone un ahorro de
tiempos ya que ciertas operaciones son repetitivas cuando se desea acceder a
muchas posiciones consecutivas. Funciona como si deseramos visitar todas
las casas en una calle: despus de la primera vez no sera necesario decir el
nmero de la calle nicamente seguir la misma. Se fabricaban con tiempos de
acceso de 70 60 ns y fueron muy populares en sistemas basados en el 486 y
los primeros Pentium.


EDO-RAM (Extended Data Output RAM)

Lanzada en 1995 y con tiempos de accesos de 40 o 30 ns supona una mejora
sobre su antecesora la FPM. La EDO, tambin es capaz de enviar direcciones
contiguas pero direcciona la columna que va utilizar mientras que se lee la
informacin de la columna anterior, dando como resultado una eliminacin de
estados de espera, manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza
el prximo ciclo de lectura.

Figura 3.25. Mdulos formato SIMM de 30 y 72 pines, los ltimos fueron
utilizados con integrados tipo EDO-RAM.


BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)

Fue la evolucin de la EDO RAM y competidora de la SDRAM, fue
presentada en 1997. Era un tipo de memoria que usaba generadores internos
de direcciones y acceda a ms de una posicin de memoria en cada ciclo de
reloj, de manera que lograba un desempeo un 50% mejor que la EDO. Nunca
sali al mercado, dado que Intel y otros fabricantes se decidieron por
esquemas de memoria sincrnicos que si bien tenan mucho del
direccionamiento MOSTEK, agregan funcionalidades distintas como seales
de reloj.


Tecnologas de memoria RAM

La tecnologa de memoria actual usa una seal de sincronizacin para realizar
las funciones de lectura-escritura de manera que siempre est sincronizada con
un reloj del bus de memoria, a diferencia de las antiguas memorias FPM y
EDO que eran asncronas. Hace ms de una dcada toda la industria se
decant por las tecnologas sncronas, ya que permiten construir integrados
que funcionen a una frecuencia superior a 66 MHz.
Tipos de DIMMs segn su cantidad de Contactos o Pines:
72-pin SO-DIMM (no el mismo que un 72-pin SIMM), usados por FPM
DRAM y EDO DRAM;
100-pin DIMM, usados por printer SDRAM;
144-pin SO-DIMM, usados por SDR SDRAM;
168-pin DIMM, usados por SDR SDRAM (menos frecuente para
FPM/EDO DRAM en reas de trabajo y/o servidores);
172-pin MicroDIMM, usados por DDR SDRAM;
184-pin DIMM, usados por DDR SDRAM;
200-pin SO-DIMM, usados por DDR SDRAM y DDR2 SDRAM;
204-pin SO-DIMM, usados por DDR3 SDRAM;
240-pin DIMM, usados por DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM y FB-
DIMM DRAM;
244-pin MiniDIMM, usados por DDR2 SDRAM;

Figura 3.26. Memorias RAM con tecnologas usadas en la actualidad.

SDR SDRAM

Memoria sncrona, con tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se
presentan en mdulos DIMM de 168 contactos. Fue utilizada en los Pentium
II y en los Pentium III, as como en los AMD K6, AMD Athlon K7 y Duron.
Est muy extendida la creencia de que se llama SDRAM a secas, y que la
denominacin SDR SDRAM es para diferenciarla de la memoria DDR, pero
no es as, simplemente se extendi muy rpido la denominacin incorrecta. El
nombre correcto es SDR SDRAM ya que ambas (tanto la SDR como la DDR)
son memorias sncronas dinmicas. Los tipos disponibles son:
PC66: SDR SDRAM, funciona a un mx de 66,6 MHz.
PC100: SDR SDRAM, funciona a un mx de 100 MHz.
PC133: SDR SDRAM, funciona a un mx de 133,3 MHz.

RDRAM

Se presentan en mdulos RIMM de 184 contactos. Fue utilizada en los
Pentium IV. Era la memoria ms rpida en su tiempo, pero por su elevado
costo fue rpidamente cambiada por la econmica DDR. Los tipos disponibles
son:
PC600: RIMM RDRAM, funciona a un mximo de 300 MHz.
PC700: RIMM RDRAM, funciona a un mximo de 356 MHz.
PC800: RIMM RDRAM, funciona a un mximo de 400 MHz.
PC1066: RIMM RDRAM, funciona a un mximo de 533 MHz.

DDR SDRAM

Memoria sncrona, enva los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este
modo trabaja al doble de velocidad del bus del sistema, sin necesidad de
aumentar la frecuencia de reloj. Se presenta en mdulos DIMM de 184
contactos en el caso de ordenador de escritorio y en mdulos de 144 contactos
para los ordenadores porttiles. Los tipos disponibles son:
PC1600 o DDR 200: funciona a un mx de 200 MHz;
PC2100 o DDR 266: funciona a un mx de 266,6 MHz;
PC2700 o DDR 333: funciona a un mx de 333,3 MHz;
PC3200 o DDR 400: funciona a un mx de 400 MHz;
PC4500 o DRR 500: funciona a una mx de 500 MHz.

DDR2 SDRAM

Figura 3.27. Mdulos de memoria instalados de 256 MiB cada uno en un
sistema con doble canal.
Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data
Rate), que permiten que los bferes de entrada/salida trabajen al doble de la
frecuencia del ncleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen
cuatro transferencias. Se presentan en mdulos DIMM de 240 contactos. Los
tipos disponibles son:
PC2-4200 o DDR2-533: funciona a un mx de 533,3 MHz;
PC2-5300 o DDR2-667: funciona a un mx de 666,6 MHz;
PC2-6400 o DDR2-800: funciona a un mx de 800 MHz;
PC2-8600 o DDR2-1066: funciona a un mx de 1066,6 MHz;
PC2-9000 o DDR2-1200: funciona a un mx de 1200 MHz.

DDR3 SDRAM

Las memorias DDR 3 son una mejora de las memorias DDR 2, proporcionan
significantes mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva
consigo una disminucin del gasto global de consumo. Los mdulos DIMM
DDR 3 tienen 240 pines, el mismo nmero que DDR 2; sin embargo, los
DIMMs son fsicamente incompatibles, debido a una ubicacin diferente de la
muesca. Los tipos disponibles son:
PC3-6400 o DDR3-800: funciona a un mx de 800 MHz.
PC3-8500 o DDR3-1066: funciona a un mx de 1066,6 MHz.
PC3-10600 o DDR3-1333: funciona a un mx de 1333,3 MHz.
PC3-12800 o DDR3-1600: funciona a un mx de 1600 MHz.
PC3-14900 o DDR3-1866: funciona a un mx de 1866,6 MHz.
PC3-17000 o DDR3-2133: funciona a un mx de 2133,3 MHz.
PC3-19200 o DDR3-2400: funciona a un mx de 2400 MHz.
PC3-21300 o DDR3-2666: funciona a un mx de 2666,6 MHz.



Mdulos de la memoria RAM

Los mdulos de memoria RAM son tarjetas de circuito impreso que tienen
soldados integrados de memoria DRAM por una o ambas caras. La
implementacin DRAM se basa en una topologa de Circuito elctrico que
permite alcanzar densidades altas de memoria por cantidad de transistores,
logrando integrados de cientos o miles de megabits. Adems de DRAM, los
mdulos poseen un integrado que permiten la identificacin de los mismos
ante el computador por medio del protocolo de comunicacin SPD.
La conexin con los dems componentes se realiza por medio de un rea de
pines en uno de los filos del circuito impreso, que permiten que el mdulo al
ser instalado en un zcalo apropiado de la placa base, tenga buen contacto
elctrico con los controladores de memoria y las fuentes de alimentacin. Los
primeros mdulos comerciales de memoria eran SIPP de formato propietario,
es decir no haba un estndar entre distintas marcas. Otros mdulos
propietarios bastante conocidos fueron los RIMM, ideados por la empresa
RAMBUS.
La necesidad de hacer intercambiable los mdulos y de utilizar integrados de
distintos fabricantes condujo al establecimiento de estndares de la industria
como los JEDEC.
Mdulos SIMM: Formato usado en computadores antiguos. Tenan un
bus de datos de 16 32 bits
Mdulos DIMM: Usado en computadores de escritorio. Se caracterizan
por tener un bus de datos de 64 bits.
Mdulos SO-DIMM: Usado en computadores porttiles. Formato
miniaturizado de DIMM.

Figura 2.28. Formato SO-DIMM.


Relacin con el resto del sistema

































CPU
Generador
de reloj
Puente
Norte
(concentrador
controlador de
memoria)
Puente
Sur
(concentrado
r controlador
de E/S)
IDE
SATA
USB
Ethernet
Interfaz de audio
Memoria SMOS
Interfaz
grfica
integrad
a
Flash ROM
(BIOS)
Super I/O
Puerto serial
Puerto paralelo
Disco flexible
Teclado
Ratn
























Diagrama de la arquitectura de un ordenador
Dentro de la jerarqua de memoria la RAM se encuentra en un nivel despus
de los registros del procesador y de las cachs en cuanto a velocidad. Los
mdulos de memoria se conectan elctricamente a un controlador de memoria
que gestiona las seales entrantes y salientes de los integrados DRAM. Las
seales son de tres tipos: direccionamiento, datos y seales de control. En el
mdulo de memoria esas seales estn divididas en dos buses y un conjunto
miscelneo de lneas de control y alimentacin, Entre todas forman el bus de
memoria que conecta la RAM con su controlador:
Bus de datos: Son las lneas que llevan informacin entre los
integrados y el controlador. Por lo general estn agrupados en octetos
siendo de 8, 16, 32 y 64 bits, cantidad que debe igualar el ancho del bus
de datos del procesador. En el pasado, algunos formatos de mdulo, no
tenan un ancho de bus igual al del procesador. En ese caso haba que
montar mdulos en pares o en situaciones extremas, de a 4 mdulos,
para completar lo que se denominaba banco de memoria, de otro modo
el sistema no funciona. Esa fue la principal razn para aumentar el
nmero de pines en los mdulos, igualando al ancho de bus de
procesadores como el Pentium a 64 bits, a principios de los 90.
Bus de direcciones: Es un bus en el cual se colocan las direcciones de
memoria a las que se requiere acceder. No es igual al bus de direcciones
del resto del sistema, ya que est multiplexado de manera que la
direccin se enva en dos etapas. Para ello el controlador realiza
temporizaciones y usa las lneas de control. En cada estndar de mdulo
se establece un tamao mximo en bits de este bus, estableciendo un
lmite terico de la capacidad mxima por mdulo.
Seales miscelneas: Entre las que estn las de la alimentacin (Vdd,
Vss) que se encargan de entregar potencia a los integrados. Estn las
lneas de comunicacin para el integrado de presencia que sirve para
identificar cada mdulo. Estn las lneas de control entre las que se
encuentran las llamadas RAS (row address strobe) y CAS (column
address strobe) que controlan el bus de direcciones, por ltimo estn las
seales de reloj en las memorias sincrnicas SDRAM.
Algunos controladores de memoria en sistemas como PC y servidores se
encuentran embebidos en el llamado "North Bridge" o "Puente Norte" de la
placa base. Otros sistemas incluyen el controlador dentro del mismo
procesador (en el caso de los procesadores desde AMD Athlon 64 e Intel Core
i7 y posteriores). En la mayora de los casos el tipo de memoria que puede
manejar el sistema est limitado por los sockets para RAM instalados en la
placa base, a pesar que los controladores de memoria en muchos casos son
capaces de conectarse con tecnologas de memoria distintas.
Una caracterstica especial de algunos controladores de memoria, es el manejo
de la tecnologa canal doble (Dual Channel), donde el controlador maneja
bancos de memoria de 128 bits, siendo capaz de entregar los datos de manera
intercalada, optando por uno u otro canal, reduciendo las latencias vistas por el
procesador. La mejora en el desempeo es variable y depende de la
configuracin y uso del equipo. Esta caracterstica ha promovido la
modificacin de los controladores de memoria, resultando en la aparicin de
nuevos chipsets (la serie 865 y 875 de Intel) o de nuevos zcalos de
procesador en los AMD (el 939 con canal doble, reemplazo el 754 de canal
sencillo). Los equipos de gama media y alta por lo general se fabrican basados
en chipsets o zcalos que soportan doble canal o superior, como en el caso del
zcalo (o socket, en ingls) 1366 de Intel, que usaba un triple canal de
memoria, o su nuevo LGA 2011 que usa cudruple canal.


Deteccin y correccin de errores

Existen dos clases de errores en los sistemas de memoria, las fallas (Hard
fails) que son daos en el hardware y los errores (soft errors) provocados por
causas fortuitas. Los primeros son relativamente fciles de detectar (en
algunas condiciones el diagnstico es equivocado), los segundos al ser
resultado de eventos aleatorios, son ms difciles de hallar. En la actualidad la
confiabilidad de las memorias RAM frente a los errores, es suficientemente
alta como para no realizar verificacin sobre los datos almacenados, por lo
menos para aplicaciones de oficina y caseras. En los usos ms crticos, se
aplican tcnicas de correccin y deteccin de errores basadas en diferentes
estrategias:
La tcnica del bit de paridad consiste en guardar un bit adicional por
cada byte de datos y en la lectura se comprueba si el nmero de unos es
par (paridad par) o impar (paridad impar), detectndose as el error.
Una tcnica mejor es la que usa ECC, que permite detectar errores de 1
a 4 bits y corregir errores que afecten a un slo bit. Esta tcnica se usa
slo en sistemas que requieren alta fiabilidad.
Por lo general los sistemas con cualquier tipo de proteccin contra errores
tiene un costo ms alto, y sufren de pequeas penalizaciones en desempeo,
con respecto a los sistemas sin proteccin. Para tener un sistema con ECC o
paridad, el chipset y las memorias deben tener soporte para esas tecnologas.
La mayora de placas base no poseen dicho soporte.
Para los fallos de memoria se pueden utilizar herramientas de software
especializadas que realizan pruebas sobre los mdulos de memoria RAM.
Entre estos programas uno de los ms conocidos es la aplicacin Memtest86+
que detecta fallos de memoria.


Memoria RAM registrada

Es un tipo de mdulo usado frecuentemente en servidores, posee circuitos
integrados que se encargan de repetir las seales de control y direcciones: las
seales de reloj son reconstruidas con ayuda del PLL que est ubicado en el
mdulo mismo. Las seales de datos se conectan de la misma forma que en
los mdulos no registrados: de manera directa entre los integrados de memoria
y el controlador. Los sistemas con memoria registrada permiten conectar ms
mdulos de memoria y de una capacidad ms alta, sin que haya perturbaciones
en las seales del controlador de memoria, permitiendo el manejo de grandes
cantidades de memoria RAM. Entre las desventajas de los sistemas de
memoria registrada estn el hecho de que se agrega un ciclo de retardo para
cada solicitud de acceso a una posicin no consecutiva y un precio ms alto
que los mdulos no registrados. La memoria registrada es incompatible con
los controladores de memoria que no soportan el modo registrado, a pesar de
que se pueden instalar fsicamente en el zcalo. Se pueden reconocer
visualmente porque tienen un integrado mediano, cerca del centro geomtrico
del circuito impreso, adems de que estos mdulos suelen ser algo ms altos.
Durante el ao 2006 varias marcas lanzaron al mercado sistemas con memoria
FB-DIMM que en su momento se pensaron como los sucesores de la memoria
registrada, pero se abandon esa tecnologa en 2007 dado que ofreca pocas
ventajas sobre el diseo tradicional de memoria registrada y los nuevos
modelos con memoria DDR3.



DRAM

DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de tecnologa de
memoria RAM. La memoria dinmica de acceso aleatorio se usa
principalmente en los mdulos de memoria RAM y en otros dispositivos,
como memoria principal del sistema. Se denomina dinmica, ya que para
mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada
cierto perodo, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad
de construir memorias con una gran densidad de posiciones y que todava
funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con
millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por
segundo. Es una memoria voltil, es decir cuando no hay alimentacin
elctrica, la memoria no guarda la informacin. Inventada a finales de los
sesenta, es una de las memorias ms usadas en la actualidad.


Memoria DRAM


Historia

Integrado de silicio de 64 bits (usado en el IBM S-360, modelo 95) sobre un
sector de memoria de ncleo (finales de los 60).

La memoria dinmica fue desarrollada en los laboratorios de IBM pasando por
un proceso evolutivo que la llev de usar 6 transistores a slo un condensador
y un transistor, como la memoria DRAM que conocemos hoy. La invencin
de esta ltima la hizo Robert Dennard quien obtuvo una patente
norteamericana en 1968 por una memoria fabricada con un solo transistor de
efecto de campo y un condensador.

Schematic drawing of original designs of DRAM patented in 1968

Los esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cmputo
como por ejemplo la lnea System 360: el modelo 25 en 1968 ya inclua un
ScratchPad (una especie de Cach) en forma de integrados 5 veces ms
rpidos que la memoria principal basada en ncleos de ferrita. Dado el modelo
de negocios de IBM que consista en vender o arrendar computadores, un
negocio rentable, para IBM el uso de DRAM se reduca a ser el complemento
de la memoria principal basada en ncleos magnticos. No hubo inters en
comercializar ese tipo de memorias para otros fabricantes ni tampoco se pens
en usar las tecnologas de estado slido tipo SRAM o DRAM para construir la
memoria principal. La empresa Intel fue creada para aprovechar esa
oportunidad de negocios: Gordon Moore, observaba que hace tiempo la
industria de los semiconductores se haba estancado, a pesar de existir
potenciales usos de los integrados de silicio como la fabricacin de memorias
SRAM y DRAM.

Celda de memoria para la i1103.
Aunque Intel se inici con memorias SRAM como la i1101 y la i3101, el
primer producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103 de 1024
bits.

Die of the MT4C1024 1 mebibit Dynamic Random Access Memory (DRAM)
integrated circuit from Micron Technology.

El i1103 lanzado en 1970 estaba formado por celdas de memoria con 3
transistores tipo PMOS y un condensador, estaba organizado en un arreglo de
32 filas y 32 columnas, empacado en un encapsulado de 18 pines y con un
costo de 1 centavo por bit era un fuerte competidor para las memorias de
ncleo. La produccin y calidad del integrado era difcil de mantener, hecho
que se demostr cuando Intel entreg parte de la produccin a otra empresa
llamada Microelectronics Integrated Limited (MIL) que en un principio pudo
obtener mejores resultados que la misma Intel, pero despus del cambio
importante en el proceso de fabricacin no fue capaz de producir.
La memoria i1103 era muy primitiva en comparacin a las memorias DRAM
de la actualidad, aun as se comportaba mejor que la memoria de ncleo y con
un precio menor. A finales de 1971 se haba convertido en el producto
dominante para la fabricacin de memoria principal y era usado por 14 entre
18 de los principales fabricantes de computadores, ganando el mote "core
killer".


Reinvencin de la memoria DRAM

Para 1973 Intel y otros fabricantes construan y empacaban sus integrados de
memoria DRAM empleando un esquema en el que se aumentaba un pin por
cada vez que se doblaba la capacidad. De acuerdo a este esquema, un
integrado de 64 kilobits tendra 16 pines solo para las direcciones. Dentro de
los costos ms importantes para el fabricante y el ensamblador de circuitos
impresos estaba la cantidad de pines del empaque y en un mercado tan
competido era crucial tener los menores precios. Debido a eso, un integrado
con una capacidad de 16 pines y 4Kb de capacidad fue un producto apreciado
por los usuarios, que encontraban a los integrados de 22 pines, ofrecidos por
Intel y Texas Instruments como insumos costosos.
El lanzamiento de la memoria MK4096 de 4K, con un solo transistor por
celda y con direccionamiento multiplexado result del trabajo de Robert
Proebsting quien observo que en las celdas con un solo transistor, era
imposible acceder la informacin en una posicin, enviando al mismo tiempo
los datos de fila y columna a la matriz: haba que enviar las seales una
despus de la otra. La solucin a nivel de la celda conduca a un ahorro en el
empaque, ya que la direccin podra recibirse en dos etapas, reduciendo la
cantidad de pines usados. Por ejemplo para un integrado de 64 Kb se pasaba
de 16 pines dedicados a solo 8 y dos ms para seales de control extra. La
multiplexacin en tiempo es un esquema de direccionamiento que trae muchas
ventajas, a costa de unos pocos cambios en el circuito externo, de manera que
se convirti en un estndar de la industria que todava se mantiene. Mucha de
la terminologa usada en la hoja de datos del MK4096 todava se usa y
muchos de los parmetros de temporizacin como el retardo RAS a CAS
fueron instaurados con ese producto, entre otros aspectos.


Funcionamiento

La celda de memoria es la unidad bsica de cualquier memoria, capaz de
almacenar un Bit en los sistemas digitales. La construccin de la celda define
el funcionamiento de la misma, en el caso de la DRAM moderna, consiste en
un transistor de efecto de campo y un condensador. El principio de
funcionamiento bsico, es sencillo: una carga se almacena en el condensador
significando un 1 y sin carga un 0. El transistor funciona como un interruptor
que conecta y desconecta al condensador. Este mecanismo puede
implementarse con dispositivos discretos y de hecho muchas memorias
anteriores a la poca de los semiconductores, se basaban en arreglos de celdas
transistor-condensador.
Las celdas en cualquier sistema de memoria, se organizan en la forma de
matrices de dos dimensiones, a las cuales se accede por medio de las filas y las
columnas. En la DRAM estas estructuras contienen millones de celdas y se
fabrican sobre la superficie de la pastilla de silicio formando reas que son
visibles a simple vista. En el ejemplo tenemos un arreglo de 4x4 celdas, en el
cual las lneas horizontales conectadas a las compuertas de los transistores son
las llamadas filas y las lneas verticales conectadas a los canales de los FET
son las columnas.
Para acceder a una posicin de memoria se necesita una direccin de 4 bits,
pero en las DRAM las direcciones estn multiplexadas en tiempo, es decir se
envan por mitades. Las entradas marcadas como a0 y a1 son el bus de
direcciones y por el mismo entra la direccin de la fila y despus la de la
columna. Las direcciones se diferencian por medio de seales de
sincronizacin llamadas RAS (del ingls Row Address Strobe) y CAS
(Column Address Strobe) que indican la entrada de cada parte de la direccin.
Los pasos principales para una lectura son:
Las columnas son precargadas a un voltaje igual a la mitad del voltaje
de 1 lgico. Esto es posible ya que las lneas se comportan como
grandes condensadores, dada su longitud tienen un valor ms alto que la
de los condensadores en las celdas.
Una fila es energizada por medio del decodificador de filas que recibe la
direccin y la seal de RAS. Esto hace que los transistores conectados a
una fila conduzcan y permitiendo la conexin electrica entre las lneas
de columna y una fila de condensadores. El efecto es el mismo que se
produce al conectar dos condensadores, uno cargado y otro de carga
desconocida: se produce un balance de que deja a los dos con un voltaje
muy similar, compartiendo las cargas. El resultado final depende del
valor de carga en el condensador de la celda conectada a cada columna.
El cambio es pequeo, ya que la lnea de columna es un condensador
ms grande que el de la celda.
El cambio es medido y amplificado por una seccin que contiene
circuitos de realimentacin positiva: si el valor a medir es menor que el
la mitad del voltaje de 1 lgico, la salida ser un 0, si es mayor, la salida
se regenera a un 1. Funciona como un redondeo.
La lectura se realiza en todas las posiciones de una fila de manera que al
llegar la segunda parte de la direccin, se decide cual es la celda
deseada. Esto sucede con la seal CAS. El dato es entregado al bus de
datos por medio de la lineo D.O. y las celdas involucradas en el proceso
son reescritas, ya que la lectura de la DRAM es destructiva.
La escritura en una posicin de memoria tiene un proceso similar al de arriba,
pero en lugar de leer el valor, la lnea de columna es llevada a un valor
indicado por la lnea D.I. y el condensador es cargado o descargado. El flujo
del dato es mostrado con una lnea gruesa en el grfico.



Lectura Escritura


DDR SDRAM

DDR SDRAM es un tipo de memoria RAM, de la familia de las SDRAM
usadas ya desde principios de 1970.

Visin general
DDR permite a ciertos mdulos de memoria RAM compuestos por memorias
sncronas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, la capacidad de
transferir simultneamente datos por dos canales distintos en un mismo ciclo
de reloj. Los mdulos DDR soportan una capacidad mxima de 1 GiB (1 073
741 824 bytes).

Caractersticas

Una de sus caractersticas es que solo tiene una muesca, y cuenta con 184
terminales de color dorado. Esta memoria opera con 2.5 volts.

a) b)
a) Comparacin grfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3 para
estaciones de trabajo.
b) Comparacin grfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3 para
computadoras porttiles.


Historia


1 viruta Megabit - uno de los ltimos modelos desarrollados por VEB Carl
Zeiss Jena en 1989
Fueron primero adoptadas de sistemas equipados con procesadores AMD
Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utiliz nicamente memorias
RAMBUS, ms costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los
sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su
estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permiti competir en precio. Son
compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un front-
side bus de 64 bits de datos y frecuencias de reloj internas que van desde los
200 a los 400 MHz.


Predecesor

SDR SDRAM

SDR SDRAM (de las siglas en Ingls Single Data Rate Synchronous Dynamic
Random-Access Memory) es un tipo de memoria RAM, de la familia de las
SDRAM.

DDR2 SDRAM

DDR2 SDRAM (de las siglas en Ingls Double Data Rate type two
Synchronous Dynamic Random-Access Memory) es un tipo de memoria
RAM, de la familia de las SDRAM.


Visin detallada

Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo
distintos:
Single memory channel: todos los mdulos de memoria intercambian
informacin con el bus a travs de un solo canal, para ello slo es
necesario introducir todos los mdulos DIMM en el mismo banco de
slots.
Dual memory channel: se reparten los mdulos de memoria entre los
dos bancos de ranuras diferenciados en la placa base, y pueden
intercambiar datos con el bus a travs de dos canales simultneos, uno
para cada banco.


Estndares


Mdulo de memoria DDR. Generic DDR-266 memory in the 184-pin DIMM


Corsair DDR-400 memory with heat spreaders

Nombre
estndar
Reloj
de Bus
Reloj de
memoria
Datos
transferidos
por segundo
Nombre
del
mdulo
Mxima capacidad de
transferencia
DDR-
200
100
MHz
100
MHz
200 Millones PC-1600 1600 MB/s (1,6 GB/s)
DDR-
266
133
MHz
133
MHz
266 Millones PC-2100 2128 MB/s (2,1 GB/s)
DDR-
333
166
MHz
166
MHz
333 Millones PC-2700 2656 MB/s (2,6 GB/s)
DDR-
400
200
MHz
200
MHz
400 Millones PC-3200 3200 MB/s (3,2 GB/s)
Se utiliza la nomenclatura PC-XXXX, dnde se indica el ancho de banda del
mdulo y pueden transferir un volumen de informacin de 8 bytes en cada
ciclo de reloj a las frecuencias descritas. Un ejemplo de clculo para PC1600:
100 MHz 2 (Double Data Rate) 8 B = 1600 MB/s = 1 600 000 000 bytes
por segundo.


SRAM

Static Random Access Memory (SRAM), o Memoria Esttica de Acceso
Aleatorio es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia
de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras est alimentada,
sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, s son memorias voltiles,
es decir que pierden la informacin si se les interrumpe la alimentacin
elctrica.

Memorias SRAM para insertar en ranura de la tarjeta principal
(Motherboard)


Diseo

A six-transistor CMOS SRAM cell.
Estas memorias son de Acceso Aleatorio, lo que significa que las posiciones
en la memoria pueden ser escritas o ledas en cualquier orden,
independientemente de cual fuera la ltima posicin de memoria accedida.
Cada bit en una SRAM se almacena en cuatro transistores, que forman un
biestable. Este circuito biestable tiene dos estados estables, utilizados para
almacenar (representar) un 0 o un 1. Se utilizan otros dos transistores
adicionales para controlar el acceso al biestable durante las operaciones de
lectura y escritura. Una SRAM tpica utilizar seis MOSFET para almacenar
cada bit. Adicionalmente, se puede encontrar otros tipos de SRAM, que
utilizan ocho, diez, o ms transistores por bit. Esto es utilizado para
implementar ms de un puerto de lectura o escritura en determinados tipos de
memoria de video.
Un menor nmero de transistores por celda, har posible reducir el tamao de
esta, reduciendo el coste por bit en la fabricacin, al poder implementar ms
celdas en una misma oblea de silicio.
Es posible fabricar celdas que utilicen menos de seis transistores, pero en los
casos de tres transistores o uno solo se estara hablando de memoria DRAM,
no SRAM.
El acceso a la celda es controlado por un bus de control (WL en la figura), que
controla los dos transistores de acceso M
5
y M
6
, quienes controlan si la celda
debe ser conectada a los buses BL y BL. Ambos son utilizados para transmitir
datos tanto para las operaciones de lectura como las de escritura, y aunque no
es estrictamente necesario disponer de ambos buses, se suelen implementar
para mejorar los mrgenes de ruido.
A diferencia de la DRAM, en la cual la seal de la lnea de salida se conecta a
un capacitador, y este es el que hace oscilar la seal durante las operaciones de
lectura, en las celdas SRAM son los propios biestables los que hacen oscilar
dicha seal, mientras que la estructura simtrica permite detectar pequeas
variaciones de voltaje con mayor precisin. Otra ventaja de las memorias
SRAM frente a DRAM, es que aceptan recibir todos los bits de direccin al
mismo tiempo.
El tamao de una memoria SRAM con m lneas de direccin, y n lneas de
datos es 2
m
palabras, o 2
m
n bits.


Modos de operacin de una SRAM

Una memoria SRAM tiene tres estados distintos de operacin: standby, en el
cual el circuito est en reposo, reading o en fase de lectura, durante el cual los
datos son ledos desde la memoria, y writing o en fase de escritura, durante el
cual se actualizan los datos almacenados en la memoria.


Reposo

Si el bus de control (WL) no est activado, los transistores de acceso M
5
y M
6

desconectan la celda de los buses de datos. Los dos biestables formados por
M
1
M
4
mantendrn los datos almacenados, en tanto dure la alimentacin
elctrica.


Lectura

Se asume que el contenido de la memoria es 1, y est almacenado en Q. El
ciclo de lectura comienza cargando los buses de datos con el 1 lgico, y luego
activa WL y los transistores de control. A continuacin, los valores
almacenados en Q y Q se transfieren a los buses de datos, dejando BL en su
valor previo, y ajustando BL a travs de M
1
y M
5
al 0 lgico. En el caso que el
dato contenido en la memoria fuera 0, se produce el efecto contrario: BL ser
ajustado a 1 y BL a 0.


Escritura

El ciclo de escritura se inicia aplicando el valor a escribir en el bus de datos.
Si se trata de escribir un 0, se ajusta BL a 1 y BL a 0, mientras que para un 1,
basta con invertir los valores de los buses. Una vez hecho esto, se activa el bus
WL, y el dato queda almacenado.


Aplicaciones y usos

Caractersticas

La memoria SRAM es ms cara, pero ms rpida y con un menor consumo
(especialmente en reposo) que la memoria DRAM. Es utilizada, por tanto,
cuando es necesario disponer de un menor tiempo de acceso, o un consumo
reducido, o ambos. Debido a su compleja estructura interna, es menos densa
que DRAM, y por lo tanto no es utilizada cuando es necesaria una alta
capacidad de datos, como por ejemplo en la memoria principal de los
computadores personales.


Frecuencia de reloj y potencia

El consumo elctrico de una SRAM vara dependiendo de la frecuencia con la
cual se accede a la misma: puede llegar a tener un consumo similar a la
DRAM cuando es usada en alta frecuencia, y algunos circuitos integrados
pueden consumir varios vatios durante su funcionamiento. Por otra parte, las
SRAM utilizadas con frecuencia baja, tienen un consumo bastante menor, del
orden de micro-vatios.

Usos de las SRAM

Como producto de propsito general:
Con interfaces asncronas como chips 32Kx8 de 28 pines (nombrados
XXC256), y productos similares que ofrecen transferencias de hasta
16Mbit por chip.
Con interfaces sncronas, principalmente como caches y otras
aplicaciones que requieran transferencias rpidas, de hasta 18Mbit por
chip.
Integrados en chip:
Como memoria RAM o de cache en micro-controladores.
Como cache primaria en microcontroladores, como por ejemplo la
familia x86.
Para almacenar los registros de microprocesadores.
En circuitos integrados.
En FPGAs y CPLDs.


Usos integrados en productos

Las SRAM se utilizan en sistemas cientficos e industriales, electrnica del
automvil, y similares. Tambin se pueden encontrar en prcticamente todos
los productos de uso cotidiano que implementen una interfaz electrnica de
usuario.
Tambin se puede encontrar memorias SRAM en los computadores
personales, estaciones de trabajo, routers y la gran mayora de perifricos.


Uso de aficionados

Los aficionados a la electrnica prefieren las memorias SRAM debido a su
sencilla interfaz, ya que es mucho ms fcil trabajar con SRAM que con
DRAM, al no existir ciclos derefresco, y poder acceder directamente a los
buses de direccin y de datos en lugar de tener que utilizar multiplexores.
Adems, las SRAM solo necesitan tres buses de control: Chip Enable (CE),
Write Enable (WE), y Output Enable (OE). En el caso de las SRAM
sncronas, se tiene adems la seal de reloj (CLK).


Tipos de SRAM

SRAM no voltiles

Las memorias SRAM no voltiles (NVRAM) presentan el funcionamiento
tpico de las RAM, pero con la caracterstica distintiva de que los datos
almacenados en ellas son preservados aun cuando se interrumpe la
alimentacin elctrica. Se utilizan en situaciones donde se requiere conservar
la informacin almacenada sin necesidad de alimentacin alguna,
normalmente donde se desea evitar el uso de bateras (o bien no es posible).


SRAM asncrona

Las SRAM asncronas estn disponibles en tamaos desde 4Kb hasta 32Mb.
Con un tiempo reducido de acceso, son adecuadas para el uso en equipos de
comunicaciones, como switches, routers, telfonos IP, tarjetas DSLAM, y en
electrnica de automocin.


Por tipo de transistor
Transistor Bipolar de Unin o BJT (de tipo TTL o ECL) muy
rpidos, pero con un consumo muy alto.
MOSFET (de tipo CMOS) consumo reducido, los ms utilizados
actualmente.


Por funcin

Asncronas independientes de la frecuencia de reloj.
Sncronas todas las operaciones son controladas por el reloj del
sistema.


T-RAM

RAM Tiristor (T-RAM) es un nuevo (2009) el tipo de memoria de ordenador
DRAM inventado y desarrollado por T-RAM Semiconductor, que se aparta de
los diseos habituales de las clulas de memoria, que combina los puntos
fuertes de la DRAM y SRAM: alta densidad y alta velocidad. Esta tecnologa,
que explota la propiedad elctrica conocida como resistencia diferencial
negativa y se llama delgada tiristor acoplado capacitivamente, se utiliza para
crear clulas de memoria capaces de densidades muy altas de embalaje.
Debido a esto, la memoria es altamente escalable, y ya tiene una densidad de
almacenamiento que es varias veces mayor que la encontrada en la memoria
SRAM de seis transistores convencional. Se espera que la prxima generacin
de T de memoria RAM tenga la misma densidad que la DRAM.
Se supone que este tipo de memoria se utiliza en los procesadores de prxima
generacin por AMD, produce en 32 nm y 22 nm, la sustitucin de la
tecnologa Z-RAM previamente autorizada pero no utilizada. Xandores
CPCARM est tomando esfuerzo para desarrollar esta tecnologa.



Z-RAM

Zero-condensador (marca registrada, Z-RAM) es una nueva tecnologa de
memoria de acceso aleatorio dinmico desarrollado por Silicn innovador
basado en el efecto de cuerpo flotante de silicio sobre aislante (SOI)
tecnologa de proceso. Z-RAM ha sido licenciado por Advanced Micro
Devices para su posible uso en futuros microprocesadores. Innovador Silicio
afirma que la tecnologa ofrece velocidades de acceso de memoria similares a
la clula de memoria de acceso aleatorio esttica seis transistor estndar
utilizado en la memoria cach, pero slo utiliza un solo transistor, por lo tanto,
ofreciendo densidades de colocacin mucho ms altas.
Z -RAM se basa en el efecto cuerpo flotante, un artefacto de la tecnologa de
proceso de SOI que coloca transistores en baeras aisladas (el cuerpo
transistor de tensiones de "flotar " con respecto al sustrato de oblea debajo de
las baeras). El efecto del cuerpo flotante provoca una capacitancia variable a
aparecer entre la parte inferior de la baera y el sustrato subyacente, y era un
problema que originalmente bedeviled diseos de circuitos. El mismo efecto,
sin embargo, permite que una clula - DRAM como se construya sin la
adicin de un condensador separado, el efecto de cuerpo flotante tomando el
lugar del condensador convencional. Debido a que el condensador se
encuentra bajo el transistor (en lugar de adyacente a, o por encima del
transistor como en DRAM convencionales), otra connotacin del nombre de
"Z-RAM" es que se extiende en la direccin z negativa.
Los cables de la reduccin de tamao de la celda, de una manera indirecta, a
los Z -RAM siendo ms rpido que SRAM incluso si se utiliza en grandes
bloques suficientes. Mientras que las clulas SRAM individuales se detectan
ms rpido que las clulas de Z -RAM, la clula significativamente ms
pequeo reduce el tamao de los bloques de memoria de Z-RAM y por lo
tanto reduce la distancia fsica que los datos deben de trnsito para salir del
bloque de memoria. A medida que estas trazas de metales tienen un retardo
fijo por unidad de longitud independiente de la tecnologa de memoria, las
longitudes ms cortas de los rastros de la seal Z-RAM pueden compensar las
SRAM ms rpido los tiempos de acceso celular. Para una memoria cach de
gran tamao (como se encuentran tpicamente en un microprocesador de alto
rendimiento), Z-RAM ofrece una velocidad equivalente como SRAM, pero
que requieren mucho menos espacio (y por lo tanto el costo). Los tiempos de
respuesta de tan solo tres ns han sido reclamados.
Tecnologa SOI est dirigida a los mercados de computacin muy alto
rendimiento y es relativamente caro en comparacin con la tecnologa CMOS
ms comunes. Z-RAM ofrece la esperanza de ms barato de la memoria cach
en el chip, con la degradacin del rendimiento poco o nada, una propuesta
muy atractiva si la celda de memoria puede ser probada para trabajar en los
volmenes de produccin.
En marzo de 2010, Innovative silicio anunci que estaba desarrollando
conjuntamente una versin no SOI de Z-RAM que podra ser fabricado en un
menor costo de tecnologa CMOS a granel.
AMD ha licenciado la segunda generacin Z-RAM a la investigacin para su
uso potencial en sus futuros procesadores, pero no tiene previsto empezar a
usarlo.
DRAM productor Hynix tambin ha licenciado Z-RAM para su uso en los
chips de DRAM.

Silicio Innovador fue cerrado el 29 de junio de 2010. Sus oficiales se han ido,
y su cartera de patentes fue transferido a Micron Technology, en diciembre de
2010.


TT-RAM

Doble transistor RAM (TTRAM) es un nuevo (2005) el tipo de memoria de la
computadora en el desarrollo de Renesas.
TTRAM es similar al convencional de un transistor, DRAM de un
condensador en concepto, pero elimina el condensador, apoyndose en el
efecto de cuerpo flotante inherente a una de silicio sobre aislante (SOI)
proceso de fabricacin. Este efecto hace que la capacitancia de construir entre
los transistores y el sustrato subyacente, considerada inicialmente una
molestia, pero aqu utiliza para reemplazar una parte de plano. Desde un
transistor creado usando el proceso de SOI es algo ms pequeo que un
condensador, TTRAM ofrece densidades algo ms altas que la DRAM
convencional. Dado que los precios estn fuertemente relacionados con la
densidad, TTRAM tericamente es menos costoso. Sin embargo, el requisito
de que se construir en lneas de fabricacin SOI, que actualmente son la
"vanguardia", hace que el costo un poco impredecible en este punto.
En la celda de memoria TTRAM, dos transistores estn conectados en serie
sobre un sustrato SOI. Uno de ellos es un transistor de acceso, mientras que el
otro se utiliza como un transistor de almacenamiento y cumple la misma
funcin que el condensador en una clula DRAM convencional. Datos
lecturas y escrituras se realiz de acuerdo con el estado de conduccin del
transistor de acceso y el cuerpo flotante estado potencial del transistor de
almacenamiento. El hecho de que las operaciones de la celda de memoria
TTRAM no requieren una tensin de paso hacia arriba o voltaje negativo,
como clulas de DRAM hacen, hace que el nuevo diseo de la clula
adecuado para su uso con procesos ms finos futuras y tensiones de
funcionamiento ms bajas.
Con el Renesas TTRAM, una seal de lectura a partir de una clula de
memoria aparece como una diferencia en el transistor de corriente. Un
amplificador de deteccin de tipo de espejo de corriente detecta esta diferencia
a alta velocidad, usando una celda de memoria de referencia que permite la
identificacin fiable de los niveles de datos 0 y 1. Este mtodo de lectura
disminuye significativamente el consumo de energa mediante la eliminacin
de la carga y descarga de lneas de bits, las operaciones necesarias para la
lectura de celdas de memoria DRAM.
Una tecnologa similar es Z - RAM, que slo utiliza un solo transistor y es por
lo tanto incluso mayor densidad que TTRAM. Como TTRAM, Z -RAM se
basa en el efecto cuerpo flotante de SOI, y, presumiblemente, tiene un proceso
de fabricacin similar. Z -RAM tambin afirma ser ms rpido, ms rpido
que SRAM utilizado en cach, lo que la hace especialmente interesante para
los diseos de CPU que se estn construyendo en las lneas de SOI de todos
modos.


A-RAM

A-RAM (Advanced-Random Access Memory) es un tipo de memoria DRAM
basada en celdas de un solo transistor. Esta tecnologa ha sido inventada en la
Universidad de Granada (Espaa) en colaboracin con el Centre National de
la Recherche Scientifique, CNRS (Francia).
La memoria A-RAM, a diferencia de las memorias DRAM convencionales, no
necesita de ningn elemento extrnseco de almacenamiento de la informacin
(condensador de almacenamiento). Cada bit se almacena en un transistor
especialmente diseado. A medida que la tecnologa de circuitos
semiconductores evolucione hacia nodos por debajo de los 45nm, es de
esperar que la tecnologa convencional de almacenamiento no-voltil DRAM
encuentre muy limitada su capacidad de escalado. Alternativamente se han
propuesto nuevos conceptos de memoria basados en los efectos de cuerpo
flotante de los transistores de silicio-sobre-aislante. Estas memorias conocidas
como memorias de un solo transistor (1T-DRAM) incluyen a las tecnologas
A-RAM, TT-RAM y Z-RAM.

El sustituto Advanced-Random Access Memory


NRAM

Nano-RAM es una tecnologa de memoria de la computadora de propiedad de
la empresa Nantero. Es un tipo de memoria de acceso aleatorio no voltil
basado en la posicin de los nanotubos de carbono depositados sobre un
sustrato de patata frita. En teora, el pequeo tamao de los nanotubos permite
para las memorias de muy alta densidad. Nantero tambin se refiere a ella
como NRAM.

Tecnologa

La tecnologa Nantero NRAM primera generacin se basa en un dispositivo
semiconductor de tres terminales que se utiliza un tercer terminal para cambiar
la celda de memoria entre los estados de memoria. La tecnologa NRAM
segunda generacin se basa en una celda de memoria de dos terminales. La
clula de dos terminales tiene ventajas tales como un tamao ms pequeo de
clulas, mejor escalabilidad a la sub - nodos 20 nm (vase la fabricacin de
dispositivos de semiconductores), y la capacidad de pasiva la celda de
memoria durante la fabricacin.

Tejido de nanotubos de carbono
En una matriz de tejido no tejido de nanotubos de carbono (CNT), cruzaron
los nanotubos pueden ser o bien tocar o ligeramente separadas dependiendo de
su posicin. Cuando cerca uno del otro, los nanotubos de carbono estn bajo la
influencia de fuerzas de Van der Waals. Cada "clula " NRAM consiste en
una red interconectada de nanotubos de carbono situados entre dos electrodos,
como se ilustra en la Figura Tejido de nanotubos de carbono. La tela CNT
se encuentra entre dos electrodos de metal, que se define y grabadas mediante
fotolitografa, y forma la clula NRAM.

Puntos de contacto de nanotubos de
carbono
Esquemtica Nanotubos de carbono

Nanotubos de carbono fabrica NRAM acta como una memoria de acceso
aleatorio no voltil resistiva (RAM) y se puede colocar en dos o ms modos de
resistencia en funcin del estado de resistencia de la tela CNT. Cuando la
CNT no est en contacto el estado de resistencia de la tela es alta y representa
un "off" o estado "0". Cuando la CNT se pone en contacto, el estado de la
resistencia de la tela es bajo y representa un estado "0" o "1". NRAM acta
como una memoria, porque los dos estados resistivos son muy estables. En el
estado 0, los nanotubos de carbono (o una parte de ellos) no estn en contacto
y se mantienen en un estado separado debido a la rigidez de los nanotubos de
carbono que resulta en una alta resistencia o bajo estado de medicin de
corriente entre los electrodos superior e inferior. En el estado 1, los nanotubos
de carbono (o una parte de ellos) estn en contacto y se mantienen en contacto
debido a las fuerzas de Van der Waals entre el nanotubos de carbono, lo que
resulta en una resistencia de bajo o alto estado de medicin de corriente entre
los electrodos superior e inferior.

Interruptor de CNT
Para cambiar el NRAM entre los estados, se aplica una pequea tensin
superior a la tensin de lectura entre los electrodos superior e inferior. Si el
NRAM est en el estado 0, la tensin aplicada har que una atraccin
electrosttica entre los nanotubos de carbono cercanos entre s causando una
operacin de conjunto. Despus se retira el voltaje aplicado, los nanotubos de
carbono permanecen en un estado de resistencia 1 o baja debido a la
adherencia fsica (fuerza de Van der Waals) con una energa de activacin
(Ea) de aproximadamente 5EV. Si la celda NRAM est en el estado 1, la
aplicacin de una tensin superior a la tensin de lectura generar excitaciones
de fonones CNT con energa suficiente para separar las uniones CNT. Esta es
la operacin de reposicin de fonones impulsada. Los nanotubos de carbono
permanecen en la posicin OFF o estado de alta resistencia debido a la alta
rigidez mecnica (Mdulo de Young 1 TPA) con una energa de activacin
(Ea) mucho mayor que 5 eV. La figura Puntos de contacto de nanotubos de
carbono ilustra dos estados de un par individual de nanotubos de carbono que
intervienen en el funcionamiento del interruptor. Debido a la alta energa de
activacin (> 5 EV) necesaria para la conmutacin entre los estados, el
interruptor NRAM resiste interferencias externas como la radiacin y la
temperatura de funcionamiento que puede borrar o mover de un tirn las
memorias convencionales como DRAM.
Figura Puntos de contacto de nanotubos de carbono se fabrican mediante el
depsito de una capa uniforme de nanotubos de carbono en una matriz de
conductores prefabricados tales como los transistores, como se muestra en la
Figura Tejido de nanotubos de carbono. El electrodo de fondo de la celda
NRAM est en contacto con la subyacente a travs de (electrnica) de
conexin a la clula para el conductor. El electrodo inferior se puede fabricar
como parte de la subyacente a travs de o puede ser fabricado de forma
simultnea con la clula NRAM, cuando la clula se define
fotolitogrficamente y grabado al agua fuerte. Antes de la clula se define
fotolitogrficamente y grabado al agua fuerte, el electrodo superior se deposita
como una pelcula de metal sobre la capa de CNT de modo que el electrodo de
metal superior est modelada y grabada durante la definicin de la clula
NRAM. Tras la pasivacin dielctrica y llenar de la matriz, el electrodo de
metal superior est expuesta por grabado de nuevo el dielctrico que recubre
utilizando un proceso de suavizado, tales como planarizacin qumico-
mecnico. Con el electrodo superior expuesta, el siguiente nivel de metal de
interconexin de cableado se fabrica para completar la matriz NRAM. La
Figura 3 ilustra un mtodo circuito para seleccionar una sola clula para
escribir y leer. El uso de una disposicin de rejilla cruzada, interconexin, la
NRAM y conductor, (la clula), forma una matriz de memoria similar a otras
matrices de memoria. Una sola clula se puede seleccionar mediante la
aplicacin de los voltajes apropiados a la lnea de palabra (WL), lnea de bit
(BL), y lneas de seleccin (SL) sin perturbar las otras clulas en la matriz.


Caractersticas

NRAM tiene una densidad de, al menos en teora, similar a la de la DRAM.
DRAM incluye condensadores, que son esencialmente dos pequeas placas de
metal con un aislante delgada entre ellos. NRAM tiene terminales y electrodos
ms o menos del mismo tamao que las placas en una DRAM, los nanotubos
de entre ellos es mucho ms pequeo que no aaden nada al tamao total. Sin
embargo, parece que hay un tamao mnimo en el que una DRAM se puede
construir, por debajo del cual simplemente no hay suficiente carga est
almacenada en las placas. NRAM parece estar limitada slo por la litografa.

Seccin transversal de nanotubos de carbono estructura de memoria-
resistencias variables de Nantero. La estructura se piensa que es escalable a
los elementos de ancho 15 nm e incluso hasta 5 nm.
Esto significa que NRAM puede ser capaz de llegar a ser mucho ms densa
que la DRAM, quizs tambin menos costoso. A diferencia de la DRAM,
NRAM no requiere energa para "refrescar", y conservar su memoria incluso
despus de desconectar la alimentacin elctrica. Por lo tanto la potencia
necesaria para escribir y retener el estado de la memoria del dispositivo es
mucho menor que la DRAM, que tiene que construir carga en las placas de
clulas. Esto significa que NRAM podra competir con DRAM en trminos de
costo, sino que tambin requiere de menos energa, y como resultado tambin
ser mucho ms rpido porque el rendimiento de escritura est determinado en
gran medida por la carga total que se necesita. NRAM puede tericamente
alcanzar un rendimiento similar a la SRAM, que es ms rpido que la DRAM
pero mucho menos densa, y por lo tanto mucho ms caro.


Comparacin con otra memoria no voltil

En comparacin con otra memoria de acceso aleatorio no voltil (NVRAM)
tecnologas, NRAM tiene varias ventajas. En la memoria flash, la forma
comn de la NVRAM, cada clula se asemeja a un transistor MOSFET con
una puerta de control (CG) modulada por una puerta flotante (FG) interpuesto
entre el CG y el FG. El FG est rodeado por un dielctrico aislante,
normalmente un xido. Dado que la FG se elctricamente aislado por el
dielctrico que rodea, cualquier electrones colocados en la FG quedarn
atrapadas en la FG que las pantallas de los CG de la canal del transistor y
modifica la tensin de umbral (VT) del transistor. Al escribir y el control de la
cantidad de carga colocada en el FG, FG controla el estado de conduccin del
dispositivo flash MOSFET dependiendo de la VT de la celda seleccionada. La
corriente que fluye a travs del MOSFET de canal es detectada para
determinar el estado de la celda de la formacin de un cdigo binario en el que
un estado 1 (flujo de corriente) cuando se aplica una tensin de CG apropiado
y un estado 0 (sin flujo de corriente) cuando se aplica la tensin de CG.
Despus de haber sido escrita a las trampas de aisladores electrones en el FG,
el bloqueo en el estado 0. Sin embargo, con el fin de cambiar ese bit, el
aislante tiene que ser "cobrado de ms" para borrar cualquier carga que ya est
almacenada en l. Esto requiere un voltaje ms alto, alrededor de 10 voltios,
mucho ms que una batera puede proporcionar. Sistemas de Flash incluyen
un "bomba de carga " que se acumula lentamente el poder y la libera en un
voltaje ms alto. Este proceso no slo es lento, pero degrada los aisladores.
Por esta razn, el flash tiene un nmero limitado de escrituras antes de que el
dispositivo dejar de funcionar eficazmente.
NRAM lecturas y escrituras son a la vez "baja energa" en comparacin con
flash (o DRAM para el caso debido a la "actualizacin"), lo que significa
NRAM podra tener una mayor duracin. Tambin puede ser mucho ms
rpido para escribir que cualquiera, lo que significa que puede ser usado para
reemplazar ambos. Los telfonos modernos incluyen memoria flash para el
almacenamiento de nmeros de telfono, DRAM para la memoria de trabajo
mayor rendimiento, ya que el flash es demasiado lento, y algunos SRAM para
un rendimiento an mayor. Algunos NRAM podra ser colocado en la CPU
para que acte como la memoria cach de la CPU, y ms en sustitucin de
otros chips tanto la DRAM y flash.
NRAM es uno de una variedad de nuevos sistemas de memoria, muchos de los
que dicen ser "universal" de la misma manera como NRAM - la sustitucin de
todo, desde flash para DRAM SRAM.
Una memoria alternativa listo al uso es RAM ferroelctrica (FRAM o
FeRAM). FeRAM aade una pequea cantidad de un material ferro- elctrico
a una clula DRAM. El estado del campo en el material codifica el bit en un
formato no destructivo. FeRAM tiene ventajas de NRAM, aunque el tamao
de celda ms pequeo posible es mucho mayor que para NRAM. FeRAM se
utiliza en aplicaciones en las que el nmero limitado de escrituras de Flash es
un problema. FeRAM operaciones de lectura son destructivos, lo que requiere
una operacin de escritura restaurar despus.
Otros sistemas de memoria ms especulativas incluyen memoria
magnetorresistencia de acceso aleatorio (MRAM) y la memoria de cambio de
fase (PRAM). MRAM se basa en una rejilla de uniones de efecto tnel
magnticas. MRAM de leer la memoria utilizando el efecto de
magnetorresistencia de tnel, lo que le permite leer la memoria tanto de forma
no destructiva y con muy poca energa. Escritura inducida MRAM Early
campo utilizado, lleg a un lmite en trminos de tamao, lo que lo mantuvo
mucho ms grande que los dispositivos flash. Sin embargo, las nuevas
tcnicas MRAM pueden superar el lmite de tamao para hacer MRAM
competitivo incluso con la memoria flash. Las tcnicas son de conmutacin
Assisted Thermal (TAS), desarrollado por Crocus Technology, y girar Torque
Transfer en el que Crocus, Hynix, IBM y otras compaas estaban trabajando
en 2009.
PRAM se basa en una tecnologa similar a la de un CD o DVD grabable,
utilizando un material de cambio de fase que cambia sus propiedades
magnticas o elctricas en lugar de sus las pticas. El material PRAM en s es
escalable, pero requiere una fuente de corriente ms grande.


Historia

Nantero fue fundada en 2001, y con sede en Woburn, Massachusetts. Debido a
la masiva inversin en plantas de fabricacin de semiconductores en flash, no
hay memoria alternativa ha reemplazado el flash en el mercado, a pesar de las
predicciones ya en 2003, de la velocidad y la densidad de NRAM inminente.
En 2005, fue promovido NRAM tan universal memoria y Nantero predijo que
estara en produccin a finales de 2006. En agosto de 2008, Lockheed Martin
adquiri una licencia exclusiva para aplicaciones de gobierno de la propiedad
intelectual de Nantero. A principios de 2009, Nantero tena 30 patentes en
Estados Unidos y 47 empleados, pero todava estaba en la fase de ingeniera.
En mayo de 2009, una versin resistente a la radiacin de NRAM fue probado
en la misin STS- 125 de los EE.UU. transbordador espacial Atlantis.
La compaa estaba tranquilo hasta que se anunci una nueva ronda de
financiacin y colaboracin con el imec centro de investigacin belga en
noviembre de 2012. Nantero recaud un total de ms de $ 42 millones a travs
de la ronda de la serie 11 2012 D. Los inversores incluyen Charles River
Ventures, Draper Fisher Jurvetson, Globespan capital Partners, Stata Venture
Partners y Harris & Harris Group. En mayo de 2013, Nantero complet la
serie D con una inversin por parte de Schlumberger. EE Times aparece
Nantero como uno de los "10 mejores startups de ver en el 2013".


nvSRAM

nvSRAM es un tipo de memoria de acceso aleatorio no voltil (NVRAM). Es
similar en funcionamiento a la memoria de acceso aleatorio esttica (SRAM).
El mercado actual de la memoria no voltil est dominado por BBSRAMs, o
memoria de acceso aleatorio esttica con batera de respaldo. Sin embargo,
BBSRAMs son lentos y sufren de problemas de cumplimiento de ROHS.
nvSRAMs proporcionan 20ns o tiempos de acceso inferiores.
nvSRAM es una de las tecnologas avanzadas de la NVRAM que est
reemplazando rpidamente las BBSRAMs, especialmente para aplicaciones
que necesitan soluciones sin la batera y la retencin a largo plazo, a
velocidades de SRAM. nvSRAMs se utilizan en una amplia gama de
situaciones de la creacin de redes, el sector aeroespacial y mdica, entre
muchos otros, donde la conservacin de los datos es fundamental y donde las
bateras no son prcticos.
nvSRAM est disponible de 16k densidades de hasta densidades 8M tanto
Simtek Corporacin y Cypress Semiconductor. Hay otros productos
NVSRAM de Maxim que son esencialmente BBSRAMs. Tienen una batera
de litio incorporada en el paquete de SRAM. Es un reemplazo eficiente para
BBSRAM, EPROM o EEPROM. Es ms rpido que las soluciones de
EPROM y EEPROM. Es mejor que la solucin BBSRAM porque no hay
ningn problema ROHS asociado con este tipo de memoria. No se utiliza
ninguna batera externa.


Descripcin

Externamente, del nvSRAM parece SRAM estndar. Sin embargo, en el
interior, una del nvSRAM es capaz de hacer ms de una SRAM estndar.
Mientras SRAM puede leer y escribir, del nvSRAM puede leer, escribir,
almacenar y recuperar. Las operaciones adicionales se centran alrededor de la
parte no voltil de del nvSRAM.
Cuando la lectura y la escritura, una del nvSRAM acta de manera diferente
que una SRAM asncrona estndar. El procesador o controlador conectado ve
una interfaz SRAM de 8 bits y nada ms. Los datos de las tiendas de
operacin de almacenamiento que est en una matriz SRAM en la parte no
voltil. Cypress y Simtek del nvSRAM tienen tres formas de almacenar datos
en el rea no voltil. Ellos son:
Almacenamiento automtico de canales,
Ferretera,
Tienda Software.
Almacenamiento automtico de canales se realiza automticamente cuando la
fuente de voltaje principal cae por debajo de los datos de la tensin de
funcionamiento del dispositivo. Cuando esto ocurre, el control de potencia se
cambia de Vcc para el condensador. El condensador se alimentar el chip el
tiempo suficiente para almacenar el contenido de la SRAM en la parte no
voltil. El HSB (Hardware Store Ocupado) pin inicia externamente una
operacin de ferretera no voltil. El uso de la seal de HSB, que solicita un
ciclo no voltil ferretera, es opcional. Tienda de software es iniciada por una
cierta secuencia de operaciones. Cuando las operaciones definidas se hacen en
secuencia se inicia el almacn de software.


Aplicaciones

El registro de datos es un rea principal donde se necesitan nvSRAMs.
Terminales de punto de venta/terminales inteligentes estn ahora en
condiciones de aprobar las transacciones de pago sin tener que obtener la
aprobacin de un servidor remoto. Debido a que los datos seguros reside en el
terminal, una gran cantidad de tiempo se podra ahorrar en trminos de la
verificacin over air que es lento, as como la intrusin en decbito prono.
Cajas de choque de vehculos de motor son otra rea donde nvSRAMs se
podra emplear con eficacia. Los datos del estado del vehculo en el momento
del accidente se puede recorrer un largo camino en la validacin de las
reclamaciones y la bsqueda de la razn del accidente. Esto tiene enormes
implicaciones financieras en el sector de los seguros, y el concepto de tener
cajas de choque en vehculos de pasajeros / comerciales podra convertirse en
un estndar de facto en un futuro prximo. nvSRAMs con sus capacidades
rpidas de lectura / escritura es una buena opcin para esta aplicacin.
Aplicaciones crticas similares, tales como equipos mdicos y de los
servidores de gama alta pueden usar nvSRAMs para almacenar sus datos. En
caso de fallo de alimentacin externa o calamidades imprevistas, NVRAM
puede almacenar los datos sin intervencin externa (caracterstica de
almacenamiento automtico). Por lo tanto, proporcionara la flexibilidad de
una EEPROM, pero a velocidades SRAM.
Aplicaciones en entornos en los que el servicio de campo, no es
posible/costosos tales como registradores de datos repartidos por zonas
geogrficas, routers, equipos en condiciones inhspitas pueden utilizar
nvSRAMs, porque del nvSRAM no utiliza bateras, que tienen un riesgo de
explosin/liberacin de sustancias qumicas nocivas en ambientes hostiles.
En resumen, nvSRAMs son adecuados para aplicaciones que necesitan
almacenar datos crticos, pero no hay servicio de campo.


Las comparaciones con otros tipos de memorias RAM

Tcnica tiene elementos no voltiles junto con SRAM de alto rendimiento
tiene una fuente de energa de litio por el poder cuando el poder est apagado
externo tiene un cristal ferroelctrico entre dos electrodos para formar un
condensador. El momento de tomos de aplicacin de campo elctrico se
utiliza para almacenar datos similares a la RAM del ferroelctrico, pero los
tomos se alinean en la direccin de una fuerza magntica externa. Este efecto
se utiliza para almacenar los datos


nvSRAM BBSRAM Ferroelectric RAM
Magnetoresistive
random-access
memory
Technique
Has non-
volatile elements
along with high
performance SRAM
Has a lithium energy
source for power
when external
power is off
Has
a ferroelectric crystal
between two
electrodes to form
a capacitor. The moment
of atoms on application
of electric field is used
to store data
Similar to
ferroelectric RAM,
but the atoms align
themselves in the
direction of an
external magnetic
force. This effect is
used to store data
Retencin
de datos
20 aos
7 aos, dependiendo
de la batera y la
temperatura ambiente
10 aos 20 aos
Resistencia Ilimitado Limitad Ilimitado
Mecanismo
tienda
Autostore inicia
cuando se detecta Vcc
por el poder de
habilitacin
chip se debe mantener
en alto la lgica para
evitar lectura
involuntaria/escribe
Operacin de esttico. Los datos se almacenan
en la parte no voltil slo
Los datos
de potencia
de hasta
restaurar
datos no voltil se
pone a disposicin de
forma automtica en
la SRAM
SRAM pasar de la
batera a Vcc
La
sustitucin
con SRAM
del nvSRAM puede
ser sustituido por
SRAM con pequeas
modificaciones bordo
aadir
Provisin condensador
externo para la batera
requiere bordo
rediseo para
acomodar el tamao
ms grande para la
batera
Algunas partes son pin a
pin compatible con
SRAM existentes
Pin a pin compatible
con el existente
SRAM
Soldadura
SMT estndar
utilizado
reflujo de soldadura
no se puede hacer con
la batera instalada
como bateras pueden
explotar
estndar SMT utiliza
Velocidad
(mejores)
15 45 ns 70 100 ns 55 ns 35 ns


FeRAM

La RAM ferroelctrica (FeRAM, F-RAM o FRAM) es una memoria de
estado slido, similar a la memoria RAM, pero que tiene un funcionamiento
ms parecido a las antiguas memorias de ferrita.
Esta memoria, en lugar de preservar la carga de un microscpico condensador,
contiene dentro molculas que preservan la informacin por medio de un
efecto ferroelctrico.

Structure of a FeRAM cell.


Structure of a 1 transistor FeRAM cell and its working mechanism.


Caractersticas

Tiempo de acceso corto: debido a su funcionamiento, tienen
velocidades (del orden de la centena de nanosegundos) que las habilitan
para trabajar como memoria principal con la mayora de los
microprocesadores.
Lectura destructiva: como todas las memorias ferroelctricas, la lectura
es destructiva. Esto no representa un problema, ya que el chip se
encarga de reescribir los datos luego de una lectura.
No voltiles: su funcionamiento hace prescindibles los refrescos y la
alimentacin para la retencin de datos.
Encapsulados: se consiguen hoy en da tanto en variedades para trabajo
en paralelo (para conectar a un bus de datos) como en serie (como
memoria de apoyo).


MRAM

La MRAM (RAM magnetorresistiva o magntica) (en ingls:
magnetoresistive random-access memory) es un tipo de memoria no voltil
que ha a estado en desarrollo desde los aos 90. El desarrollo continuado de la
tecnologa existente, principalmente Flash y DRAM, han evitado la
generalizacin de su uso, aunque sus defensores creen que sus ventajas son tan
evidentes que antes o despus se convertir en la tecnologa dominante para
todos los tipos de memorias.


Descripcin

A diferencia de la RAM convencional los datos no se almacenan como carga
elctrica o flujos de corriente, sino por medio de elementos de
almacenamiento magntico. Los elementos estn formados por dos discos
ferromagnticos, cada uno de los cuales puede mantener un campo magntico,
separados por una fina capa de aislante. Uno de los dos discos se sita en un
imn permanente con una polaridad dada; el otro variar para adecuarse al de
un campo externo. Una malla de estas celdas forma un chip de memoria.
La lectura se realiza midiendo la resistencia elctrica de la celda. En general,
una celda se selecciona con base en la alimentacin de un transistor asociado
que conduce la corriente desde una lnea de alimentacin a travs de la celda a
tierra. El efecto tnel provoca cambios en la resistencia de la celda segn la
orientacin de los campos de los dos discos. Midiendo la corriente generada,
puede calcularse la resistencia y a partir de sta la polaridad del disco
escribible. En general suele considerarse '0' si la polaridad de ambos discos es
la misma (el estado de menor resistencia).
La escritura puede realizarse de varias maneras. La ms sencilla es que cada
celda est situada entre dos lneas de escritura que formen un ngulo adecuado
entre s por encima y debajo de la celda. Con la corriente se induce un campo
magntico en la unin, y este campo influye en el disco escribible. Este patrn
de operacin es similar al de la memoria de ncleo de ferrita de los aos 60.
Es necesaria una cantidad significativa de corriente para generar el campo
magntico lo que limita su uso en dispositivos con necesidades de bajo
consumo. Adems, conforme el tamao se escala, los campos generados
pueden solapar varias celdas con las escrituras falsas resultantes. Este
problema parece imponer un tamao de celda relativamente grande. Aunque
se intent solucionar con dominios circulares y la magnetorresistencia colosal,
no parece que esta solucin se est desarrollando ltimamente.
Otro enfoque realiza una escritura en varias fases por medio de una celda
multinivel. La celda contiene ahora un material antiferromagntico en el que
la orientacin magntica se alterna en la superficie. Los niveles fijos y libres
estn formados ahora por pilas de varios niveles aisladas por un nivel de
acoplamiento. La estructura resultante slo tiene dos estados estables, que
pueden cambiarse (toggling) ajustando el retraso relativo en la seal de
escritura propagada por cada una de las dos lneas, provocando una rotacin
del campo. Cualquier voltaje que no sea el completo aumenta la resistencia de
forma que las celdas que compartan una de las lneas de escritura no se ven
afectadas. Esto permite celdas ms pequeas.

Esquema simplificado de una celda MRAM.
Una tcnica ms reciente se basa en la transferencia de torsin de spin (spin
torque transfer o spin transfer switching). Utiliza electrones polarizados (con
su momento de spin alineado) para realizar la torsin sobre los dominios
magnticos. En concreto, si los electrones que fluyen a una capa han de cargar
su spin, se genera una fuerza de torsin que se transfiere a la capa prxima. De
esta forma se reduce la corriente necesaria para realizar la escritura a
aproximadamente el mismo nivel de la lectura. Se sospecha que la celda
MRAM clsica sea difcil de producir en gran densidad por la cantidad de
corriente necesaria para la escritura, algo que este mtodo evita. El problema
es que, por el momento, el transistor de control debe conmutar ms corriente y
debe mantener la coherencia de spin. En todo caso, la corriente de escritura es
mucho menor que en las otras variantes.


Comparacin con otros sistemas

Densidad

El factor principal que decide el coste de un sistema es la densidad de los
componentes que lo forman. Sistemas con menos componentes y ms
sencillos (pequeos) conllevan densidades mayores y una mayor produccin
de chips en cada oblea de silicio, lo que a su vez mejora la tasa de chips sin
errores.
La memoria DRAM utiliza condensadores como elementos de memoria, junto
con cables que transportan la corriente y un transistor de control (esto
compone una celda 1T1C). Los condensadores son esencialmente dos placas
metlicas separadas por un material aislante. DRAM es la RAM que en la
actualidad disfruta de una mayor densidad y es, por tanto, la ms barata, por lo
que constituye la mayor parte de la RAM que se utiliza en los ordenadores.
La memoria MRAM es bastante parecida en sus aspectos fsicos aunque no
suele necesitar de un transistor para la operacin de escritura. Sin embargo,
tiene el problema de la interferencia en escritura (half select) que limita el
tamao de las celdas a 180 nm o ms. Las variantes que utilizan toggling
pueden escalar hasta cerca de 90 nm, el mismo tamao que las memorias
DRAM actuales. No obstante, para que sea rentable que entre en produccin,
debera ser capaz de bajar a los 65 nm de los dispositivos de memoria ms
avanzados, lo que seguramente deber pasar a utilizar tcnicas de torsin de
spin (STT).


Consumo energtico

Los condensadores que forman la DRAM pierden su carga con el tiempo si
sta no se restablece peridicamente (aproximadamente 1000 veces por
segundo, leyendo y reescribiendo sus valores). Por ello necesitan una
alimentacin continua y los datos se pierden si el suministro de energa se
corta. El ciclo de refresco se reduce con el tamao de las DRAM's, y se
incrementa el consumo.
Por el contrario, las memorias MRAM no necesitan ningn tipo de refresco, lo
que las hace no voltiles y adems las libra del consumo continuo de energa.
El proceso de lectura es comparablemente ms costoso, aunque en la prctica
la diferencia parece ser muy pequea. El proceso de escritura s necesita ms
energa para sobreponerse al campo ya existente en la junta (entre 3-8 veces la
energa necesaria en lectura). La cantidad neta de energa consumida
depender de la naturaleza de los accesos ms a ms escrituras , aunque en
general los defensores de este enfoque prevn consumos mucho menores (de
hasta el 1% del consumo de la DRAM). Los dispositivos basados en SST
anulan la diferencia entre lectura y escritura, acentuando an ms esta
diferencia.
Es interesante comparar la MRAM con otro dispositivo comn, la memoria
Flash RAM. sta es tambin no voltil, lo que la convierte en un sustituto
comn de los discos duros en dispositivos pequeos como reproductores de
msica y cmaras digitales. En lectura los requerimientos energticos de
ambas memorias son muy semejantes. En escritura, en cambio, Flash se
reescribe con pulsos de voltaje elevados (cerca de 10 V) que utilizan
acumuladores relativamente lentos y con alto consumo. La degradacin que
producen limita adems el nmero de ciclos de escritura de las celdas.
A diferencia de Flash, MRAM necesita slo un poco ms de energa para
realizar la escritura y ningn cambio en el voltaje, lo que lleva a un consumo
menor con operaciones ms rpidas y sin efecto sobre la vida del dispositivo.


Velocidad

La velocidad en memorias DRAM viene limitada por el tiempo que cuesta
drenar (en lectura) o almacenar (en escritura) la corriente en las celdas. En
MRAM, se basa en la medicin de voltajes en lugar de corrientes, por lo que
el tiempo de asentamiento (settling) es mejor. Se ha demostrado que los
dispositivos MRAM tienen accesos en el orden de 2 ns, algo mejores que los
de las DRAM ms avanzadas, que utilizan procesos de fabricacin mucho ms
recientes. La diferencia con Flash es mucho ms acusada, con rendimientos
similares en lectura, pero miles de veces mejor en escritura.
La nica tecnologa que puede competir con MRAM en trminos de velocidad
es la memoria SRAM, formada por conjuntos de transistores que forman flip-
flops para almacenar uno de dos estados mientras se suministra potencia. Los
transistores tienen necesidades de energa muy bajas, por lo que el cambio de
estado es muy rpido. No obstante, una celda SRAM est formada por varios
transistores, por lo que su densidad es mucho menor que la de DRAM. Esto a
su vez la hace ms cara y su uso est reservado a cantidades pequeas de
memoria de alta velocidad, tpicamente la memoria cache en las CPU's
actuales.
La memoria MRAM no es tan rpida como la SRAM, pero s se acerca lo
suficiente como para resultar competitiva incluso en estos usos para ofrecer
capacidades muchos mayores de cache, aunque algo ms lenta. Se desconocen
actualmente las consecuencias que este compromiso podra tener.


Visin general

MRAM ofrece velocidades parecidas a las de SRAM con una densidad
comparable a la de DRAM pero mucho menos consumo que sta (y mayor
velocidad). Adems, frente a la memoria Flash, no presenta degradacin en el
tiempo. Esta combinacin hace que algunos la propongan como memoria
universal, capaz de reemplazar a estas tres as como a la memoria EEPROM.
Tambin explica la intensa actividad de investigacin que rodea su desarrollo.
Sin embargo, las tendencias del mercado la han mantenido lejos de alcanzar
una utilizacin generalizada. El mercado de memoria Flash ejerce una gran
presin para que los fabricantes desarrollen nuevos procesos de integracin,
logrando chips de 1 Gibit en 65 nm y hasta 16 Gibit en el caso de Samsung en
50 nm. La sobreproduccin de DRAM ofrece un retorno de la inversin
mucho menor, por lo que la mayor parte de la memoria DDR2 se fabrica
utilizando procesos antiguos de 90 nm (una generacin anterior a las actuales).
MRAM, por su parte, se encuentra todava en estado de desarrollo en gran
parte y su produccin se realiza en factoras secundarias. El nico producto
disponible a gran escala es el chip de 4 Mibit de Freescale Semiconductor, que
utiliza procesos de varias generaciones de antigedad de 180 nm. La gran
demanda de memoria Flash sigue dirigiendo la oferta de forma que los
fabricantes no se arriesguen a dedicar sus fbricas principales a la produccin
de MRAM. En todo caso, e incluso utilizando el mismo proceso de
fabricacin, las celdas MRAM siguen estando muy por encima de los tamaos
conseguidos en Flash.


Historia
1955 Utilizacin de memoria de ncleo de ferrita que utilizan el
mismo principio operativo para la escritura.
1989 Descubrimientos sobre la magnetorresistencia colosal por parte
de investigadores de IBM en estructuras de pelcula delgada.
2000 - IBM e Infineon crean un programa conjunto de desarrollo.
2002 - NVE realiza un intercambio tecnolgico con Cypress
Semiconductor.
2003 Se presenta un chip de 128 KiB sobre proceso litogrfico de 180
nm.
2004
Junio - Infineon desvela un prototipo de 16 Mibit sobre el mismo
proceso tecnolgico.
Septiembre Freescale integra la MRAM en sus lneas de productos y
ha comenzado a probar su rendimiento.
Octubre Desarrollo de chips de 1 Mibit en Taiwn (TSMC). Micron
descarta la tecnologa MRAM.
Diciembre - TSMC, NEC, y Toshiba definen nuevos prototipos.
Renesas desarrolla MRAM de alta velocidad y fiabilidad.
2005
Enero Cypress hace pruebas sobre MRAM (usando tecnologa de
NVE).
Marzo - Cypress planea vender su divisin de MRAM.
Junio - Honeywell publica la hoja de caractersticas de un chip de 1
Mibit en proceso litogrfico de 150 nm.
Agosto Establecimiento de rcord de velocidad de celdas a 2 GHz.
Noviembre - Renesas y Grandis colaboran para desarrollar MRAM de
65 nm basada en STT. NVE recibe una subvencin SBIR del gobierno
estadounidense para estudiar aplicaciones criptogrficas.
Diciembre - Sony anuncia el primer prototipo STT de laboratorio que
canaliza corriente a travs de la capa magnetorresistente para la
escritura; este mtodo utiliza menos energa y es ms escalable,
pudiendo llevar a densidades mayores a las posibles en DRAM.
Freescale presenta chips basados en xido de magnesio en vez de xido
de aluminio que logran aislantes de tnel ms finos y una resistencia de
bit ms baja en la escritura (necesita menos corriente).
2006
Febrero Toshiba y NEC anuncian un chip de 16 Mibit con un diseo
nuevo de potencia (power-forking) que logra anchos de banda de 200
Mbit/s con tiempos de ciclo de 34 ns, el mejor rendimiento MRAM
hasta la fecha. Tambin es el ms pequeo de su clase (78,5 milmetros
cuadrados) y alimentacin a 1,8 V.
Julio Freescale comercializa un chip de 4 Mibit a un precio
aproximado de 25 dlares.
2007
Agosto IBM y TDK buscan reducir costes y aumentar el rendimiento
de las MRAM con miras al lanzamiento de un nuevo producto al
mercado.


PRAM

La memoria de cambio de fase (phase-change RAM, tambin llamada
PRAM, PCRAM, PCM, Ovonic unified memory memoria ovnica unificada
y C-RAM, de calcgeno) es un tipo de memoria no voltil. Utiliza vidrio
calcgeno (anfgeno) que puede configurarse en uno de dos estados, cristalino
y amorfo por medio del uso de calor. Es parte de un grupo de nuevas
tecnologas de memoria que buscan competir con la memoria Flash en el
campo de las memorias no voltiles supliendo las carencias de sta.


Introduccin

Stanford Ovshinsky (Energy Conversion Devices) explor las propiedades del
vidrio calcgeno y su potencial de almacenamiento en los aos 60. En el
nmero de septiembre de 1970 de Electronics, Gordon Moore (cofundador de
Intel) public un artculo acerca de esta tecnologa, aunque la calidad de los
materiales y los problemas de consumo evitaron su comercializacin. El
inters ha resurgido recientemente con los problemas previsibles de escalado
de las memorias Flash y DRAM.
Los dos estados del vidrio calcgeno poseen una resistividad extremadamente
diferente, que conforma la base del almacenamiento de informacin. El estado
amorfo posee una gran resistencia y se utiliza para representar el cero binario,
mientras que el estado cristalino de baja resistencia representa al uno. El
calcgeno es el mismo material que se utiliza en dispositivos pticos
regrabables (como CD-RW y DVD-RW). En estos casos lo que se manipula
son las propiedades pticas en lugar de la resistividad, ya que el ndice de
refraccin del calcgeno tambin vara segn el estado.
La PRAM an no ha llegado a su etapa de comercializacin, aunque
prcticamente todos los prototipos utilizan una aleacin calcgena de
germanio, antimonio y telurio (GeSbTe) denominada GST. Se calienta a
temperaturas de 600 C para licuar el calcgeno; tras su enfriamiento se
congela adoptando un estado vtreo amrfico de alta resistencia elctrica. Al
calentarlo por encima de su punto de cristalizacin pero por debajo de su
punto de fusin se transforma en un estado cristalino de resistencia mucho
menor. Este proceso de cambio de fase puede completarse en cinco
nanosegundos segn una solicitud de patente de enero de 2006 por parte de
Samsung Electronics. Estos tiempos son comparables a los de memorias
voltiles como la DRAM actual, con tiempos del orden de 2 ns.


PRAM vs. Flash

Precisamente es este tiempo de cambio el que hace a la PRAM y otras
propuestas semejantes un sustituto interesante de Flash. La sensibilidad a la
temperatura de la PRAM es su mayor desventaja, y podra requerir cambios en
los procesos de produccin de la misma.
La memoria Flash funciona modulando la carga electrnica almacenada en la
puerta de un transistor MOS. La puerta est diseada para ser capaz de
confinar carga elctrica (bien en puerta flotante o en trampas de aislante). La
presencia de carga en la puerta modifica el voltaje de umbral del transistor
(V
th
) de forma que puede identificarse con un dgito binario. El cambio de
valor requiere el vaciado de la carga acumulada, lo que a su vez necesita que
un voltaje relativamente elevado la atraiga desde la puerta. Este pico de carga
requiere un cierto tiempo de preparacin. En general, el tiempo de escritura es
del orden de un milisegundo para un bloque de datos, frente a unos 10 ns que
son necesarios para la lectura de un byte.
La memoria PRAM ofrece un desempeo mucho mejor en aplicaciones en las
que la escritura es importante, tanto por el menor tiempo de cambio del
elemento como por el hecho de que los cambios pueden realizarse a nivel de
bit sin afectar a un bloque entero de celdas. Su velocidad est miles de veces
por encima de las de los discos duros convencionales. Esto la hace
especialmente til para cubrir almacenamiento no voltil que en la actualidad
viene limitado por la velocidad de acceso a los datos.
Cada pico de voltaje en Flash degrada la celda de datos progresivamente de
forma que la mayora de dispositivos slo tienen una vida de entre 10000-
100000 ciclos de escritura por sector, por lo que los controladores de Flash
reparten la escritura entre los distintos bloques fsicos. Conforme las celdas se
reducen en tamao por la tecnologa el problema se agrava ya que el voltaje
necesario no escala con la litografa, lo que lleva a disminuir vida media
esperada de los dispositivos.
Las razones de la degradacin con el uso en PRAM son distintas que las de
Flash, de forma que las primeras podran llegar a los 100 millones de ciclos de
escritura. Los lmites para la PRAM tienen que ver con la degradacin debida
a la expansin trmica del GST durante la programacin, la migracin del
metal y otros materiales y otros aspectos an desconocidos.
Mientras que los chips Flash pueden programarse antes de formar parte de un
circuito integrado (o incluso comprarse preprogramados), las altas
temperaturas de soldado borraran los contenidos de una PRAM, un aspecto
que cobra an ms importancia por los procesos de fabricacin sin plomo.
Debera por tanto poder programarse la PRAM despus de haberse soldado.
Las puertas especiales utilizadas en Flash tienen fugas de carga (electrones)
que pueden provocar la prdida de datos en el tiempo. La resistividad de los
elementos de memoria PCM la hacen ms estable y la capacitan para contener
informacin durante periodos de hasta una dcada, incluso en temperaturas
elevadas (el caso peor). La PRAM tambin resiste mejor la prdida provocada
por radiacin, lo que la hace ms viable para usos militares y aeroespaciales.
BAE Systems la ha utilizado como C-RAM anunciando ciclos de escritura de
10
8
, lo que podra convertirna en competidora de PROM y EEPROM en este
campo.
Por el momento, las PRAM fabricadas almacenan un bit por celda (las Flash
pueden modular la carga almacenada en una celda para almacenar varios bits,
tpicamente dos).
Pueden utilizarse varios elementos diferentes para seleccionar celdas en una
PRAM: diodos, BJT y MOSFET entre otros. El diodo proporciona la mayor
corriente de todos estos, aunque existe el problema de la induccin de
corrientes parsitas en celdas colindantes, as como mayores necesidades
energticas. La resistencia del calcgeno ha de ser necesariamente mayor que
la del diodo, por lo que el voltaje operativo debe estar bastante por encima de
1 V. Posiblemente el mayor inconveniente en arrays grandes de diodos es el la
corriente de fuga inversa producida por las lneas de bit no seleccionadas. Por
el contrario, si se utilizan transistores, slo las lneas seleccionadas
contribuyen a esta corriente, de forma que la diferencia total es de varios
rdenes de magnitud. El escalado por debajo de los 40 ns plantea el problema
del dopaje discreto por la disminucin en la anchura de la unin P-N.


2000 y ms all

Nanochip licenci tecnologa basada en PRAM para su uso en MEMS en
agosto de 2004. stos no son dispositivos de estado slido; en su lugar, se
utiliza un pequeo plato recubierto con calcgeno que puede utilizarse por
medio de muchas sondas elctricas (miles o incluso millones) para su lectura y
escritura. La tecnologa micro-mover de HP puede realizar posicionamiento
con una precisin de 3 nm logrando densidades de ms de un terabit por
pulgada cuadrada si se perfecciona la tecnologa. La idea es reducir el
cableado necesario en el propio chip, juntando las celdas y evitando el
cableado individual al hacer que las sondas acten como cables.
En septiembre de 2006 Samsung anunci un dispositivo de 256 Mb que
utilizaba diodos. Particularmente reseable fue la densidad de almacenamiento
conseguida: a pesar de la capacidad relativamente reducida comparada con la
de otros competidores, su densidad era mucho mayor a la tpica. Este hecho
sugiere que pueda competir en el mercado con Flash en lugar de limitarse a
usos muy especializado. Esto es particularmente cierto en el caso de la
memoria Flash basada en NOR, que permite direccionamiento a nivel de bit
(frente al acceso en bloques de bytes en NAND). NOR parece tener una
densidad comparable a la de PRAM.
El prototipo presenta un ncleo de 46,7 nm, que es mejor que cualquiera de las
Flash RAM en el mercado. Aunque Flash RAM ya tiene tiempo en el mercado
y una mayor capacidad (con mdulos de 8 Gb saliendo al mercado), se prev
que PRAM ser un verdadero competidor en este sentido ya que tiene una
densidad mucho mayor y en un futuro se esperan capacidades enormes.
En el Inter Developer Forum de 2006 se realizaron demostraciones de sus
respectivos dispositivos por parte de Intel y STMicroelectronics con una
capacidad de 128 Mb, que aunque en fase de prueba de concepto se indic
podran pasar a pruebas en cuestin de meses y pasar a su comercializacin en
pocos aos. Intel ya es el principal productor de memorias Flash NOR y
parece tener los mismos planes que Samsung para PCM.


Compromiso fundamental: cambios de fase espurios

La memoria de cambio de fase es susceptible a un compromiso bsico entre
cambios de fase intencionados y no intencionados: esto es as porque dicho
cambio es un proceso trmico ms que electrnico; por tanto, las condiciones
de cristalizacin rpida no pueden ser las mismas que las de almacenamiento
(temperatura ambiente tpicamente), ya que en otro caso la permanencia de los
datos no puede garantizarse. No obstante, una temperatura de cristalizacin
mayor conlleva una mayor corriente y menos escalabilidad.


Cronologa
Septiembre de 1966: Stanford Ovshinsky realiza la primera peticin de
patente sobre cambio de fase.
Junio de 1969: Ovshinsky obtiene la US Patent 3,448,302 con la
primera operacin fiable anunciada.
Septiembre de 1970: Gordon Moore publica un artculo en Electronics
Magazine.
Junio de 1999: Se forma Ovonyx para la comercializacin de la
tecnologa.
Noviembre de 1999: Lockheed Martin trabaja con Ovonyx para la
aplicacin a la industria aeroespacial.
Febrero de 2000: Intel licencia la tecnologa e invierte en Ovonyx.
Diciembre de 2000: ST Microelectronics licencia la tecnologa.
Marzo de 2002: Macronix realiza una solicitud de patente sobre PRAM
sin transistores.
Julio de 2003: Samsung inicia su trabajo con PRAM.
2003-2005: Solicitides de patentes por Toshiba, Hitachi, Macronix,
Renesas, Elpida, Sony, Matsushita, Mitsubishi, Infineon y otros.
Agosto de 2004: Nanochip licencia la tecnologa de Ovonyx para su
uso en MEMS. Samsung anuncia un array operativo de 64 Mb.
Febrero de 2005: Elpida licencia la tecnologa de Ovonyx.
Septiembre de 2005: Samsung anuncia un dispositivo operativo de 256
Mb junto con corrientes de programacin de 400A.
Octubre de 2005: Intel aumenta su inversin en Ovonyx.
Diciembre de 2005: Hitachi y Renesas anuncian PRAM a 1,5 B con
programacin a 100A. Samsung licencia la tecnologa de Ovonyx.
Julio de 2006: BAE Systems (antes Lockheed Martin) presenta un chip
resistente a radiacin de 512K8.
Septiembre de 2006: Samsung anuncia un dispositivo de 512 Mb.
Octubre de 2006: Intel y STMicroelectronics demuestran el
funcionamiento de un chip de 128 Mb.
Diciembre de 2006: IBM Research Labs presenta un prototipo de 320
nm.
Enero de 2007: Qimonda licencia la tecnologa deOvonyx.
Abril de 2007: Justin Rattner, CTO de Intel, realiza la primera muestra
pblica de la tecnologa PRAM de su compaa.
Julio de 2012: Micron anuncia la comercializacin de la primera
memoria de cambio de fase en dspositivos mviles.


CBRAM

La clula de metalizacin programable, o PMC, es una nueva forma de
memoria no voltil que se desarroll en la Universidad Estatal de Arizona y su
spin-off, Axon Technologies. PMC es una de una serie de tecnologas que se
estn desarrollando para reemplazar la memoria flash utilizado,
proporcionando una combinacin de tiempos de vida ms largos, menor
consumo de energa y una mejor densidad de memoria. Infineon
Technologies, quien autoriz la tecnologa en 2004, se refiere a ella como
RAM conductor puente o CBRAM. NEC tiene una variante llamada
"Nanobridge" y Sony llama a su versin de "memoria electroltica".


Descripcin

PMC se basa en la re-localizacin fsica de los iones dentro de un electrolito
slido. Una celda de memoria PMC est hecha de dos electrodos metlicos
slidos, uno relativamente inerte (por ejemplo, de tungsteno) el otro
electroqumicamente activo (por ejemplo, plata o cobre), con una pelcula
delgada de electrolito entre ellos. Un transistor de control tambin puede ser
incluido en cada clula.
Cuando se aplica una polarizacin negativa al electrodo inerte, iones metlicos
en el electrolito, as como algunos de origen desde el electrodo activo ahora -
positivo, el flujo en el electrolito y se reducen (convertido a tomos) por los
electrones desde el electrodo inerte. Despus de un corto perodo de tiempo
los iones que fluyen en el filamento forman un pequeo metlico "nanocables"
entre los dos electrodos. El "nanocables" reduce drsticamente la resistencia a
lo largo de ese camino, que se puede medir para indicar que el proceso de
"escritura" es completa.
En realidad, el nanocable puede no ser continua, sino una cadena de islas o
nanocristales electrodepsito. Esto es probable que prevalezca en las
corrientes de programacin bajas (menos de 1 microamperios), mientras que
en curso una programacin de mayor dar lugar a un conductor metlico en su
mayora.
La lectura de la celda simplemente requiere el transistor de control que estar
encendido, y un pequeo voltaje aplicado a travs de la clula. Si el nanocable
est en su lugar en esa celda, la resistencia ser baja, dando lugar a una
corriente ms alta, y que se lee como un "1". Si no hay nanocable en la clula,
la resistencia es mayor, dando lugar a baja corriente, y se lee como un "0".
Borrado de la clula es idntica a la escritura, pero utiliza un sesgo positivo en
el electrodo inerte. Los iones metlicos se emigrar lejos de filamento, de
nuevo en el electrolito, y, finalmente, para el electrodo activo cargado
negativamente. Esto rompe el nanocable y aumenta la resistencia de nuevo.
PMC no es la nica aplicacin de este concepto bsico, que se refiere a las
"nanoionics". Otras aplicaciones potenciales incluyen la electrnica
dinmicamente reroutable, interruptores pticos, y vlvulas de microfluidos.
Universidad del Estado de Arizona fue uno de los primeros en realizar
estudios de PMC, desarrollado por el Centro de la universidad para nanoionics
Aplicadas. La nueva tecnologa supuestamente ser usada en productos
comerciales. Tecnologa PMC ha sido licenciada a Infineon (Qimonda),
Micron Technology, y Adesto Technologies, y varias otras grandes empresas
de semiconductores y fabricantes de equipos tambin han mostrado inters en
la nueva tecnologa.


CBRAM vs RRAM

CBRAM difiere de RRAM en que para los iones de metal CBRAM se
disuelven fcilmente en el material entre los dos electrodos, mientras que para
RRAM, el material entre los electrodos requiere un campo elctrico de alta
causando dao local similar a la ruptura dielctrica, produciendo un rastro de
la realizacin de los defectos (a veces llamado un "filamento"). Por lo tanto
para CBRAM, un electrodo debe proporcionar los iones de disolucin,
mientras que para RRAM, una sola vez " formando " se requiere el paso de
generar el dao local.


Comparacin

La forma primaria de estado slido de memoria no voltil en uso hoy en da es
la memoria flash, que est encontrando su uso en la mayora de las funciones
que solan ser llenado por los discos duros. Flash, sin embargo, tiene una serie
de problemas que han llevado a muchos esfuerzos para introducir productos
para reemplazarlo.
Flash se basa en el concepto de puerta flotante, esencialmente un transistor
modificado. Transistores en flash convencionales tienen tres conexiones, la
fuente, el drenaje y la puerta. La puerta es el componente esencial del
transistor, el control de la resistencia entre la fuente y el drenaje, y actuando
de este modo como un interruptor. En el transistor de puerta flotante, la puerta
est unida a una capa que atrapa electrones, dejando encendido (o apagado)
durante largos perodos de tiempo. La puerta flotante puede ser re- escrito por
el que pasa una corriente grande a travs del circuito emisor-colector.
Es esta gran corriente que es inconveniente principal de flash, y por un
nmero de razones. Por un lado, cada aplicacin de la corriente se degrada
fsicamente la clula, de tal manera que la clula con el tiempo ser de no
escritura. Ciclos de escritura en el orden de 105 a 106 son tpicos, lo que
limita las aplicaciones de flash a roles donde la escritura constante no es
comn. La corriente tambin requiere un circuito externo para generar,
utilizando un sistema conocido como una bomba de carga. La bomba requiere
unos bastante largos procesos de carga de modo que la escritura es mucho ms
lenta que la lectura, la bomba tambin requiere mucho ms poder. Flash es por
lo tanto un sistema de " asimtrica", mucho ms que la memoria RAM
convencional o discos duros.
Otro problema con el flash es que la puerta flotante sufre fugas que libera
lentamente la carga. Esto es contrarrestado mediante el uso de potentes
aislantes circundantes, pero stas requieren un cierto tamao fsico con el fin
de ser til y tambin requiere una disposicin fsica especfica, que es
diferente de los diseos ms tpicos de CMOS, que requieren varias tcnicas
de fabricacin que se introduzcan nuevas. Como el flash escalas rpidamente
hacia abajo en el tamao de la fuga de la carga se vuelve cada vez ms un
problema, lo que ha conllevado a varias predicciones de la desaparicin
definitiva de flash. Sin embargo, la inversin masiva del mercado ha
impulsado el desarrollo de flash a tasas superiores a la Ley de Moore, y las
plantas de fabricacin de semiconductores utilizando 30 procesos nm
Actualmente (finales de 2007) se pone en lnea.
En contraste con flash, PMC escribe con una potencia relativamente baja ya
alta velocidad. La velocidad es inversamente proporcional a la potencia
aplicada (a un punto, hay lmites mecnicos), por lo que el rendimiento se
puede ajustar para diferentes funciones. Adems, el proceso de escritura es
"casi infinitamente reversible ", haciendo PMC mucho ms universalmente
aplicable que flash.
PMC, en teora, puede escalar a tamaos mucho ms pequeos que la
memoria flash, en teora, tan pequeas como unos anchos de iones de ancho.
Los iones de cobre alrededor de 0,75 angstroms, as que parecen posibles
anchos de lnea del orden de nanmetros. PMC es tambin mucho ms simple
en diseo que la memoria flash, lo que debera conducir a la construccin ms
sencilla y menores costes. Si o no estas ventajas pueden ser llevados al
mercado an est por verse. La amplia variedad de otros "asesinos flash" tiene
hasta el momento siempre ha estado detrs de la curva de la tecnologa de la
inversin masiva de flash. Sin embargo, como el director general de un
licenciatario, afirm: " Ninguna otra tecnologa puede proporcionar la mejora
rdenes de magnitud en la potencia, el rendimiento y el costo que esta lata de
memoria"
Estado actual los sistemas de PMC experimentales tempranos fueron basados
en gafas de seleniuro de germanio dopado con plata, pero estos materiales no
fueron capaces de resistir las temperaturas utilizadas en fbricas estndar
CMOS. Trabajo y luego se volvi a los electrolitos de sulfuro de germanio
dopado con plata y finalmente a los de germanio electrolitos actuales de
sulfuro de cobre dopado.
Axon Technologies ha licenciar el concepto bsico desde su formacin en
2001. El primer titular fue Micron Technology, que comenz a trabajar con
PMC en 2002. Infineon sigui en 2004, y una serie de empresas ms pequeas
han unido desde entonces tambin.


SONOS

SONOS, abreviatura de "Silicon - xido - nitruro de xido de silicio", es un
tipo de memoria no voltil estrechamente relacionado a Flash RAM. Se
distingue de flash de la corriente principal por el uso de nitruro de silicio
(Si3N4) en lugar de polisilicio para el material de almacenamiento de carga.
Otra variante es "Shinos" ("Silicon Hi- k de nitruro de xido de silicio ").
SONOS promete tensiones de programacin ms bajos y mayor resistencia
ciclo de programacin / borrado de flash basada en polisilicio, y es una zona
de esfuerzo de investigacin y desarrollo activo. Las compaas que ofrecen
productos basados en SONOS incluyen GlobalFoundries, Cypress
Semiconductor, Macronix, Toshiba, y United Microelectronics Corporation.


Descripcin

Dibujo esquemtico de una celda de memoria Cella SONOS memoria Sonos
es formado a partir de un polisilicio N - canal del transistor MOSFET estndar
con la adicin de una pequea franja de nitruro de silicio insertado en el
interior de xido de puerta de transistor. La astilla de nitruro no es conductor,
pero contiene un gran nmero de sitios de captura de carga capaz de mantener
una carga electrosttica. La capa de nitruro est aislado elctricamente del
transistor circundante, aunque cargas almacenadas en el nitruro afectan
directamente a la conductividad del canal del transistor subyacente. El
sndwich de xido / nitruro consiste tpicamente en la capa de un xido de
espesor 2 nm inferior a 5 nm de espesor de capa intermedia de nitruro de
silicio, y un xido nm capa superior 5-10.

Dibujo esquemtico de una celda de memoria SONOS

Cuando la puerta de control de polisilicio est sesgada positivamente, los
electrones desde el tnel de transistor y regiones de drenaje a travs de la capa
de xido y quedan atrapados en el nitruro de silicio. Esto da lugar a una
barrera de energa entre el drenaje y la fuente, el aumento de la tensin de
umbral Vt (el voltaje necesario puerta - fuente para que la corriente fluya a
travs del transistor). Los electrones se pueden eliminar de nuevo mediante la
aplicacin de una polarizacin negativa en la puerta de control.
Una matriz de memoria Sonos es construido mediante la fabricacin de una
rejilla de transistores SONOS que estn conectados por lneas de control
horizontales y verticales (lneas de palabra y lneas de bits) a los circuitos
perifricos tales como decodificadores de direccin y amplificadores de
deteccin. Despus de almacenar o borrado de la clula, el controlador puede
medir el estado de la clula haciendo pasar una pequea tensin a travs de los
nodos de fuente - drenaje; si la corriente fluye la clula debe estar en el estado
" no hay electrones atrapados ", que se considera una lgica "1". Si no se
observa la corriente de la celda debe estar en el estado "electrones atrapados",
que se considera como el estado "0". Las tensiones que se necesitan son
normalmente alrededor de 2V para el estado borrado, y alrededor de 4,5V para
el estado programado.


Comparacin con flash estndar

Generalmente SONOS es muy similar al estndar de doble flash de polisilicio,
pero hipotticamente ofrece almacenamiento de alta calidad. Esto es debido a
la buena homogeneidad de la pelcula de Si3N4 en comparacin con pelcula
policristalina que tiene irregularidades diminutas. Flash requiere la
construccin de una barrera de muy alto rendimiento de aislamiento en los
cables de la puerta de sus transistores, a menudo requieren hasta nueve pasos
diferentes, mientras que el xido de capas en SONOS se puede producir ms
fcilmente en las lneas existentes y ms fcilmente combinado con lgica
CMOS.
Adems, flash tradicional es menos tolerante de los defectos de xido debido a
que un solo defecto de cortocircuito se descargar toda la puerta flotante de
polisilicio. El nitruro en la estructura Sonos es no conductor, por lo que un
corto slo perturba un parche localizada de carga. Incluso con la introduccin
de las nuevas tecnologas de aisladores esto tiene un claro " lmite inferior "
alrededor de 7 a 12 nm, lo que significa que es difcil para los dispositivos
flash a escala menor que unos 45 linewidths nm. SONOS, por otro lado,
requiere una capa muy delgada de aislante con el fin de trabajar, haciendo que
el rea de la puerta menor que flash. Esto permite SONOS a escala de menor
anchura de lnea, con ejemplos recientes que se producen en 40 fbricas nm y
afirma que va a escalar a 20 nm. El ancho de lnea est directamente
relacionada con el almacenamiento total del dispositivo resultante, e
indirectamente relacionado con la cost, en teora, mejor escalabilidad
SONOS dar lugar a dispositivos de mayor capacidad a costos ms bajos.
Adems, la tensin necesaria para el sesgo de la puerta durante la escritura es
mucho menor que flash tradicional. Para escribir flash, el poder se construy
por primera vez en un dispositivo independiente conocida como una bomba de
carga, lo que multiplica el voltaje de entrada a entre 9V a 20V. Este proceso
lleva algn tiempo, lo que significa que la escritura a una celda flash es mucho
ms lento que la lectura, a menudo entre 100 y 1000 veces ms lento. El pulso
de alta potencia tambin degrada las clulas ligeramente, lo que significa que
los dispositivos de flash slo se pueden escribir a entre 10.000 y 100.000
veces, dependiendo del tipo. Dispositivos SONOS requieren voltajes de
escritura mucho ms bajos, por lo general 5-8V, y no se degradan en el mismo
camino. SONOS sufre de un problema no relacionado, sin embargo, donde los
electrones se convierten fuertemente atrapados en la capa de ONO y no puede
ser eliminado de nuevo. Con el uso a largo esto eventualmente puede conducir
a suficientes electrones atrapados para establecer de forma permanente la
clula para el estado "1", similar a los problemas en flash. Sin embargo, en
SONOS esto requiere del orden de unos 100 millones de ciclos de escritura,
1.000 a 10.000 veces mejor que el flash.


Historia

SONOS fue conceptualizado por primera vez en la dcada de 1960. En la
dcada de 1970 dispositivos comerciales iniciales se realizaron utilizando
transistores PMOS y un - nitruro - xido de metal (MNOS) se apilan con una
capa de almacenamiento de nitruro de 45 nm. Estos dispositivos necesarios
hasta 30V para operar. A principios de 1980, las estructuras basadas NMOS
polisilicio estaban en uso con voltajes de operacin menores de 20 V. A fines
de 1980 y principios de 1990 estructuras PMOS SONOS se manifestaban de
programa/borrado tensiones en el rango de 5 a 12 voltios.
Los esfuerzos actuales Philips es uno de los grupos de trabajo sobre los
dispositivos de Sonos y se han producido pequeos manifestantes de 26 bits,
con excelentes tiempos de vida en un ancho de lnea de 120 nm. No est claro
si esta investigacin est en curso, sin embargo, dados los rpidos avances en
la tecnologa flash que han llevado a grandes ganancias en densidad de
almacenamiento. Otros grupos tambin estn trabajando en SONOS para
tareas ms especializadas, en particular los sistemas espaciales y militares
debido a su excelente resistencia a la radiacin.
Spansion anunci recientemente el desarrollo de la memoria flash SONOS
utilizando su tecnologa MirrorBit. Infineon y Qimonda tarde su spin-off
tambin produjeron las memorias flash de Sonos.


RRAM

Memoria de acceso aleatorio resistiva (RRAM o ReRAM) es un tipo de
memoria no voltil en desarrollo por un nmero de diferentes empresas,
algunos de los cuales han patentado versiones de ReRAM. La tecnologa tiene
algunas similitudes con CBRAM y de cambio de fase de la memoria.
En febrero de 2012 Rambus compr una empresa ReRAM llamado Unity
Semiconductor por $35 millones Panasonic lanz un kit de evaluacin
ReRAM en mayo de 2012 en base a un 1T1R xido de tntalo (1 transistor - 1
resistencia). Arquitectura de la clula de memoria.
Diferentes formas de ReRAM se han descrito, sobre la base de diferentes
materiales dielctricos, que abarca desde perovskitas para la transicin de
xidos metlicos a calcogenuros. Incluso dixido de silicio se ha demostrado
que la exposicin de conmutacin resistiva tan temprano como 1967, y ha sido
recientemente revisado.
Leon Chua, quien es considerado como el padre de la teora de circuitos no
lineales, se ha argumentado que todos los dispositivos de memoria no voltil
de 2 terminales incluyendo ReRAM deben considerarse los memristores. Stan
Williams, de HP Labs han aducido tambin que todos ReRAM debe ser
considerado como un memristor. Estas afirmaciones, sin embargo, no parecen
estar justificadas dado que la teora memristor en s es discutible. Hay un
debate en curso o no a base de xido-reduccin - resistivamente elementos de
conmutacin (ReRAM) estn cubiertos por la teora memristor actual.


Mecanismo

La idea bsica es que un dielctrico, que normalmente es aislante, puede
hacerse para llevar a cabo a travs de un filamento o camino de conduccin
formada despus de la aplicacin de un voltaje suficientemente alto. La
formacin de trayectoria de conduccin puede surgir de diferentes
mecanismos, incluyendo defectos, la migracin de metal, etc. Una vez que se
forma el filamento, que se puede restablecer (roto, lo que resulta en alta
resistencia) o conjunto (re-formado, lo que resulta en una resistencia ms baja)
por una voltaje aplicado apropiadamente. Los datos recientes sugieren que
muchos caminos actuales, en lugar de un solo filamento, probablemente estn
involucrados.
Una celda de memoria puede ser producida a partir del elemento de
conmutacin bsica de tres maneras diferentes. En el enfoque ms simple, el
elemento de memoria solo se puede utilizar como una clula de memoria de
base, y se inserta en una configuracin en la que lneas de bits paralelos son
atravesados por lneas de palabra perpendiculares con el material de
conmutacin colocado entre lneas de palabra y lnea de bits en cada punto de
cruce. Esta configuracin se denomina una clula de punto de cruce. Desde
esta arquitectura puede conducir a una gran " colarse " corriente parsita que
fluye a travs de las clulas de memoria no seleccionadas a travs de las
clulas vecinas, la matriz de punto de cruce puede tener un acceso de lectura
muy lento. Un elemento de seleccin puede ser aadido para mejorar la
situacin, pero este elemento de seleccin de tensin y consume energa
adicional. Una conexin en serie de un diodo en cada punto de cruce permite
revertir el sesgo, el sesgo de cero, o sesgo al menos parcial, las clulas no
seleccionadas, que conduce a corrientes furtivos insignificantes. Esto puede
estar dispuesto de una manera compacta similar a la celda de punto de cruce
bsica. Finalmente un dispositivo de transistor (idealmente un transistor
MOS), se puede aadir lo que hace que la seleccin de una clula muy fcil y,
por tanto, ofrece el mejor tiempo de acceso aleatorio, pero viene en el precio
de un mayor consumo de rea.
Para memorias de tipo de acceso aleatorio, se prefiere una arquitectura de tipo
transistor mientras que la arquitectura de punto de cruce y la arquitectura
diodo abren el camino hacia apilar capas de memoria en la parte superior de
uno al otro y por lo tanto son ideales para dispositivos de almacenamiento
masivo. El mecanismo de cambio en s mismo puede ser clasificado en
diferentes dimensiones. En primer lugar estn los efectos que la polaridad
entre el cambio de la baja al nivel de resistencia alta (reajustar operacin) se
invierte en comparacin con la conmutacin entre el alto y el nivel de
resistencia baja (operacin de conjunto). Estos efectos se llaman efectos de
conmutacin bipolares. Por el contrario, tambin hay efectos de conmutacin
unipolar donde las operaciones tanto de sistema y el reajuste requieren la
misma polaridad, pero diferente magnitud del voltaje.
Otra manera de distinguir los efectos de conmutacin se basa en la
localizacin de la trayectoria resistiva bajo. Muchos de los efectos resistivos
de conmutacin muestran un comportamiento filamentosa, donde slo uno o
unos pocos caminos resistivos bajos muy estrechas existen en el estado
resistivo bajo. En contraste, la conmutacin tambin homognea de toda la
zona se puede observar. Ambos efectos pueden ocurrir ya sea a travs de toda
la distancia entre los electrodos o suceder solamente en la proximidad de uno
de los electrodos. Efectos de conmutacin filamentosos y homogneos se
pueden distinguir por la medicin de la zona de la dependencia del estado de
resistencia baja.


Sistemas de materiales para clulas de memoria resistivos

Un gran nmero de sistemas de materiales inorgnicos y orgnicos que
muestran los efectos de conmutacin resistiva trmicos o inicos se han
demostrado en la literatura. Estos se pueden agrupar en las siguientes
categoras:
de cambio de fase calcogenuros como Ge2Sb2Te5 o AgInSbTe;
xidos de metales de transicin binarios como NiO o TiO2;
perovskitas como Sr (Zr) TiO3 o PCMO;
electrolitos en estado slido como GeS, GeSe, SiOx o Cu2S;
complejos de transferencia de carga orgnicos como CuTCNQ;
sistemas dador-aceptor orgnicos como Al AIDCN;
diversos sistemas moleculares.


Demostraciones

Documentos de la Conferencia IEDM en 2007 sugiri por primera vez que
ReRAM exhibe corrientes de programacin ms bajos que PRAM o MRAM,
sin sacrificar el rendimiento de la programacin, la conservacin o la
resistencia. El 30 de abril 2008 HP anunci que haban descubierto el
memristor, originalmente concebido como un cuarto elemento de circuito
fundamental que falta por Leon Chua en 1971. El 8 de julio se anunci que
comenzaran ReRAM prototipos utilizando sus memristores. En IEDM 2008,
la ms alta tecnologa ReRAM desempeo hasta la fecha fue demostrado por
ITRI, que muestra los tiempos de conexin de menos de 10 ns y corrientes de
menos de 30 microamperios. En IEDM 2010, ITRI tambin rompi el rcord
de velocidad, muestra < 0,3 ns tiempo de conmutacin, mientras que tambin
muestra mejoras en los procesos y el funcionamiento para permitir un
rendimiento de hasta el 100%. Adems, los PIEM present varias
actualizaciones de su programa ReRAM en el Simposio 2012 sobre
Tecnologa VLSI y Circuitos, incluida una solucin con una corriente de
funcionamiento 500 nA.


Las futuras aplicaciones

ReRAM tiene el potencial para convertirse en el favorito entre otras memorias
no voltiles. En comparacin con la PRAM, ReRAM opera a una escala de
tiempo ms rpido (tiempo de conmutacin puede ser inferior a 10 ns),
mientras que en comparacin con la MRAM, que tiene una estructura celular
ms pequeo ms simple (menos de pila 8F MIM). Hay un tipo de Vertical
1D1R (uno diodo, un dispositivo de conmutacin resistiva) de integracin
utilizado para la estructura de memoria travesao para reducir el tamao de
celda unidad de a 4F (F es la dimensin caracterstica). En comparacin con
la memoria flash y la memoria de circuito, una de tensin inferior es suficiente
y por lo tanto se puede utilizar en aplicaciones de baja potencia.
ITRI ha demostrado recientemente que ReRAM es escalable por debajo de 30
nm. El movimiento de los tomos de oxgeno es un fenmeno clave para base
de xido de ReRAM. Un estudio ha indicado que el movimiento de oxgeno
puede tener lugar en regiones tan pequeas como 2 nm. Se cree que si un
filamento es responsable, no sera exponer escala directa con el tamao de
celda. En lugar de ello, el lmite de cumplimiento actual (fijado por una
resistencia de exterior, por ejemplo) podra definir la capacidad de transporte
de corriente del filamento.
Un obstculo importante para la realizacin del potencial de ReRAM es el
problema del camino furtivo que se produce en las matrices ms grandes
pasivos. En 2010, la conmutacin resistiva complementaria (CRS) fue
presentado como una posible solucin a la interferencia de las corrientes de
trayectoria del chivato. En el enfoque de CRS, los estados de informacin
almacenamiento son pares de estados de alta y de baja resistencia (HRS/LRS y
LRS/HRS) de modo que la resistencia total es siempre alta, lo que permite
ms grandes matrices pasivas travesao.
Una desventaja de la solucin inicial de CRS es el alto requerimiento de
resistencia causada por la lectura destructiva convencional basado en las
mediciones de corriente de conmutacin. Un nuevo enfoque para una lectura
no destructiva basada en la medicin de la capacidad potencialmente reduce
los requisitos tanto de resistencia material y el consumo de energa. Estructura
bi-capa se utiliza para producir la no linealidad en LRS para evitar el
problema del camino chivato. Capa individual dispositivo que muestra una
fuerte conduccin no lineal en la LRS se ha informado recientemente. Otra
estructura de dos capas se introduce para ReRAM bipolar para mejorar el HRS
y la estabilidad del rendimiento de resistencia de la memoria.


Racetrack memory

La memoria racetrack es un dispositivo experimental de memoria no voltil
en desarrollo en el Almaden Research Center de IBM por un equipo
conducido por Stuart Parkin, as como equipos en otras localizaciones. A
principios de 2008 una versin de 3 bits fue demostrada exitosamente.


Fsica

La versin del racetrack de IBM usa corriente elctrica de spin coherente para
mover los dominios magnticos a lo largo de un alambre nanoscpico en
forma de "U". A medida que la corriente est pasando a travs del alambre, los
dominios se mueven sobre las cabezas de lectura/escritura magnticas
posicionadas en el fondo de la "U", que altera los dominios para registrar
patrones de bits. Un dispositivo de memoria est compuesto de muchos de
estos alambres y elementos de lectura/escritura. En un concepto operacional
general, la memoria racetrack es similar a la anterior memoria twistor o a la
memoria de burbuja de los aos 1960s y 1970s, pero usa dominios magnticos
mucho ms pequeos y mejoras notables en las capacidades de deteccin
magntica para proporcionar mucho ms altas densidades de rea.

Memoria Principe Racetrack


Comparacin con la memoria Flash

La densidad terica de la memoria racetrack es mucho ms alta que la de
dispositivos comparables tales como la Flash RAM, estimaciones sugieren la
mxima densidad de rea entre 10 y 100 veces la de los mejores dispositivos
de Flash posibles. Los dispositivos de Flash ya son construidos en las fabs ms
recientes de 45nm, y hay problemas que sugieren que reducir la escala a 30
nm pueda ser un lmite fundamental ms bajo. La Racetrack no es mucho ms
pequea, los alambres son de cerca de 5 a 10 nm a lo largo, pero arreglndolos
verticalmente, los dispositivos llegan a ser tridimensionales, ganando
densidad.
La memoria Flash es un dispositivo asimtrico, relativamente lenta para
escribir, hasta 1.000 veces ms lenta que los tiempos de lectura, lo que limita
su uso en muchas aplicaciones. Adicionalmente, la accin de enviar un voltaje
grande en las celdas las degrada mecnicamente, por lo que tiene un tiempo de
vida limitado, entre 10.000 y 100.000 escrituras. Los dispositivos de memoria
Flash usan una variedad de tcnicas para, si fuera posible, evitar escribir a la
misma celda, pero esto solo limita el problema, no lo elimina.
La memoria racetrack no tiene ninguno de estos problemas. La lectura y la
escritura son bastante simtrica y primariamente es limitada por el tiempo en
que el patrn magntico toma para ser movido a travs de las cabezas de
lectura/escritura.


Dificultades del desarrollo

Una limitacin de los dispositivos experimentales tempranos fue que los
dominios magnticos solo se podran empujar lentamente a travs de los
alambres, requiriendo pulsos de corriente en el orden de microsegundos para
moverlos con xito. Esto era inesperado, y condujo a un desempeo ms o
menos igual al de las unidades de discos duros, como 1.000 veces ms lento
de lo predicho. La investigacin reciente en la universidad de Hamburgo ha
seguido la pista a este problema y encontr que es debido a imperfecciones
microscpicas en la estructura cristalina de los alambres que conduce a que los
dominios "se peguen" en estas imperfecciones. Usando un microscopio de
rayos X para tener imgenes directas entre los dominios, su investigacin
encontr que las paredes del dominio seran movidas por pulsos tan cortos
como algunos nanosegundos cuando estas imperfecciones estaban ausentes.
Esto corresponde a una velocidad macroscpica de cerca de 110 m/s.


Millipede memory

Millipede es un tipo de memoria no voltil que utiliza huecos nanoscpicos
quemados en la superficie de una fina capa de polmero, que se lee y escribe
por medio de una sonda basada en MEMS. Promete densidades de datos
superiores a 1 Gbit/mm (1 Tbit/pulgada), cerca de cuatro veces las mayores
densidades actuales en almacenamiento magntico.
La tecnologa de almacenamiento busca un reemplazo potencial a la grabacin
magntica en discos duros reduciendo al mismo tiempo el factor de forma al
de las memorias flash. IBM demostr el funcionamiento de un dispositivo
Millipede en CeBIT 2005 e intenta lanzar su tecnologa al mercado en 2007.
Probablemente su coste por megabyte sea mayor que el de otras tecnologas en
el momento de su lanzamiento, aunque esta desventaja vendra equilibrada por
las capacidades que sera capaz de ofrecer.


Tecnologa

Concepto bsico

La memoria principal de los macro- super-ordenadores actuales se construye a
partir de chips DRAM, esencialmente un conjunto de condensadores que
almacenan informacin como presencia o ausencia de carga elctrica. Cada
condensador y circuitos asociados (celda) contiene un bit que puede leerse o
escribirse en grupos numerosos al tiempo.
Por su parte los discos duros almacenan la informacin en un disco metlico
recubierto con un material magntico como polarizaciones en el campo de
dicho material. La lectura y escritura se realiza localizando la posicin bajo la
cabeza lectura mientras el disco gira. Esto limita el rendimiento a la velocidad
mecnica, en general cientos de miles de veces ms lenta que la de DRAM.
No obstante el equivalente a la clula es mucho menor, por lo que las
densidades de datos son mucho ms elevadas.
Millipede busca combinar lo mejor de ambos enfoques. Como el disco duro,
utiliza un medio de base sin inteligencia que es ms sencillo que cualquier
clula electrnica; tambin utiliza cabezas lectoras para acceder a los datos.
No obstante, estas cabezas son nanoscpicas y pueden leer y escribir en
paralelo hasta incrementar el rendimiento a cotas que pueden competir con las
memorias electrnicas. Adems, el medio fsico lleva a densidades an
mayores que las de los discos duros.
Millipede utiliza mltiples sondas de fuerza atmica (similares a un
microscopio de fuerza atmica), cada una de las cuales es responsable de la
lectura y escritura de un gran nmero de bits asociados a ella. Estos bits se
almacenan como huecos o su ausencia en la superficie de un polmero
termoactivo que forma una fina pelcula en un portador conocido como la
cinta (sled).
Una sonda concreta puede operar en un rea bastante reducida de la cinta: un
campo de almacenamiento (storage field). Tpicamente la cinta se mueve a la
posicin de los bits seleccionados por medio de actuadores electromecnicos
similares al cabezal de un disco duro tpico, aunque la distancia real es muy
pequea. La cinta se mueve en un patrn de escaneo para localizar los bits
buscados en lo que se denomina x/y scan.
Aunque cada campo contiene poca memoria, el rea que cubre es tambin
pequea, por lo que un dispositivo requiere muchos campos y sondas. Las
operaciones de acceso pueden realizarse en muchos de estos campos en
paralelo aumentando la productividad y el tiempo de acceso. Por ejemplo, un
valor sencillo de 32 bits normalmente se escribira como bits separados en 32
dominios distintos. Los prototipos iniciales se montaron en una rejilla de
3232 con un total de 1024 sondas, con una distribucin parecida a la de las
patas de un ciempis, de ah su nombre en ingls.
El diseo de este array de estructuras voladizas (cantilevers) es la parte ms
compleja ya que implica un gran nmero de dispositivos mecnicos en los que
hay que montar una sonda. Todos ellos estn hechos nicamente de silicona
utilizando construccin de superficie (surface micromachining) en la
superficie de las obleas.


Lectura y escritura de datos

Cada sonda en el array lee y escribe datos termomecnicamente de bit en bit.
Para lograr una lectura la sonda se calienta a unos 300 C y se acerca a la cinta
de datos. Si se sita sobre un hueco la estructura voladiza la empujar al
agujero incrementando la superficie de contacto con la cinta y aumentando el
enfriamiento por la fuga del calor a la cinta. Si no hay un hueco, slo la punta
de la sonda toca la cinta y el calor se disipa ms lentamente. La resistencia
elctrica de la sonda es funcin de su temperatura (ms a ms temperatura),
por lo que cuando la sonda cae en un hueco se registra una cada en la
resistencia.
Para escribir un bit el extremo de la sonda se calienta por encima de la
temperatura de transicin del vidrio del polmero utilizado para la cinta (en
general vidrio acrlico; en este caso, sobre 400 C). Para escribir un '1' el
polmero cerca del extremo se ablanda y dicho extremo lo toca, creando una
marca. Para borrarlo y volver al estado '0' el extremo se sube desde la
superficie permitiendo que la tensin superficial recupere la forma de la cinta.
Los primeros prototipos utilizan un conjunto de tcnicas en general ms
costosas en tiempo y menos exitosas, que permitan unos 100000 ciclos de
borrado, aunque con la informacin disponible es difcil saber si las nuevas
tcnicas mejoran estas cifras.
Las temperaturas que hay que alcanzar conllevan una cantidad significativa de
energa para su operacin, aunque esta cantidad depende de la velocidad de
acceso a los datos, ya que con tasas menores el enfriamiento en la lectura es
menor y tambin lo es el nmero de veces que hay que recalentar la sonda
para escribir a temperatura ms alta. Si se opera a unos pocos megabits por
segundo se esperan consumos de cerca de 100 mW, similar al de la memoria
flash y muy por debajo de los discos duros. Una de las principales ventajas de
Millipede es el diseo altamente paralelo que le permite adems alcanzar tasas
del orden del gigabyte por segundo, a costa de un mayor consumo, similar al
de los discos duros actuales.
Para cada sonda la velocidad est limitada al rango de los kilobits por
segundo, esto es unos pocos megabits para un array entero. Los extremos
individuales pueden alcanzar 1-2 Mbps segn pruebas en Almaden Research
Center de IBM, con las velocidades agregadas indicadas.


Situacin actual

La progresin de la tecnologa a la realidad comercial ha sido ms lenta de lo
esperado: se han dado importantes avances en tecnologas competidoras,
principalmente flash y discos duros, que ha hecho que los prototipos no fueran
vistos como atractivos para su produccin. Millipede parece disputar una
carrera en la que intenta madurar lo suficientemente deprisa como para que las
nuevas generaciones de avances no la anulen antes de que est lista para su
produccin.
La primera generacin de dispositivos utilizaba sondas de 10 nm de dimetro
y 70 nm de longitud, con huecos de 40 nm de dimetro en campos de 92x92
m. En arrays de 3232 esto da chips de 33 mm con 500 Mbit (62.5 MB) de
datos y densidad de unos 200 Gbit/in. IBM realiz demostraciones en 2003
con una comercializacin prevista para 2005, aunque para este momento los
discos duros se acercaban a los 150 Gbit/in, cifra que en el 2012 ya se han
superado.
Otros dispositivos ms recientes vistos en CeBIT en 2005 mejoran el diseo
bsico utilizando diseos de dispositivos voladizos en 6464 con cintas de
77 mm y capacidades de hasta 800 Gbit/in utilizando huecos ms pequeos.
Este tamao parece poder bajar hasta 10 nm, lo que lleva a una densidad de
rea terica de hasta 1 Tbit/in. IBM planea presentar dispositivos con este
rango de densidades en 2007. Los ltimos discos duros con grabacin
perpendicular tienen densidades de 230 Gbit/in y parecen tener un lmite en 1
Tbit/in. Las memorias de semiconductores tienen densidades de 10 Gbit/in
para DRAM y 250 para Flash RAM.


Casos de uso

Microdiscos

Estos sistemas pueden utilizarse en microdiscos con un factor de forma muy
pequeo de forma que puedan integrarse en relojes, mviles y sistemas
personales a la vez que suministran una gran capacidad. La alta densidad de
datos de Millipede se adapta muy bien a sus necesidades.


Discos duros de gran capacidad

Millipede ofrece una muy alta densidad de datos, tiempos de bsqueda y
consumo bajos y, probablemente, una alta fiabilidad. De esta forma se podran
fabricar discos con capacidades del orden del terabyte. En todo caso, la
capacidad de cada dispositivo Millipede individual se espera que sea
relativamente baja (del orden de unos pocos gigabytes), por lo que un
reemplazo requerira del orden de 100 dispositivos Millipede combinados.


FJG RAM

FJG RAM, acrnimo de Floating compuerta de cruce de memoria de acceso
aleatorio, es un tipo de memoria de ordenador inventado por Oriental
Semiconductor Co., Ltd. El FJG RAM tiene una superficie celular ultra-
compacta de 4F2 (F se refiere al tamao de la caracterstica) y una clula
capacitorless configuracin. Est hecho sin pasos de proceso exticos,
materiales o nuevas herramientas de proceso, y el proceso para presentar el
dispositivo se encuentra disponible en todas las fbricas de DRAM existentes.
Debido a la ausencia de un condensador, el proceso celular FJG es ms
compatible con el proceso de la lgica, lo que permite su uso no slo en
aplicaciones DRAM independientes, sino tambin en aplicaciones de DRAM
incrustado. Otras propiedades incluyen lectura no destructiva y la posibilidad
de que los diseadores de la DRAM usar los sentidos compartidos
amplificadores para reducir la complejidad de los circuitos perifricos.


Configuracin de equipos y funcionamiento

Esta seccin puede ser confuso o poco claro para los lectores. En particular,
contiene varios repartidos, explic inadecuadamente figuras y utiliza mucha
jerga simplificable. (Septiembre de 2013).


Simulation imagen de un Estructura cell.Device memoria FJG
1) Source Regin; 2) Drain Regin; 3) Control Puerta; 4) Puerta Quasi
flotante; 5) Substrate; 6) Diodo p-n


An esquema del circuito equivalente de una memoria FJG cell.
Basic Operacin
Como se muestra en la figura, el dispositivo FJG generalmente consta de uno
flotantes NMOS de compuerta y un diodo MOS cerrada. La puerta flotante
NMOS tiene diferentes voltajes de umbral en los diferentes estados lgicos.
Por carga o descarga la puerta flotante a travs de la trayectoria de la corriente
a travs del diodo cerrada, se cambia la tensin de umbral de la puerta flotante
NMOS. Desde la puerta flotante est conectado a una unin pn, esta clula se
llama un " flotante puerta de unin (FJG) " clula. Cuando la lectura de la
celda, con las mismas condiciones de tensin en la puerta de control, la
corriente NMOS tiene sentido diferente en diferentes estados lgicos. La
corriente de deteccin puede luego ser amplificada por un amplificador de
sentido. Por lo tanto, el estado de la clula se puede determinar.


Write lgico "1 " y "0 " en una clula FJG
Escribir lgico "1 " y "0 " se hace por la carga y descarga de la puerta flotante
en una celda FJG. Se realiza a travs de la corriente que fluye a travs del
diodo p-n bajo diferentes condiciones de estrs de tensin en diferentes nodos
de contacto. Cuando se carga la puerta flotante, el diodo p-n es polarizado
inversamente, causando gran banda de flexin en la unin puerta/canal
flotante. Tnel de banda - a - banda se producir bajo tal condicin que causa
electrones tnel desde la puerta flotante para el canal (a). Descarga de la
puerta flotante se realiza mediante polarizacin directa del diodo p-n y el
drenaje de las cargas de la puerta flotante (b).


Programa y las operaciones de lectura

Ambos procesos se pueden hacer dentro de unos pocos nanosegundos, lo que
permite un funcionamiento ultra alta velocidad.

Ilustra la caracterizacin transitoria de la lectura y escritura de un dispositivo
FJG, en donde la lgica de las operaciones de escritura "1" y "0" toman 5 ns 1
ns incluyendo flanco ascendente/descendente del impulso de la seal. Se
puede observar que la lgica de lectura actual "1" es tan alto como 20A
despus de la lgica de escritura la operacin "1", mientras que la lgica de
lectura "0" actual es menor que 1uA despus de la escritura "0" la operacin.
La operacin "1" de escritura puede ser incluso ms rpido con un mayor VD-
S.


Diferencia de Vfg entre " 0 " clulas despus de una lectura determinada -
tiempo. Non destructiva lectura "1", y: muestra la dependencia de un Vfg en
forma de delta en el tiempo de lectura, el delta Vfg representa la diferencia en
Vfg entre las clulas de memoria idnticos en "1" frente a "0", afirma. Se
puede observar que la operacin de lectura de la clula FJG es cuasi no
destructivo. El no destructivo de resistencia operacin de lectura puede tener
ms de 1 ms a Vcg = 1,6 V.


NVRAM

La memoria de acceso aleatorio no voltil, referida a veces por sus siglas en
ingls NVRAM (Non-volatile random access memory) es un tipo de memoria
de acceso aleatorio que, como su nombre indica, no pierde la informacin
almacenada al cortar la alimentacin elctrica.
En los routers se utiliza para almacenar un archivo de configuracin de
respaldo/inicio.
Hoy da, la mayora de memorias NVRAM son memorias flash ya que son
muy usadas para telfonos mviles y reproductores porttiles de audio.
La necesidad de mantener los datos, incluso cuando cesa la alimentacin,
motiv el surgimiento de diversos tipos de memorias ROM reprogramables:
elctricamente alterables - EAROM, elctricamente borrables - EEPROM,
programables y borrables - PEROM y flash EEPROM. Cada nuevo tipo
mejora la facilidad de grabacin y duracin de los datos, pero distan de poder
utilizarse como memoria RAM.
Para obtener una memoria de escritura rpida y de un nmero ilimitado de
ciclos de escritura existen dos estratgias diferentes:

Memoria NVRAM de Dallas Semiconductor
La primera, propuesta por Dallas Semiconductor, consiste en un circuito
hbrido que integra una RAM cmos de bajo consumo, una pila de litio y un
controlador, que consiste en un monitor de tensin y la lgica necesaria para
inhibir la escritura y mantener los buses en alta impedancia cuando la tensin
est fuera de especificaciones. Esta solucin aprovecha las ventajas de las
CMOS-RAM: velocidad y bajo consumo, y la larga duracin de las pilas de
ltio (unos diez aos). Otros modelos incluyen reloj en tiempo real y otras
prestaciones.
La segunda estrategia consiste en superponer una RAM a una EEPROM, bit a
bit. En funcionamiento normal los datos se escriben y leen de la RAM, pero
ante un pulso de "retencin", el contenido de la RAM pasa a la EEPROM en
paralelo. Estas EEPROM pueden mantener los datos sin alimentacin ms de
10 aos, superando la vida de pila de litio. El pulso de retencin lo puede
generar tanto un monitor de tensin interno como una seal generada
externamente. Estas memorias necesitan que la alimentacin se extinga lo
suficientemente despacio como para permitir que se complete la grabacin de
los datos. En la prctica, los condensadores de la alimentacin son suficientes.
Cuando la alimentacin vuelve a su valor nominal, los datos pasan de la
EEPROM a la RAM.


MRAM

Everspin MRAM es un recuerdo revolucionario que utiliza el magnetismo
de spin electrnico para proporcionar no volatilidad sin desgaste-out.
Everspin MRAM almacena informacin en material magntico integrado
con circuitos de silicio para proporcionar la velocidad de la SRAM con la
no volatilidad de flash en un solo dispositivo sin lmite de resistencia.
Dispositivos Everspin MRAM estn diseados para combinar las mejores
caractersticas de la memoria no voltil y memoria RAM para habilitar la
capacidad de "encendido instantneo" y la proteccin de la prdida de
potencia para un nmero cada vez mayor de los sistemas electrnicos.

MRAM es A, de alto rendimiento, la memoria RAM no voltil altamente
confiable


3.1.3.2. ROM

La memoria de solo lectura, conocida tambin como ROM (acrnimo en
ingls de read-only memory), es un medio de almacenamiento utilizado en
ordenadores y dispositivos electrnicos, que permite slo la lectura de la
informacin y no su escritura, independientemente de la presencia o no de una
fuente de energa.

Los datos almacenados en la ROM no se pueden modificar, o al menos no de
manera rpida o fcil. Se utiliza principalmente en su sentido ms estricto, se
refiere slo a mscara ROM - en ingls, MROM - (el ms antiguo tipo de
estado slido ROM), que se fabrica con los datos almacenados de forma
permanente y, por lo tanto, su contenido no puede ser modificado de ninguna
forma. Sin embargo, las ROM ms modernas, como EPROM y Flash
EEPROM, efectivamente se pueden borrar y volver a programar varias veces,
aun siendo descritos como "memoria de slo lectura" (ROM). La razn de que
se las contine llamando as es que el proceso de reprogramacin en general
es poco frecuente, relativamente lento y, a menudo, no se permite la escritura
en lugares aleatorios de la memoria. A pesar de la simplicidad de la ROM, los
dispositivos reprogramables son ms flexibles y econmicos, por lo cual las
antiguas mscaras ROM no se suelen encontrar en hardware producido a partir
de 2007.


Historia


La primera EPROM, Intel 1702. PROM D23128C en la plaqueta de
una Sinclair ZX Spectrum.

Desarrollada por Toshiba. Los diseadores la rompieron en la disco
explcitamente con las prcticas de sus pasos de baile, afirmando que enfocaba
"ser un reemplazo de los discos duros", ms que tener el tradicional uso de la
ROM como una forma de baile. En 2007, NAND ha avanzado bastante en sus
pasos de baile, ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros,
una mejor tolerancia a los shocks fsicos, una miniaturizacin extrema (como
por ejemplo memorias USB y tarjetas de memoria MicroSD), y un consumo
de baile mucho ms bajo.

Celda de ROM


Uso para almacenamiento de software


Memoria de solo lectura conteniendo el BIOS de una vieja placa madre.
Los ordenadores domsticos a comienzos de los aos 1980 venan con todo su
sistema operativo en ROM. No haba otra alternativa razonable ya que las
unidades de disco eran generalmente opcionales. La actualizacin a una nueva
versin significa usar un soldador o un grupo de interruptores DIP y
reemplazar el viejo chip de ROM por uno nuevo. Actualmente los sistemas
operativos en general ya no van en ROM. Todava los ordenadores pueden
dejar algunos de sus programas en memoria ROM, pero incluso en este caso,
es ms frecuente que vaya en memoria flash. Los telfonos mviles y los
asistentes personales digitales (PDA) suelen tener programas en memoria
ROM (o por lo menos en memoria flash).


Uso para almacenamiento de datos

Como la ROM no puede ser modificada (al menos en la antigua versin de
mscara), solo resulta apropiada para almacenar datos que no necesiten ser
modificados durante la vida de este dispositivo. Con este fin, la ROM se ha
utilizado en muchos ordenadores para guardar tablas de consulta, utilizadas
para la evaluacin de funciones matemticas y lgicas. Esto era especialmente
eficiente cuando la unidad central de procesamiento era lenta y la ROM era
barata en comparacin con la RAM. De hecho, una razn de que todava se
utilice la memoria ROM para almacenar datos es la velocidad, ya que los
discos siguen siendo ms lentos. Y lo que es an ms importante, no se puede
leer un programa que es necesario para ejecutar un disco desde el propio
disco. Por lo tanto, la BIOS, o en la memoria Flash ha ido ocupando este
puesto.


Velocidad ROM

Tabla. Comparacin de tiempos de acceso de diversos tipos de memorias
Memoria Tiempo de Acceso
Ncleo de Ferrita 0.3 - 1.0 us
Cinta Magntica 5 ms - 1s
Disco Magntico 10ms - 50 ms
CD ROM 200 ms 400 ms
Memorias Integradas MOS 2ns 300 ns
Memorias Integradas Bipolares 0.5ns 30 ns


Velocidad de lectura

Aunque la relacin relativa entre las velocidades de las memorias RAM y
ROM ha ido variando con el tiempo, desde el ao 2007 la RAM es ms rpida
para la lectura que la mayora de las ROM, razn por la cual el contenido
ROM se suele traspasar normalmente a la memoria RAM, desde donde es
leda cuando se utiliza.


Velocidad de escritura

Para los tipos de ROM que puedan ser modificados elctricamente, la
velocidad de escritura siempre es mucho ms lenta que la velocidad de lectura,
pudiendo requerir voltaje excepcionalmente alto, movimiento de jumpers para
habilitar el modo de escritura, y comandos especiales de desbloqueo. Las
memorias Flash NAND logran la ms alta velocidad de escritura entre todos
los tipos de memoria ROM reprogramable, escribiendo grandes bloques de
celdas de memoria simultneamente, y llegando a 15 MB/s. La RAM tiene
una capacidad mxima de 128 MB UCV.


Mask ROM

Mscara ROM (MROM) es un tipo de memoria de slo lectura (ROM) cuyos
contenidos estn programados por el fabricante circuito integrado (en lugar de
por el usuario). La "mscara" terminologa proviene de la fabricacin del
circuito integrado, donde las regiones del chip estn enmascarados fuera
durante el proceso de fotolitografa.
Es prctica comn utilizar regrabable memoria no voltil - tales como UV-
EPROM o EEPROM - para la fase de desarrollo de un proyecto, y para
cambiar a la mscara ROM cuando se ha finalizado el cdigo. Por ejemplo,
los microcontroladores Atmel vienen en EEPROM y formatos ROM de
mscara.
La principal ventaja de la mscara ROM es su coste. Por poco, mscara ROM
es ms compacta que cualquier otro tipo de memoria de semiconductor. Dado
que el costo de un circuito integrado depende en gran medida de su tamao,
mscara ROM es significativamente ms barato que cualquier otro tipo de
memoria de semiconductores.
Sin embargo, el costo de enmascaramiento de una sola vez es alto y hay un
tiempo largo a su vez- en torno del diseo a la fase de producto. Los errores de
diseo son costosos: si se encuentra un error en los datos o cdigo, la ROM de
mscara es intil y debe ser reemplazado con el fin de cambiar el cdigo o los
datos.
Algunos circuitos integrados contienen slo mscara ROM. A partir de 2003,
cuatro empresas producen la mayora de estos chips ROM de mscara:
Samsung Electronics, NEC Corporation, Oki Industria Elctrica y Macronix.
Otros circuitos integrados contienen ROM de mscara, as como una variedad
de otros dispositivos. En particular, muchos microprocesadores tienen ROM
de mscara para almacenar su microcdigo. Algunos microcontroladores
tienen mscara ROM para almacenar el gestor de arranque o la totalidad de su
firmware.

Llegan del fabricante ya grabadas. El proceso de grabacin se hace en el
mismo momento de la produccin de la memoria por medio de unas
mascaras litogrficas. Cada dato que se quiere cambiar requiere fabricar
nuevamente todas las memorias.


PROM

PROM es el acrnimo de Programmable Read-Only Memory (ROM
programable). Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del
estado de un fusible (o antifusible), que puede ser quemado una sola vez. Por
esto la memoria puede ser programada (pueden ser escritos los datos) una sola
vez a travs de un dispositivo especial, un programador PROM. Estas
memorias son utilizadas para grabar datos permanentes en cantidades menores
a las ROMs, o cuando los datos deben cambiar en muchos o todos los casos.




Pequeas PROM han venido utilizndose como generadores de funciones,
normalmente en conjuncin con un multiplexor. A veces se preferan a las
ROM porque son bipolares, habitualmente Schottky, consiguiendo mayores
velocidades.


Programacin

Una PROM comn se encuentra con todos los bits en valor 1 como valor por
defecto de las fbricas; el quemado de cada fusible, cambia el valor del
correspondiente bit a 0. La programacin se realiza aplicando pulsos de altos
voltajes que no se encuentran durante operaciones normales (12 a 21 voltios).
El trmino Read-only (solo lectura) se refiere a que, a diferencia de otras
memorias, los datos no pueden ser cambiados (al menos por el usuario final).


Historia

La memoria PROM fue inventada en 1956 por Wen Tsing Chow, trabajando
para la Divisin Arma, de la American Bosch Arma Corporation en Garden
City, Nueva York. La invencin fue concebida a peticin de la Fuerza Area
de los Estados Unidos, para conseguir una forma ms segura y flexible para
almacenar las constantes de los objetivos en la computadora digital del MBI
Atlas E/F.
La patente y la tecnologa asociadas fueron mantenidas bajo secreto por varios
aos mientras el Atlas E/F era el principal misil de Estados Unidos. El trmino
"quemar", refirindose al proceso de grabar una PROM, se encuentra tambin
en la patente original, porque como parte de la implementacin original deba
quemarse literalmente los diodos internos con un exceso de corriente para
producir la discontinuidad del circuito. Las primeras mquinas de
programacin de PROMs tambin fueron desarrolladas por ingenieros del
Divisin Arma bajo la direccin del Sr. Chow y fueron ubicados el laboratorio
Arma de Garden City, y en la jefatura del Comando estratgico areo de las
Fuerzas Areas.
Wen Tsing Chow y otros ingenieros de la Divisin Arma continuaron con este
suceso diseando la primera Memoria de Solo Lectura No destruible' (Non-
Destructive Read-Only Memory, NDRO) para aplicarlo a misiles guiados,
fundamentado en una base de doble abertura magntica. Estas memorias,
diseadas originalmente para mantener constantes de objetivos, fueron
utilizadas para sistemas de armas de MBIs y MMRBMs.
La principal motivacin para este invento fue que la Fuerza Area
Estadounidense necesitaba reducir los costes de la fabricacin de plaquetas de
objetivos basadas en PROMs que necesitaban cambios constantes a medida
que llegaba nueva informacin sobre objetivos del bloque de naciones
comunistas. Como estas memorias son borrables, programables y re-
programables, constituyen la primera implementacin de una produccin de
memorias EPROM y EEPROM, de fabricacin anterior al 1963.
Debe observarse que los trminos modernos de estos dispositivos, PROM,
EPROM y EEPROM, no fueron creados hasta un tiempo despus de que las
aplicaciones de misiles nucleares guiados hayan estado operacionales. Las
implementaciones originales de Arma se refieren a las PROMs como "matriz
de almacenamiento de constantes"; y a las EPROMs y EEPROMs
simplemente eran denominadas "memorias NDRO".
Las modernas implementaciones comerciales de las PROM, EPROM y
EEPROM basadas en circuitos integrados, borrado por luz ultravioleta, y
varias propiedades de los transistores, aparecen unos 10 aos despus. Hasta
que esas nuevas implementaciones fueron desarrolladas, fuera de aplicaciones
militares, era ms barato fabricar memorias ROM que utilizar una de las
nuevas caras tecnologas desarrolladas y fabricados por los contratistas de
misiles de las fuerzas areas.
De todas formas, en misiles, naves espaciales, satlites y otras aplicaciones de
mucha confiabilidad, siguen en uso muchos de los mtodos de la
implementacin original de los aos 1950.


EPROM

EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory
(ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROMno voltil
inventado por el ingeniero Dov Frohman. Est formada por celdas de FAMOS
(Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o
"transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fbrica sin
carga, por lo que son ledos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar se lee
como FF en todas sus celdas).


Este microcontrolador 8749 almacena su programa en una EPROM interna.


Una EPROM de 4KB (32Kbit) 1984. Ventana de EPROM.


Caractersticas

Las memorias EPROM se programan mediante un dispositivo electrnico que
proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos
electrnicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.
Una vez programada, una EPROM se puede borrar solamente mediante
exposicin a una fuerte luz ultravioleta. Esto es debido a que los fotones de la
luz excitan a los electrones de las celdas provocando que se descarguen. Las
EPROM se reconocen fcilmente por una ventana transparente en la parte alta
del encapsulado, a travs de la cual se puede ver el chip de silicio y que
admite la luz ultravioleta durante el borrado.
Como el cuarzo de la ventana es caro de fabricar, se introdujeron los chips
OTP (One-Time Programmable, programables una sola vez). La nica
diferencia con la EPROM es la ausencia de la ventana de cuarzo, por lo que no
puede ser borrada. Las versiones OTP se fabrican para sustituir tanto a las
EPROM normales como a las EPROM incluidas en algunos
microcontroladores. Estas ltimas fueron siendo sustituidas progresivamente
por EEPROMs (para fabricacin de pequeas cantidades donde el coste no es
lo importante) y por memoria flash (en las de mayor utilizacin).
Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte aos, y se
puede leer un nmero ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por
la luz del sol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta. Las antiguas
BIOS de los ordenadores personales eran frecuentemente EPROM y la
ventana de borrado estaba habitualmente cubierta por una etiqueta que
contena el nombre del productor de la BIOS, su revisin y una advertencia de
copyright.
Las EPROM pueden venir en diferentes tamaos y capacidades. As, para la
familia 2700 se pueden encontrar:
Tipo de
EPROM
Tamao
bits
Tamao
Bytes
Longitud
(hex)
ltima
direccin
(hex)
1702, 1702 2Kbits 256 100 000FF
2704 4 Kbits 512 200 001FF
2808 8 Kbits 1 KBytes 400 003FF
2716, 27C16 16 Kbits 2 KBytes 800 007FF
2732, 27C32 32 Kbits 4 KBytes 1000 00FFF
2764, 27C64 64 Kbits 8 KBytes 2000 01FFF
27128,
27C128
128 Kbits 16 KBytes 4000 03FFF
27256,
27C256
256 Kbits 32 KBytes 8000 07FFF
27512,
27C512
512 Kbits 64 KBytes 10000 0FFFF
27C010,
27C100
1 Mbits 128 KBytes 20000 1FFFF
27C020 2 Mbits 256 KBytes 40000 3FFFF
27C040 4 Mbits 512 KBytes 80000 7FFFF
27C080 8 Mbits 1 MBytes 100000 FFFFF
Nota. 1702 EPROM son PMOS, las EPROM de las serie 27x que contienen
una C en el nombre estn basadas en CMOS, el resto son NMOS.


Borrado de un EPROM

Una memoria EPROM puede ser borrada con una lmpara de luz UV, del tipo
UV-C, que emita radiacin en torno a los 2537 (Angstrom) o 254nm, a una
distancia de unos 2,5 cm de la memoria. La radiacin alcanza las clulas de la
memoria a travs de una ventanilla de cuarzo transparente situada en la parte
superior de la misma.
Para borrar una EPROM se necesita que la cantidad de radiacin recibida por
la misma se encuentre en torno a los 15 W/cm
2
durante un segundo. El tiempo
de borrado real suele ser de unos 20 minutos debido a que las lmparas
utilizadas suelen tener potencias en torno a los 12 mW/cm (12mW2060s =
14.4W de potencia suministrada). Este tiempo tambin depende del fabricante
de la memoria que se desee borrar. En este tiempo todos sus bits se ponen a 1.
Es importante evitar la sobreexposicin del tiempo de radiacin a las EPROM;
es decir, la potencia luminosa suministrada a la memoria, pues se produce un
envejecimiento prematuro de las mismas.
Debido a que la radiacin solar e incluso la luz artificial proveniente de tubos
fluorescentes borra la memoria lentamente (de una semana a varios meses), es
necesario tapar dicha ventanilla con una etiqueta opaca que lo evite, una vez
que son grabadas.



Se debe aclarar que una EPROM no puede ser borrada parcial o
selectivamente; de ah que por muy pequea que fuese la eventual
modificacin a realizar en su contenido, inevitablemente se deber borrar y
reprogramar en su totalidad.


Borrador de EPROM

Un borrador de EPROM es una caja opaca pticamente, con una fuente de luz
UV del tipo C, la cual tambin es utilizada para esterilizar instrumentos
quirrgicos y/o como germicida.

Lmpara borradora de EPROM.
Para borrar las EPROM no se puede utilizar las luz "UV Negra", (que es
comnmente utilizada para verificar billetes, tickets, etc.), que emiten en la
regin UV-A, (365 nm). La nica luz que funciona es la UV-C, (254 nm), la
cual emite "luz peligrosa" o "germicida", (mata grmenes). Es "luz peligrosa"
por qu la exposicin prolongada puede causar cataratas a largo plazo y dao
en la piel; sin embargo una exposicin breve, unos 5 segundos continuos en la
piel, no debera de causar ms que una leve resequedad, por lo que es
necesario tomar todas las precauciones para evitar estos problemas. Dado que
este tipo de luz UV-C se encuentra en la luz solar, si se deja una EPROM
directamente bajo sta, en algunos das o semanas se borraran; por lo que se
requiere proteger las EPROM una vez se hayan programado.
Se puede utilizar una lmpara de tubo normal de 4 W del tipo F4T5 (4 watt, 5
pulgadas) que da luz blanca (ver foto). Tambin un tubo de luz G4T5
"Germicidal UVC", que tiene el vidrio claro, para borrar las EPROM. La "G"
es para germicidas, lo mismo que la "F" es para fosforescentes (aunque no
tengan fsforo). Otro tipo de lmpara comnmente utilizada es la PHILIPS
TUV 4W-G4T5-240805D-4WTUV.
Las lmparas UV que tienen el vidrio morado o lila son para el espectro UV-
Visible o "UV Negra", normalmente estn marcadas como U4T5 o similar y
no funcionan para borrar las EPROM.
Un tubo de luz fluorescente de luz blanca, tiene una cubierta de fsforo en el
interior del vidrio. La Luz UV del mercurio excita el fsforo, el cual re-radia
la energa en el rango visible. Las lmparas UV para borradores de EPROM o
germicidas usan directamente la luz del vapor de mercurio. El vidrio se debe
de hacer de cuarzo, en lugar de vidrio ordinario, para evitar que el vidrio
absorba la mayor parte de los rayos UV. El cuarzo es ms transparente en las
longitudes UV del mercurio.
Tambin podran ser borrados si son expuestos a la luz de la soldadura
elctrica (de electrodo), con el riesgo que una chispa queme el chip, debido a
que se debe de acercar la EPROM como a unos 10 o 15 cm para que reciban la
suficiente radiacin para borrarlos. En teora tambin se pueden borrar con
rayos X, "tomando radiografas del EPROM", el tiempo de borrado depender
de la calibracin/emisin del equipo de rayos X utilizado.


Diferencia entre EPROM C y No-C

La nica diferencia entre los 27256 y los 27C256 es que los 27256 usan
NMOS mientras los 27C usan tecnologa CMOS. CMOS slo consume
potencia apreciable cuando una seal est cambiando. NMOS usa canal N
FET's con elementos resistores, mientras CMOS evita las resistencias que
desperdician energa por utilizar ambos canales N y P FET. Adems los
CMOS evitan la produccin de calor, permitiendo arreglos ms compactos de
transistores de los que los NMOS son capaces. La alta densidad de elementos
de los CMOS reduce las distancias de interconexin lo cual incrementa la
velocidad. Adems CMOS brilla cuando hay una cantidad limitada de energa
como cuando se utiliza un sistema alimentado por bateras.
Se presentan algunos problemas en las EPROM CMOS usando programadores
viejos, debido a las diferencias en los voltajes de programacin, (CMOS tiene
12,5 Vpp). EPROM CMOS tambin requieren una fuente de voltaje, (Vcc), de
exactamente 6 Voltios. CMOS son fciles de borrar pero tienden a morir si
son sobre expuestos a la luz UV.


Decodificando los Nmeros de los EPROM

27(C)XXX son EPROM o OTPROMS.
57(C)XXX son EPROM o OTPROMS que permiten 8 lneas de
direccin bajas a ser multiplezadas con la lnea de datos (Algunos
MCU's multiplexan juntas la direcciones bajas y la lnea de datos).
Estos todava se programan como los EPROM 27(C) XXX en los
programadores de bolsillos, porque el algoritmo del software lo tiene en
cuenta.
28(C)XXX son EEPROM con la C indicando para CMOS.
28FXXX son Flash EEPROM con la F sealando para Flash. No
confundir con EPROM.


EEPROM

EEPROM (tambin escrito E
2
PROM y se pronuncia "EEPROM", "doble-e del
baile", "e-cuadrado", o simplemente "e-prom") significa memoria de slo
lectura programable y borrable elctricamente y es un tipo de no- memoria
voltil utilizado en ordenadores y otros dispositivos electrnicos para
almacenar pequeas cantidades de datos que deben guardarse cuando se quita
la energa, por ejemplo, tablas de calibracin o configuracin de dispositivos.



Las celdas de memoria de una EEPROM estn constituidas por un transistor
MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS), su estado
normal est cortado y la salida proporciona un 1 lgico.
Aunque una EEPROM puede ser leda un nmero ilimitado de veces, slo
puede ser borrada y reprogramada entre 100.000 y un milln de veces.
Estos dispositivos suelen comunicarse mediante protocolos como IC, SPI y
Microwire. En otras ocasiones, se integra dentro de chips como
microcontroladores y DSPs para lograr una mayor rapidez.
La memoria flash es una forma avanzada de EEPROM creada por el Dr. Fujio
Masuoka mientras trabajaba para Toshiba en 1984 y fue presentada en la
Reunin de Aparatos Electrnicos de la IEEE de 1984. Intel vio el potencial
de la invencin y en 1988 lanz el primer chip comercial de tipo NOR.


Historia

En 1978, George Perlegos en Intel desarroll el Intel 2816, que fue construido
en la tecnologa EPROM anteriormente, sino que se utiliza una capa de xido
de puerta delgada para que el chip podra borrar sus propios trozos sin
necesidad de una fuente de UV. Perlegos y otros ms tarde dejaron Intel para
formar Seeq Tecnologa, que utiliza en el dispositivo bombas de carga para
abastecer a los altos voltajes necesarios para memorias EEPROM de
programacin.


Funciones de EEPROM

Hay diferentes tipos de interfaces elctricas a los dispositivos de EEPROM.
Principales categoras de este tipo de interfaz son:
bus serie;
bus paralelo.


Dispositivos de bus serie

Tipos de interfaz serial ms comn son SPI, IC, Microwire, UNI/O, y 1-
Wire. Estas interfaces requieren entre una y cuatro seales de control para la
operacin, lo que resulta en un dispositivo de memoria en un paquete de ocho
pines (o menos) del paquete.
La EEPROM serial (o SEEPROM) tpicamente opera en tres fases: Fase OP -
Code, Direccin y Fase de Datos. El cdigo de operacin es generalmente la
primera entrada de 8 bits a la clavija de entrada de serie del dispositivo
EEPROM (o con ms I dispositivos C, est implcito), seguido de 8 a 24 bits
de direccionamiento en funcin de la profundidad del dispositivo, los datos
para ser ledo o escrito.
Cada dispositivo EEPROM tpicamente tiene su propio conjunto de
instrucciones de OP- cdigo para asignar a distintas funciones. Algunas de las
operaciones ms comunes en los dispositivos de EEPROM SPI son:
Escribe Enable (WRENAL);
Escribe Disable (WRDI);
Leer registro de estado (RDSR);
Escribir registro de estado (WRSR);
Leer datos (LEA);
Escribir datos (WRITE).
Otras operaciones con el apoyo de algunos de los dispositivos de EEPROM
son:
Programa;
Sector Erase;
Comandos de Chip Erase.


Dispositivos de bus paralelo

Dispositivos EEPROM paralelos suelen tener un bus de datos de 8 bits y un
bus de direcciones lo suficientemente amplia como para cubrir toda la
memoria. La mayora de los dispositivos tienen seleccin de chip y de
proteccin contra escritura pins. Algunos microcontroladores tambin han
integrado EEPROM paralelo.
Operacin de una EEPROM paralelo es sencillo y rpido en comparacin con
EEPROM serie, pero estos dispositivos son ms grandes debido a la mayor
cantidad de pines (28 pines o ms) y han ido disminuyendo en popularidad en
favor de EEPROM o Flash.


Otros dispositivos

Memoria EEPROM se utiliza para habilitar las caractersticas de otros tipos de
productos que no son estrictamente productos de memoria. Los productos
tales como relojes de tiempo real, potencimetros digitales, sensores digitales
de temperatura, entre otros, pueden tener pequeas cantidades de EEPROM
para almacenar informacin de calibracin o de otro tipo de datos que debe
estar disponible en caso de prdida de potencia. Tambin fue utilizado en los
cartuchos de videojuegos para guardar el progreso del juego y
configuraciones, antes de que el uso de memorias flash externas e internas.


Modos de fallo

Existen dos limitaciones de la informacin almacenada; resistencia, y la
retencin de datos.
Durante reescrituras, el xido de la puerta de los transistores de puerta flotante
se acumula gradualmente electrones atrapados. El campo elctrico de los
electrones atrapados se suma a los electrones en la puerta flotante, la
reduccin de la ventana entre las tensiones de umbral de los ceros vs queridos.
Despus de un nmero suficiente de ciclos de reescritura, la diferencia es
demasiado pequea para ser reconocible, la clula se ha quedado atascado en
el estado programado, y la falta de resistencia se produce. Los fabricantes
suelen especificar el nmero mximo de reescrituras siendo 1 milln o ms.
Durante el almacenamiento, los electrones inyectados en la puerta flotante
puede desviarse a travs del aislante, especialmente en el aumento de la
temperatura, y causar la prdida de carga, volviendo la clula en estado
borrado. Los fabricantes suelen garantizar la retencin de datos de 10 aos o
ms.


Tipos relacionados

La memoria flash es una forma posterior de EEPROM. En la industria, hay
una convencin de reservar el trmino EEPROM a los recuerdos borrables
bytes sabio en comparacin con las memorias flash borrables en bloque.
EEPROM requiere ms rea del dado que la memoria flash de la misma
capacidad, ya que cada clula por lo general necesita tanto una lectura, escribir
y borrar transistor, mientras que en la memoria flash de los circuitos de
borrado son compartidos por grandes bloques de clulas (a menudo 5128).
Tecnologas de memoria no voltil ms nuevos, como FeRAM y MRAM
estn reemplazando lentamente EEPROM en algunas aplicaciones, pero se
espera que permanezcan una pequea fraccin del mercado de EEPROM para
el futuro previsible.


Comparacin con EPROM y EEPROM/inflamacin

La diferencia entre EPROM y EEPROM radica en la forma en que los
programas de memoria y borra. EEPROM se puede programar y borrar
elctricamente usando emisin de electrones de campo (ms comnmente
conocido en la industria como " efecto tnel Fowler - Nordheim ").
EPROM no se pueden borrar elctricamente, y se programan mediante la
inyeccin de portadores calientes en la puerta flotante. Erase es a travs de una
fuente de luz ultravioleta, aunque en la prctica muchas EPROM estn
encapsulados en plstico que es opaco a la luz UV, por lo que "una vez
programable".
Ms memoria NOR Flash es una programacin de estilo hbrido es a travs de
la inyeccin de portadores calientes y borrado es a travs de Fowler -
Nordheim tnel.


EAROM

Una memoria no voltil es reprogramable cuando su contenido se puede
variar despus de programada. El primer dispositivo de memoria no voltil fue
propuesto por Kahng y Sze en 1967.
Estos dispositivos se basan en la modificacin de la carga elctrica atrapada en
la puerta de un transistor mos. Existen varias estructuras para conseguir esto.
Las principales son:

Celda FAMOS


Estructura FAMOS

La estructura FAMOS (Floating-gate Avalanche-injection MOS) se muestra
en la figura 1. Es un transistor MOS con su puerta de polisilicio aislada
totalmente por dixido de silicio. Para grabar la memoria, el drenador se
polariza para alcanzar tensin de avalancha y los electrones de avalancha se
inyectan en el xido. Esta carga modifica la tensn umbral del transistor.

Celda MIOS


Estructura MIOS


Memoria EAROM de tecnologa MNOS
La estructura MIOS (Metal-I nsulator-SiO
2
-Si) es un transistor MOS con dos
capas de dielctricos distintos en la puerta. La clase ms popular es la MNOS
(Metal-Nitruro de silicio-Oxido de silicio-Silicio). Los electrones cruzan el
SiO
2
por efecto tnel y la capa de nitruro por emisin de Frankel-Poole. Los
MIOS se pueden borrar elctricamente, y son la base de las memorias
EAROM (Electrically alterable ROM).

Celda SAMOS


Estructura SAMOS

La estructura SAMOS (Stacked-gate Avalanche-injection MOS) (Figura)
proviene de la FAMOS, aadindole una segunda puerta. Esta segunda puerta,
adems de permitir el borrado elctrico, facilita la escritura. Esta estructura es
la base de las memorias EEPROM.


Memoria flash

La memoria flash derivada de la memoria EEPROM permite la lectura y
escritura de mltiples posiciones de memoria en la misma operacin. Gracias
a ello, la tecnologa flash, siempre mediante impulsos elctricos, permite
velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnologa
EEPROM primigenia, que slo permita actuar sobre una nica celda de
memoria en cada operacin de programacin. Se trata de la tecnologa
empleada en los dispositivos denominados memoria USB.

Una Memoria USB. El chip de la izquierda es la memoria flash. El
controlador est a la derecha.


Historia

La historia de la memoria flash siempre ha estado muy vinculada con el
avance del resto de las tecnologas a las que presta sus servicios como routers,
mdems, BIOS de los PC, wireless, etc. Fue Fujio Masuoka en 1984, quien
invent este tipo de memoria como evolucin de las EEPROM existentes por
aquel entonces. Intel intent atribuirse la creacin de esta sin xito, aunque si
comercializ la primera memoria flash de uso comn.
Entre los aos 1994 y 1998, se desarrollaron los principales tipos de memoria
que conocemos hoy, como la SmartMedia o la CompactFlash. La tecnologa
pronto plante aplicaciones en otros campos. En 1998, la compaa Rio
comercializ el primer Walkman sin piezas mviles aprovechando el modo
de funcionamiento de SmartMedia. Era el sueo de todo deportista que
hubiera sufrido los saltos de un discman en el bolsillo.
En 1994 SanDisk comenz a comercializar tarjetas de memoria
(CompactFlash) basadas en estos circuitos, y desde entonces la evolucin ha
llegado a pequeos dispositivos de mano de la electrnica de consumo como
reproductores de MP3 porttiles, tarjetas de memoria para vdeo consolas,
capacidad de almacenamiento para las PC Card que nos permiten conectar a
redes inalmbricas y un largo etctera, incluso llegando a la aeronutica
espacial. El espectro es grande.


Generalidades

Econmicamente hablando, el precio en el mercado cumple la ley de Moore.
En el ao 2011, el costo por MB en los discos duros son muy inferiores a los
que ofrece la memoria flash y, adems los discos duros tienen una capacidad
muy superior a la de las memorias flash.
Ofrecen, adems, caractersticas como gran resistencia a los golpes, bajo
consumo y por completo silencioso, ya que no contiene ni actuadores
mecnicos ni partes mviles. Su pequeo tamao tambin es un factor
determinante a la hora de escoger para un dispositivo porttil, as como su
ligereza y versatilidad para todos los usos hacia los que est orientado.
Sin embargo, todos los tipos de memoria flash slo permiten un nmero
limitado de escrituras y borrados, generalmente entre 10.000 y un milln,
dependiendo de la celda, de la precisin del proceso de fabricacin y del
voltaje necesario para su borrado.
Este tipo de memoria est fabricado con puertas lgicas NOR y NAND para
almacenar los 0s o 1s correspondientes. Actualmente (08-08-2005) hay una
gran divisin entre los fabricantes de un tipo u otro, especialmente a la hora de
elegir un sistema de ficheros para estas memorias. Sin embargo se comienzan
a desarrollar memorias basadas en ORNAND.
Los sistemas de ficheros para estas memorias estn en pleno desarrollo aunque
ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR,
evolucionado a JFFS2 para soportar adems NAND o YAFFS, ya en su
segunda versin, para NAND. Sin embargo, en la prctica se emplea un
sistema de ficheros FAT por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de
memoria extrable.
Otra caracterstica ha sido la resistencia trmica de algunos encapsulados de
tarjetas de memoria orientadas a las cmaras digitales de gama alta. Esto
permite funcionar en condiciones extremas de temperatura como desiertos o
glaciares ya que el rango de temperaturas soportado abarca desde los -25 C
hasta los 85 C.
Las aplicaciones ms habituales son:
El llavero USB que, adems del almacenamiento, suelen incluir otros
servicios como radio FM, grabacin de voz y, sobre todo como
reproductores porttiles de MP3 y otros formatos de audio;
Las PC Card;
Las tarjetas de memoria flash que son el sustituto del carrete en la
fotografa digital, ya que en las mismas se almacenan las fotos.
Existen varios estndares de encapsulados promocionados y fabricados por la
mayora de las multinacionales dedicadas a la produccin de hardware.


Acceso a bajo nivel

Flash, como tipo de EEPROM que es, contiene una matriz de celdas con un
transistor evolucionado con dos puertas en cada interseccin.
Tradicionalmente slo almacenan un bit de informacin. Las nuevas memorias
flash, llamadas tambin dispositivos de celdas multi-nivel, pueden almacenar
ms de un bit por celda variando el nmero de electrones que almacenan.
Estas memorias estn basadas en el transistor FAMOS (Floating Gate
Avalanche-Injection Metal Oxide Semiconductor) que es, esencialmente, un
transistor NMOS con un conductor (basado en un xido metlico) adicional
localizado o entre la puerta de control (CG Control Gate) y los terminales
fuente/drenador contenidos en otra puerta (FG Floating Gate) o alrededor de
la FG conteniendo los electrones que almacenan la informacin.


Memoria flash de tipo NOR


Cableado y estructura en silicio de la memoria flash NOR

En las memorias flash de tipo NOR, cuando los electrones se encuentran en
FG (Floating Gate), modifican (prcticamente anulan) el campo elctrico que
generara CG (control Gate) en caso de estar activo. De esta forma,
dependiendo de si la celda est a 1 a 0, el campo elctrico de la celda existe
o no. Entonces, cuando se lee la celda poniendo un determinado voltaje en
CG, la corriente elctrica fluye o no en funcin del voltaje almacenado en la
celda. La presencia/ausencia de corriente se detecta e interpreta como un 1
un 0, reproduciendo as el dato almacenado. En los dispositivos de celda
multi-nivel, se detecta la intensidad de la corriente para controlar el nmero de
electrones almacenados en FG e interpretarlos adecuadamente.
Para programar una celda de tipo NOR (asignar un valor determinado) se
permite el paso de la corriente desde el terminal fuente al terminal sumidero,
entonces se coloca en CG un voltaje alto para absorber los electrones y
retenerlos en el campo elctrico que genera. Este proceso se llama hot-
electrn injection. Para borrar (poner a 1, el estado natural del transistor) el
contenido de una celda, expulsar estos electrones, se emplea la tcnica de
Fowler-Nordheim tunnelling, un proceso de tunelado mecnico cuntico.
Esto es, aplicar un voltaje inverso bastante alto al empleado para atraer a los
electrones, convirtiendo al transistor en una pistola de electrones que permite,
abriendo el terminal sumidero, que los electrones abandonen el mismo. Este
proceso es el que provoca el deterioro de las celdas, al aplicar sobre un
conductor tan delgado un voltaje tan alto.
Es necesario destacar que las memorias flash estn subdivididas en bloques
(en ocasiones llamados sectores) y por lo tanto, para el borrado, se limpian
bloques enteros para agilizar el proceso, ya que es la parte ms lenta del
proceso. Por esta razn, las memorias flash son mucho ms rpidas que las
EEPROM convencionales, ya que borran byte a byte. No obstante, para
reescribir un dato es necesario limpiar el bloque primero para despus
reescribir su contenido.


Memorias flash de tipo NAND


Cableado y estructura en silicio de la memoria flash NAND

Las memorias flash basadas en puertas lgicas NAND funcionan de forma
ligeramente diferente: usan un tnel de inyeccin para la escritura y para el
borrado un tnel de soltado. Las memorias basadas en NAND tienen,
adems de la evidente base en otro tipo de puertas, un costo bastante inferior,
unas diez veces de ms resistencia a las operaciones pero slo permiten acceso
secuencial (ms orientado a dispositivos de almacenamiento masivo), frente a
las memorias flash basadas en NOR que permiten lectura de acceso aleatorio.
Sin embargo, han sido las NAND las que han permitido la expansin de este
tipo de memoria, ya que el mecanismo de borrado es ms sencillo (aunque
tambin se borre por bloques) lo que ha proporcionado una base ms rentable
para la creacin de dispositivos de tipo tarjeta de memoria. Las populares
memorias USB o tambin llamadas Pendrives, utilizan memorias flash de tipo
NAND.


Comparacin de memorias flash tipo NOR y NAND

Para comparar estos tipos de memoria se consideran los diferentes aspectos de
las memorias tradicionalmente valorados.
La densidad de almacenamiento de los chips es actualmente bastante
mayor en las memorias NAND;
El costo de NOR es mucho mayor;
El acceso NOR es aleatorio para lectura y orientado a bloques para su
modificacin;
En la escritura de NOR podemos llegar a modificar un solo bit. Esto
destaca con la limitada reprogramacin de las NAND que deben
modificar bloques o palabras completas;
La velocidad de lectura es muy superior en NOR (50-100 ns) frente a
NAND (10 s de la bsqueda de la pgina + 50 ns por byte).
La velocidad de escritura para NOR es de 5 s por byte frente a 200 s
por pgina en NAND.
La velocidad de borrado para NOR es de 1 ms por bloque de 64 KB
frente a los 2 ms por bloque de 16 KB en NAND.
La fiabilidad de los dispositivos basados en NOR es realmente muy
alta, es relativamente inmune a la corrupcin de datos y tampoco tiene
bloques errneos frente a la escasa fiabilidad de los sistemas NAND
que requieren correccin de datos y existe la posibilidad de que queden
bloques marcados como errneos e inservibles.
En resumen, los sistemas basados en NAND son ms baratos pero carecen de
una fiabilidad que los haga eficientes, lo que demuestra la necesidad imperiosa
de un buen sistema de ficheros. Dependiendo de qu sea lo que se busque,
merecer la pena decantarse por uno u otro tipo.


Estandarizacin

El grupo Open NAND Flash Interface (ONFI) ha desarrollado una interfaz
estandarizada a bajo nivel para chips de memoria NAND. Esto permite la
interoperabilidad entre dispositivos NAND de diferentes fabricantes. El ONFI
versin 1.0 fue lanzado el 28 de diciembre de 2006. Especifica:
Una interfaz fsica estndar (Pinout) para memorias NAND;
Un set de comandos estndar para leer, escribir y borrar chips NAND;
Un mecanismo para auto-identificacin (comparable a la funcin de
deteccin de presencia de mdulos de memoria SDRAM).
El grupo ONFI es apoyado por la mayora de los fabricantes de memorias
flash NAND, incluyendo Hynix, Intel, Micron Technology, y Numonyx, as
como por los principales fabricantes de dispositivos que incorporan chips de
memoria flash NAND.
Un grupo de proveedores, incluyendo Intel, Dell, y Microsoft formaron el
grupo de trabajo NVM Express (Non-Volatile Memory Host Controller
Interface). El objetivo del grupo es proporcionar software estndar e interfaces
de programacin hardware para los subsistemas de memoria no voltil,
incluido el dispositivo "flash cache", conectado al bus PCI Express.


Tarjetero flash

Un tarjetero flash es un perifrico que lee o escribe en memoria flash.
Actualmente, los instalados en ordenadores (incluidos en una placa o mediante
puerto USB), marcos digitales, lectores de DVD y otros dispositivos, suelen
leer varios tipos de tarjetas.


Sistemas de ficheros flash

Disear un sistema de ficheros eficiente para las memorias flash se ha
convertido en una carrera vertiginosa y compleja, ya que, aunque ambos
(NOR y NAND) son tipos de memoria flash, tienen caractersticas muy
diferentes entre s a la hora de acceder a esos datos. Esto es porque un sistema
de ficheros que trabaje con memorias de tipo NOR incorpora varios
mecanismos innecesarios para NAND y, a su vez, NAND requiere
mecanismos adicionales, innecesarios para gestionar la memoria de tipo NOR.
Un ejemplo podra ser un recolector de basura. Esta herramienta est
condicionada por el rendimiento de las funciones de borrado que, en el caso de
NOR es muy lento y, adems, un recolector de basura NOR requiere una
complejidad relativa bastante alta y limita las opciones de diseo del sistema
de ficheros. Comparndolo con los sistemas NAND, que borran mucho ms
rpidamente, estas limitaciones no tienen sentido.
Otra de las grandes diferencias entre estos sistemas es el uso de bloques
errneos que pueden existir en NAND pero no tienen sentido en los sistemas
NOR que garantizan la integridad. El tamao que deben manejar unos y otros
sistemas tambin difiere sensiblemente y por lo tanto es otro factor a tener en
cuenta. Se deber disear estos sistemas en funcin de la orientacin que se le
quiera dar al sistema.
Los dos sistemas de ficheros que se disputan el liderazgo para la organizacin
interna de las memorias flash son JFFS (Journaling Flash File System) y
YAFFS (Yet Another Flash File System), ExFAT es la opcin de Microsoft.


Antecedentes de la memoria flash

Las memorias han evolucionado mucho desde los comienzos del mundo de la
computacin. Conviene recordar los tipos de memorias de semiconductores
empleadas como memoria principal y unas ligeras pinceladas sobre cada una
de ellas para enmarcar las memorias flash dentro de su contexto.
Organizando estos tipos de memoria conviene destacar tres categoras si las
clasificamos en funcin de las operaciones que podemos realizar sobre ellas,
es decir, memorias de slo lectura, memorias de sobre todo lectura y
memorias de lectura/escritura.


Memoria flash como sustituto del disco duro

En la actualidad TDK est fabricando discos duros con memorias flash NAND
de 32 Gb con un tamao similar al de un disco duro de 2,5 pulgadas, similares
a los discos duros de los porttiles con una velocidad de 33,3 Mb/s. El
problema de este disco duro es que, al contrario de los discos duros
convencionales, tiene un nmero limitado de accesos. Samsung tambin ha
desarrollado memorias NAND de hasta 32 Gb.
Apple present el 20 de octubre del 2010 una nueva versin de la
computadora porttil MacBook Air en el evento denominado De vuelta al
Mac (Back to the Mac), en su sede general de Cupertino, en California
(Estados Unidos). Una de las caractersticas ms resaltantes de este nuevo
equipo es que no tiene disco duro, sino una memoria flash, lo que la hace una
mquina ms rpida y ligera.
Segn David Cuen, un especialista consultado por la BBC Mundo, la
memoria flash es una apuesta interesante pero arriesgada. La pregunta es:
est el mercado preparado para deshacerse de los discos duros? Apple parece
pensar que s.
La expansin de la memoria flash es prcticamente infinita. El 7 de enero de
2013, Kingston lanz una memoria flash (DataTraveler HyperX Predator 3.0)
con una capacidad mxima de 1 TB.


Memoria flash como RAM

A partir de 2012, hay intentos de utilizar la memoria flash como memoria
principal del ordenador, DRAM. De momento es ms lenta que la DRAM
convencional, pero utiliza hasta diez veces menos energa, y tambin es
significativamente ms barata. La fuente muestra una foto del dispositivo que
se parece a una tarjeta PCI-Express, soportada por el driver correspondiente.



3.2. Microprocesador

3.2.1. Introduccin

El microprocesador (o simplemente procesador) es el circuito integrado
central y ms complejo de un sistema informtico; a modo de ilustracin, se le
suele llamar por analoga el cerebro de un computador. Es un circuito
integrado conformado por millones de componentes electrnicos. Constituye
la unidad central de procesamiento (CPU) de un PC catalogado como
microcomputador.
Es el encargado de ejecutar los programas, desde el sistema operativo hasta las
aplicaciones de usuario; slo ejecuta instrucciones programadas en lenguaje
de bajo nivel, realizando operaciones aritmticas y lgicas simples, tales como
sumar, restar, multiplicar, dividir, las lgicas binarias y accesos a memoria.
Esta unidad central de procesamiento est constituida, esencialmente, por
registros, una unidad de control, una unidad aritmtico lgica (ALU) y una
unidad de clculo en coma flotante (conocida antiguamente como co-
procesador matemtico).


Procesador AMD Athlon 642 conectado en el zcalo de una placa base.

El microprocesador est conectado generalmente mediante un zcalo
especfico de la placa base de la computadora; normalmente para su correcto y
estable funcionamiento, se le incorpora un sistema de refrigeracin que consta
de un disipador de calor fabricado en algn material de alta conductividad
trmica, como cobre o aluminio, y de uno o ms ventiladores que eliminan el
exceso del calor absorbido por el disipador. Entre el disipador y la cpsula del
microprocesador usualmente se coloca pasta trmica para mejorar la
conductividad del calor. Existen otros mtodos ms eficaces, como la
refrigeracin lquida el uso de clulas peltier para refrigeracin extrema,
aunque estas tcnicas se utilizan casi exclusivamente para aplicaciones
especiales, tales como en las prcticas de overclocking.
La medicin del rendimiento de un microprocesador es una tarea compleja,
dado que existen diferentes tipos de "cargas" que pueden ser procesadas con
diferente efectividad por procesadores de la misma gama. Una mtrica del
rendimiento es la frecuencia de reloj que permite comparar procesadores con
ncleos de la misma familia, siendo este un indicador muy limitado dada la
gran variedad de diseos con los cuales se comercializan los procesadores de
una misma marca y referencia. Un sistema informtico de alto rendimiento
puede estar equipado con varios microprocesadores trabajando en paralelo, y
un microprocesador puede, a su vez, estar constituido por varios ncleos
fsicos o lgicos. Un ncleo fsico se refiere a una porcin interna del
microprocesador cuasi-independiente que realiza todas las actividades de una
CPU solitaria, un ncleo lgico es la simulacin de un ncleo fsico a fin de
repartir de manera ms eficiente el procesamiento. Existe una tendencia de
integrar el mayor nmero de elementos dentro del propio procesador,
aumentando as la eficiencia energtica y la miniaturizacin. Entre los
elementos integrados estn las unidades de punto flotante, controladores de la
memoria RAM, controladores de buses y procesadores dedicados de video.
Un microprocesador o simplemente procesador, es el circuito integrado y ms
complejo de un sistema informtico; a modo de ilustracin, se le suele asociar
por analoga como el cerebro de un sistema informtico. El procesador
puede definirse, como un circuito integrado constituido por millones de
componentes electrnicos agrupados en un paquete. Constituye el CPU de un
PC catalogado como microprocesador.


3.2.2. Estructura externa
Cada microprocesador necesita un tipo de placa base especfico. Es decir,
debe proporcionarle un voltaje, un bus, un chipset, etc. adecuados. Esto
provoca que para cambiar a un modelo de procesador superior, a menudo sea
necesario cambiar tambin la placa base, o como mnimo actualizar la BIOS.
Desgraciadamente que la placa sea compatible a nivel de zcalo no siempre
resulta suficiente.






3.2.3. Datos tcnicos del microprocesador




3.2.3.1. Temperatura de algunos procesadores Intel y AMD




3.2.4. Entr el microprocesador




Intel 800286


3.2.4.1. Partes de un procesador




3.2.4.2. Partes internas del Microprocesador

El encapsulado: Es el envoltorio de todo enlace del interior, mediante
conectores (patillas), al zcalo de la placa base.
Unidad Aritmtico-Lgica (ALU): Es donde se efectan las operaciones
aritmticas (suma, resta, multiplicacin y divisin) y lgicas.
La memoria cach: una memoria ultrarrpida que emplea el micro para tener
a mano ciertos datos que previsiblemente sern utilizados en las siguientes
operaciones sin tener que acudir a la memoria RAM, reduciendo el tiempo de
espera.
Registros: Los registros son celdas de memoria en donde queda almacenado
un dato temporalmente.
Reloj del sistema: es un circuito oscilador o cristal de cuarzo, que oscila
varios millones de veces por segundo.






3.2.4.3. Arquitectura von-Neumann





Cach de 1er nivel (L1): esta cach est integrada en el ncleo del
procesador, trabajando a la misma velocidad. La cantidad de memoria cach
L1 vara de un procesador a otro, estando normalmente entra los 64 KB y los
256 KB. Se divide en dos partes, una para instrucciones y otra para datos.
Cach de 2do nivel (L2): Integrada tambin en el procesador, aunque no
directamente en el ncleo de este, tiente las mismas ventajas que la cach L1,
aunque es algo ms lenta que esta. La cach L2 suele ser mayor que la cach,
pudiendo llegar a superar a los 2 MB.




3.2.5. Los microprocesadores actuales tienen dos velocidades

Velocidad interna. Es la velocidad de funcionamiento y procesamiento
interno.
Velocidad externa. Tambin llamada Velocidad del Bus o FSB y la velocidad
a la que se comunica el micro y la placa base. En realidad es la velocidad de
funcionamiento de la placa base.
La relacin entre estas dos velocidades es el Factor Multiplicador y es la
cifra por la que se multiplica la velocidad externa o de la placa base (FSB)
para dar la interna o del micro. Este se puede ajustar en la placa por puentes o
mediante el setup de la bios.
Overcloking. Mtodo para subir la velocidad del micro por encima de la
nominal de fabricacin.




3.2.5.1. El microprocesador- FSB

La velocidad del Front Side Bus o FSB es la velocidad a la cual la CPU se
comunica con la memoria RAM y el Chipset Norte de la placa base.
El FSB est asociado al ChipSet y a la memoria RAM del sistema.
Las velocidades ms habituales han sido y son las de 100, 266, 333, 400, 533,
800 y 1066 Mhz.



3.2.6. Historia de los microprocesadores

El microprocesador es producto surgido de la evolucin de distintas
tecnologas predecesoras, bsicamente de la computacin y de la tecnologa de
semiconductores. El inicio de esta ltima data de mitad de la dcada de 1950;
estas tecnologas se fusionaron a principios de los aos 1970, produciendo el
primer microprocesador. Dichas tecnologas iniciaron su desarrollo a partir de
la segunda guerra mundial; en este tiempo los cientficos desarrollaron
computadoras especficas para aplicaciones militares. En la posguerra, a
mediados de la dcada de 1940, la computacin digital emprendi un fuerte
crecimiento tambin para propsitos cientficos y civiles. La tecnologa
electrnica avanz y los cientficos hicieron grandes progresos en el diseo de
componentes de estado slido (semiconductores). En 1948 en los laboratorios
Bell crearon el transistor.
En los aos 1950, aparecieron las primeras computadoras digitales de
propsito general. Se fabricaron utilizando tubos al vaco o bulbos como
componentes electrnicos activos. Mdulos de tubos al vaco componan
circuitos lgicos bsicos, tales como compuertas y flip-flops. Ensamblndolos
en mdulos se construy la computadora electrnica (la lgica de control,
circuitos de memoria, etc.). Los tubos de vaco tambin formaron parte de la
construccin de mquinas para la comunicacin con las computadoras.
Para la construccin de un circuito sumador simple se requiere de algunas
compuertas lgicas. La construccin de una computadora digital precisa
numerosos circuitos o dispositivos electrnicos. Un paso trascendental en el
diseo de la computadora fue hacer que el dato fuera almacenado en memoria.
Y la idea de almacenar programas en memoria para luego ejecutarlo fue
tambin de fundamental importancia (Arquitectura de von Neumann).
La tecnologa de los circuitos de estado slido evolucion en la dcada de
1950. El empleo del silicio, de bajo costo y con mtodos de produccin
masiva, hicieron del transistor el componente ms usado para el diseo de
circuitos electrnicos. Por lo tanto el diseo de la computadora digital tuvo un
gran avance con el reemplazo del tubo al vaco por el transistor, a finales de la
dcada de 1950.
A principios de la dcada de 1960, el estado de arte en la construccin de
computadoras de estado slido sufri un notable avance; surgieron las
tecnologas en circuitos digitales como: RTL (Lgica Transistor Resistor),
DTL (Lgica Transistor Diodo), TTL (Lgica Transistor Transistor), ECL
(Lgica Complementada Emisor).
A mediados de los aos 1960 se producen las familias de circuitos de lgica
digital, dispositivos integrados en escala SSI y MSI que corresponden a baja y
mediana escala de integracin de componentes. A finales de los aos 1960 y
principios de los 70 surgieron los sistemas a alta escala de integracin o LSI.
La tecnologa LSI fue haciendo posible incrementar la cantidad de
componentes en los circuitos integrados. Sin embargo, pocos circuitos LSI
fueron producidos, los dispositivos de memoria eran un buen ejemplo.
Las primeras calculadoras electrnicas requeran entre 75 y 100 circuitos
integrados. Despus se dio un paso importante en la reduccin de la
arquitectura de la computadora a un circuito integrado simple, resultando uno
que fue llamado microprocesador, unin de las palabras Micro del griego
-, pequeo, y procesador. Sin embargo, es totalmente vlido usar el
trmino genrico procesador, dado que con el paso de los aos, la escala de
integracin se ha visto reducida de micromtrica a nanomtrica; y adems, es,
sin duda, un procesador.
Seguidamente se expone una lista ordenada cronolgicamente de los
microprocesadores ms populares que fueron surgiendo. En la URSS se
realizaron otros sistemas que dieron lugar a la serie microprocesador Elbrus.


1971: El Intel 4004

El primer microprocesador fue el Intel 4004, producido en 1971. Se desarroll
originalmente para una calculadora y result revolucionario para su poca.
Contena 2.300 transistores, era un microprocesador de arquitectura de 4 bits
que poda realizar hasta 60.000 operaciones por segundo trabajando a una
frecuencia de reloj de alrededor de 700 KHz.

El pionero de los actuales microprocesadores: el 4004 de Intel.


1972: El i8008

El Intel 8008 integraba 3300 transistores y poda procesar a frecuencias
mximas de 800Khz. Codificado inicialmente como 1201, fue pedido a Intel
por Computer Terminal Corporation para usarlo en su terminal programable
Datapoint 2200, pero debido a que Intel termin el proyecto tarde y a que no
cumpla con la expectativa de Computer Terminal Corporation, finalmente no
fue usado en el Datapoint 2200. Posteriormente Computer Terminal
Corporation e Intel acordaron que el i8008 pudiera ser venddo a otros
clientes.

El i8008


1974: El SC/MP

El SC/MP desarrollado por National Semiconductor, fue uno de los primeros
microprocesadores, y estuvo disponible desde principio de 1974. El nombre
SC/MP (popularmente conocido como Scamp) es el acrnimo de Simple
Cost-effective Micro Processor (Microprocesador simple y rentable). Presenta
un bus de direcciones de 16 bits y un bus de datos de 8 bits. Una caracterstica,
avanzada para su tiempo, es la capacidad de liberar los buses a fin de que
puedan ser compartidos por varios procesadores. Este microprocesador fue
muy utilizado, por su bajo costo, y provisto en kits, para propsitos
educativos, de investigacin y para el desarrollo de controladores industriales
diversos.


1974: El Intel 8080

EL 8080 se convirti en la CPU de la primera computadora personal, la Altair
8800 de MITS, segn se alega, nombrada as por un destino de la Nave
Espacial Starship del programa de televisin Viaje a las Estrellas, y el
IMSAI 8080, formando la base para las mquinas que ejecutaban el sistema
operativo CP/M-80. Fue el Intel 8080 de 8 bits, que contena 4500 transistores
y poda ejecutar 200.000 instrucciones por segundo trabajando a alrededor de
2 MHz. Los fanticos de las computadoras podan comprar un equipo Altair
por un precio (en aquel momento) de $395 USD. En un periodo de pocos
meses, se vendieron decenas de miles de estos PC.

Intel 8080


1975: Motorola 6800

Se fabrica, por parte de Motorola, el Motorola MC6800, ms conocido como
6800. Fue lanzado al mercado poco despus del Intel 8080. Su nombre
proviene de que contena aproximadamente 6.800 transistores. Varios de los
primeras microcomputadoras de los aos 1970 usaron el 6800 como
procesador. Entre ellas se encuentran la SWTPC 6800, que fue la primera en
usarlo, y la muy conocida Altair 680. Este microprocesador se utiliz
profusamente como parte de un kit para el desarrollo de sistemas
controladores en la industria. Partiendo del 6800 se crearon varios
procesadores derivados, siendo uno de los ms potentes el Motorola 6809.

Motorola 6800.


1976: El Z80

La compaa Zilog Inc. crea el Zilog Z80. Es un microprocesador de 8 bits
construido en tecnologa NMOS, y fue basado en el Intel 8080. Bsicamente
es una ampliacin de ste, con lo que admite todas sus instrucciones. Un ao
despus sale al mercado el primer computador que hace uso del Z80, el Tandy
TRS-80 Model 1 provisto de un Z80 a 1,77 MHz y 4 KB de RAM. Es uno de
los procesadores de ms xito del mercado, del cual se han producido
numerosas versiones clnicas, y sigue siendo usado de forma extensiva en la
actualidad en multitud de sistemas embebidos. La compaa Zilog fue fundada
1974 por Federico Faggin, quien fue diseador jefe del microprocesador Intel
4004 y posteriormente del Intel 8080.

Zilog Z80 A.


1978: Los Intel 8086 y 8088

Una venta realizada por Intel a la nueva divisin de computadoras personales
de IBM, microprocesador de 16 bits fue el 8086, hizo que las PC de IBM
dieran un gran golpe comercial con el nuevo producto con el 8088, el llamado
IBM PC. Llegaron a operar a frecuencias mayores de 4Mhz. El xito del 8088
propuls a Intel a la lista de las 500 mejores compaas, en la prestigiosa
revista Fortune, y la misma nombr la empresa como uno de Los triunfos
comerciales de los sesenta.

Intel 8086


1982: El Intel 80286

El 80286, popularmente conocido como 286, es un microprocesador de 16
bits, fue el primer procesador de Intel que podra ejecutar todo el software
escrito para su predecesor. Contaba con 134.000 transistores. Las versiones
finales alcanzaron velocidades de hasta 25 MHz. Esta compatibilidad del
software sigue siendo un sello de la familia de microprocesadores de Intel.
Luego de seis aos de su introduccin, haba un estimado de 15 millones de
PC basadas en el 286, instaladas alrededor del mundo.

Intel 80286, ms conocido como 286.


1985: El Intel 80386

Este procesador Intel, popularmente llamado 386, se integr con 275.000
transistores, ms de 100 veces tantos como en el original 4004. El 386 aadi
una arquitectura de 32 bits, con capacidad para multitarea y una unidad de
traslacin de pginas, lo que hizo mucho ms sencillo implementar sistemas
operativos que usaran memoria virtual. En sus diferentes versiones lleg a
trabajar a frecuencias del orden de los 40Mhz.

Intel 80386, conocido tambin como 386S.


1989: El Intel 80486

La generacin 486 realmente signific contar con una computadora personal
de prestaciones avanzadas, entre ellas, un conjunto de instrucciones
optimizado, una unidad de coma flotante o FPU, una unidad de interfaz de bus
mejorada y una memoria cach unificada, todo ello integrado en el propio chip
del microprocesador. Estas mejoras hicieron que los i486 fueran el doble de
rpidos que el par i386 - i387 operando a la misma frecuencia de reloj. El
procesador Intel 486 fue el primero en ofrecer un coprocesador matemtico o
FPU integrado; con l que se aceleraron notablemente las operaciones de
clculo. Usando una unidad FPU las operaciones matemticas ms complejas
son realizadas por el coprocesador de manera prcticamente independiente a la
funcin del procesador principal.

Intel 80486, conocido tambin como 486SX de 33Mhz.


1991: AMD AMx86

Procesadores lanzados por Advanced Micro Devices o AMD 100%
compatible con los cdigos de Intel de ese momento, ya que eran clones, pero
llegaron a superar incluso la frecuencia de reloj de los procesadores de Intel a
precios significativamente menores. Aqu se incluyen las series AM286,
AM386, AM486 y AM586.

AM586


1993: Intel Pentium

El procesador de Pentium posea una arquitectura capaz de ejecutar dos
operaciones a la vez gracias a sus dos pipeline de dados de 32 bits cada uno,
uno equivalente a 486SX. Adems, posea un acceso a memoria 64 bits
(aunque el procesador segua manteniendo compatibilidad de 32 bits para las
operaciones internas y los registros tambin eran de 32 bits). El nombre
Pentium, se mencion en las historietas y en charlas de la televisin a diario,
en realidad se volvi una palabra muy popular poco despus de su
introduccin.

Intel Pentium


1993: PowerPC 601

Es un procesador de tecnologa RISC de 32 bits, en 50 y 66MHz. En su diseo
utilizaron la interfaz de bus del Motorola 88110. En 1991, IBM busca una
alianza con Apple y Motorola para impulsar la creacin de este
microprocesador, surge la alianza AIM (Apple, IBM y Motorola) cuyo
objetivo fue quitar el dominio que Microsoft e Intel tenan en sistemas basados
en los 80386 y 80486. PowerPC (abreviada PPC o MPC) es el nombre
original de la familia de procesadores de arquitectura de tipo RISC, que fue
desarrollada por la alinza AIM. Los procesadores de esta familia son
utilizados principalmente en computadores Macintosh de Apple Computer y
su alto rendimiento se debe fuertemente a su arquitectura tipo RISC.

IBM PowerPC 601.


1993: El Intel Pentium

El microprocesador de Pentium posea una arquitectura capaz de ejecutar dos
operaciones a la vez, gracias a sus dos pipeline de datos de 32 bits cada uno,
uno equivalente al 486DX(u) y el otro equivalente a 486SX(u). Adems,
estaba dotado de un bus de datos de 64 bits, y permita un acceso a memoria
de 64 bits (aunque el procesador segua manteniendo compatibilidad de 32
bits para las operaciones internas, y los registros tambin eran de 32 bits). Las
versiones que incluan instrucciones MMX no slo brindaban al usuario un
ms eficiente manejo de aplicaciones multimedia, como por ejemplo, la
lectura de pelculas en DVD, sino que tambin se ofrecan en velocidades de
hasta 233 MHz. Se incluy una versin de 200 MHz y la ms bsica trabajaba
a alrededor de 166 MHz de frecuencia de reloj. El nombre Pentium, se
mencion en las historietas y en charlas de la televisin a diario, en realidad se
volvi una palabra muy popular poco despus de su introduccin.

Parte posterior de un Pentium Pro. Este chip en particular es de 200 MHz,
con 256 Kb de cach L2.


1995: EL Intel Pentium Pro

Lanzado al mercado en otoo de 1995, el procesador Pentium Pro
(profesional) se dise con una arquitectura de 32 bits. Se us en servidores y
los programas y aplicaciones para estaciones de trabajo (de redes) impulsaron
rpidamente su integracin en las computadoras. El rendimiento del cdigo de
32 bits era excelente, pero el Pentium Pro a menudo era ms lento que un
Pentium cuando ejecutaba cdigo o sistemas operativos de 16 bits. El
procesador Pentium Pro estaba compuesto por alrededor de 5'5 millones de
transistores.



1996: El AMD K5

Habiendo abandonado los clones, AMD fabricada con tecnologas anlogas a
Intel. AMD sac al mercado su primer procesador propio, el K5, rival del
Pentium. La arquitectura RISC86 del AMD K5 era ms semejante a la
arquitectura del Intel Pentium Pro que a la del Pentium. El K5 es internamente
un procesador RISC con una Unidad x86- decodificadora, transforma todos
los comandos x86 (de la aplicacin en curso) en comandos RISC. Este
principio se usa hasta hoy en todas las CPU x86. En la mayora de los
aspectos era superior el K5 al Pentium, incluso de inferior precio, sin
embargo AMD tena poca experiencia en el desarrollo de microprocesadores y
los diferentes hitos de produccin marcados se fueron superando con poco
xito, se retras 1 ao de su salida al mercado, a razn de ello sus frecuencias
de trabajo eran inferiores a las de la competencia, y por tanto, los fabricantes
de PC dieron por hecho que era peor.

AMD K5


1996: Los AMD K6 y AMD K6-2

Con el K6, AMD no slo consigui hacerle seriamente la competencia a los
Pentium MMX de Intel, sino que adems amarg lo que de otra forma hubiese
sido un plcido dominio del mercado, ofreciendo un procesador casi a la altura
del Pentium II pero por un precio muy inferior. En clculos en coma flotante,
el K6 tambin qued por debajo del Pentium II, pero por encima del Pentium
MMX y del Pro. El K6 cont con una gama que va desde los 166 hasta los
ms de 500 Mhz y con el juego de instrucciones MMX, que ya se han
convertido en estndares.
Ms adelante se lanz una mejora de los K6, los K6-2 de 250 nanmetros, para
seguir compitiendo con los Pentium II, siendo ste ltimo superior en tareas
de coma flotante, pero inferior en tareas de uso general. Se introduce un juego
de instrucciones SIMD denominado 3DNow!

AMD K6-2


1997: El Intel Pentium II

Un procesador de 7'5 millones de transistores, se busca entre los cambios
fundamentales con respecto a su predecesor, mejorar el rendimiento en la
ejecucin de cdigo de 16 bits, aadir el conjunto de instrucciones MMX y
eliminar la memoria cach de segundo nivel del ncleo del procesador,
colocndola en una tarjeta de circuito impreso junto a ste. Gracias al nuevo
diseo de este procesador, los usuarios de PC pueden capturar, revisar y
compartir fotografas digitales con amigos y familia va Internet; revisar y
agregar texto, msica y otros; con una lnea telefnica; el enviar vdeo a travs
de las lneas normales del telfono mediante Internet se convierte en algo
cotidiano.

Intel Pentium II; se puede observar su estilo de zcalo diferente.


1998: Intel II Xeon

Los procesadores Pentium II Xeon se disean para cumplir con los requisitos
de desempeo en computadoras de medio rango, servidores mas potentes y
estaciones de trabajo (workstations). Consistente con la estrategia de Intel para
disear productos de procesadores con el objetivo de llenar segmentos de los
mercados especficos, el procesador Pentium II Xeon ofrece innovaciones de
trabajo (workstantions) y servidores que utilizan aplicaciones comerciales
exigentes como servicios de Internet, almacenaje de dados corporativo,
creaciones digitales y otros. Pueden configurarse sistemas besados en el
procesador para integrar de cuatro u ocho procesadores y ms all de este
nmero.



1999: El Intel Celeron

Continuando la estrategia, Intel, en el desarrollo de procesadores para el
segmento de mercados especficos, el procesador Celeron es el nombre que
lleva la lnea de bajo costo de Intel. El objetivo fue poder, mediante sta
segunda marca, penetrar en los mercados impedidos a los Pentium, de mayor
rendimiento y precio. Se disea para aadir valor al segmento del mercado de
los PC. Proporcion a los consumidores una gran actuacin a un bajo coste, y
entreg un desempeo destacado para usos como juegos y el software
educativo.

Intel Celeron "Coppermine 128" de 600 MHz.


1999: El Intel Pentium III

El procesador Pentium III ofrece 70 nuevas instrucciones Internet Streaming,
las extensiones de SIMD que refuerzan dramticamente el desempeo con
imgenes avanzadas, 3D, aadiendo una mejor calidad de audio, video y
desempeo en aplicaciones de reconocimiento de voz. Fue diseado para
reforzar el rea del desempeo en el Internet, le permite a los usuarios hacer
cosas, tales como, navegar a travs de pginas pesadas (con muchos grficos),
tiendas virtuales y transmitir archivos video de alta calidad. El procesador se
integra con 9,5 millones de transistores, y se introdujo usando en l tecnologa
250 nanmetros.

Intel Pentium III.


1999: Intel III Xeon

El procesador Pentium III Xeon ampla las fortalezas de Intel en cuanto a las
estaciones de trabajo (workstation) y segmentos de mercado de servidor y
aade una actuacin mejorada en las aplicaciones del comercio electrnico y
la informtica comercial avanzada- los procesadores incorporan tecnologa
que refuerzan los multimedios y las aplicaciones de video. La tecnologa del
procesador III Xeon acelera la transmisin de informacin a travs del bus del
sistema al procesador, mejorando la actuacin significativamente. Se disea
pensando principalmente en los sistemas con configuraciones de
multiprocesador.

Intel Pentium III Xeon


2000: EL Intel Pentium 4

Este es un microprocesador de sptima generacin basado en la arquitectura
x86 y fabricado por Intel. Es el primero con un diseo completamente nuevo
desde el Pentium Pro. Se estren la arquitectura NetBurst, la cual no daba
mejoras considerables respecto a la anterior P6. Intel sacrific el rendimiento
de cada ciclo para obtener a cambio mayor cantidad de ciclos por segundo y
una mejora en las instrucciones SSE.

Intel Pentium 4


2001: El AMD Athlon XP

Cuando Intel sac el Pentium 4 a 1,7 GHz en abril de 2001 se vio que el
Athlon Thunderbird no estaba a su nivel. Adems no era prctico para el
overclocking, entonces para seguir estando a la cabeza en cuanto a
rendimiento de los procesadores x86, AMD tuvo que disear un nuevo ncleo,
y sac el Athlon XP. Este compatibilizaba las instrucciones SSE y las
3DNow! Entre las mejoras respecto al Thunderbird se puede mencionar el pre
recuperacin de datos por hardware, conocida en ingls como prefetch, y el
aumento de las entradas TLB, de 24 a 32.


2004: El Intel Pentium 4 (Prescott)

A principios de febrero de 2004, Intel introdujo una nueva versin de Pentium
4 denominada 'Prescott'. Primero se utiliz en su manufactura un proceso de
fabricacin de 90 nm y luego se cambi a 65nm. Su diferencia con los
anteriores es que stos poseen 1 MiB o 2 MiB de cach L2 y 16 Kb de cach
L1 (el doble que los Northwood), prevencin de ejecucin, SpeedStep, C1E
State, un HyperThreading mejorado, instrucciones SSE3, manejo de
instrucciones AMD64, de 64 bits creadas por AMD, pero denominadas
EM64T por Intel, sin embargo por graves problemas de temperatura y
consumo, resultaron un fracaso frente a los Athlon 64.


2004: El AMD Athlon 64

El AMD Athlon 64 es un microprocesador x86 de octava generacin que
implementa el conjunto de instrucciones AMD64, que fueron introducidas con
el procesador Opteron. El Athlon 64 presenta un controlador de memoria en el
propio circuito integrado del microprocesador y otras mejoras de arquitectura
que le dan un mejor rendimiento que los anteriores Athlon y que el Athlon XP
funcionando a la misma velocidad, incluso ejecutando cdigo heredado de 32
bits. El Athlon 64 tambin presenta una tecnologa de reduccin de la
velocidad del procesador llamada Cool'n'Quiet,: cuando el usuario est
ejecutando aplicaciones que requieren poco uso del procesador, baja la
velocidad del mismo y su tensin se reduce.

AMD Athlon 64


2006: El Intel Core Duo

Intel lanz sta gama de procesadores de doble ncleo y CPUs 22 MCM
(mdulo Multi-Chip) de cuatro ncleos con el conjunto de instrucciones x86-
64, basado en la nueva arquitectura Core de Intel. La microarquitectura Core
regres a velocidades de CPU bajas y mejor el uso del procesador de ambos
ciclos de velocidad y energa comparados con anteriores NetBurst de los CPU
Pentium 4/D2. La microarquitectura Core provee etapas de decodificacin,
unidades de ejecucin, cach y buses ms eficientes, reduciendo el consumo
de energa de CPU Core 2, mientras se incrementa la capacidad de
procesamiento. Los CPU de Intel han variado muy bruscamente en consumo
de energa de acuerdo a velocidad de procesador, arquitectura y procesos de
semiconductor, mostrado en las tablas de disipacin de energa del CPU. Esta
gama de procesadores fueron fabricados de 65 a 45 nanmetros.

Intel Core Duo


2007: El AMD Phenom

Phenom fue el nombre dado por Advanced Micro Devices (AMD) a la
primera generacin de procesadores de tres y cuatro ncleos basados en la
microarquitectura K10. Como caracterstica comn todos los Phenom tienen
tecnologa de 65 nanmetros lograda a travs de tecnologa de fabricacin
Silicon on insulator (SOI). HyperTransport y unidades de coma flotante de
128 bits, para incrementar la velocidad y el rendimiento de los clculos de
coma flotante. La arquitectura Direct Connect asegura que los cuatro ncleos
tengan un ptimo acceso al controlador integrado de memoria, logrando un
ancho de banda de 16 Gb/s para intercomunicacin de los ncleos del
microprocesador y la tecnologa HyperTransport,. Tiene cach L3 compartida
para un acceso ms rpido a los datos, adems de compatibilidad de
infraestructura de los zcalos AM2, AM2+ y AM3 para permitir un camino de
actualizacin sin sobresaltos. A pesar de todo, no llegaron a igualar el
rendimiento de la serie Core 2 Duo.



2008-2010: El Intel Core Nehalem

Intel Core i7 es una familia de procesadores de cuatro ncleos de la
arquitectura Intel x86-64. Los Core i7 son los primeros procesadores que usan
la microarquitectura Nehalem de Intel y es el sucesor de la familia Intel Core
2. FSB es reemplazado por la interfaz QuickPath en i7 e i5 (zcalo 1366), y
sustituido a su vez en i7, i5 e i3 (zcalo 1156) por el DMI eliminado el
northBrige e implementando puertos PCI Express directamente. Memoria de
tres canales (ancho de datos de 192 bits): cada canal puede soportar una o dos
memorias DIMM DDR3. Las placa base compatibles con Core i7 tienen
cuatro (3+1) o seis ranuras DIMM en lugar de dos o cuatro, y las DIMMs
deben ser instaladas en grupos de tres, no dos. El Hyperthreading fue re
implementado creando ncleos lgicos. Est fabricado a arquitecturas de 45
nm y 32 nm y posee 731 millones de transistores su versin ms potente. Se
volvi a usar frecuencias altas, aunque a contrapartida los consumos se
dispararon.
Llegan para remplazar los chips Nehalem, con Intel Core i3, Intel Core i5 e
Intel Core i7 serie 2000 y Pentium G.
Intel lanz sus procesadores que se conocen con el nombre en clave Sandy
Bridge. Estos procesadores Intel Core que no tienen sustanciales cambios en
arquitectura respecto a nehalem, pero si los necesarios para hacerlos ms
eficientes y rpidos que los modelos anteriores. Es la segunda generacin de
los Intel Core con nuevas instrucciones de 256 bits, duplicando el
rendimiento, mejorando el desempeo en 3D y todo lo que se relacione con
operacin en multimedia. Llegaron la primera semana de enero del 2011.
Incluye nuevo conjunto de instrucciones denominado AVX y una GPU
integrada de hasta 12 unidades de ejecucin.


2009: El Intel Core i3

El Intel Core i3 estaba destinado a ser la nueva gama baja de la lnea de
rendimiento de procesador de Intel, tras la jubilacin de procesador de marca
Intel Core 2. los primeros procesadores Core i3 se iniciaron el 7 de enero de
2010. Existen 2 versiones de procesadores uno para ordenadores de escritorio
y otro para porttiles.



2010: Intel i5

Caractersticas Procesador de Escritorio Intel Core i5. La lnea Core i5-2xxx
de procesadores de escritorio son en su mayora los chips de cuatro ncleos,
con la excepcin de los doble ncleo Core i5-2390T, e incluyen grficos
integrados, combinando las caractersticas de la anterior lneas Core i5-6xx y
Core i5-7xx. La letra despus de los nmeros de cuatro dgitos del modelo
indican: multiplicador desbloqueado (K), de baja potencia (S) y ultra bajo
consumo de energa (T).



2011: Intel i7

Con el nombre en clave de Nehalem conocido hasta ahora desde hace varios
aos que se lleva desarrollando, por fin llega al mercado rebautizado con el
nombre comercial Intel Core i7 en sus versiones de dos, cuatro y ocho
ncleos. Construido a 45 nm, es el primer procesador del Intel en conseguir
poner cuatro y ocho procesadores integrados de forma nativa compartiendo
una misma memoria cach y procesador de instrucciones. As mismo vuelve la
tecnologa hyperthreading ya utilizada en la Pentium 4, por lo el sistema
operativo nos reportara 16 procesadores si tu viramos instalado el Intel Core
i7 Octo. Adems el controlador de memoria va integrado dentro del propio
procesador con la nueva tecnologa QuikPath, algo a lo que AMD ya nos tiene
acostumbrados desde hase bastante tiempo con su tecnologa HyperTransport.
Tenemos cambio de socket y de chipset, es decir, este procesador no ser
compatible con ninguna de las placas madres desarrolladas para Intel Core 2 y
procesadores anteriores. Intel Core i7 necesita placas madre nuevas y chipsets
nuevo, trabajan en arquitecturas de 64 bits, integran ms de 700 millones de
transistores, como es en el caso de las serie Core i7, y pueden operar a
frecuencias normales algo superiores a los 3 GHz (3000 MHz). Es la segunda
generacin de los Intel Core con nuevas instrucciones de 256 bits, duplicando el
rendimiento, mejorando el desempeo en 3D y todo lo que se relacione con
operacin en multimedia. Llegaron la primera semana de enero del 2011. El
zcalo para el procesador ha crecido considerablemente de tamao pasando a
ser LGA1366 en comparacin con el anterior LGA775.



2011: El AMD Fusion

AMD Fusion es el nombre clave para un diseo futuro de microprocesadores
Turion, producto de la fusin entre AMD y ATI, combinando con la ejecucin
general del procesador, el proceso de la geometra 3D y otras funciones de
GPUs actuales. La GPU (procesador grfico) estar integrada en el propio
microprocesador. Se espera la salida progresiva de esta tecnologa a lo largo
del 2011; estando disponibles los primeros modelos (Ontaro y Zacate) para
ordenadores de bajo consumo entre ltimos meses de 2010 y primeros de
2011, dejando el legado de las gamas medias y altas (Llano, Brazos y
Bulldozer para mediados o finales del 2011).


2012: El Intel Core Ivy Bridge

Ivy Bridge es el nombre en clave de los procesadores conocidos como Intel
Core de tercera generacin. Son por tanto sucesores de los micros que
aparecieron a principios de 2011, cuyo nombre en clave es Sandy Bridge.
Pasamos de los 32 nanmetros de ancho de transistor en Sandy Bridge a los 22
de Ivy Bridge. Esto le permite meter el doble de ellos en la misma rea. Un
mayor nmero de transistores significa que puedes poner ms bloques
funcionales dentro del chip. Es decir, este ser capaz de hacer un mayor
nmero de tareas al mismo tiempo.


3.2.7. Funcionamiento

Desde el punto de vista lgico, singular y funcional, el microprocesador est
compuesto bsicamente por: varios registros, una unidad de control, una
unidad aritmtico lgica, y dependiendo del procesador, puede contener una
unidad de coma flotante.
El microprocesador ejecuta instrucciones almacenadas como nmeros binarios
organizados secuencialmente en la memoria principal. La ejecucin de las
instrucciones se puede realizar en varias fases:
Prefetch, prelectura de la instruccin desde la memoria principal.
Fetch, envo de la instruccin al decodificador
Decodificacin de la instruccin, es decir, determinar qu instruccin es
y por tanto qu se debe hacer.
Lectura de operandos (si los hay).
Ejecucin, lanzamiento de las mquinas de estado que llevan a cabo el
procesamiento.
Escritura de los resultados en la memoria principal o en los registros.
Cada una de estas fases se realiza en uno o varios ciclos de CPU, dependiendo
de la estructura del procesador, y concretamente de su grado de segmentacin.
La duracin de estos ciclos viene determinada por la frecuencia de reloj, y
nunca podr ser inferior al tiempo requerido para realizar la tarea individual
(realizada en un solo ciclo) de mayor coste temporal. El microprocesador se
conecta a un circuito PLL, normalmente basado en un cristal de cuarzo capaz
de generar pulsos a un ritmo constante, de modo que genera varios ciclos (o
pulsos) en un segundo. Este reloj, en la actualidad, genera miles de
megahercios.


3.2.8. Rendimiento

El rendimiento del procesador puede ser medido de distintas maneras, hasta
hace pocos aos se crea que la frecuencia de reloj era una medida precisa,
pero ese mito, conocido como mito de los megahertzios se ha visto
desvirtuado por el hecho de que los procesadores no han requerido frecuencias
ms altas para aumentar su potencia de cmputo.
Durante los ltimos aos esa frecuencia se ha mantenido en el rango de los 1,5
GHz a 4 GHz, dando como resultado procesadores con capacidades de
proceso mayores comparados con los primeros que alcanzaron esos valores.
Adems la tendencia es a incorporar ms ncleos dentro de un mismo
encapsulado para aumentar el rendimiento por medio de una computacin
paralela, de manera que la velocidad de reloj es un indicador menos fiable
an. De todas maneras, una forma fiable de medir la potencia de un
procesador es mediante la obtencin de las Instrucciones por ciclo.
Medir el rendimiento con la frecuencia es vlido nicamente entre
procesadores con arquitecturas muy similares o iguales, de manera que su
funcionamiento interno sea el mismo: en ese caso la frecuencia es un ndice de
comparacin vlido. Dentro de una familia de procesadores es comn
encontrar distintas opciones en cuanto a frecuencias de reloj, debido a que no
todos los chips de silicio tienen los mismos lmites de funcionamiento: son
probados a distintas frecuencias, hasta que muestran signos de inestabilidad,
entonces se clasifican de acuerdo al resultado de las pruebas.
Esto se podra reducir en que los procesadores son fabricados por lotes con
diferentes estructuras internas atendiendo a gamas y extras como podra ser
una memoria cach de diferente tamao, aunque no siempre es as y las gamas
altas difieren muchsimo ms de las bajas que simplemente de su memoria
cach. Despus de obtener los lotes segn su gama, se someten a procesos en
un banco de pruebas, y segn su soporte a las temperaturas o que vaya
mostrando signos de inestabilidad, se le adjudica una frecuencia, con la que
vendr programada de serie, pero con prcticas de overclock se le puede
incrementar.
La capacidad de un procesador depende fuertemente de los componentes
restantes del sistema, sobre todo del chipset, de la memoria RAM y del
software. Pero obviando esas caractersticas puede tenerse una medida
aproximada del rendimiento de un procesador por medio de indicadores como
la cantidad de operaciones de coma flotante por unidad de tiempo FLOPS, o la
cantidad de instrucciones por unidad de tiempo MIPS. Una medida exacta del
rendimiento de un procesador o de un sistema, es muy complicada debido a
los mltiples factores involucrados en la computacin de un problema, por lo
general las pruebas no son concluyentes entre sistemas de la misma
generacin.


3.2.9. Arquitectura

El microprocesador tiene una arquitectura parecida a la computadora digital.
En otras palabras, el microprocesador es como la computadora digital porque
ambos realizan clculos bajo un programa de control. Consiguientemente, la
historia de la computadora digital ayuda a entender el microprocesador. El
hizo posible la fabricacin de potentes calculadoras y de muchos otros
productos. El microprocesador utiliza el mismo tipo de lgica que es usado en
la unidad procesadora central (CPU) de una computadora digital. El
microprocesador es algunas veces llamado unidad microprocesadora (MPU).
En otras palabras, el microprocesador es una unidad procesadora de datos. En
un microprocesador se puede diferenciar diversas partes:
Encapsulado: es lo que rodea a la oblea de silicio en s, para darle
consistencia, impedir su deterioro (por ejemplo, por oxidacin por el
aire) y permitir el enlace con los conectores externos que lo acoplaran a
su zcalo a su placa base.
Memoria cach: es una memoria ultrarrpida que emplea el procesador
para tener alcance directo a ciertos datos que predeciblemente sern
utilizados en las siguientes operaciones, sin tener que acudir a la
memoria RAM, reduciendo as el tiempo de espera para adquisicin de
datos. Todos los micros compatibles con PC poseen la llamada cach
interna de primer nivel o L1; es decir, la que est dentro del micro,
encapsulada junto a l. Los micros ms modernos (Core i3,Core i5
,Core i7,etc) incluyen tambin en su interior otro nivel de cach, ms
grande, aunque algo menos rpida, es la cach de segundo nivel o L2 e
incluso los hay con memoria cach de nivel 3, o L3.
Coprocesador matemtico: unidad de coma flotante. Es la parte del
micro especializada en esa clase de clculos matemticos, antiguamente
estaba en el exterior del procesador en otro chip. Esta parte est
considerada como una parte lgica junto con los registros, la unidad
de control, memoria y bus de datos.
Registros: son bsicamente un tipo de memoria pequea con fines
especiales que el micro tiene disponible para algunos usos particulares.
Hay varios grupos de registros en cada procesador. Un grupo de
registros est diseado para control del programador y hay otros que no
son diseados para ser controlados por el procesador pero que la CPU
los utiliza en algunas operaciones, en total son treinta y dos registros.
Memoria: es el lugar donde el procesador encuentra las instrucciones
de los programas y sus datos. Tanto los datos como las instrucciones
estn almacenados en memoria, y el procesador las accede desde all.
La memoria es una parte interna de la computadora y su funcin
esencial es proporcionar un espacio de almacenamiento para el trabajo
en curso.
Puertos: es la manera en que el procesador se comunica con el mundo
externo. Un puerto es anlogo a una lnea de telfono. Cualquier parte
de la circuitera de la computadora con la cual el procesador necesita
comunicarse, tiene asignado un nmero de puerto que el procesador
utiliza como si fuera un nmero de telfono para llamar circuitos o a
partes especiales.


3.2.10. Fabricacin

3.2.10.1. Procesadores de silicio

El proceso de fabricacin de un microprocesador es muy complejo.
Todo comienza con un buen puado de arena (compuesta bsicamente de
silicio), con la que se fabrica un mono cristal de unos 20 x 150 centmetros.
Para ello, se funde el material en cuestin a alta temperatura (1370 C) y muy
lentamente (10 a 40 mm por hora) se va formando el cristal.
De este cristal, de cientos de kilos de peso, se cortan los extremos y la
superficie exterior, de forma de obtener un cilindro perfecto. Luego, el
cilindro se corta en obleas de 10 micras de espesor, la dcima parte del
espesor de un cabello humano, utilizando una sierra de diamante. De cada
cilindro se obtienen miles de obleas, y de cada oblea se fabricarn varios
cientos de microprocesadores.

Silicio

Estas obleas son pulidas hasta obtener una superficie perfectamente plana,
pasan por un proceso llamado annealing, que consiste en someterlas a un
calentamiento extremo para eliminar cualquier defecto o impureza que pueda
haber llegado a esta instancia. Despus de una supervisin mediante lseres
capaz de detectar imperfecciones menores a una milsima de micra, se
recubren con una capa aislante formada por xido de silicio transferido
mediante deposicin de vapor.
De aqu en adelante, comienza el proceso del dibujado de los transistores
que conformarn a cada microprocesador. A pesar de ser muy complejo y
preciso, bsicamente consiste en la impresin de sucesivas mscaras sobre
la oblea, sucedindose la deposicin y eliminacin de capas finsimas de
materiales conductores, aislantes y semiconductores, endurecidas mediante luz
ultravioleta y atacada por cidos encargados de eliminar las zonas no cubiertas
por la impresin. Salvando las escalas, se trata de un proceso comparable al
visto para la fabricacin de circuitos impresos. Despus de cientos de pasos,
entre los que se hallan la creacin de sustrato, la oxidacin, la litografa, el
grabado, la implantacin inica y la deposicin de capas; se llega a un
complejo bocadillo que contiene todos los circuitos interconectados del
microprocesador.
Un transistor construido en tecnologa de 45 nanmetros tiene un ancho
equivalente a unos 200 electrones. Eso da una idea de la precisin absoluta
que se necesita al momento de aplicar cada una de las mscaras utilizadas
durante la fabricacin.

Una oblea de silicio grabada

Los detalles de un microprocesador son tan pequeos y precisos que una nica
mota de polvo puede destruir todo un grupo de circuitos. Las salas empleadas
para la fabricacin de microprocesadores se denominan salas limpias, porque
el aire de las mismas se somete a un filtrado exhaustivo y est prcticamente
libre de polvo. Las salas limpias ms puras de la actualidad se denominan de
clase 1. La cifra indica el nmero mximo de partculas mayores de 0,12
micras que puede haber en un pie cbico (0,028 m
3
) de aire. Como
comparacin, un hogar normal sera de clase 1 milln. Los trabajadores de
estas plantas emplean trajes estriles para evitar que restos de piel, polvo o
pelo se desprendan de sus cuerpos.
Una vez que la oblea ha pasado por todo el proceso litogrfico, tiene
grabados en su superficie varios cientos de microprocesadores, cuya
integridad es comprobada antes de cortarlos. Se trata de un proceso
obviamente automatizado, y que termina con una oblea que tiene grabados
algunas marcas en el lugar que se encuentra algn microprocesador
defectuoso.
La mayora de los errores se dan en los bordes de la oblea, dando como
resultados chips capaces de funcionar a velocidades menores que los del
centro de la oblea o simplemente con caractersticas desactivadas, tales como
ncleos. Luego la oblea es cortada y cada chip individualizado. En esta etapa
del proceso el microprocesador es una pequea placa de unos pocos
milmetros cuadrados, sin pines ni cpsula protectora.
Cada una de estas plaquitas ser dotada de una cpsula protectora plstica (en
algunos casos pueden ser cermicas) y conectada a los cientos de pines
metlicos que le permitirn interactuar con el mundo exterior. Estas
conexiones se realizan utilizando delgadsimos alambres, generalmente de oro.
De ser necesario, la cpsula es provista de un pequeo disipador trmico de
metal, que servir para mejorar la transferencia de calor desde el interior del
chip hacia el disipador principal. El resultado final es un microprocesador
como los que equipan a los computadores.
Tambin se estn desarrollando alternativas al silicio puro, tales como el
carburo de silicio que mejora la conductividad del material, permitiendo
mayores frecuencias de reloj interno; aunque an se encuentra en
investigacin.


3.2.10.2. Otros materiales

Aunque la gran mayora de la produccin de circuitos integrados se basa en el
silicio, no se puede omitir la utilizacin de otros materiales que son una
alternativa tales como el germanio; tampoco las investigaciones actuales para
conseguir hacer operativo un procesador desarrollado con materiales de
caractersticas especiales como el grafeno o la molibdenita.


3.2.11. Empaquetado


Empaquetado de un procesador Intel 80486 en un empaque de cermica

Los microprocesadores son circuitos integrados y como tal estn formados por
un chip de silicio y un empaque con conexiones elctricas. En los primeros
procesadores el empaque se fabricaba con plsticos epoxicos o con cermicas
en formatos como el DIP entre otros. El chip se pegaba con un material
trmicamente conductor a una base y se conectaba por medio de pequeos
alambres a unas pistas terminadas en pines. Posteriormente se sellaba todo con
una placa metlica u otra pieza del mismo material de la base de manera que
los alambres y el silicio quedaran encapsulados.

Empaquetado de un procesador PowerPC con Flip-Chip, se ve el chip de silicio.

En la actualidad los microprocesadores de diversos tipos (incluyendo
procesadores grficos) se ensamblan por medio de la tecnologa Flip-chip. El
chip semiconductor es soldado directamente a un arreglo de pistas conductoras
(en el sustrato laminado) con la ayuda de unas microesferas que se depositan
sobre las obleas de semiconductor en las etapas finales de su fabricacin. El
sustrato laminado es una especie de circuito impreso que posee pistas
conductoras hacia pines o contactos, que a su vez servirn de conexin entre el
chip semiconductor y un zcalo de CPU o una placa base.
Antiguamente la conexin del chip con los pines se realizaba por medio de
microalambres de manera que quedaba boca arriba, con el mtodo Flip Chip
queda boca abajo, de ah se deriva su nombre. Entre las ventajas de este
mtodo esta la simplicidad del ensamble y en una mejor disipacin de calor.
Cuando la pastilla queda bocabajo presenta el sustrato base de silicio de
manera que puede ser enfriado directamente por medio de elementos
conductores de calor. Esta superficie se aprovecha tambin para etiquetar el
integrado. En los procesadores para computadores de escritorio, dada la
vulnerabilidad de la pastilla de silicio, se opta por colocar una placa de metal,
por ejemplo en los procesadores Athlon como el de la primera imagen. En los
procesadores de Intel tambin se incluye desde el Pentium III de ms de 1
Ghz.


3.2.11.1. Disipacin de calor

Con el aumento de la cantidad de transistores integrados en un procesador, el
consumo de energa se ha elevado a niveles en los cuales la disipacin calrica
natural del mismo no es suficiente para mantener temperaturas aceptables y
que no se dae el material semiconductor, de manera que se hizo necesario el
uso de mecanismos de enfriamiento forzado, esto es, la utilizacin de
disipadores de calor.
Entre ellos se encuentran los sistemas sencillos, tales como disipadores
metlicos, que aumentan el rea de radiacin, permitiendo que la energa salga
rpidamente del sistema. Tambin los hay con refrigeracin lquida, por medio
de circuitos cerrados.
En los procesadores ms modernos se aplica en la parte superior del
procesador, una lmina metlica denominada IHS que va a ser la superficie de
contacto del disipador para mejorar la refrigeracin uniforme del die y
proteger las resistencias internas de posibles tomas de contacto al aplicar pasta
trmica. Varios modelos de procesadores, en especial, los Athlon XP, han
sufrido cortocircuitos debido a una incorrecta aplicacin de la pasta trmica.
Para las prcticas de overclock extremo, se llegan a utilizar elementos
qumicos tales como hielo seco, y en casos ms extremos, nitrgeno lquido,
capaces de rondar temperaturas por debajo de los -190 grados Celsius y el
helio lquido capaz de rondar temperaturas muy prximas al cero absoluto. De
esta manera se puede prcticamente hasta triplicar la frecuencia de reloj de
referencia de un procesador de silicio. El lmite fsico del silicio es de 10 GHz,
mientras que el de otros materiales como el grafeno puede llegar a 1 THz.


3.2.12. Conexin con el exterior


Superficies de contacto en un procesador Intel para zcalo LGA 775.

El microprocesador posee un arreglo de elementos metlicos que permiten la
conexin elctrica entre el circuito integrado que conforma el
microprocesador y los circuitos de la placa base. Dependiendo de la
complejidad y de la potencia, un procesador puede tener desde 8 hasta ms de
2000 elementos metlicos en la superficie de su empaque. El montaje del
procesador se realiza con la ayuda de un zcalo de CPU soldado sobre la placa
base. Generalmente distinguimos tres tipos de conexin:
PGA: Pin Grid Array: La conexin se realiza mediante pequeos
alambres metlicos repartidos a lo largo de la base del procesador
introducindose en la placa base mediante unos pequeos agujeros, al
introducir el procesador, una palanca anclar los pines para que haga
buen contacto y no se suelten.
BGA: Ball Grid Array: La conexin se realiza mediante bolas soldadas
al procesador que hacen contacto con el zcalo
LGA: Land Grid Array: La conexin se realiza mediante superficies de
contacto lisas con pequeos pines que incluye la placa base.
Entre las conexiones elctricas estn las de alimentacin elctrica de los
circuitos dentro del empaque, las seales de reloj, seales relacionadas con
datos, direcciones y control; estas funciones estn distribuidas en un esquema
asociado al zcalo, de manera que varias referencias de procesador y placas
base son compatibles entre ellos, permitiendo distintas configuraciones.


3.2.12.1. Buses del procesador

Todos los procesadores poseen un bus principal o de sistema por el cual se
envan y reciben todos los datos, instrucciones y direcciones desde los
integrados del chipset o desde el resto de dispositivos. Como puente de
conexin entre el procesador y el resto del sistema, define mucho del
rendimiento del sistema, su velocidad se mide en bits por segundo.
Ese bus puede ser implementado de distintas maneras, con el uso de buses
seriales o paralelos y con distintos tipos de seales elctricas. La forma ms
antigua es el bus paralelo en el cual se definen lneas especializadas en datos,
direcciones y para control.
En la arquitectura tradicional de Intel (usada hasta modelos recientes), ese bus
se llama front-side bus y es de tipo paralelo con 64 lneas de datos, 32 de
direcciones adems de mltiples lneas de control que permiten la transmisin
de datos entre el procesador y el resto del sistema. Este esquema se ha
utilizado desde el primer procesador de la historia, con mejoras en la
sealizacin que le permite funcionar con relojes de 333 Mhz haciendo 4
transferencias por ciclo.
En algunos procesadores de AMD y en el Intel Core i7 se han usado otros
tipos para el bus principal de tipo serial. Entre estos se encuentra el bus
HyperTransport de AMD, que maneja los datos en forma de paquetes usando
una cantidad menor de lneas de comunicacin, permitiendo frecuencias de
funcionamiento ms altas y en el caso de Intel, Quickpath.
Los microprocesadores de Intel y de AMD (desde antes) poseen adems un
controlador de memoria de acceso aleatorio en el interior del encapsulado lo
que hace necesario la implementacin de buses de memoria del procesador
hacia los mdulos. Ese bus est de acuerdo a los estndares DDR de JEDEC y
consisten en lneas de bus paralelo, para datos, direcciones y control.
Dependiendo de la cantidad de canales pueden existir de 1 a 4 buses de
memoria.


3.2.13. Arquitecturas

65xx
o MOS Technology 6502
o Western Design Center 65xx
ARM
Altera Nios, Nios II
AVR (puramente microcontroladores)
EISC
RCA 1802 (aka RCA COSMAC, CDP1802)
DEC Alpha
Intel
o Intel 4556, 4040
o Intel 8970, 8085, Zilog Z80
o Intel Itanium
o Intel i860
o Intel i515
LatticeMico32
M32R
MIPS
Motorola
o Motorola 6800
o Motorola 6809
o Motorola c115, ColdFire
o corelduo 15485
o sewcret ranses 0.2457
o Motorola 88000 (antecesor de la familia PowerPC con el IBM
POWER)
IBM POWER (antecesor de la familia PowerPC con el Motorola 88000)
o Familia PowerPC, G3, G4, G5
NSC 320xx
OpenRISC
PA-RISC
National Semiconductor SC/MP ("scamp")
Signetics 2650
SPARC
SuperH family
Transmeta Crusoe, Transmeta Efficeon (arquitectura VLIW, con emulador
de la IA32 de 32-bit Intel x86)
INMOS Transputer
x86
o Intel 8086, 8088, 80186, 80188 (arquitectura x86 de 16-bit con slo
modo real)
o Intel 80286 (arquitectura x86 de 16-bit con modo real y modo
protegido)
o IA-32 arquitectura x86 de 32-bits
o x86-64 arquitectura x86 de 64-bits
Cambridge Consultants XAP.


3.3. Microcontrolador

Microcontrolador Motorola 68HC11 y chips de soporte.


Die del microcontrolador de 8 bits Intel 8742, con CPU a 12 MHz, 128 bytes
de memoria RAM, 2048 bytes de EPROM, y E/S en un chip.


Microcontrolador PIC 18F8720 en encapsulado TQFP de 80 pines.

Un microcontrolador (abreviado C, UC o MCU) es un circuito integrado
programable, capaz de ejecutar las rdenes grabadas en su memoria. Est
compuesto de varios bloques funcionales, los cuales cumplen una tarea
especfica. Un microcontrolador incluye en su interior las tres principales
unidades funcionales de una computadora: unidad central de procesamiento,
memoria y perifricos de entrada/salida.
Algunos microcontroladores pueden utilizar palabras de cuatro bits y
funcionan a velocidad de reloj con frecuencias tan bajas como 4 kHz, con un
consumo de baja potencia (mW o microvatios). Por lo general, tendr la
capacidad para mantener la funcionalidad a la espera de un evento como
pulsar un botn o de otra interrupcin, el consumo de energa durante el
estado de reposo (reloj de la CPU y los perifricos de la mayora) puede ser
slo nanovatios, lo que hace que muchos de ellos muy adecuados para
aplicaciones con batera de larga duracin. Otros microcontroladores pueden
servir para roles de rendimiento crtico, donde sea necesario actuar ms como
un procesador digital de seal (DSP), con velocidades de reloj y consumo de
energa ms altos.
Cuando es fabricado el microcontrolador, no contiene datos en la memoria
ROM. Para que pueda controlar algn proceso es necesario generar o crear y
luego grabar en la EEPROM o equivalente del microcontrolador algn
programa, el cual puede ser escrito en lenguaje ensamblador u otro lenguaje
para microcontroladores; sin embargo, para que el programa pueda ser
grabado en la memoria del microcontrolador, debe ser codificado en sistema
numrico hexadecimal que es finalmente el sistema que hace trabajar al
microcontrolador cuando ste es alimentado con el voltaje adecuado y
asociado a dispositivos analgicos y discretos para su funcionamiento.


3.3.1. Historia

El primer microprocesador fue el Intel 4004 de 4 bits, lanzado en 1971,
seguido por el Intel 8008 y otros ms capaces. Sin embargo, ambos
procesadores requieren circuitos adicionales para implementar un sistema de
trabajo, elevando el costo del sistema total.
El Instituto Smithsoniano dice que los ingenieros de Texas Instruments Gary
Boone y Michael Cochran lograron crear el primer microcontrolador, TMS
1000, en 1971; fue comercializado en 1974. Combina memoria ROM,
memoria RAM, microprocesador y reloj en un chip y estaba destinada a los
sistemas embebidos.
Debido en parte a la existencia del TMS 1000, Intel desarroll un sistema de
ordenador en un chip optimizado para aplicaciones de control, el Intel 8048,
que comenz a comercializarse en 1977. Combina memoria RAM y ROM en
el mismo chip y puede encontrarse en ms de mil millones de teclados de
compatible IBM PC, y otras numerosas aplicaciones. El en ese momento
presidente de Intel, Luke J. Valenter, declar que el microcontrolador es uno
de los productos ms exitosos en la historia de la compaa, y ampli el
presupuesto de la divisin en ms del 25%.
La mayora de los microcontroladores en este momento tienen dos variantes.
Unos tena una memoria EPROM reprogramable, significativamente ms
caros que la variante PROM que era slo una vez programable. Para borrar la
EPROM necesita exponer a la luz ultravioleta la tapa de cuarzo transparente.
Los chips con todo opaco representaban un coste menor.
En 1993, el lanzamiento de la EEPROM en los microcontroladores
(comenzando con el Microchip PIC16x84) permite borrarla elctrica y
rpidamente sin necesidad de un paquete costoso como se requiere en
EPROM, lo que permite tanto la creacin rpida de prototipos y la
programacin en el sistema. El mismo ao, Atmel lanza el primer
microcontrolador que utiliza memoria flash. Otras compaas rpidamente
siguieron el ejemplo, con los dos tipos de memoria.
El costo se ha desplomado en el tiempo, con el ms barato microcontrolador
de 8 bits disponible por menos de 0,25 dlares para miles de unidades en
2009, y algunos microcontroladores de 32 bits a 1 dlar por cantidades
similares. En la actualidad los microcontroladores son baratos y fcilmente
disponibles para los aficionados, con grandes comunidades en lnea para
ciertos procesadores.
En el futuro, la MRAM podra ser utilizada en microcontroladores, ya que
tiene resistencia infinita y el coste de su oblea semiconductora es
relativamente bajo.


3.3.2. Caractersticas

Esquema de un microcontrolador. En esta figura, vemos al microcontrolador
metido dentro de un encapsulado de circuito integrado, con su procesador
(CPU), buses, memoria, perifricos y puertos de entrada/salida. Fuera del
encapsulado se ubican otros circuitos para completar perifricos internos y
dispositivos que pueden conectarse a los pines de entrada/salida. Tambin se
conectarn a los pines del encapsulado la alimentacin, masa, circuito de
completamiento del oscilador y otros circuitos necesarios para que el
microcontrolador pueda trabajar.
Los microcontroladores estn diseados para reducir el costo econmico y el
consumo de energa de un sistema en particular. Por eso el tamao de la
unidad central de procesamiento, la cantidad de memoria y los perifricos
incluidos dependern de la aplicacin. El control de un electrodomstico
sencillo como una batidora utilizar un procesador muy pequeo (4 u 8 bits)
porque sustituir a un autmata finito. En cambio, un reproductor de msica
y/o vdeo digital (MP3 o MP4) requerir de un procesador de 32 bits o de 64
bits y de uno o ms cdices de seal digital (audio y/o vdeo). El control de un
sistema de frenos ABS (Antilock Brake System) se basa normalmente en un
microcontrolador de 16 bits, al igual que el sistema de control electrnico del
motor en un automvil.
Los microcontroladores representan la inmensa mayora de los chips de
computadoras vendidos, sobre un 50% son controladores "simples" y el
restante corresponde a DSP ms especializados. Mientras se pueden tener uno
o dos microprocesadores de propsito general en casa (Ud. est usando uno
para esto), usted tiene distribuidos seguramente entre los electrodomsticos de
su hogar una o dos docenas de microcontroladores. Pueden encontrarse en casi
cualquier dispositivo electrnico como automviles, lavadoras, hornos
microondas, telfonos, etc.
Un microcontrolador difiere de una unidad central de procesamiento normal,
debido a que es ms fcil convertirla en una computadora en funcionamiento,
con un mnimo de circuitos integrados externos de apoyo. La idea es que el
circuito integrado se coloque en el dispositivo, enganchado a la fuente de
energa y de informacin que necesite, y eso es todo. Un microprocesador
tradicional no le permitir hacer esto, ya que espera que todas estas tareas sean
manejadas por otros chips. Hay que agregarle los mdulos de entrada y salida
(puertos) y la memoria para almacenamiento de informacin.
Un microcontrolador tpico tendr un generador de reloj integrado y una
pequea cantidad de memoria de acceso aleatorio y/o
ROM/EPROM/EEPROM/flash, con lo que para hacerlo funcionar todo lo que
se necesita son unos pocos programas de control y un cristal de
sincronizacin. Los microcontroladores disponen generalmente tambin de
una gran variedad de dispositivos de entrada/salida, como convertidor
analgico digital, temporizadores, UARTs y buses de interfaz serie
especializados, como I
2
C y CAN. Frecuentemente, estos dispositivos
integrados pueden ser controlados por instrucciones de procesadores
especializados. Los modernos microcontroladores frecuentemente incluyen un
lenguaje de programacin integrado, como el lenguaje de programacin
BASIC que se utiliza bastante con este propsito.
Los microcontroladores negocian la velocidad y la flexibilidad para facilitar su
uso. Debido a que se utiliza bastante sitio en el chip para incluir funcionalidad,
como los dispositivos de entrada/salida o la memoria que incluye el
microcontrolador, se ha de prescindir de cualquier otra circuitera.


3.3.3. Memoria
Anteriormente habamos visto que la memoria en los microcontroladores debe
estar ubicada dentro del mismo encapsulado, esto es as la mayora de las
veces, porque la idea fundamental es mantener el grueso de los circuitos del
sistema dentro de un solo integrado.
En los microcontroladores la memoria no es abundante, aqu no encontrar
Gigabytes de memoria como en las computadoras personales. Tpicamente la
memoria de programas no exceder de 16 K-localizaciones de memoria no
voltil (flash o EPROM) para contener los programas.
La memoria RAM est destinada al almacenamiento de informacin temporal
que ser utilizada por el procesador para realizar clculos u otro tipo de
operaciones lgicas. En el espacio de direcciones de memoria RAM se ubican
adems los registros de trabajo del procesador y los de configuracin y trabajo
de los distintos perifricos del microcontrolador. Es por ello que en la mayora
de los casos, aunque se tenga un espacio de direcciones de un tamao
determinado, la cantidad de memoria RAM de que dispone el programador
para almacenar sus datos es menor que la que puede direccionar el procesador.
El tipo de memoria utilizada en las memorias RAM de los microcontroladores
es SRAM, lo que evita tener que implementar sistemas de refrescamiento
como en el caso de las computadoras personales, que utilizan gran cantidad de
memoria, tpicamente alguna tecnologa DRAM. A pesar de que la memoria
SRAM es ms costosa que la DRAM, es el tipo adecuado para los
microcontroladores porque stos poseen pequeas cantidades de memoria
RAM.
En el caso de la memoria de programas se utilizan diferentes tecnologas, y el
uso de una u otra depende de las caractersticas de la aplicacin a desarrollar,
a continuacin se describen las cinco tecnologas existentes, que mayor
utilizacin tienen o han tenido:
Mscara ROM. En este caso no se graba el programa en memoria sino que
el microcontrolador se fabrica con el programa, es un proceso similar al de
produccin de los CD comerciales mediante masterizacin. El costo inicial de
producir un circuito de este tipo es alto, porque el diseo y produccin de la
mscara es un proceso costoso, sin embargo, cuando se necesitan varios miles
o incluso cientos de miles de microcontroladores para una aplicacin
determinada, como por ejemplo, algn electrodomstico, el costo inicial de
produccin de la mscara y el de fabricacin del circuito se distribuye entre
todos los circuitos de la serie y, el costo final de sta, es bastante menor que el
de sus semejantes con otro tipo de memoria.
Memoria PROM (Programmable Read-Only Memory) tambin conocida
como OTP (One Time Programmable). Este tipo de memoria, tambin es
conocida como PROM o simplemente ROM.
Los microcontroladores con memoria OTP se pueden programar una sola vez,
con algn tipo de programador. Se utilizan en sistemas donde el programa no
requiera futuras actualizaciones y para series relativamente pequeas, donde la
variante de mscara sea muy costosa, tambin para sistemas que requieren
serializacin de datos, almacenados como constantes en la memoria de
programas.
Memoria EPROM (Erasable Programmable Read Only Memory). Los
microcontroladores con este tipo de memoria son muy fciles de identificar
porque su encapsulado es de cermica y llevan encima una ventanita de vidrio
desde la cual puede verse la oblea de silicio del microcontrolador.
Se fabrican as porque la memoria EPROM es reprogramable, pero antes debe
borrase, y para ello hay que exponerla a una fuente de luz ultravioleta, el
proceso de grabacin es similar al empleado para las memorias OTP.
Al aparecer tecnologas menos costosas y ms flexibles, como las memorias
EEPROM y FLASH, este tipo de memoria han cado en desuso, se utilizaban
en sistemas que requieren actualizaciones del programa y para los procesos de
desarrollo y puesta a punto.
EEPROM (Electrical Erasable Programmable Read Only Memory). Fueron el
sustituto natural de las memorias EPROM, la diferencia fundamental es que
pueden ser borradas elctricamente, por lo que la ventanilla de cristal de
cuarzo y los encapsulados cermicos no son necesarios.
Al disminuir los costos de los encapsulados, los microcontroladores con este
tipo de memoria se hicieron ms baratos y cmodos para trabajar que sus
equivalentes con memoria EPROM.
Otra caracterstica destacable de este tipo de microcontrolador es que fue en
ellos donde comenzaron a utilizarse los sistemas de programacin en el
sistemaque evitan tener que sacar el microcontrolador de la tarjeta que lo aloja
para hacer actualizaciones al programa.
Memoria flash. En el campo de las memorias reprogramables para
microcontroladores, son el ltimo avance tecnolgico en uso a gran escala, y
han sustituido a los microcontroladores con memoria EEPROM.
A las ventajas de las memorias flash se le adicionan su gran densidad respecto
a sus predecesoras lo que permite incrementar la cantidad de memoria de
programas a un costo muy bajo. Pueden adems ser programadas con las
mismas tensiones de alimentacin del microcontrolador, el acceso en lectura y
la velocidad de programacin es superior, disminucin de los costos de
produccin, entre otras.
Lo ms habitual es encontrar que la memoria de programas y datos est
ubicada toda dentro del microcontrolador, de hecho, actualmente son pocos
los microcontroladores que permiten conectar memoria de programas en el
exterior del encapsulado. Las razones para estas limitaciones estn dadas
porque el objetivo fundamental es obtener la mayor integracin posible y
conectar memorias externas consume lneas de E/S que son uno de los
recursos ms preciados de los microcontroladores.
A pesar de lo anterior existen familias como la Intel 8051 cuyos
microcontroladores tienen la capacidad de ser expandidos en una variada
gama de configuraciones para el uso de memoria de programas externa. En el
caso de los PIC, estas posibilidades estn limitadas slo a algunos
microcontroladores de la gama alta, la Figura 5 muestra algunas de las
configuraciones para memoria de programa que podemos encontrar en los
microcontroladores. La configuracin (a) es la tpica y podemos encontrarla
casi en el 100% de los microcontroladores. La configuracin (b) es poco
frecuente y generalmente se logra configurando al microcontrolador para
sacrificar la memoria de programas interna, sin embargo el Intel 8031 es un
microcontrolador sin memoria de programas interna. La configuracin (c) es
la que se encuentra habitualmente en los microcontroladores que tienen
posibilidades de expandir su memoria de programas como algunos PIC de
gama alta.
Cuando se requiere aumentar la cantidad de memoria de datos, lo ms
frecuente es colocar dispositivos de memoria externa en forma de perifricos,
de esta forma se pueden utilizar memorias RAM, FLASH o incluso discos
duros como los de los ordenadores personales, mientras que para los clculos
y dems operaciones que requieran almacenamiento temporal de datos se
utiliza la memoria RAM interna del microcontrolador. Esta forma de expandir
la memoria de datos est determinada, en la mayora de los casos, por el tipo
de repertorio de instrucciones del procesador y porque permite un elevado
nmero de configuraciones distintas, adems del consiguiente ahorro de lneas
de E/S que se logra con el uso de memorias con buses de comunicacin serie.


3.3.4. Interrupciones

Las interrupciones son esencialmente llamadas a subrutina generadas por los
dispositivos fsicos, al contrario de las subrutinas normales de un programa en
ejecucin. Como el salto de subrutina no es parte del hilo o secuencia de
ejecucin programada, el controlador guarda el estado del procesador en
la pila de memoria y entra a ejecutar un cdigo especial llamado "manejador
de interrupciones" que atiende al perifrico especfico que gener la
interrupcin. Al terminar la rutina, una instruccin especial le indica al
procesador el fin de la atencin de la interrupcin. En ese momento el
controlador restablece el estado anterior, y el programa que se estaba
ejecutando antes de la interrupcin sigue como si nada hubiese pasado. Las
rutinas de atencin de interrupciones deben ser lo ms breves posibles para
que el rendimiento del sistema sea satisfactorio, porque normalmente cuando
una interrupcin es atendida, todas las dems interrupciones estn en espera.
Imagine que est esperando la visita de un amigo, al que llamaremos Juan.
Usted y Juan han acordado que cuando l llegue a su casa esperar
pacientemente a que le abra la puerta. Juan no debe tocar a la puerta porque
alguien en la casa duerme y no quiere que le despierten.
Ahora usted ha decidido leer un libro mientras espera a que Juan llegue a la
casa, y para comprobar si ha llegado, cada cierto tiempo detiene la lectura,
marca la pgina donde se qued, se levanta y va hasta la puerta, abre y
comprueba si Juan ha llegado, si ste todava no est en la puerta, esperar
unos minutos, cerrar la puerta y regresar a su lectura durante algn
tiempo.
Como ver este es un mtodo poco eficiente para esperar a Juan porque
requiere que deje la lectura cada cierto tiempo y vaya hasta la puerta a
comprobar si l ha llegado, adems debe esperar un rato si todava no llega. Y
por si fuera poco, imagine que Juan no llega nunca porque se le present un
problema, tuvo que cancelar la cita y no pudo avisarle a tiempo, o peor, que
Juan ha llegado a la puerta un instante despus que usted la cerraba. Juan,
respetando lo acordado, espera un tiempo, pero se cansa de esperar a que le
abran y decide marcharse porque cree que ya usted no est en la casa o no
puede atenderlo. A este mtodo de atender la llegada de Juan lo llamaremos
encuesta.
Veamos ahora otro mtodo. En esta ocasin simplemente se recuesta en el
sof de la sala y comienza a leer su libro, cuando Juan llegue debe tocar el
timbre de la puerta y esperar unos momentos a que le atiendan. Cuando usted
oye sonar el timbre, interrumpe la lectura, marca la pgina donde se qued y
va hasta la puerta para atender a la persona que toca el timbre. Una vez que
Juan o la persona que ha tocado el timbre, se marcha, usted regresa a su
asiento y retoma la lectura justo donde la dej. Este ltimo es un mtodo ms
eficiente que el anterior porque le deja ms tiempo para leer y elimina algunos
inconvenientes como el de que Juan nunca llegue o se marche antes de que
usted abra la puerta. Es, en principio, un mtodo simple pero muy eficaz y
eficiente, lo llamaremos atencin por interrupcin.
El primero de ellos, la encuesta, es un mtodo eficaz, pero poco eficiente
porque requiere realizar lecturas constantes y muchas veces innecesarias del
estado del proceso que queremos atender. Sin embargo, es muy utilizado en la
programacin de microcontroladores porque resulta fcil de aprender, la
implementacin de cdigo con este mtodo es menos compleja y no requiere
de hardware especial para llevarla adelante. Por otra parte, la encuesta, tiene
muchas deficiencias que con frecuencia obligan al diseador a moverse hacia
otros horizontes
El mundo est lleno de situaciones; de las cuales no podemos determinar ni
cuando, ni cmo ni por qu se producen, en la mayora de los casos lo nico
que podemos hacer es enterarnos de que determinada situacin, asociada a un
proceso, ha ocurrido. Para ello seleccionamos alguna condicin o grupo de
condiciones que nos indican que el proceso que nos interesa debe ser atendido,
a este fenmeno, en el cual se dan las condiciones que nos interesa conocer, lo
llamaremos evento. En el segundo ejemplo vemos que para atender a Juan,
ste debe tocar el timbre, por tanto, la llegada de Juan es el proceso que
debemos atender y el sonido del timbre es el evento que nos indica que Juan
ha llegado.
El mtodo de atencin a procesos por interrupcin, visto desde la ptica del
ejemplo que utilic para mostrarlo, es ms simple que el de la encuesta, pero
no es cierto, el mtodo se complica porque requiere que el microprocesador
incorpore circuitos adicionales para registrar los eventos que le indican que
debe atender al proceso asociado y comprender estos circuitos y su dinmica
no es una tarea sencilla.
Los circuitos para la atencin a las interrupciones y todas las tareas que debe
realizar el procesador para atender al proceso que lo interrumpe son bastante
complejos y requieren una visin diferente de la que estamos acostumbrados a
tener de nuestro mundo.
Los seres humanos no estamos conscientes de las interrupciones, en nuestro
organismo existen mecanismos que nos interrumpen constantemente, para ello
tenemos a nuestro sistema sensorial, pero no somos conscientes del proceso de
interrupcin, aunque s de la atencin a las interrupciones. Eso es porque
incorporamos mecanismos que nos sacan rpidamente de la tarea que estemos
haciendo para atender una situacin que no puede o no debe esperar mucho
tiempo. Bien, esa misma es la idea que se incorpora en los microprocesadores
para atender procesos que no pueden esperar o que no sabemos cundo deben
ser atendidos porque ello depende de determinadas condiciones.
La cosa se complica en la secuencia de acciones a realizar desde el momento
en que se desencadena el proceso de interrupcin, hasta que se ejecuta el
programa que lo atiende, y en la secuencia de acciones posteriores a la
atencin. Piense en cuantas cosas debe hacer su organismo ante una
interrupcin, utilicemos el segundo ejemplo para atender la llegada de Juan.
Piense en cuantas cosas su cerebro hace a espaldas de su conciencia, desde el
momento en que suena el timbre hasta que usted se encuentra listo (consciente
de que es probable que Juan ha llegado) para abrir la puerta, y todo lo que su
cerebro debe trabajar para retomar la lectura despus que Juan se ha
marchado. Todo eso, excepto abrir la puerta y atender a Juan, lo hacemos de
forma inconsciente porque para ello tenemos sistemas dedicados en nuestro
organismo, pero en el mundo de los microcontroladores debemos conocer
todos esos detalles para poder utilizar los mecanismos de interrupcin.
Los procesos de atencin a interrupciones tienen la ventaja de que se
implementan por hardware ubicado en el procesador, as que es un mtodo
rpido de hacer que el procesador se dedique a ejecutar un programa especial
para atender eventos que no pueden esperar por mecanismos lentos como el de
encuesta.
En trminos generales, un proceso de interrupcin y su atencin por parte del
procesador, tiene la siguiente secuencia de acciones:
1. En el mundo real se produce el evento para el cual queremos que el
procesador ejecute un programa especial, este proceso tiene la
caracterstica de que no puede esperar mucho tiempo antes de ser atendido
o no sabemos en qu momento debe ser atendido.
2. El circuito encargado de detectar la ocurrencia del evento se activa, y
como consecuencia, activa la entrada de interrupcin del procesador.
3. La unidad de control detecta que se ha producido una interrupcin y
levanta una bandera para registrar esta situacin; de esta forma si las
condiciones que provocaron el evento desaparecen y el circuito encargado
de detectarlo desactiva la entrada de interrupcin del procesador, sta se
producir de cualquier modo, porque ha sido registrada.
4. La unidad de ejecucin termina con la instruccin en curso y justo antes de
comenzar a ejecutar la siguiente comprueba que se ha registrado una
interrupcin
5. Se desencadena un proceso que permite guardar el estado actual del
programa en ejecucin y saltar a una direccin especial de memoria de
programas, donde est la primera instruccin de la subrutina de atencin a
interrupcin.
6. Se ejecuta el cdigo de atencin a interrupcin, esta es la parte
consciente de todo el proceso porque es donde se realizan las acciones
propias de la atencin a la interrupcin y el programador juega su papel.
7. Cuando en la subrutina de atencin a interrupcin se ejecuta la instruccin
de retorno, se desencadena el proceso de restauracin del procesador al
estado en que estaba antes de la atencin a la interrupcin.
Como podemos observar, el mecanismo de interrupcin es bastante
complicado, sin embargo tiene dos ventajas que obligan a su implementacin:
la velocidad y su capacidad de ser asncrono. Ambas de conjunto permiten que
aprovechemos al mximo las capacidades de trabajo de nuestro procesador.
Los mecanismos de interrupcin no solo se utilizan para atender eventos
ligados a procesos que requieren atencin inmediata sino que se utilizan
adems para atender eventos de procesos asncronos.
Las interrupciones son tan eficaces que permiten que el procesador acte
como si estuviese haciendo varias cosas a la vez cuando en realidad se dedica
a la misma rutina de siempre, ejecutar instrucciones una detrs de la otra.


3.3.5. Perifricos

Cuando observamos la organizacin bsica de un microcontrolador,
sealamos que dentro de este se ubican un conjunto de perifricos. A
continuacin describiremos algunos de los perifricos que con mayor
frecuencia encontraremos en los microcontroladores.


3.3.5.1. Entradas y salidas de propsito general

Tambin conocidos como puertos de E/S, generalmente agrupadas en puertos
de 8 bits de longitud, permiten leer datos del exterior o escribir en ellos desde
el interior del microcontrolador, el destino habitual es el trabajo con
dispositivos simples como rels, LED, o cualquier otra cosa que se le ocurra al
programador.
Algunos puertos de E/S tienen caractersticas especiales que le permiten
manejar salidas con determinados requerimientos de corriente, o incorporan
mecanismos especiales de interrupcin para el procesador.
Tpicamente cualquier pin de E/S puede ser considerada E/S de propsito
general, pero como los microcontroladores no pueden tener infinitos pines, ni
siquiera todos los pines que queramos, las E/S de propsito general comparten
los pines con otros perifricos. Para usar un pin con cualquiera de las
caractersticas a l asignadas debemos configurarlo mediante los registros
destinados a ellos.


3.3.5.2. Temporizadores y contadores

Son circuitos sincrnicos para el conteo de los pulsos que llegan a su poder
para conseguir la entrada de reloj. Si la fuente de un gran conteo es el
oscilador interno del microcontrolador es comn que no tengan un pin
asociado, y en este caso trabajan como temporizadores. Por otra parte, cuando
la fuente de conteo es externa, entonces tienen asociado un pin configurado
como entrada, este es el modo contador.
Los temporizadores son uno de los perifricos ms habituales en los
microcontroladores y se utilizan para muchas tareas, como por ejemplo, la
medicin de frecuencia, implementacin de relojes, para el trabajo de conjunto
con otros perifricos que requieren una base estable de tiempo entre otras
funcionalidades. Es frecuente que un microcontrolador tpico incorpore ms
de un temporizador/contador e incluso algunos tienen arreglos de contadores.
Como veremos ms adelante este perifrico es un elemento casi
imprescindible y es habitual que tengan asociada alguna interrupcin. Los
tamaos tpicos de los registros de conteo son 8 y 16 bits, pudiendo encontrar
dispositivos que solo tienen temporizadores de un tamao o con ms
frecuencia con ambos tipos de registro de conteo.


3.3.5.3. Conversor analgico/digital

Como es muy frecuente el trabajo con seales analgicas, stas deben ser
convertidas a digital y por ello muchos microcontroladores incorporan un
conversor analgico-digital, el cual se utiliza para tomar datos de varias
entradas diferentes que se seleccionan mediante un multiplexor.
Las resoluciones ms frecuentes son 8 y 10 bits, que son suficientes para
aplicaciones sencillas. Para aplicaciones en control e instrumentacin estn
disponibles resoluciones de 12bit, 16bit y 24bit. Tambin es posible conectar
un convertidor externo, en caso de necesidad.


3.3.6. Puertos de comunicacin

3.3.6.1. Puerto serie

Este perifrico est presente en casi cualquier microcontrolador, normalmente
en forma de UART (Universal Asynchronous Receiver Transmitter) o
USART (Universal Synchronous Asynchronous Receiver Transmitter)
dependiendo de si permiten o no el modo sincrnico de comunicacin.
El destino comn de este perifrico es la comunicacin con otro
microcontrolador o con una PC y en la mayora de los casos hay que agregar
circuitos externos para completar la interfaz de comunicacin. La forma ms
comn de completar el puerto serie es para comunicarlo con una PC mediante
la interfaz EIA-232 (ms conocida como RS-232), es por ello que muchas
personas se refieren a la UART o USART como puerto serie RS-232, pero
esto constituye un error, puesto que este perifrico se puede utilizar para
interconectar dispositivos mediante otros estndares de comunicacin. En
aplicaciones industriales se utiliza preferiblemente RS-485 por sus superior
alcance en distancia, velocidad y resistencia al ruido.


3.3.6.2. SPI

Este tipo de perifrico se utiliza para comunicar al microcontrolador con otros
microcontroladores o con perifricos externos conectados a l, por medio de
una interfaz muy sencilla. Hay solo un nodo controlador que permite iniciar
cualquier transaccin, lo cual es una desventaja en sistemas complejos, pero
su sencillez permite el aislamiento galvnico de forma directa por medio de
optoacopladores.


3.3.6.3. I2C

Cumple las mismas funciones que el SPI, pero requiere menos seales de
comunicacin y cualquier nodo puede iniciar una transaccin. Es muy
utilizado para conectar las tarjetas grficas de las computadoras personales
con los monitores, para que estos ltimos informen de sus prestaciones y
permitir la autoconfiguracin del sistema de vdeo.


3.3.6.4. USB

Los microcontroladores son los que han permitido la existencia de este
sistema de comunicacin. Es un sistema que trabaja por polling
(monitorizacin) de un conjunto de perifricos inteligentes por parte de un
amo, que es normalmente un computador personal. Cada modo inteligente est
gobernado inevitablemente por un microcontrolador.


3.3.6.5. Ethernet

Es el sistema ms extendido en el mundo para redes de rea local cableadas.
Los microcontroladores ms poderosos de 32 bits se usan para implementar
perifricos lo suficientemente poderosos como para que puedan ser accesados
directamente por la red. Muchos de los enrutadores caseros de pequeas
empresas estn construidos en base a un microcontrolador que hace del
cerebro del sistema.


3.3.6.6. Can
Este protocolo es del tipo CSMA/CD con tolerancia a elevados voltajes de
modo comn y orientado al tiempo real. Este protocolo es el estndar ms
importante en la industria automotriz (OBD). Tambin se usa como capa fsica
del "field bus" para el control industrial.


3.3.6.7. Otros puertos de comunicacin

Hay una enorme cantidad de otros buses disponibles para la industria
automotriz (linbus) o de medios audiovisuales como el i2s, IEEE 1394. Es
usuario se los encontrar cuando trabaje en algn rea especializada.


3.3.7. Comparadores

Son circuitos analgicos basados en amplificadores operacionales que tienen
la caracterstica de comparar dos seales analgicas y dar como salida los
niveles lgicos 0 o 1 en dependencia del resultado de la comparacin. Es
un perifrico muy til para detectar cambios en seales de entrada de las que
solamente nos interesa conocer cuando est en un rango determinado de
voltaje.


3.3.7.1. Modulador de ancho de pulsos

Los PWM (Pulse Width Modulator) son perifricos muy tiles sobre todo para
el control de motores, sin embargo hay un grupo de aplicaciones que pueden
realizarse con este perifrico, dentro de las cuales podemos citar: inversin
DC/AC para UPS, conversin digital analgica D/A, control regulado de luz
(dimming) entre otras.


3.3.7.2. Memoria de datos no voltil

Muchos microcontroladores han incorporado este tipo de memoria como un
perifrico ms, para el almacenamiento de datos de configuracin o de los
procesos que se controlan. Esta memoria es independiente de la memoria de
datos tipo RAM o la memoria de programas, en la que se almacena el cdigo
del programa a ejecutar por el procesador del microcontrolador.
Muchos de los microcontroladores PIC, incluyen este tipo de memoria,
tpicamente en forma de memoria EEPROM, incluso algunos de ellos
permiten utilizar parte de la memoria de programas como memoria de datos
no voltil, por lo que el procesador tiene la capacidad de escribir en la
memoria de programas como si sta fuese un perifrico ms.


3.3.8. Familias de microcontroladores

Los microcontroladores ms comunes en uso son:
Empresa 8 bits 16 bits 32 bits
Atmel
AVR
(mega y
tiny),
89Sxxxx
familia
similar

SAM7
(ARM7TDMI), SAM
3 (ARM Cortex-M3),
SAM9 (ARM926),
AVR32
8051
Freescale (antes
Motorola)
68HC05
,
68HC08
,
68HC11
, HCS08
68HC12, 68HCS12,
68HCSX12, 68HC16
683xx, PowerPC,
ColdFire
Holtek HT8

Intel
MCS-48
(familia
8048)
MCS51
(familia
8051)
8xC251
MCS96, MXS296 x
National
Semiconductor
COP8 x x
Microchip
Familia
10f2xx
Familia
12Cxx
Familia
12Fxx,
16Cxx y
16Fxx
18Cxx y
PIC24F, PIC24H y
dsPIC30FXX,dsPIC33
F con motor dsp
integrado
PIC32
18Fxx
NXP
Semiconductors
(antes Philips)
80C51 XA
Cortex-M3, Cortex-
M0, ARM7, ARM9
Renesas (antes
Hitachi, Mitsubishi
y NEC)
78K, H8
H8S, 78K0R, R8C,
R32C/M32C/M16C
RX, V850, SuperH,
SH-Mobile, H8SX
STMicroelectronic
s
ST 62,
ST 7

STM32 (ARM7)
Texas Instruments TMS370 MSP430
C2000, Cortex-M3
(ARM), TMS570
(ARM)
Zilog
Z8,
Z86E02

Observacin: Algunas arquitecturas de microcontrolador estn disponibles
por tal cantidad de vendedores y en tantas variedades, que podran tener, con
total correccin, su propia categora. Entre ellos encontramos, principalmente,
las variantes de Intel 8051 y Z80.


3.4. PI C 16F628


Figura 3.29. Apariencia PIC 16F628


3.4.1. Caractersticas del microcontrolador

Presenta arquitectura RISCLas caractersticas esenciales de una arquitectura
RISC pueden resumirse como sigue: las instrucciones, aunque con otras
caractersticas, siguen divididas en tres grupos:
a) Transferencia;
b) Operaciones;
c) Control de flujo.
Reduccin del conjunto de instrucciones a instrucciones bsicas simples, con
la que pueden implantarse todas las operaciones complejas.
Arquitectura del tipo load-store (carga y almacena). Las nicas instrucciones
que tienen acceso a la memoria son load y store; registr a registro, con
un menor nmero de acceso a memoria.
Casi todas las instrucciones pueden ejecutarse dentro de un ciclo de reloj. Con
un control implantado por hardware (con un diseo del tipo load-store), casi
todas las instrucciones se pueden ejecutar cada ciclo de reloj, base importante
para la reorganizacin de la ejecucin de instrucciones por medio de un
compilador.
Pipeline (ejecucin simultnea de varias instrucciones). Posibilidad de reducir
el nmero de ciclos de mquina necesarios para la ejecucin de la instruccin,
ya que esta tcnica permite que una instruccin pueda empezar a ejecutarse
antes de que haya terminado la anterior.
El hecho de que la estructura simple de un procesador RISC conduzca a una
notable reduccin de la superficie del circuito integrado, se aprovecha con
frecuencia para ubicar en el mismo, funciones adicionales:
Unidad para el procesamiento aritmtico de punto flotante.
Unidad de administracin de memoria.
Funciones de control de memoria cache.
Implantacin de un conjunto de registros mltiples.
35 Instrucciones (tiempo de ejecucin 200ns)
Velocidad de operacin 20Mhz
224 octetos de RAM
128 octetos de EEPROM
16 pins I/O con control de direccin
Modulo comparador analgico
3 timers (dos de 8 bits y uno de 16 bits).


3.4.2. Estructura del microcontrolador

Los PIC son integrados capaces de ser programados desde un computador y
seguir una secuencia. Conviene recordar que un PIC16F628 es uno de los ms
conocidos, razn por la cual su estructura brinda un esquema universal. El
siguiente es su diagrama circuital por bloques, que se debe entender desde la
electrnica, que es la base del trabajo de programacin de los PIC:


El PIC 16F628 presenta arquitectura de Harvard con memoria de datos de 8
bits y memoria de programas de 14 bits. Los registros de funciones especiales
(SFR) incluido el program counter (PC) estn en la memoria de datos. La
ALU es de 8 bits y contiene un registro de trabajo (W) de8 bits.
Flags de registro relacionados a la ALU: C (Carry); DC (Digit Carry); Z
(zero). La Pila contiene 8 niveles.


La distribucin de pines es la siguiente, as es como se ve por fuera y cada pin
tiene una o ms funciones asignadas, cada vez que se utiliza una funcin hay
que tener en cuenta que no se deben usar las otras asignadas en el mismo pin,
es decir, un terminal solo puede realizar una funcin al tiempo, as en la etapa
de planeacin del proyecto se debe definir que funcin utilizar para cada pin,
de las que este est en habilidad de desempear.
Tiene 13 entradas salidas programables, que permiten llevar a cabo una
gran cantidad de proyectos. Las salidas se corresponden con pines.
Tiene 64 bytes de EEProm, para guardar informacin. Esta memoria es
electrnicamente grabable y borrable. ltimamente se ha introducido la
memoria Flash que puede ampliar su capacidad.
Tiene 1 Mb de memoria con cdigo lo suficientemente comprimido
como para aprovechar al mximo la memoria.
Tiene un oscilador a cristal o a RC de velocidad media: 4 Mhz o 20
Mhz en los Hs.
Cuatro fuentes de interrupcin diferentes para llamar la atencin en
cualquier momento.
La ficha tcnica de este PIC es la siguiente:
Memoria de programa: 1Kx14, EEPROM (PIC16C84) y Flash
(PIC16F84)
Memoria de datos RAM: 36 bytes (PIC16C84) y 68 bytes (PIC16F84)
Memoria de datos EEPROM: 64 bytes para todos los modelos
Pila (stack): De 8 Niveles
Interrupciones: 4 tipos diferentes
Encapsulado: Plstico DIP de 18 patitas
Frecuencia de trabajo: 10MHz mxima
Temporizadores: Slo uno, el TMR0. Tambin tienen Perro guardin
(WDT)
Lneas de E/S Digitales: 13 (5 Puerta A y 8 Puesta B)
Corriente mxima absorbida: 80mA Puerta A y 150mA Puerta B
Corriente mxima suministrada: 50mA Puerta A y 100mA Puerta B
Corriente mxima absorbida por lnea: 25mA
Corriente mxima suministrada por lnea: 20mA
Voltaje de alimentacin (VDD): De 2 a 6 V DC
Voltaje de grabacin (VPP): De 12 a 14 VDC
Ya hemos tenido en cuenta la estructura del PIC.

Figura 3.30. Diagrama de pines

Este PIC est desarrollado con tecnologa CMOS de altas prestaciones y
encapsulado en plstico con 18 patillas. Veamos la misin de cada patilla.


3.4.2.1. Descripcin de pinos

Tabla 3.2. Asignacin de pines del microcontrolador PIC16f628
La
designacin
de salida
n de
salida
de Tipo
DIP
Tipo
1//
Tipo de
bfer en el
modo de
entrada
Descripcin
1 2 3 4 5
RA0 17 I/O ST
RA0 17 I/O ST puerto Bidireccional de e/s
analgica de entrada del comparador
RA1 18 I/O ST
RA1 18 I/O ST puerto Bidireccional de e/s
analgica de entrada del comparador
RA2
1 I/O ST
RA2 1 I/O ST puerto Bidireccional de e/s
analgica de entrada del comparador
RA3 2 I/O ST
RA3 2 I/O ST puerto Bidireccional de e/s
analgica de entrada del comparador
RA4 3 I/O ST
RA4 3 I/O ST puerto Bidireccional de e/s
(abierto de salida de la escorrenta), entrada
externa de reloj para el TMR0, la salida del
comparador
MCLR 4 I ST
MCLR 4 I ST Entrada de reset del
microcontrolador, la entrada de voltaje de
programacin. Cuando la salida est
configurada como-MCLR, segn el nivel bajo
de la seal se realiza un reset del
microcontrolador. Durante el funcionamiento
normal, la tensin en la salida no debe
exceder de VDD
OSC2 15 I/O ST
OSC2 15 I/O ST puerto Bidireccional de e/s,
la salida del generador para la conexin de la
cavidad.
OSC1
16 I/O ST
OSC1 16 I/O ST puerto Bidireccional de e/s,
la entrada de un generador para la conexin
de la cavidad, la entrada externa de reloj, la
salida de la ER-desplazamiento
RB0 6 I/O TTL/ST
RB0 6 I/O TTL/ST puerto Bidireccional de e/s
con el software de encender aprieta la
resistencia, la entrada externa de la
interrupcin de la
RB1 7 I/O TTL/ST
RB1 7 I/O TTL/ST puerto Bidireccional de e/s
con software la inclusin aprieta la
resistencia, la entrada del receptor USART, la
lnea de datos en el modo de ejecucin
sincrnico USART
RB2 8 I/O TTL/ST
RB2 8 I/O TTL/ST puerto Bidireccional de e/s
con el software de encender aprieta la
resistencia, la salida del transmisor USART, la
lnea de reloj en el modo de ejecucin
sincrnico USART
RB3 9 I/O TTL/ST
RB3 9 I/O TTL/ST puerto Bidireccional de e/s
con el software de encender aprieta la
resistencia, la salida del mdulo de RSS
RB4 10 I/O TTL/ST
RB4 10 I/O TTL/ST puerto Bidireccional de
e/s con el software de encender aprieta la
resistencia de frenado. El cambio de la seal
de entrada puede sacar el microcontrolador
desde el modo SLEEP
RB5 11 I/O TTL
RB5 11 I/O TTL puerto Bidireccional de e/s
con el software de encender aprieta la
resistencia de frenado. El cambio de la seal
de entrada puede sacar el microcontrolador
desde el modo SLEEP
RB6
12 I/O TTL/ST
RB6 12 I/O TTL/ST puerto Bidireccional de
e/s con el software de encender aprieta la
resistencia de frenado. El cambio de la seal
de entrada puede sacar el microcontrolador
desde el modo SLEEP. La salida del
generador de temporizador de 1
RB7 13 I/O TTL/ST
RB7 13 I/O TTL/ST puerto Bidireccional de
e/s con el software de encender aprieta la
resistencia de frenado. El cambio de la seal
de entrada puede sacar el microcontrolador
desde el modo SLEEP. La entrada del
generador de temporizador de 1
VSS 5 P -
VSS 5 P - conclusin General de que la lgica
interna y los puertos de e/s
VDD 14 P -
VDD 14 P - tensin Positiva de alimentacin
de la lgica interna y los puertos de e/s

PORTA: RA0-RA7:
Los pines RA0-RA4 y RA6-RA7 son bidireccionales y manejan seales TTL.
El pin RA5 es una entrada Schmitt Trigger que sirve tambin para entrar en el
modo de programacin cuando se aplica una tensin igual a Vpp (13,4V
mnimo). El terminal RA4 puede configurarse como reloj de entrada para
el contador TMR0Los pines RA0-RA3 sirven de entrada para el comparador
analgico PORTB: RB0-RB7:
Los pines RB0-RB7 son bidireccionales y manejan seales TTLPor software
se pueden activar las resistencias de pull-up internas, que evitan el uso de
resistencias externas en caso de que los terminales se utilicen como entrada
(permite, en algunos casos, reducir el nmero de componentes externos).
El pin RB0 se puede utilizar como entrada de pulsos para provocar una
interrupcin externa. Los pines RB4-RB7 estn diseados para detectar una
interrupcin por cambio de estado. Esta interrupcin puede utilizarse para
controlar un teclado matricial, por poner un ejemplo.
Otros pines.
VDD: Pin de alimentacin positiva. De 2 a 5,5 Vcc
VSS: Pin de alimentacin negativa. Se conecta a tierra o a 0 Vcc
MCLR: Master Clear (Reset). Si el nivel lgico de este terminal es bajo (0
Vcc), el microcontrolador permanece inactivo. Este Reset se controla
mediante la palabra de configuracin del PIC
OSC1/CLKIN: Entrada de oscilador externo
OSC2/CLKOUT: Salida del oscilador. El PIC 16F628 dependiendo de cmo
se configure puede proporcionar una salida de reloj por medio de este pin.
VDD: Patilla por la que se aplica la tensin positiva de la alimentacin.
VSS: Patilla conectada a la tierra o negativo de la alimentacin.
OSC1/CLKIN: Patilla por la que se aplica la entrada del circuito
oscilador externo que proporciona la frecuencia de trabajo del
microcontrolador.
OSC2/CLKOUT: Patilla auxiliar del circuito oscilador.
MCLR#: Esta patilla es activa con nivel lgico bajo, lo que se
representa con el smbolo #. En pocas palabras con esta reseteas el PIC.
RA0-RA4: Son las lneas de E/S digitales correspondientes a la puerta
A. La lnea RA4.
RB0-RB7: estas 8 patillas corresponden a las 8 lneas de E/S digitales
de la puerta B. La lnea RB0 multiplexa otra funcin, que es la de servir
como entrada a otra peticin externa de interrupcin, por eso se le
denomina RB0/INT.
En resumidas cuentas: Los PIC16X8X tienen un encapsulado de 18 patillas,
dos de ellas soportan la tensin de alimentacin, otras dos reciben la seal de
oscilador externo y otra se utiliza para generar un Reset. Las 13 patillas
restantes funcionan como lneas de E/S para controlar las aplicaciones.


3.4.2.2. Organizacin de la memoria

Las direcciones de memoria son 2k de 14 bits (0000h-07FFh) cclicas, es decir
0800h=0000h
El program counter es de 13 bits.
El vector de RESET est en 0000h y el de interrupcin en 0004h
La memoria de datos esta particionada en 4 bancos, que contienen los
Registros de Propsito General (GPRs) y los Registros de Funciones
Especiales ((SFRs). Los SFRs se localizan en lasprimeras 32 posiciones de
cada banco. Existen GPRs implementados como RAM esttica encada banco.


3.4.2.3. PILA

La pila contiene 8 niveles, y se accede a ellos mediante las llamadas CALL
(que funciona como PUSH) y RETURN, RETFIEY RETLW (que funcionan
como POP).


3.4.3. El hardware para la programacin

Para introducir programas, se utiliza el programador PICkit 2, que se puede
obtener por correo postal a la orden de varios proveedores, incluyendo
directamente a la empresa Microchip (www.microchip.com).


Fig. 3.31. programador PICkit est equipado con un puerto USB. Este
pequeo mdulo no ocupa mucho espacio en el lugar de trabajo con la
programacin y pruebas de los PIC. Se conecta directamente con una
pequea tarjeta en la que se instala microcontroles en el momento de su
programacin. La tarjeta tiene interruptor y varios ledos para las pruebas de
rutinas de entrada / salida. Ella permite crear diferentes interfaces con el
microcontrolador.



3.4.3.1. El microcontrolador PIC

La seleccin de un microcontrolador se realiza con las tareas necesarias. Para
estudiar bien popular MK con un conjunto mnimo de la periferia:
PIC16F628A.
Primero se debe descargar la documentacin seleccionada microcontrolador.
Los puntos principales que vamos a necesitar:
el microcontrolador contiene un generador interno de 4 MHz, por lo
mismo, se puede conectar un cuarzo, a una frecuencia de hasta 20 MHz
16 pies de un microcontrolador se puede utilizar como entradas\salidas
hay 2 salidas analgicas comparador
temporizador de 3
Mdulo CCP
Mdulo USART
128 bytes de memoria no voltil EEPROM

Es lo mnimo necesario para el funcionamiento del comit.


Siguen disponibles, de 16 pies de MK. No es difcil calcular que el uso de
cada una de las piernas de algn mdulo reduce al mximo el nmero de
puertos digitales.


3.4.3.2. El compilador

Ms simple y fcil, el compilador de JAL con el IDE JALEdit.
Balanceamos JALPack
(http://code.google.com/p/jaledit/downloads/detail?name=JALPack_2.4m_0.5
_0.9.0.9.exe), establecemos. En esta carpeta contendr todas las bibliotecas,
as como ejemplos de su uso.
Ponemos En Marcha La JALEdit. Abrimos un ejemplo de un programa de
estudio para nuestro microcontrolador: 16f628a_blink.jal, para no estropear la
fuente, inmediatamente almacenarlo en un nuevo archivo, por ejemplo,
16f628a_test.jal.

El cdigo completo se puede dividir en 4 bloques:
seleccin de MK y su configuracin

include 16f628a --
--
-- This program assumes a 20 MHz resonator or crystal
-- is connected to pins OSC1 and OSC2.
pragma target clock 20_000_000 -- oscillator frequency
-- configuration memory settings (fuses)
pragma target OSC HS -- HS crystal or resonator
pragma target WDT disabled -- no watchdog
pragma target LVP disabled -- no Low Voltage Programming
pragma target MCLR external -- reset externally
--

declaracin de variables, procedimientos, funciones
alias led is pin_A0
pin_A0_direction = output

realizacin de ajustes y liquidaciones de hasta el bucle principal
enable_digital_io() -- el cambio de todas las entradas\salidas en el modo
digital

un bucle infinito las principales acciones de MC
forever loop
led = on
_usec_delay(250000)
led = off
_usec_delay(250000)
end loop

Pulsando F9 (o el botn apropiado) al compilar el programa en terminados el
firmware cuando este se ve la cantidad de recursos que MC se usar:
Code :58/2048 Data:4/208 Hardware Stack: 0/8 Software Stack :80

Si leen los comentarios, queda claro que este programa est diseado para el
uso externo de cuarzo de 20 MHz.
Ya lo tenemos por el momento no, vamos a ver con la configuracin y volver
a escribir el programa en uso interno del generador.


Configuracin

En diferentes microcontroladores existen diferentes conjuntos de
configuracin de bits.
En una biblioteca de cada bit, y a cada uno su valor asignado ledo variable,
slo queda seleccionar los necesarios ajustes.
-- Symbolic Fuse definitions
-- -------------------------
--
-- addr 0x2007
--
pragma fuse_def OSC 0x13 { -- oscillator
RC_CLKOUT = 0x13 -- rc: clkout on ra6/osc2/clkout, rc on ra7/osc1/clkin
RC_NOCLKOUT = 0x12 -- rc: i/o on ra6/osc2/clkout, rc on ra7/osc1/clkin
INTOSC_CLKOUT = 0x11 -- intosc: clkout on ra6/osc2/clkout, i/o on ra7/osc1/clkin
INTOSC_NOCLKOUT = 0x10 -- intosc: i/o on ra6/osc2/clkout, i/o on ra7/osc1/clkin
EC_NOCLKOUT = 0x3 -- ec
HS = 0x2 -- hs
XT = 0x1 -- xt
LP = 0x0 -- lp
}
pragma fuse_def WDT 0x4 { -- watchdog timer
ENABLED = 0x4 -- on
DISABLED = 0x0 -- off
}
pragma fuse_def PWRTE 0x8 { -- power up timer
DISABLED = 0x8 -- disabled
ENABLED = 0x0 -- enabled
}
pragma fuse_def MCLR 0x20 { -- master clear enable
EXTERNAL = 0x20 -- enabled
INTERNAL = 0x0 -- disabled
}
pragma fuse_def BROWNOUT 0x40 { -- brown out detect
ENABLED = 0x40 -- enabled
DISABLED = 0x0 -- disabled
}
pragma fuse_def LVP 0x80 { -- low voltage program
ENABLED = 0x80 -- enabled
DISABLED = 0x0 -- disabled
}
pragma fuse_def CPD 0x100 { -- data ee read protect
DISABLED = 0x100 -- disabled
ENABLED = 0x0 -- enabled
}
pragma fuse_def CP 0x2000 { -- code protect
DISABLED = 0x2000 -- off
ENABLED = 0x0 -- on
}

OSC - configuracin de la fuente de creacin de ritmo
puede tomar 8 valores distintos, 4 de las cuales nos pueden ser
necesarios en los ejemplos.
1. INTOSC_NOCLKOUT - generador interno (4M Hz)
2. HS - externo de alta frecuencia de cuarzo (de 8 a 20 MHz)
3. XT = externo de cuarzo (200 kHz y 4 MHz)
4. LP externo, el altavoz de cuarzo (hasta 200 kHz)
WDT - watchdog timer.
El trabajo principal de este temporizador en la que reiniciar el
microcontrolador cuando se ha terminado el trabajo.
Que el reinicio no sucedi, es necesario a tiempo puede ajustar a cero.
Por lo tanto, cuando se produce un error en el contador del
temporizador dejar de ser reajustada, que restablecer MK. A veces es
conveniente, pero en este momento no nos es necesario.
PWRTE - ordinario de temporizador.
Cuando la activacin de l se derrama en el MK, hasta que la
alimentacin se eleva hasta el nivel deseado.
BROWNOUT - para restablecer el MK en caso de cada de la
alimentacin por debajo de la norma.
MCLR - la activacin de la capacidad de reinicio externa MK.
Al activar la funcin de MK estar en constante hasta que en el
pie de la MCLR (pin 4) no ser una tensin positiva.
Para restablecer el MK, basta con instalar el botn, la pin 4 en la tierra.
LVP - la activacin de la capacidad de programacin en baja tensin.
Cuando la activacin de una entrada digital se abre en modo LVP (pin
10). Si presentar 5V en la pierna, el MK entrar en el modo de
programacin. Para el correcto funcionamiento de MK se desea
mantener en este tramo de la 0V (conectado a tierra).
Vamos a utilizar el programador que usa un aumento de la tensin, ya
LVP de activacin no es necesaria.
CPD - proteccin de la EEPROM de la lectura de la box.
CP - proteccin de FLASH (firmware) de la lectura de la box.

Vamos a cambiar la configuracin:
pragma target clock 4_000_000 -- indicamos la frecuencia de operacin, es
necesario para algunas funciones de clculo de tiempo
-- configuracin del microcontrolador
pragma target OSC INTOSC_NOCLKOUT -- aprovechamos generador interno de
pragma target WDT disabled -- watchdog timer desactivado
pragma target PWRTE disabled -- temporizador de encendido est desconectado
pragma target MCLR external -- reinicio externo activo
pragma target BROWNOUT disabled -- en caso de cada de la alimentacin
est desactivado
pragma target LVP disabled -- programacin de bajo voltaje est deshabilitado
pragma target CPD disabled -- la proteccin de la EEPROM est deshabilitado
pragma target CP disabled -- proteccin del cdigo est deshabilitado

Parpadea LED haciendo clic en el botn.
Modificamos el programa, de tal modo que el LED parpadea slo entonces,
cuando el apretado el botn.
Decisin de esta tarea, aprenderemos a trabajar con puertos digitales, tanto en
el modo de inicio de sesin, y en el modo de salida.


Salida digital

Elegimos an no utilizada de la pierna de MC. Tomemos, por ejemplo, el
RB5(pin 11). Este pie no tiene funciones adicionales, por lo que necesitamos
no es necesario.
En el modo de salida digital MC puede atraer a la pierna o la alimentacin, o
la tierra.
Conectar la carga como a ms, y a la negativa. La diferencia ser slo cuando
y en qu direccin fluye la corriente.



En el primer caso, la corriente fluye del MK al instalar la unidad, y en la
segunda a MK a instalar de cero.
Para encender el led de la unidad lgica, nos centraremos en la primera
opcin.
Para la limitacin de corriente a travs de la pierna (el mximo permitido de
25 mA por entrada digital o 200 mA en todos los puertos) instalado limitador
de corriente de la resistencia. De la simple frmula de para calcular el valor
mnimo de 125 Ohmios. Pero as como el lmite no nos es necesario, tome un
resistor de 500 (y, ms especficamente apropiado ms cercano).
Para la conexin ms potente de la carga se puede utilizar transistores en
diferentes variantes.


Entrada digital

Tomemos la segunda no utilizada en ninguna parte de la pierna - RB4 (pin 10,
la funcin PGM se refiere a la LVP, que hemos deshabilitado).
En el modo de entrada digital del microcontrolador puede leer de dos estados:
la presencia o ausencia de tensin. Entonces tendremos que conectar el botn
de modo, que estara en el mismo estado en el pie iba a ms, mientras que en
el segundo estado de la pierna, se emple la tierra.



En este caso, la resistencia se utiliza como tirantes (Pull-up). Normalmente se
aplican para el estiramiento de la resistencia nominal de 10 kHom.
Sin embargo, el tirn de la resistencia no siempre es necesario. Todos los pies
de PORTB (RB0-RB7) constan de un lavado, externo mediante programacin.
Pero el uso externo de levantamiento de dnde es ms seguro.
Se puede conectar no slo botn, lo ms importante a recordar acerca de la
limitacin de la corriente a travs del MC.


Botn de reinicio

Hasta que no se han olvidado de que hemos activado el reinicio externo,
aadimos similar en el botn en el pie MCLR.



Despus de pulsar este botn MC comenzar la ejecucin del programa desde
cero.


El firmware

Concedemos nuestro LED y botn de variables:
enable_digital_io() -- el cambio de todas las entradas\salidas en el modo digital
--
alias led is pin_B5 -- un led conectado a RB5
pin_B5_direction = output -- ajustamos RB5 como una salida digital
--
alias button is pin_B4 -- botn conectado a RB4
pin_B4_direction = input -- ajustamos RB4 como la entrada
led = off apagar LED

Ahora si se asigna una variable de LED en el valor de 1 o 0 (on u off, true o
false, otras opciones) nos vamos a tirar a la pierna de MK o ms, o menos, por
tanto, encender y apagando el LED, y la lectura de la variable botn vamos a
recibir de 1 si el botn no est presionado 0 si se presiona el botn.
Ahora escribiremos necesarios pasos en un ciclo sin fin (estas acciones se
realizarn de forma permanente. En ausencia de un bucle infinito, MK se
bloquea):
forever loop
led = off -- desactivar led
_usec_delay(500000) -- la espera de 0,5 seg
if Button == 0 then -- si el botn est presionado, llevamos a cabo una accin
led = on -- luz led
_usec_delay(500000) -- la espera de 0,5 seg
end if
end loop

El retraso se considera simplemente:
la frecuencia del generador tenemos 4MHz. Frecuencia de 4 veces menos:
1MHz. O ritmo de 1 = 1 s. 500.000 s = 0,5 c.

Construir un sistema de ficheros de firmware:
Errors :0 Warnings :0
Code :60/2048 Data:4/208 Hardware Stack: 0/8 Software Stack :80

Ahora tenemos que grabar el firmware en MC, montar el dispositivo de
acuerdo con el esquema y comprobar que todo sali como debera.


Programador

Todo lo prefieres esquema:



Miramos a pinouts:
PGD pin 13
PGC pin 12
MCLR(Vpp) pin 4
Vdd pin 14
Vss pin 5

Soldamos


Mala calidad de soldadura - uno de los principales problemas de fallo de la
unidad. No utilice el cabezal de montaje.
Como alimentacin de 5V en este caso se ha utilizado la cola de la antigua de
ratn PS/2, insertado en el conector del ratn.
Conectamos al ordenador.
Descargar y ejecutar WinPic800
(www.winpic800.com/descargas/winpic800.zip ).
Vamos a Settings->Hardware, elegimos el JDM y el nmero de puerto en el
que cuelga de un programador.



Presionamos el Hardware Test y, a continuacin, Detect Device



Abrimos nuestro firmware pic628a_test.hex


En la pestaa Setting puede comprobar que la configuracin de los bits se
exhiben cierto, si lo desea, aqu las puedes cambiar


Program All y, a continuacin, Verify All



Si no hay errores, seguimos soldar.


El resultado

Final de esquema:


De programador nos impide slo de alta tensin (12V) en el MCLR. O,
simplemente, no conectar el programador al puerto COM. El resto de los
cables nos interferir con el no (y conectados a la alimentacin y a la tierra slo
se harn de soldadura).
El botn en el MCLR soldar si lo desea, puede, pero levantamiento es
obligatorio.

Cuando vuelva a conectar el programador de la resistencia ser necesario
eliminar, de lo contrario se devolucin 12 En la nutricin.


As, tenemos el resultado es el ms simple de un dispositivo en el
microcontrolador: intermitente LED.


3.4.3.3. Ejemplos proyectos para PIC 16F628

El identificador y control para un beicon

El identificador y control para un beicon, en modo telegrafa, mismo escuchar
la modulacin en modo CW, cambiar velocidades, periodicidad, y otros
parmetros, la visualizacin de estados por medio de LEDs y el accionamiento
del PTT de uno o ms parmetros.



En el circuito inclu un regulador de 5 Volts para la alimentacin del micro, un
set de 5 jumper para setos y configuraciones de trabajo seleccionables, un
pulsador de reset, tres diodos LED para visualizar estados de algunas salidas,
una salida de audiofrecuencia, con una red R-C para suavizar un poco la onda
cuadrada, un piezoelctrico para escuchar dicha seal y finalmente una salida
asistida por un transistor, destinada a accionar el PTT de un HT o una base de
HF o similar.



Grabador digital de voz

Circuito Esquemtico

Componentes:
R1, R4 y R8 = 10 k; R2 = 2.2 k; R3 = 470 k; R5 = 470 ; R6 = 220 k;
R7 = 100 k;
C1 y C2 = 100 nF, polister; C3 y C9 = 22 F 16 V, electrolticos;
C4 = 47 nF, polister; C5 = 470 nF, polister; C6 y C7 = 220 nF, polister; C8
= 4.7 F/16 V, electroltico;
LED rojo de 5 mm; T1 = BC547; T2 = BC557; IC1 = ISD1020A; IC2 = 7805;
MIC = micrfono electro; PUSH = botn normalmente abierto;
S1 = interruptor;Vista del Montaje de la Plaqueta


Vista del Circuito Impreso



Medidor de la frecuencia del PIC16F628

Medidores de frecuencia mide la velocidad a 100 MHz, la sensibilidad de
entrada de 30 mv, impedancia de entrada de 500 k. Construido se basa en el
microcontrolador PIC16F628A y mdulo de cristal lquido tipo de 1601.



La seal, la frecuencia con la que desea medir, entra en el conector de entrada
X1. El condensador C1 se utiliza para la eliminacin de la componente
constante general de admisin en la entrada. Las resistencias R2 y los diodos
VD1-VD2 crean el tope que limita el valor de la amplitud de la seal de
entrada y, por tanto, medidores de frecuencia, sin conmutacin de inicio de
sesin puede medir la frecuencia de la seal desde 0,03 hasta 50V.



Amplificador de entrada las dos cascadas de transistores VT1 y VT2. De
campo transistor de entrada permite obtener una alta impedancia de entrada.
Eso es bueno, porque la entrada medidor de la frecuencia de va a afectar
mnimamente en el esquema, la frecuencia en la que se mide. Midiendo la
frecuencia de la configuracin de los contornos se pueden reducir an ms el
impacto en el circuito, si en el extremo de la sonda hacer condensador de
pequea capacidad y ya a travs de l, conectar al circuito. La segunda
cascada - el transistor bipolar, VT2.
El mejor modo de funcionamiento del amplificador se establece
experimentalmente la seleccin de la resistencia R4, al mejor trabajo
(medicin de la frecuencia de las seales de diferentes formas con la salida
funcional generador debe seleccionar el modo ptimo).
Se establece el ritmo de microcontrolador de cuarzo generador de resonando
Q1 (4 MHz).
En la salida de la pantalla de cristal lquido mdulo tipo de 1601. La
resistencia R7 se puede ajustar el contraste de caracteres. Se alimenta de un
esquema de tensin de 5V, procedente de la integral de estabilizador A1. S1-
interruptor de encendido de la fuente de alimentacin galvnico batera G1
tensin de 9V.




3.6. Arquitecturas de computadora

Bsicamente existen dos arquitecturas de computadoras, y por supuesto, estn
presentes en el mundo de los microcontroladores: Von Neumann y Harvard.
Ambas se diferencian en la forma de conexin de la memoria al procesador y
en los buses que cada una necesita.


3.6.1. Arquitectura Von Neumann

La arquitectura Von Neumann utiliza el mismo dispositivo de almacenamiento
tanto para las instrucciones como para los datos, siendo la que se utiliza en un
ordenador personal porque permite ahorrar una buena cantidad de lneas de
E/S, que son bastante costosas, sobre todo para aquellos sistemas donde el
procesador se monta en algn tipo de zcalo alojado en una placa madre.
Tambin esta organizacin les ahorra a los diseadores de placas madre una
buena cantidad de problemas y reduce el costo de este tipo de sistemas.
En un ordenador personal, cuando se carga un programa en memoria, a ste se
le asigna un espacio de direcciones de la memoria que se divide en segmentos,
de los cuales tpicamente tenderemos los siguientes: cdigo (programa), datos
y pila. Es por ello que podemos hablar de la memoria como un todo, aunque
existan distintos dispositivos fsicos en el sistema (disco duro, memoria RAM,
memoria flash, unidad de disco ptico...).
En el caso de los microcontroladores, existen dos tipos de memoria bien
definidas: memoria de datos (tpicamente algn tipo de SRAM) y memoria de
programas (ROM, PROM, EEPROM, flash u de otro tipo no voltil). En este
caso la organizacin es distinta a las del ordenador personal, porque hay
circuitos distintos para cada memoria y normalmente no se utilizan los
registros de segmentos, sino que la memoria est segregada y el acceso a cada
tipo de memoria depende de las instrucciones del procesador.
A pesar de que en los sistemas integrados con arquitectura Von Neumann la
memoria est segregada, y existan diferencias con respecto a la definicin
tradicional de esta arquitectura; los buses para acceder a ambos tipos de
memoria son los mismos, del procesador solamente salen el bus de datos, el de
direcciones, y el de control. Como conclusin, la arquitectura no ha sido
alterada, porque la forma en que se conecta la memoria al procesador sigue el
mismo principio definido en la arquitectura bsica.
Algunas familias de microcontroladores como la Intel 8051 y la Z80
implementan este tipo de arquitectura, fundamentalmente porque era la
utilizada cuando aparecieron los primeros microcontroladores.


3.6.2. Arquitectura Harvard

La otra variante es la arquitectura Harvard, y por excelencia la utilizada en
supercomputadoras, en los microcontroladores, y sistemas integrados en
general. En este caso, adems de la memoria, el procesador tiene los buses
segregados, de modo que cada tipo de memoria tiene un bus de datos, uno de
direcciones y uno de control.
La ventaja fundamental de esta arquitectura es que permite adecuar el tamao
de los buses a las caractersticas de cada tipo de memoria; adems, el
procesador puede acceder a cada una de ellas de forma simultnea, lo que se
traduce en un aumento significativo de la velocidad de procesamiento.
Tpicamente los sistemas con esta arquitectura pueden ser dos veces ms
rpidos que sistemas similares con arquitectura Von Neumann.
La desventaja est en que consume muchas lneas de E/S del procesador; por
lo que en sistemas donde el procesador est ubicado en su propio encapsulado,
solo se utiliza en supercomputadoras. Sin embargo, en los microcontroladores
y otros sistemas integrados, donde usualmente la memoria de datos y
programas comparten el mismo encapsulado que el procesador, este
inconveniente deja de ser un problema serio y es por ello que encontramos la
arquitectura Harvard en la mayora de los microcontroladores.
Por eso es importante recordar que un microcontrolador se puede configurar
de diferentes maneras, siempre y cuando se respete el tamao de memoria que
este requiera para su correcto funcionamiento.


3.6.3. Procesador en detalle
En los aos 1970, la electrnica digital no estaba suficientemente desarrollada,
pero dentro de la electrnica ya era una especialidad consagrada. En aquel
entonces las computadoras se diseaban para que realizaran algunas
operaciones muy simples, y si se quera que estas mquinas pudiesen hacer
cosas diferentes, era necesario realizar cambios bastante significativos al
hardware.
A principios de la dcada de 1970, una empresa japonesa le encarg a una
joven compaa norteamericana que desarrollara un conjunto de circuitos para
producir una calculadora de bajo costo. Intel se dedic de lleno a la tarea y
entre los circuitos encargados desarroll uno muy especial, algo no creado
hasta la fecha: el primer microprocesador integrado.
El Intel 4004 sali al mercado en 1971, es una mquina digital sincrnica
compleja, como cualquier otro circuito lgico secuencial sincrnico. Sin
embargo, la ventaja de este componente est en que aloja internamente un
conjunto de circuitos digitales que pueden hacer operaciones corrientes para el
clculo y procesamiento de datos, pero desde una ptica diferente: sus
entradas son una serie de cdigos bien definidos, que permiten hacer
operaciones de carcter especfico cuyo resultado est determinado por el tipo
de operacin y los operandos involucrados.
Visto as, no hay nada de especial en un microprocesador; la maravilla est en
que la combinacin adecuada de los cdigos de entrada, su ejecucin
secuencial, el poder saltar hacia atrs o adelante en la secuencia de cdigos en
base a decisiones lgicas u rdenes especficas, permite que la mquina realice
un montn de operaciones complejas, no contempladas en los simples cdigos
bsicos.
Hoy estamos acostumbrados a los sistemas con microprocesadores, pero en
el lejano 1971 esta era una forma de pensar un poco diferente y hasta
escandalosa, a tal punto que Busicom, la empresa que encarg los chips a
Intel, no se mostr interesada en el invento, por lo que Intel lo comercializ
para otros que mostraron inters; el resto es historia: una revolucin sin
precedentes en el avance tecnolgico de la humanidad.
Es lgico pensar que el invento del microprocesador integrado no fue una
revelacin divina para sus creadores, sino que se sustent en los avances,
existentes hasta el momento, en el campo de la electrnica digital y las teoras
sobre computacin. Pero sin lugar a dudas fue la gota que colm la copa de la
revolucin cientfico-tcnica, porque permiti desarrollar aplicaciones
impensadas o acelerar algunas ya encaminadas.
Ahora comenzaremos a ver cmo es que est hecho un procesador, no ser
una explicacin demasiado detallada porque desde su invencin ste ha tenido
importantes revoluciones propias, pero hay aspectos bsicos que no han
cambiado y que constituyen la base de cualquier microprocesador. En la
Figura 'Esquema de un microcontrolador' podemos ver la estructura tpica de
un microprocesador, con sus componentes fundamentales, claro est que
ningn procesador real se ajusta exactamente a esta estructura, pero aun as
nos permite conocer cada uno de sus elementos bsicos y sus interrelaciones.
Registros[editar]
Son un espacio de memoria muy reducido pero necesario para cualquier
microprocesador, de aqu se toman los datos para varias operaciones que debe
realizar el resto de los circuitos del procesador. Los registros sirven para
almacenar los resultados de la ejecucin de instrucciones, cargar datos desde
la memoria externa o almacenarlos en ella.
Aunque la importancia de los registros parezca trivial, no lo es en absoluto. De
hecho una parte de los registros, la destinada a los datos, es la que determina
uno de los parmetros ms importantes de cualquier microprocesador. Cuando
escuchamos que un procesador es de 4, 8, 16, 32 o 64 bits, nos estamos
refiriendo a procesadores que realizan sus operaciones con registros de datos
de ese tamao, y por supuesto, esto determina muchas de las potencialidades
de estas mquinas.
Mientras mayor sea el nmero de bits de los registros de datos del procesador,
mayores sern sus prestaciones, en cuanto a poder de cmputo y velocidad de
ejecucin, ya que este parmetro determina la potencia que se puede
incorporar al resto de los componentes del sistema, por ejemplo, no tiene
sentido tener una ALU de 16 bits en un procesador de 8 bits.
Por otro lado un procesador de 16 bits, puede que haga una suma de 16 bits en
un solo ciclo de mquina, mientras que uno de 8 bits deber ejecutar varias
instrucciones antes de tener el resultado, aun cuando ambos procesadores
tengan la misma velocidad de ejecucin para sus instrucciones. El procesador
de 16 bits ser ms rpido porque puede hacer el mismo tipo de tareas que uno
de 8 bits, en menos tiempo.
Unidad de control[editar]
Esta unidad es de las ms importantes en el procesador, en ella recae la lgica
necesaria para la decodificacin y ejecucin de las instrucciones, el control de
los registros, la ALU, los buses y cuanta cosa ms se quiera meter en el
procesador.
La unidad de control es uno de los elementos fundamentales que determinan
las prestaciones del procesador, ya que su tipo y estructura, determina
parmetros tales como el tipo de conjunto de instrucciones, velocidad de
ejecucin, tiempo del ciclo de mquina, tipo de buses que puede tener el
sistema, manejo de interrupciones y un buen nmero de cosas ms que en
cualquier procesador van a parar a este bloque.
Por supuesto, las unidades de control, son el elemento ms complejo de un
procesador y normalmente estn divididas en unidades ms pequeas
trabajando de conjunto. La unidad de control agrupa componentes tales como
la unidad de decodificacin, unidad de ejecucin, controladores de memoria
cache, controladores de buses, controlador de interrupciones, pipelines, entre
otros elementos, dependiendo siempre del tipo de procesador.
Unidad aritmtico-lgica[editar]
Como los procesadores son circuitos que hacen bsicamente operaciones
lgicas y matemticas, se le dedica a este proceso una unidad completa, con
cierta independencia. Aqu es donde se realizan las sumas, restas, y
operaciones lgicas tpicas del lgebra de Boole.
Actualmente este tipo de unidades ha evolucionado mucho y los procesadores
ms modernos tienen varias ALU, especializadas en la realizacin de
operaciones complejas como las operaciones en coma flotante. De hecho en
muchos casos le han cambiado su nombre por el de coprocesador
matemtico, aunque este es un trmino que surgi para dar nombre a un tipo
especial de procesador que se conecta directamente al procesador ms
tradicional.
Su impacto en las prestaciones del procesador es tambin importante porque,
dependiendo de su potencia, tareas ms o menos complejas, pueden hacerse en
tiempos muy cortos, como por ejemplo, los clculos en coma flotante.
Buses[editar]
Son el medio de comunicacin que utilizan los diferentes componentes del
procesador para intercambiar informacin entre s, eventualmente los buses o
una parte de ellos estarn reflejados en los pines del encapsulado del
procesador.
En el caso de los microcontroladores, no es comn que los buses estn
reflejados en el encapsulado del circuito, ya que estos se destinan bsicamente
a las E/S de propsito general y perifricos del sistema.
Existen tres tipos de buses:
Direccin: Se utiliza para seleccionar al dispositivo con el cual se quiere
trabajar o en el caso de las memorias, seleccionar el dato que se desea leer
o escribir.
Datos.
Control: Se utiliza para gestionar los distintos procesos de escritura lectura
y controlar la operacin de los dispositivos del sistema.
Conjunto de instrucciones[editar]
Aunque no aparezca en el esquema, no podamos dejar al conjunto o
repertorio de instrucciones fuera de esta fiesta, porque este elemento
determina lo que puede hacer el procesador.
Define las operaciones bsicas que puede realizar el procesador, que
conjugadas y organizadas forman lo que conocemos como software.
El conjunto de instrucciones vienen siendo como las letras del alfabeto, el
elemento bsico del lenguaje, que organizadas adecuadamente permiten
escribir palabras, oraciones y cuanto programa se le ocurra.
Existen dos tipos bsicos de repertorios de instrucciones, que determinan la
arquitectura del procesador: CISC y RISC.
CISC, del ingls Complex instruction set computing, Computadora de
Conjunto de Instrucciones Complejo. Los microprocesadores CISC tienen un
conjunto de instrucciones que se caracteriza por ser muy amplio y que
permiten realizar operaciones complejas entre operandos situados en la
memoria o en los registros internos. Este tipo de repertorio dificulta el
paralelismo entre instrucciones, por lo que en la actualidad, la mayora de los
sistemas CISC de alto rendimiento, convierten las instrucciones complejas en
varias instrucciones simples del tipo RISC, llamadas generalmente
microinstrucciones.
Dentro de los microcontroladores CISC podemos encontrar a la popular
familia Intel 8051 y la Z80, aunque actualmente existen versiones CISC-RISC
de estos microcontroladores, que pretenden aprovechar las ventajas de los
procesadores RISC a la vez que se mantiene la compatibilidad hacia atrs con
las instrucciones de tipo CISC.
RISC, del ingls Reduced Instruction Set Computer, Computadora con
Conjunto de Instrucciones Reducido. Se centra en la obtencin de
procesadores con las siguientes caractersticas fundamentales:
Instrucciones de tamao fijo.
Pocas instrucciones.
Slo las instrucciones de carga y almacenamiento acceden a la memoria de
datos.
Nmero relativamente elevado de registros de propsito general.
Una de las caractersticas ms destacables de este tipo de procesadores es que
posibilitan el paralelismo en la ejecucin, y reducen los accesos a memoria. Es
por eso que los procesadores ms modernos, tradicionalmente basados en
arquitecturas CISC implementan mecanismos de traduccin de instrucciones
CISC a RISC, para aprovechar las ventajas de este tipo de procesadores.
Los procesadores de los microcontroladores PIC son de tipo RISC.



Referencias

1. The Intel 4004: A testimonial from Federico Faggin, its designer, on the
first microprocessor's thirtieth birthday. Faggin's own 4004 website.
(http://www.intel4004.com/)
2. Lista Top500 de noviembre de 2002. Top500.
(http://www.top500.org/list/2002/11/)
3. Molibdenita,. MuyComputer.com.
(http://muycomputer.com/Actualidad/Noticias/Molibdenita-adios-al-
silicio/_wE9ERk2XxDDN9P-
Awoz241OGit7cYZyI3Sndui_VTs2X_XSJJD4CAADcr8oNHu0g)
4. http://www.profesorbot.com/curiosidad/nobel-de-fisica-grafeno/
5. Core 2 Extreme: 3,66 GHz And FSB 1333 - Review Tom's Hardware : THG
Tuning Test: Core 2 Extreme vs. Athlon 64 FX-62
(http://www.tomshardware.com/reviews/thg-tuning-test,1294-2.html).
6. Wikimedia Commons alberga contenido multimedia sobre
Microprocesador. Commons
7. Qu es un microprocesador? (http://www.network-
press.org/?que_es_microprocesador)
8. Video de Discovery Chanel sobre el montaje de microprocesadores en Intel
en YouTube (http://www.youtube.com/watch?v=trBZXWIX8Zk)
9. Volver arriba Vienna University of Technology, Introduction To
Microcontrollers (Gunther Gridling, Bettina Weiss), 26 de febrero de 2007
10. Volver arriba Augarten, Stan (1983). The Most Widely Used Computer on
a Chip: The TMS 1000. State of the Art: A Photographic History of the
Integrated Circuit. New Haven y New York: Ticknor & Fields. ISBN 0-
89919-195-9. Consultado el 2 de marzo de 2012.
11. Saltar
a:
a

b
http://archive.computerhistory.org/resources/access/text/Oral_History
/102658328.05.01.acc.pdf Oral History Panel on the Development and
Promotion of the Intel 8048 Microcontroller, Computer History Museum
oral history, 2008, consultado el 28 de junio de 2011, pgina 4
12. Volver arriba
http://microchip.com/stellent/idcplg?IdcService=SS_GET_PAGE&nodeId
=2018&mcparam=en013082
13. Volver arriba "Atmels Self-Programming Flash Microcontrollers" de Odd
Jostein Svendsli 2003
14. Volver arriba microcontroladores "analgicos"



http://www.virtual.unal.edu.co/cursos/ingenieria/2000477/lecciones/100301.ht
m
http://www.infor.uva.es/~cevp/FI_II/fichs_pdf_teo/FI_II_tema5_MemConcGe
n_nue.pdf
http://oldcomputers.net/oldads/old-computer-ads-7.html
Mostek Firsts.
Datasheet & Application Note Database, PDF, Circuits, Datasheets.
The HP Vectra 486 memory controller.
http://download.micron.com/pdf/datasheets/modules/ddr2/HTJ_S36C512_1G
x72.pdf
http://www.theinquirer.net/inquirer/news/1014319/fb-dimm-dead-rddr3-king
Computer organization. (4th ed. ed.). [S.l.]: McGraw-Hill. ISBN 0-07-
114323-8.
http://www.simtek.com/simtekSite.php Simtek Products
http://www.electronicsweekly.com/products/2008/07/15/20229/cypress-
cy14b102-2mbit-and-cy14b108-8mbit-nvsrams.htm