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Respuesta en frecuencia ULSA

Ing. Martha Beatriz Rodrguez Cardoza - 1 -



Unidad V: Respuesta en frecuencia del amplificador

Contenidos:

Clasificacin de los amplificadores
Distorsin
Respuesta en frecuencia
Amplificadores multietapas

Objetivos.

Estudiar la clasificacin de los amplificadores y su respuesta en frecuencia de baja y gran seal.
Conocer las etapas en cascada por acoplamiento RC


Introduccin

El anlisis de amplificadores hecho hasta ahora ha estado limitado en un rango de frecuencias, que
normalmente permite ignorar los efectos de los elementos capacitivos ,considerando nicamente elementos
resistivos y fuentes. En este tema se estudia los efectos en frecuencia introducidos por condensadores de gran
valor, generalmente externos, que limitan la frecuencia baja de operacin del amplificador, y condensadores
internos a los dispositivos activos que limitan su comportamiento en alta frecuencia.

Generalmente, el anlisis en frecuencia de un amplificador se realiza sobre un rango muy variable de valores de
frecuencia. Para facilitar su caracterizacin se utiliza escalas logartmicas en trminos de decibelio .Inicialmente,
el decibelio tuvo su origen para establecer una relacin entre potencia y niveles de audio en escala logartmica.
As, un incremento de nivel de potencia, por ejemplo de 4 a 16 W, no corresponde con un nivel de audio
multiplicado por un factor de 4 (16/4),sino de 2 puesto que (4)
2
.La definicin de bel ,cuyo nombre se debe a
Alexander Graham Bell, relativa a dos niveles de potencia P 1 y P 2 es





El bel es una unidad demasiado grande y para aplicaciones prcticas se utiliza el trmino decibelio (dB)
definido como 1dB=0.1bel o




Existe una segunda definicin del decibelio aplicada ms frecuentemente que opera sobre tensiones en vez
de potencias. Si consideramos la potencia disipada por una resistencia, P i =(V i )
2
/R i ,entonces sustituyendo
en 3.2,se obtiene





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En este tema se utilizar sta ltima definicin del decibelio.En la Tabla 3.1 se indica la conversin de entre la
ganancia de un amplificador y su representacin en dB.Por ejemplo,-6dB es un amplificador con una
atenuacin de 0.5,0 dB corresponde a un amplificador de ganancia 1,20 dB ganancia 10,etc...














Clasificacin de los Amplificadores.

La base para la clasificacin de los amplificadores es la cantidad en que vara la seal de salida sobre un ciclo
de operacin con respecto a un ciclo completo de la seal de entrada.

Clase A. La seal de salida vara para los 360 completos del ciclo, esto requiere que el punto Q se polarice, de
manera que al menos la mitad de la variacin de la seal para la salida pueda variar arriba y abajo sin tener
que alcanzar un voltaje de saturacin o de corte. Eficiencia del 25%-50%

Clase B. La seal de salida vara para 180 del ciclo completo. El punto Q de polarizacin es en 0 v. Son
necesarios dos operaciones clase B, uno para obtener el semiciclo positivo y el otro para el semiciclo negativo.
La conexin que se usa se le conoce como contratase o cuasi complementaria. Este tipo de amplificador
presenta distorsin en el cruce por cero. Eficiencia del 78.5%

Clase AB. Este aprovecha mas de 180 pero menos de 360. El punto Q se establece en un nivel mayor a 0v y
arriba de la mitad del nivel de votaje de uno clase A. La operacin clase AB requiere de una conexin en
contratase pero presenta mejoras en la distorsin de cruce por cero. Eficiencia entre el 25%- 78.5%

Clase C. La salida se polariza a menos de 180 y opera solamente como un circuito sintonizador ( resonante)
el cual suministra un ciclo completo de operacin para la frecuencia de sintona o resonancia. Se emplea en
las radio comunicaciones.

Clase D. Es una forma de amplificador que utiliza seales de pulso(digitales) las cuales se activan para un
intervalo corto y se desactivan para un intervalo mas largo. Al utilizar tcnicas digitales se hace posible
obtener una seal que vare sobre el ciclo completo, empleando circuitos de muestreo y retencin , de
diversos fragmentos de la seal de entrada. La eficiencia es muy alta en un 90%

Distorsin

Una seal sinusoidal tiene una sola frecuencia a la cual el voltaje vara en forma positiva y negativa en
iguales cantidades. Cualquier seal que vare poco menos que el ciclo completo de 360 se considera una
seal de distorsin.
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La distorsin puede ocurrir debido a:

La caracterstica del dispositivo no es lineal en cuyo caso se presenta una distorsin en amplitud.
Que los dispositivos y elementos del circuito responden de manera diferente a la seal de entrada
para varias frecuencias, siendo esta una distorsin de frecuencia.

Consideraciones generales sobre frecuencia

La presencia de condensadores en un amplificador hace que la ganancia de ste dependa de la frecuencia.
Los condensadores de acoplo y desacoplo limitan su respuesta a baja frecuencia, y los parmetros de
pequea seal de los transistores que dependen de la frecuencia as como las capacidades parsitas
asociadas a los dispositivos activos limitan su respuesta a alta frecuencia. Adems un incremento en el
nmero de etapas amplificadoras conectadas en cascada tambin limitan a su vez la respuesta a bajas y altas
frecuencias.









En la
figura
3.1.a se
muestra la ganancia de un amplificador en funcin de la frecuencia. Claramente se identifican tres zonas:
frecuencia bajas, frecuencias medias y frecuencias altas. A frecuencias bajas, el efecto de los condensadores
de acoplo y desacoplo es importante. A frecuencias medias, esos condensadores presentan una impedancia
nula pudindose ser sustituidos por un cortocircuito. A frecuencias altas, las limitaciones en frecuencia de los
dispositivos activos condicionan la frecuencia mxima de operacin del amplificador. Esas zonas estn
definidas por dos parmetros: frecuencia de corte inferior o L y frecuencia de corte superior o H . Ambos
parmetros se definen como la frecuencia a la cual la ganancia del amplificador decae en 1/2 o 0.707 con
respecto a la ganancia del amplificador a frecuencias medias. El ancho de banda del amplificador o
bandwidth (BW)se define como




En la figura 3.1.b se indica la respuesta en frecuencia de un amplificador sin condensadores de acoplo y
desacoplo. En este caso el amplificador solo tiene frecuencia de corte superior al ser L =0 con capacidad de
amplificar seales DC.






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Anlisis de baja frecuencia: Diagrama de Bode

En la regin de baja frecuencia, los condensadores externos de acoplo y desacoplo fijan la frecuencia de
corte inferior. Los modelos que se utilizan para determinar esta L estn basados en el anlisis de redes RC.
En la red RC de la figura 3.2.a es fcil observar que el condensador se comporta como una cortocircuito a
frecuencias muy altas (figura 3.2.b)y un circuito abierto a frecuencias muy bajas (figura 3.2.c).En general, la
relacin entre la tensin de salida y entrada se expresa como






La magnitud de la relacin 3.5 viene dada por







La frecuencia de corte inferior, L ,se define como a la frecuencia a la cual |A v |decae en 1/2 ,es decir,

En
trminos de decibelios seria equivalente a
Es
decir, L se define como la frecuencia a la cual decae en 3 dB la ganancia del circuito respecto a la ganancia a
frecuencias medias (A v =1).Sustituyendo la ecuacin 3.7 en 3.5,resulta






La magnitud y fase de esta expresin compleja es







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Desarrollando la expresin de la magnitud en trminos de dB se obtiene
Para
frecuencias bajas en donde <<< L (es decir, L / >>>1)entonces la anterior expresin se reduce a





Como se puede observar, la representacin en escala logartmica resulta muy til para dibujar grficamente
expresiones en dB. En la grfica de la figura 3.3 se muestra la respuesta en frecuencia del circuito de la figura
3.2 y su representacin en trminos de dos segmentos que son las asntotas de la anterior respuesta en
frecuencia. La primera asntota indicara el comportamiento del circuito para < L expresado a travs de la
ecuacin 3.11.La segunda asntota se obtiene para > L resultando un valor de A v =0 dB. La interseccin de
ambas lneas se produce para = L que corresponde con el punto -3dB de la respuesta en frecuencia. La
representacin grfica en trminos de lneas asintticas y puntos asociados se denomina diagrama de Bode
A partir de este ejemplo se puede comprobar fcilmente que un cambio de frecuencia por un factor de
2,equivalente a una octava, corresponde a un cambio de 6 dB. De la misma manera, un cambio de frecuencia
por una factor de 10,equivalente a una dcada, corresponde a un cambio de 20dB.

















Por ltimo, a veces es interesante representar la fase en funcin de la frecuencia. En la figura 3.4 se indica la
representacin grfica de la fase correspondiente a la ecuacin 3.10 donde se puede observar como el
desfase entre la entrada y salida vara entre 90 para frecuencias muy bajas a 0 para las altas frecuencias,
siendo de 45 a L .

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Respuesta a baja frecuencia de amplificadores bsicos
La red RC analizada en el apartado anterior constituye una buena base para extender los conceptos
establecidos al caso de amplificadores con condensadores externos de acoplo y desacoplo. Cuando se analiza
los efectos de un condensador para determinar la L de un amplificador, las reactancias del resto de los
condensadores son muy bajas, prcticamente un cortocircuito, en comparacin con las impedancias del
circuito.
Bajo esta hiptesis, se puede deducir una ecuacin basada en el principio de superposicin en la cual la L se
obtiene analizando la aportacin individual de cada uno de los condensadores supuesto el resto de los
condensadores externos en cortocircuito. La expresin de la frecuencia de corte de un amplificador es:




donde C i es un condensador externo y R i0 la resistencia vista a travs de los terminales de este
condensador, supuesto el resto de condensadores externos en cortocircuito. Una justificacin intuitiva de la
ecuacin 3.13 se podra obtener analizando una red RC con mltiples condensadores. Extendiendo la
ecuacin 3.9,y bajo la hiptesis de polo dominante, a esta red resultara






siendo Li la aportacin individual del condensador i a la frecuencia de corte inferior.
Como ejemplo de aplicacin de la ecuacin 3.13,en la figura 3.5 aparece un amplificador bipolar con tres
condensadores externos C S ,C E y C C .La L viene dada por tres trminos:








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El primer trmino corresponde a C S .La resistencia asociada a este condensador est constituida por R S en
serie con la resistencia equivalente vista a la entrada del amplificador, supuesto el resto de los
condensadores en cortocircuito, que corresponde con la impedancia de entrada del amplificador. La
resistencia asociada al trmino C E es la R E en paralelo con la impedancia equivalente vista desde el emisor
del transistor. Por ltimo, la resistencia asociada al trmino C C es la resistencia de carga en serie con la
impedancia de salida. Las expresiones de Z i ,Z o y Z e se indican en la figura 3.5.


















En la figura 3.6 muestra otro ejemplo correspondiente a un amplificador JFET que presenta frecuencia de
corte inferior debido a la presencia de los condensadores C G ,C S y C D .De idntica manera al caso anterior,
aplicando la ecuacin 3.13 se obtiene



















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Teorema de miller

En el comportamiento de alta frecuencia de un amplificador es importante las capacidades inter-terminales
asociadas a los dispositivos activos. En amplificadores mono etapa inversores cuya ganancia est desfasada
180 (A v es negativa)la capacidad de realimentacin conectada entre la entrada y la salida influye de una
manera significativa sobre la frecuencia de corte superior y limita su ancho de banda. Este fenmeno se
denomina efecto Miller. En la figura 3.7 se muestra grficamente la aplicacin del teorema de Miller sobre la
capacidad C .Esta capacidad de realimentacin se puede descomponer en dos, C 1 y C 2 ,resultando el
circuito equivalente de la derecha.
A la capacidad C 1 se le denomina capacidad de entrada Miller e indica que en un amplificador inversor la
capacidad de entrada se incrementa en un trmino que depende de la ganancia del amplificador y de la
capacidad conectada entre los terminales entrada y salida del dispositivo activo. Obsrvese que si
Av >>1,entonces C
1
A v C y C
2
C .















Respuesta a alta frecuencia de transistores

Similar al anlisis realizado en el apartado 3.3,en la figura 3.8.a se muestra una red RC con frecuencia de
corte superior. Esta red a frecuencias bajas transmite la seal de salida a la entrada (figura 3.8.b)y a
frecuencias altas el condensador se sustituye por un cortocircuito (figura 3.8.c)resultando que V o =0.El
diagrama de Bode de la figura 3.8.d indica que el circuito tiene una frecuencia de corte superior, H ,a partir
de la cual la pendiente es de 20dB por dcada. Fcilmente se comprueba que la relacin entre la tensin de
salida y entrada de este circuito es determinacin de la H en amplificadores bsicos puede simplificarse si
se hace la siguiente aproximacin: las reactancias de cada uno de los condensadores de un amplificador que
delimitan H es muy alta, prcticamente un circuito abierto, en comparacin con las impedancias del resto
del circuito. Es decir, el efecto de las reactancias de los condensadores a la frecuencia H todava no es muy
importante. Esto permite aplicar el principio de superposicin estudiando la aportacin individual de cada
unos de los condensadores a la frecuencia de corte superior. Si se extiende la ecuacin 3.16 a una red con
mltiples condensadores se obtiene la siguiente expresin






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La


















Donde Ci es un condensador interno y R i1 la resistencia vista a travs de los terminales de este condensador,
supuesto el resto de condensadores externos en circuito abierto. Por consiguiente, la
H se define como








Modelo de alta frecuencia de transistores bipolares

Hay dos factores que definen el comportamiento en alta frecuencia de los transistores bipolares: la
dependencia de la hfe (ganancia) con la frecuencia y los condensadores internos. En la grfica de la figura
3.9.a se observa esta dependencia y se definen dos frecuencias: f ,frecuencia de corte superior que es la
frecuencia a la cual decae en 0.707 la hfe a frecuencias medias especificada por hfe ,y T ,frecuencia de
transicin definida como la frecuencia a la cual la hfe vale 1.El fabricante proporciona el valor de T en
funcin de la corriente de colector (figura 3.9.b),siendo ste un parmetro importante que fija el ancho de
banda del transistor.

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En la figura 3.10.a se muestra el modelo simplificado a alta frecuencia de un transistor bipolar.Est
constituido por dos capacidades dominantes: Cbc, y Cbe, las cuales varan con la tensin inversa (reverse
voltage ). C bc se obtiene grficamente calculando la V
BC
del transistor (tensin inversa de la unin colector-
base).Cbe tiene asociada dos capacidades, difusin del emisor y de unin emisor-base. Al ser la primera
mucho mayor que la segunda, esta capacidad se puede estimar como






siendo V T el potencial trmico que vale 25mV. La relacin entre T y y esas capacidades es la siguiente





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-E-C en frecuencias altas: efecto Miller

El amplificador en emisor comn, cuyo circuito equivalente en alterna se muestra en la figura 3.11.a,
presenta una respuesta en frecuencia limitada por la capacidad de entrada. Para comprobar este efecto, el
circuito equivalente de pequea seal y alta frecuencia de la figura 3.11.b es transformado en el circuito
equivalente de la figura 3.11.c si se aplica el teorema de Miller sobre la capacidad Cbc .Este teorema, descrito
en el apartado 3.5, permite descomponer esa capacidad en dos, una de valor (1-A v ) Cbc que se suma a Cbe
incrementando significativamente la capacidad de entrada C i (efecto Miller )al ser |A v |>>1,y otra de valor
(1-1/A v )C bc de pequeo valor cuyo efecto en la frecuencia de corte superior es despreciable y puede
eliminarse. Fcilmente se determina la H de este circuito si aplicamos la ecuacin 3.18 al condensador Ci se
obtiene





































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E-C con resistencia de emisor en frecuencias altas

La determinacin de la H para la etapa bsica emisor-comn con resistencia de emisor indicada en el
circuito equivalente de alterna de la figura 3.12.a exige aplicar la ecuacin 3.18 a los dos condensadores
internos del transistor mostrados en la figura 3.12.b (con la aproximacin de
hoe = 0),de forma que






El clculo de las resistencias equivalentes asociadas a cada uno de los condensadores, R e y Rbc resulta algo
costosa. El procedimiento ms sencillo consiste en sustituir cada condensador por una fuente de tensin v x
por la que circula una corriente i x ;su resistencia asociada viene dada por el cociente entre v x /i x .En la
figura 3.12.c se indica el circuito utilizado para determinar R be y en la figura 3.12.d para la Rbc .A partir de
las ecuaciones que se indican en la parte inferior de estas figuras es fcil comprobar que las expresiones que
definen estas resistencias Son









3.6.4.-C-C en frecuencias altas

La configuracin colector-comn o seguidor de emisor es muy utilizada en el diseo de circuitos integrados
como etapa de salida, etapa para desplazamiento de nivel en continua y su respuesta en frecuencia tiene
considerable inters. En las figuras 3.13.a y 3.13.b se muestran los circuitos en alterna de un transistor en C-C
y su equivalente en alterna. Comparando este ltimo circuito con el de la figura 3.12.b,correspondiente a la
configuracin E-C con resistencia de emisor, se observa que son ambos idnticos salvo en la resistencia R L
,en este caso no aparece y en el anterior s. Luego, las ecuaciones 3.22 y 3.23 son directamente aplicables
con R L =0, resultando la siguiente expresin












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B-C en frecuencias altas

La configuracin B-C presenta baja impedancia de entrada, alta impedancia de salida, la ganancia en
corriente es aproximadamente 1 y su ancho de banda es muy elevado. En las figuras 3.14.a y 3.14.b aparecen
los circuitos en alterna en B-C y su equivalente en pequea seal. Se puede observar fcilmente que no
existe condensador de realimentacin entre la entrada y salida (no existe e efecto Miller).Adems al ser C bc
<<C be ,el efecto de C bc en la H es despreciable. Bajo esta aproximacin, se puede demostrar que la
frecuencia de corte superior es aproximadamente la frecuencia de transicin del transistor, es decir, f
H =
f
T






























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Modelo de alta frecuencia de transistores FET

El anlisis en alta frecuencia de los amplificadores FET es similar al realizado para transistores bipolares. Los
condensadores que limitan la frecuencia de operacin de un FET son: capacidad puerta-fuente o C gs ,
capacidad puerta-drenador o C gd ,y capacidad drenador-fuente o C ds ;generalmente C gs >>C gd ,C ds .En la
figura 3.15.a se indica el modelo de pequea seal y alta frecuencia para transistores FET. Por conveniencia,
los fabricantes miden las capacidades de un FET en condiciones de cortocircuito a travs de tres capacidades:
Ciss o capacidad de entrada con salida cortocircuitada, C oss o capacidad de salida con entrada
cortocircuitada, y Crss o capacidad de retroalimentacin. Estas capacidades varan con la tensiones de
polarizacin; por ejemplo, en la grfica 3.15.b se indica el valor de estas capacidades en funcin de V DS .La
relacin entre ambos tipos de capacidades es la siguiente









El efecto Miller descrito en un E-C tambin se produce en la configuracin fuente-comn de la figura 3.16.a.
Como se puede observar en el circuito equivalente de pequea seal de la figura 3.16.b,el terminal puerta de
un FET no est aislado del de drenaje, sino que estn conectados a travs de C gd .Segn el teorema de
Miller, esa capacidad puede descomponerse en dos:(1-A v )C gd .y (1-1/A v )C gd .,siendo A v =g m R D ||r d
Despreciando la segunda capacidad que se suma a C ds ,se observa que debido al efecto Miller se incrementa
notablemente la capacidad de entrada (C i )de puerta del FET. Al ser sta la capacidad dominante, la
frecuencia de corte superior viene dada como








La
determinacin de la H para el amplificador de la figura 3.17.a en donde el transistor JFET trabaja en la
configuracin drenador - comn se puede realizar a partir del circuito de equivalente en alta frecuencia
indicado en la figura 3.17.b.El anlisis de este circuito no es simple y es preciso recurrir a las tcnicas
empleadas en el circuito de la figura 3.12.El resultado sera
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Respuesta en frecuencia de amplificadores multietapa

La respuesta en frecuencia de amplificadores de n-etapas puede ser determinada de una manera
aproximada a partir de la respuesta en frecuencia de cada una de las etapas bsicas. En el caso hipottico de
que las etapas no tengan interaccin entre s y presenten igual frecuencia de corte superior e inferior, H y
L , entonces las frecuencias de corte superior e inferior del amplificador completo, HT y LT ,se definen
como




En el caso de que las etapas bsicas no tengan interaccin entre s y posean frecuencias de corte diferentes,
Hi e Li ,entonces la respuesta del amplificador completo es





En la prctica existe una interaccin entre las etapas bsicas. La ecuacin 3.12 para determinar la frecuencia
de corte inferior y la 3.18 para la superior pueden verse influidas por las impedancias de salida y de entrada
de etapa bsicas adyacentes a una dada, lo que complica el anlisis del circuito completo. Un ejemplo
sencillo se muestra en la figura 3.18 donde se muestran tres amplificadores bsicos acoplados por
condensadores. La ecuacin 3.12 permite obtener la expresin de la frecuencia de corte inferior como






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Como se puede observar en la ecuacin 3.30,la resistencia equivalente asociada a cada una de las etapas
depende de las impedancias de entrada y salida de etapas prximas. En general, las etapas bsicas
interaccionan entre s debido a su acoplo de impedancias y tienen efecto en las expresiones de las
frecuencias de corte superior e inferior, lo que complica su anlisis.
























Bibliografa. Teora de circuitos electrnicos
Robert Boylestad

Electrnica Bsica para Ingenieros

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