Transistores Bipolares

Introduo
Ao longo da histria da eletrnica, destacou-se como fator crucial para o
desenvolvimento da tecnologia o descobrimento de novos dispositivos
eletrnicos, mais compactos e eficientes que seus antecessores. Dos diversos
que foram inventados ou melhorados, pode-se ressaltar a importncia dos
transistores.

Em 1948, um grupo de pesquisadores, encabeado por Shockley, apresentou
um dispositivo formado por trs camadas de material semicondutor com duas
junes. Esse dispositivo recebeu o nome de TRANSISTOR. O impacto do
transistor, na eletrnica, foi imenso, j que a sua capacidade de amplificar
sinais eltricos permitiu que em pouco tempo este dispositivo, muito menor e
com menor consumo de energia, substitusse as vlvulas na maioria das
aplicaes eletrnicas.

Funcionando como dispositivo controlador de corrente em circuitos
amplificadores de sinais ou em circuitos de chaveamento eletrnico, o
transistor contribuiu para todas as invenes relacionadas como os circuitos
integrados, componentes eletrnicos e microprocessadores. Praticamente
todos os equipamentos eletrnicos projetados atualmente usam componentes
semicondutores.

As vantagens sobre as vlvulas so extremamente significativas, tais como:
menor tamanho, muito mais leve, sem necessidade de filamento, mais
resistente, mais eficiente, pois dissipa menos potncia, no necessita de tempo
de aquecimento e menores tenses de alimentao.
Transistor bipolar
O transistor de juno bipolar um dispositivo semicondutor de trs terminais,
formado por trs camadas consistindo de: duas camadas de material tipo "n" e uma de
tipo "p" ou de duas de material tipo "p" e uma de tipo "n".
O primeiro chamado de transistor npn enquanto que o segundo chamado de
transistor pnp.
Atravs de uma polarizao de tenso adequada consegue-se estabelecer um fluxo
de corrente, permitindo que o transistor seja utilizado em inmeras aplicaes como:
chaves comutadoras eletrnicas, amplificadores de tenso e de potncia, osciladores,
etc.
O termo bipolar refere-se ao fato dos portadores lacunas e eltrons participarem do
processo do fluxo de corrente. Se for utilizado apenas um portador, eltron ou lacuna,
o transistor denominado unipolar (FET).

ESTRUTURA BSICA
As figuras abaixo ilustram a estrutura bsica de um transistor, representando um
circuito T equivalente com diodos, ligados de tal forma a permitir a identificao da
polarizao das junes, as quais so: base-emissor e base-coletor (B-E e B-C
respectivamente).

Observa-se que no transistor pnp a juno dos dois catodos do diodo forma a base,
que negativa, sendo o emissor e o coletor positivos, enquanto que no transistor npn
a juno dos dois anodos forma a base que positiva, sendo o emissor e o coletor
negativos. Asimbologia utilizada para os transistores de juno mostrada logo abaixo
dos circuitos equivalentes "T" com diodos.

POLARIZAO
Para que um transistor funcione necessrio polarizar corretamente as suas junes,
da seguinte forma:
1 - Juno base-emissor: deve ser polarizada diretamente
2 - Juno base-coletor: deve ser polarizada reversamente
Esse tipo de polarizao deve ser utilizado para qualquer transistor de juno bipolar,
seja ele npn ou pnp.
As figuras abaixo ilustram exemplos de polarizao para os dois tipos de transistores.
Transistor pnp com polarizao direta entre base e emissor e polarizao reversa
entre coletor e base
Transistor npn com polarizao direta entre base e emissor e polarizao reversa
entre coletor e base.

Observe atentamente nas figuras acima a polaridade das baterias.

Juno diretamente polarizada:
A figura abaixo mostra o desenho de um transistor pnp com a polarizao direta entre
base e coletor. Para estudar o comportamento da juno diretamente polarizada, foi
retirada a bateria de polarizao reversa entre base e coletor.

Observa-se ento uma semelhana entre a polarizao direta de um diodo com a
polarizao direta entre base e emissor, onde aparece uma regio de depleo
estreita.

Neste caso haver um fluxo relativamente intenso de portadores majoritrios do
material p para o material n.
Juno reversamente polarizada:
Passemos a analisar o comportamento da juno reversamente polarizada, conforme
mostra a figura abaixo. Neste caso, foi removida a bateria de polarizao direta entre
emissor e base.

Observa-se agora, em virtude da polarizao reversa um aumento da regio de
depleo semelhante ao que acontece com os diodos de juno, isto ocorre um fluxo
de portadores minoritrios (corrente de fuga nos diodos), fluxo este que depende
tambm da temperatura. Podemos ento dizer que uma juno p-n deve ser
diretamente polarizada (base-emissor) enquanto que a outra juno p-n deve ser
reversamente polarizada (base-coletor).

Funcionamento
Polarizando diretamente a juno base-emissor e inversamente a juno base-coletor,
a corrente de coletor IC passa a ser controlada pela corrente de base IB.

* Um aumento na corrente de base IB provoca um aumento na corrente de coletor IC e
vice-versa.
* A corrente de base sendo bem menor que a corrente de coletor, uma pequena
variao de IB provoca uma grande variao de IC, Isto significa que a variao de
corrente de coletor um reflexo amplificado da variao da corrente na base.
* O fato de o transistor possibilitar a amplificao de um sinal faz com que ele seja
considerado um dispositivo dativo.
Este efeito amplificao, denominado ganho de corrente pode ser expresso
matematicamente pela relao entre a variao de corrente do coletor e a variao da
corrente de base, isto : FLUXO DE CORRENTE:
Quando um transistor polarizado corretamente, haver um fluxo de corrente, atravs
das junes e que se difundir pelas camadas formadas pelos cristais p ou n.
Essas camadas no tem a mesma espessura e dopagem, de tal forma que:
1. A base a camada mais fina e menos dopada;
2. O emissor a camada mais dopada;
3. O coletor uma camada mais dopada do que a base e menos dopada do que o
emissor.

Uma pequena parte dos portadores majoritrios ficam retidos na base. Como a base
uma pelcula muito fina, a maioria atravessa a base a se difunde para o coletor.
A corrente que fica retida na base recebe o nome de corrente de base (IB), sendo da
ordem de microampres. As correntes de coletor e emissor so bem maiores, ou seja
da ordem de miliampres, isto para transistores de baixa potncia, podendo alcanar
alguns ampres em transistores de potncia. Da mesma forma, para transistores de
potncia, a corrente de base significativamente maior.

Podemos ento dizer que o emissor (E) o responsvel pela emisso dos portadores
majoritrios; a base (B) controla esses portadores enquanto que o coletor (C) recebe
os portadores majoritrios provenientes do emissor.
A exemplo dos diodos reversamente polarizados, ocorre uma pequena corrente de
fuga, praticamente desprezvel, formada por portadores minoritrios. Os portadores
minoritrios so gerados no material tipo n (base), denominados tambm de corrente
de fuga e so difundidos com relativa facilidade at ao material do tipo p (coletor),
formando assim uma corrente minoritria de lacunas.
Desta forma a corrente de coletor (IC), formada pelos portadores majoritrios
provenientes do emissor soma-se aos portadores minoritrios (ICO) ou (ICBO).
Aplicando-se a lei de Kirchhoff para corrente (LKT), obtemos:

IE = IC + IB, onde:
IC = IC (PORTADORES MAJORITRIOS) + ICO ou ICBO (PORTADORES
MINORITRIOS)

Para uma melhor compreenso, a figura a seguir ilustra o fluxo de corrente em um
transistor npn, atravs de uma outra forma de representao. No entanto, o processo
de anlise o mesmo.

Na figura acima oberva-se que os portadores minoritrios (ICO ou ICBO) provenientes
da base so os eltrons, que se somaro a corrente de coletor.
Verifica-se ainda em relao ao exemplo anterior (transistor pnp), que a corrente de
base (IB) tem um sentido oposto , uma vez que, essa corrente formada por lacunas.
Da mesma forma as correntes de emissor (IE) e de coletor (IC) tambm tem sentidos
opostos, por serem formadas por eltrons.
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OBS: Os transistores do tipo pnp e npn so submetidos ao mesmo processo de
anlise, bastando para isso, inverter a polaridade das baterias de polarizao e
lembrar que:
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Cristal N - os portadores majoritrios so os eltrons e os minoritrios as lacunas;
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Cristal P - os portadores majoritrios so as lacunas e os minoritrios os eltrons.

A figura abaixo mostra um circuito com transistor npn.
A juno base-emissor est polarizada diretamente e por isto, representa uma regio
de baixa impedncia. A voltagem de polarizao base-emissor baixa (da ordem de
0,55V a 0,7V para transistores de silcio), polarizao esta, caracterizada pela bateria
VEE enquanto que, a juno base-coletor est reversamente polarizada em funo da
bateria VCC. Na prtica, VCC assume valores maiores do que VEE.
Como j foi dito anteriormente, a corrente IC o resultado dos portadores majoritrios
provenientes do emissor. A corrente de coletor divide-se basicamente em duas
componentes: a corrente proveniente do emissor e a corrente proveniente do juno
reversamente polarizada coletor-base, denominada ICBO, sendo que esta ltima
assume valores extremamente baixos que em muitos casos podem ser desprezados.
A quantidade de corrente que chega no coletor proveniente do emissor depende do
tipo de material e dopagem do emissor. Essa quantidade de corrente varia de acordo
com o tipo de transistor.

Tenses e Correntes nos Transistores NPN e PNP

Aplicando as leis de Kirchoff obtemos:
IE = IC + IB
NPN: VCE = VBE + VCB
PNP: VEC = VEB + VBC
Regio de operao
A regio ativa a zona em que a juno de emissor est polarizada diretamente e a
juno de coletor inversamente. Nesta zona de operao a corrente de coletor
proporcional a de base. Esta zona a regio de operao linear do transistor, onde a
amplificao de sinais possvel.

A regio de saturao corresponde zona em que a tenso VCE varia entre zero e
alguns dcimos de volt. Nesta zona a corrente de coletor IC proporcional a tenso
VCE. A regio de corte corresponde a zona onde a corrente de base IC igual a zero,
mas ainda existe uma corrente de coletor IC ( regio logo acima do eixo x), a esta
corrente d-se o nome de corrente de corte de coletor.
Resumindo, so quatro as zonas de operaes do transistor: ativa, corte, e saturao.
O funcionamento na zona ativa aplicado quando se pretende a amplificao de
sinais, as outras duas zonas so uteis em circuitos digitais na comutao de sinais.

Sites:
http://www.ifi.unicamp.br/~kleinke/f540/e_bjt2.htm
http://valvulaseletronicas.blogspot.com/p/historia-da-valvula.html
http://ufpa.br/dicas/mic/mic-int.htm
http://ufpa.br/dicas/net1/int-glo5.htm#transis
http://www.webartigos.com/artigos/transistor-bipolar-ma-das-maiores-invencoes-da-
historia-moderna/50335/
http://xa.yimg.com/kq/groups/27830157/515056371/name/Transistor+Bipolar+de+Jun
%C3%A7%C3%A3o+-+5%C2%AA+Semana+-+prof.pdf
http://www.ebah.com.br/content/ABAAAAmksAF/transistores-bipolares