UNIVERSIDADE DE SO PAULO

ESCOLA DE ENGENHARIA DE SO CARLOS

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELTRICA


TRANSDUTORES ELETROMECNICOS DE
ELETRETOS POLIMRICOS COM BOLHA DE
AR TERMOFORMADA

Claudio Vara de Aquino




Tese apresentada Escola de Engenharia de So
Carlos da Universidade de So Paulo, como
parte dos requisitos para a obteno do ttulo de
Doutor em Engenharia Eltrica





Orientador: Prof. Dr. Heitor Cury Basso

So Carlos
2007

CLAUDIO VARA DE AQUINO




Transdutores eletromecnicos de eletretos polimricos com
bolha de ar termoformada






Tese apresentada Escola de Engenharia de So
Carlos da Universidade de So Paulo, como
parte dos requisitos para a obteno do ttulo de
Doutor em Engenharia Eltrica.






Orientador: Prof. Dr. Heitor Cury Basso

So Carlos
2007

DEDICATRIA






Este trabalho dedicado de maneira geral a todos que aqueles que empregam o seu precioso
tempo no avano construtivo da cincia.




Dedico tambm de maneira especial minha esposa Tania e aos meus filhos Thais e Andr
pela pacincia, demonstrada alm dos seus limites, por uma compreenso enftica, para que
este trabalho fosse concludo.

AGRADECIMENTOS

A Deus, sempre presente e que tudo torna possvel.

Ao Prof. Dr. Heitor Cury Basso, pela dedicao e pela orientao na realizao deste trabalho,
recebida de modo competente, paciente e persistente, sempre me apontando qual o melhor
caminho a seguir.

Ao Prof. Titular Ruy Alberto Corra Altafim, pela participao co-orientada neste trabalho e
pelo seu esprito de equipe, sempre me incentivando e mostrando que nunca estamos ss.

Ao Prof. Dr. Naasson Pereira de Alcntara J unior por acreditar no meu futuro acadmico.

Ao amigo, Prof. Luiz Gonalves J unior, grande companheiro que sempre se fez presente em
todas as etapas da realizao deste trabalho.

Ao colega Ruy Alberto Pisani Altafim pela realizao das experincias que confirmaram os
propsitos para a realizao deste trabalho.

Ao tcnico Rui Bertho pela confeco dos arranjos experimentais que tornaram possveis as
realizaes experimentais que nortearam o rumo deste trabalho.

A todas as outras pessoas, tambm no menos importantes, que direta ou indiretamente
exerceram uma influncia positiva, colaborando para que este trabalho fosse realizado e
concludo.


EPGRAFE


















No mei o de t oda di f i cul dade
exi st e uma oport uni dade.

Abert Einstein


RESUMO


de AQUINO, C. V. (2007). Transdutores eletromecnicos de eletretos polimricos com bolha
de ar termoformada. So Carlos, 2007 Tese (Doutorado) Escola de Engenharia de So
Carlos, Universidade de So Paulo.

A sensibilidade eletromecnica dos transdutores de eletretos polimricos resulta em muitas
aplicaes na engenharia, que motivaram a produo industrial de um filme no homogneo e
eletricamente carregado, denominado Filme EletroMecnico ou EMFi (ElectroMechanical
Film). Um dispositivo alternativo a este EMFi, produzido em nosso laboratrio, foi o
resultado de uma bolha de ar homognea termoformada, unida por dois filmes de Teflon

FEP. Este dispositivo possui uma estrutura similar ao EMFi, mas permite cavidades
homogneas a serem predefinidas e distribudas no momento em que o dispositivo
produzido, diferindo das clulas no EMFi com tamanhos diversos e dispersas no interior do
filme industrial. A possibilidade de controlar a geometria das bolhas de ar tornou possvel o
desenvolvimento de um modelo, empregado como uma ferramenta de projeto. A resposta
eletromecnica deste transdutor foi modelada e ento apresentada neste trabalho. Este modelo
analtico avalia o desempenho destes transdutores com somente uma bolha termoformada,
para efeitos de simplificao, baseado em capacitores em srie, em funo da deformao
mecnica e da carga eltrica retida no polmero. So representados dinamicamente com
parmetros eltricos e mecnicos, definidos medida que operam como sensores ou
atuadores, com respeito ao limites impostos pela aplicao especificada. O grfico da resposta
em freqncia mostra a freqncia de ressonncia e a largura da faixa para meia-amplitude
que determina o coeficiente de amortecimento que no pode ser obtido diretamente do modelo
analtico. Este grfico tambm permite comparar a freqncia natural obtida graficamente
com aquela calculada pelo modelo, tornando mais confivel o modelo desenvolvido para o
transdutor. Finalmente, melhorias na instrumentao e em condies mais adequadas para os
testes so sugeridas, bem como mtodos alternativos para trabalhos futuros.

Palavras-chave: transdutores com eletretos, transdutores eletromecnicos, sensores e
atuadores, elasticidade em bolhas.


ABSTRACT


de AQUINO, C. V. (2007). Electromechanical transducers of polymeric electrets with
thermo-formed air bubble. So Carlos, 2007 Ph.D. Thesis Escola de Engenharia de So
Carlos, Universidade de So Paulo.

The electromechanical sensibility of polymeric electrets transducers yields many engineering
applications which have motivated industrial production of a non-homogeneous and
electrically charged film, the so-called ElectroMechanical Film (EMFi). An alternative device
for this EMFi that has been produced in our laboratory was a homogeneous thermo-formed air
bubbles bonded with two Teflon

FEP films. This device has a structure similar to the EMFi,

but allows the homogeneous voids to be pre-defined and distributed at the moment the device
is produced, differing the EMFi voids with diverse sizes and dispersed into the industrial film.
The possibility to control the air bubbles geometry makes possible the development of a
model to be used as a design tool. The electromechanical response of this transducer has been
modeled and is presented in this work. Such analytical model evaluates the transducers
performance using just a single thermo-formed bubble for simplification purposes, based on
series capacitors, which are function of the mechanical deformation and electrical charge
trapped in the polymer. They are represented dynamically, with electrical and mechanical
parameters being defined as they work as sensors or actuators, regarding the limits imposed
by the specified application. A frequency response plot shows the resonance frequency and
the bandwidth for the half amplitude, which determines the damper coefficient that cannot be
obtained directly from the analytical model. This plot also allows comparison of the natural
frequency obtained graphically with the calculated one using the model, making more reliable
the transducer model developed. Finally, instrumentation improvements and more suitable
test conditions are suggested, as well as alternative methods for future works.

Keywords: electret transducers, electromechanical transducers, sensors and actuators,
elasticity in bubbles.



SUMRIO
1. Introduo................................................................................................................27
2. Reviso Bibliogrfica..............................................................................................33
2.1. A descoberta dos eletretos....................................................................................33
2.1.1. As primeiras pesquisas com eletretos................................................................34
2.1.2. Capacitores vibrantes.........................................................................................40
2.1.3. Microfones capacitivos de eletreto....................................................................41
2.2. A descoberta da piezeletricidade..........................................................................42
2.3. Polmeros homogneos e eletretos.......................................................................44
2.3.1. Polmeros piezeltricos......................................................................................45
2.3.2. Polmeros no polares........................................................................................47
2.3.3. Eletretos e a piezeletricidade aparente...............................................................48
2.4. Polmeros porosos e celulares..............................................................................54
2.4.1. Descobrimento dos polmeros porosos e celulares............................................54
2.4.2. Medidas da atividade eletromecnica nos polmeros porosos e celulares.........57
2.5. Transdutores com polmeros homogneos...........................................................62
2.5.1. Eletretos polimricos homogneos em multicamadas.......................................62
2.5.2. Eletretos polimricos homogneos com micro-bolhas......................................66
2.6. Materiais dieltricos e eletretos............................................................................69
2.6.1. Cargas aprisionadas em armadilhas energticas................................................69
2.6.2. Princpios fsicos dos eletretos..........................................................................71
3. Propriedades eltricas e comportamento eletromecnico........................................75
3.1. Transdutores eletromecnicos com eletretos........................................................75
3.1.1. Condio esttica inicial....................................................................................76
3.2. Comportamento eletromecnico do transdutor como sensor ...............................79
3.2.1. Decomposio espectral para o comportamento do sensor...............................81

3.2.2. O Sensor para altas freqncias ou em circuito aberto..................................... 83
3.2.3. O sensor para baixas freqncias ou em curto-circuito.................................... 85
3.2.4. O sensor para pequenas deformaes............................................................... 86
3.3. Comportamento eletromecnico do transdutor como atuador............................. 86
3.4. Anlise eltrica e consideraes.......................................................................... 90
4. Propriedades mecnicas dos transdutores............................................................... 93
4.1. Relao causal entre fora e deformao............................................................. 93
4.1.1. Foras agentes no sistema................................................................................. 94
4.1.2. Deformao apresentada pelo sistema oscilatrio............................................ 96
4.2. Fora e deformao em modo sensor................................................................... 96
4.3. Fora e deformao em modo atuador................................................................. 99
4.4. A restituio elstica.......................................................................................... 101
4.4.1. Deformao na pelcula e o pisto equivalente............................................... 102
4.4.2. Deformao elstica na pelcula..................................................................... 102
4.4.3. Presso de ar na bolha..................................................................................... 102
4.4.4. Coeficiente elstico resultante........................................................................ 104
4.5. Amortecimento e dissipao de energia............................................................. 105
4.6. Anlise mecnica e consideraes..................................................................... 108
5.Medidas e Anlises................................................................................................ 109
5.1. A amostra sob testes .......................................................................................... 109
5.2. A resposta em freqncia .................................................................................. 110
5.2.1. Ensaio para obteno da resposta em freqncia ........................................... 110
5.2.2. Anlise do espectro de freqncias................................................................. 112
5.3. A freqncia natural de oscilao...................................................................... 113
5.4. O amortecimento especfico............................................................................... 114
5.5. Desempenho do transdutor como atuador.......................................................... 115
5.6 Desempenho do transdutor como sensor ............................................................ 117

5.7. Outras consideraes..........................................................................................119
6. Concluses e Propostas Futuras............................................................................121
Referncias................................................................................................................125
Apndice A Placa Circular e o Pisto Equivalente.................................................131
Anexo 1 Especificao dos filmes de Teflon

FEP Dupont ..................................135

LISTA DE FIGURAS

Figura 2.1: arranjo experimental de Eguchi .........................................................................35
Figura 2.2: (a) heterocargas e homocargas (b) homocargas estveis................................36
Figura 2.3: eletretos em cera de carnaba aps o preparo e depois de 22, 27 e 35 anos......38
Figura 2.4: circuito eltrico do capacitor vibrante................................................................40
Figura 2.5: estrutura e circuito de microfone comercial de eletreto.....................................42
Figura 2.6: resposta de agulhas fonogrficas em cartilagem de baleia, osso e tendo.........46
Figura 2.7: laos de histerese para o PVDF a baixas temperaturas......................................47
Figura 2.8: carregamento de um filme polimrico com vidro (dieltrico) inserido.............50
Figura 2.9: circuito de medidas do potencial e das correntes nos polmeros.......................52
Figura 2.10: preparao do eletreto polimrico segundo Medycki e Hilczer.......................54
Figura 2.11: seco transversal de um EMFi 70 m em microscopia eletrnica.................56
Figura 2.12: determinao do coeficiente de sensibilidade pseudo-esttico........................58
Figura 2.13: filme celular de PP (a) e sua estrutura capacitiva (b).......................................61
Figura 2.14: sanduche multicamada formado por filmes de Teflon

FEP e alumnio........63
Figura 2.15: circuito de carga para formao dos eletretos nos transdutores.......................64
Figura 2.16: atividade eletromecnica dos transdutores sob retirada de 20 N.....................65
Figura 2.17: obteno dos transdutores polimricos em laboratrio....................................66
Figura 2.18: detalhe das bolhas de ar entre os filmes polimricos.......................................67
Figura 2.19: armadilhas energticas em nveis discretos na zona proibida..........................70
Figura 2.20: modelo simplificado com o dieltrico carregado (eletreto).............................71
Figura 3.1: modelo esttico capacitivo do transdutor eletromecnico com eletretos...........76
Figura 3.2: arranjo capacitivo equivalente...........................................................................77
Figura 3.3: circuito eltrico RC equivalente para o sensor...................................................79
Figura 3.4: o transdutor como atuador .................................................................................87

Figura 3.5: o atuador em funo da deformao.................................................................. 88
Figura 4.1: modelo mecnico para o transdutor eletromecnico......................................... 94
Figura. 4.2: resposta normalizada do transdutor em funo da freqncia. ...................... 106
Figura 5.1: transdutor com uma bolha e seu modelo esquemtico cilndrico. .................. 110
Figura 5.2: o transdutor no ensaio acstico indireto.......................................................... 111
Figura 5.3: o mtodo indireto e acstico inverso. ............................................................. 111
Figura 5.4: resposta em freqncia e a ressonncia em amplitude. .................................. 112
Figura 5.5: o mtodo indireto acstico para o sensor ........................................................ 118
Figura A.1: deformao na bolha e o pisto equivalente. ................................................. 131
Figura A.2: volume obtido pela integrao de discos elementares empilhados. .............. 132

LISTA DE TABELAS

Tabela 2.1: histrico sinptico da piezeletricidade..............................................................43
Tabela 2.2: cristais com piezeletricidade medida pelos irmos Curie..................................44
Tabela 2.3: amostras em camadas rgidas (np) e macias (p) de Teflon

PTFE ...................59
Tabela 5.1: caractersticas especficas do Teflon

FEP 200 A...........................................113

LISTA DE ABREVIATURAS E SIGLAS

C: coulomb
dB: decibel
d.d.p.: diferena de potencial ou tenso eltrica
EESC: Escola de Engenharia de So Carlos
EMFi: Filme Eletro Mecnico (Electro Mechanical Film)
eV: eltron-volt
F: farad
FEP: Flor Etileno Propileno
FET: Transistor de Efeito de Campo (Field Effect Transistor)
Hz: hertz
LIPP: Pulso de Presso Induzido por Laser (Laser-Induced Pressure Pulse)
N: newton
PET: Teraftalato de Poli Etileno (Poli Ethylene Theraftalate)
PP: Poli Propileno
PU: Poli Uretano
PVDF: Fluoreto de Poli Vinilideno (Poly VinyliDene Fluoride)
PTFE: Poli Tetra Flor Etileno
USP: Universidade de So Paulo
V: volt
: ohm

LISTA DE SMBOLOS

a: raio da placa ou pelcula circular
A: rea ou superfcie de contato das cargas eltricas
B: coeficiente de amortecimento viscoso
C
0
: capacitncia na regio de ar entre os eletretos
C
1
capacitncia do filme com eletreto
C
t
: capacitncia total do transdutor eletromecnico
D: densidade de fluxo eltrico
E: campo eltrico externo
d
0
: espessura da regio de ar entre os eletretos
d
1
: espessura da camada polimrica
exp (x): e
x
(e =nmero de Euler)
f
A
: fator de rea em m
2
/ kg
F: fora externa aplicada
F
c
: fora de compensao
Fe: fora eltrica
F
elast
: fora elstica
F
f
: fora da deformao no filme
Fp: fora pneumtica no filme
F
RES
: fora resultante
F
visc
: fora de amortecimento viscoso
h: coeficiente de sensibilidade eletromecnica em circuito aberto
h
c
: coeficiente de sensibilidade eletromecnica em circuito fechado
i: intensidade de corrente eltrica
j: unidade imaginria = 1

k: constante de restituio elstica
k
f
: coeficiente de restituio da deformao
k
p
: coeficiente de restituio pneumtica
m: massa
p: presso do ar no interior das bolhas
p
0
: presso atmosfrica ambiente
P: polarizao dieltrica
P
i
: polarizao dieltrica instantnea
P
p
: polarizao dieltrica permanente PC: Poli Carbonato
q: carga eltrica resultante no eletreto
Q
0
: carga aprisionada no eletreto
Q
1
: carga induzida nos eletrodos
Q
1,e
: carga esttica e inicial induzida nos eletrodos
R: resistncia eltrica
S: deformao elstica
S
0
: amplitude da deformao mecnica harmnica
t: espessura da placa sob deformao
T
e
: armadilha energtica para eltrons-livres
T
h
: armadilha energtica para lacunas
V
0
: d.d.p. ou tenso eltrica gerada pelas cargas aprisionadas
V
1
: d.d.p. ou tenso eltrica gerada pelas cargas induzidas
V
p
: tenso do pico de impulso
V
t
: tenso eltrica de carga entre os eletrodos terminais do transdutor
Y: mdulo de elasticidade de Young
Z: amplitude normalizada de oscilao
z
max
: deflexo mxima da deformao
z: deslocamento do pisto equivalente deflexo mxima

Q
1
: variao de carga induzida nos eletrodos
V
1
: variao de tenso eltrica entre os eletrodos
: relao entre a carga esttica induzida e a carga aprisionada
d
0
: elongao no meio elstico
: coeficiente especfico de amortecimento

0
: permissividade absoluta do vcuo
: permissividade eltrica relativa ou constante dieltrica
: eficincia no carregamento impulsivo

r
: densidade volumtrica de carga real

p
: densidade volumtrica de carga polarizada

0
: densidade superficial de carga aprisionada no eletreto

1
: densidade superficial de carga induzida nos eletrodos

r
: densidade superficial de carga real

p
: densidade superficial de carga polarizada
: constante de tempo de relaxao para resposta transitria
: freqncia angular ou pulsao

0
: freqncia angular natural ou livre

M
: freqncia angular de ressonncia em amplitude


27

1. INTRODUO

Aplicaes em engenharia se fazem necessrias, fornecendo informaes ou atuando
sobre os sistemas de controle, dos mais diversos e imaginveis. Um processo pode ser
controlado pelo envio de sinais eltricos, ou no papel inverso, recebendo sinais eltricos e
atuando sobre sistemas de controle. Estes dispositivos que realizam estas tarefas so
genericamente denominados de transdutores eletromecnicos, obviamente pela atribuio que
possuem de estabelecer relaes bilaterais entre fenmenos de natureza eltrica com outros de
natureza mecnica. Quando um dispositivo deste tipo recebe um estmulo mecnico e devolve
um sinal eltrico, ele conhecido por um sensor e inversamente respondendo mecanicamente
a um sinal eltrico, ele chamado de atuador.
Boa parte destes transdutores que operam na entrada ou na sada de um processo so
normalmente constitudos de materiais piezeltricos ou de natureza capacitiva, de grande
conhecimento dos profissionais na rea de controle automtico. Estes dispositivos
estabelecem uma relao linear de dependncia entre variveis eltricas e mecnicas,
proporcionais ao comportamento real do processo. No entanto, estes dispositivos possuem um
custo elevado e algumas vezes suas massas inerciais interferem sobre o sentido real das
grandezas manipuladas, ou dificultam sua instalao em alguns ambientes.
Uma alternativa aos transdutores piezeltricos ou capacitivos surgiu no final deste
sculo passado, com o emprego de pelculas polimricas eletricamente carregadas, com massa
desprezvel e com um custo muito inferior comparado aos dos transdutores eletromecnicos
usuais. O grande exemplo surgiu durante a Segunda Guerra com o descobrimento dos
microfones de eletreto pelos japoneses, hoje empregados em milhes de telefones portteis.
Em linhas gerais, trata-se de materiais dieltricos, maleveis e com a capacidade de reter
cargas eltricas, de modo a exibir um campo remanente.
Desde a antiguidade, os gregos j investigavam os efeitos das cargas em isolantes,
sem maiores explicaes dos fatos. Somente em 1732 foi que Stephen Gray descobriu as
primeiras propriedades dos eletretos, fazendo meno existncia de uma fora atrativa
perptua presente em alguns dieltricos, tais como ceras, resinas vegetais e enxofre,
28
produzindo eletricidade esttica nestes materiais quando resfriados depois de colocados em
fuso.
No sculo seguinte, Michael Faraday estabeleceu os fundamentos sobre as
propriedades dos eletretos, referindo-se a eles como materiais capazes de reter um momento
eltrico mesmo depois da retirada do campo aplicado. Oliver Heaviside, pouco depois em
1892, analisando estas investigaes de Faraday, denominou a palavra eletreto para justificar
aqueles dieltricos dotados de um campo eltrico residual, numa analogia aos magnetos ou
ms permanentes.
Desde o incio da dcada de 1920, sabe-se que a cera de carnaba possui esta
propriedade constatada cientificamente por Eguchi, mas prevista e investigada dois sculos
antes. Nos dias de hoje, sabe-se tambm que alguns materiais polimricos tambm possuem
esta capacidade de manter cargas eltricas em sua estrutura, por centenas de anos, sem que
uma reduo significativa se faa notar.
Em 1952, Anderson e Alexander realizaram experincias com um capacitor plano de
armaduras mveis alimentado com uma tenso contnua. Observaram a gerao de sinais
eltricos alternados quando suas armaduras eram submetidas a vibraes mecnicas. Se a
fonte de alimentao contnua de tenso deste circuito for substituda por uma carga eltrica
constante, o mesmo princpio de funcionamento pode ser empregado na definio de modelos
para transdutores eletromecnicos de eletretos com cargas depositadas em pelculas
polimricas. Os microfones de eletreto foram mais tarde em 1962, desenvolvidos e
produzidos em escala industrial nos modelos que se encontram nos dias de hoje, em grande
difuso no mercado.
So chamados de piezeltricos, aqueles materiais que apresentam uma diferena de
potencial proporcional deformao mecnica experimentada, ou a devolvem como resposta
de um estmulo eltrico, tambm de maneira linear. Esta propriedade, presente em alguns
materiais, despertou interesse nas mais diversas reas da engenharia, em funo de mltiplas
aplicaes, como transdutores (de presso, posio, velocidade, acelerao, entre outros),
voltados a anlises e avaliaes de deformaes e vibraes.
Os cristais piezeltricos foram bastante indicados em aplicaes como transdutores
eletromecnicos, entre elas em agulhas de toca-discos, sem a apresentao de alternativas para
o mercado at meados de 1960, quando surgiu uma proposta de pesquisadores japoneses, com
29
suas atenes voltadas para uma piezeletricidade presente em polmeros biolgicos e
sintticos. Tais pelculas polimricas poderiam ser empregadas em superfcies maiores, em
ambientes diversos, com menos restries de uso e com custos mais reduzidos, comparados
aos transdutores equivalentes fabricados com cristais.
J untamente com a evoluo da piezeletricidade, a cincia moderna dos eletretos se
desenvolveu rapidamente nas dcadas do sculo XX. Um caminho natural, com os primeiros
passos dados por Eguchi obtendo eletretos em ceras de carnaba entre 1919 e 1924 no J apo,
serviu de motivao a pesquisas futuras.
Alguns materiais de estrutura molecular polimrica exibem um comportamento que
em primeira anlise pode ser considerado piezeltrico, de modo bastante anlogo ao
observado no quartzo e demais materiais cermicos. So materiais carregados com eletretos,
que quando se deformam do a falsa idia de um comportamento piezeltrico. Estas
caractersticas associam os conceitos de eletretos e de piezeletricidade, dando a estes materiais
uma propriedade hbrida, que muitos autores a denominam de piezeletretos.
Uma mudana de paradigma em 1995 mostrou a ocorrncia de uma piezeletricidade
aparente dependente da elasticidade, na juno de dois polmeros diferentes com cargas
eltricas neles retidas. Baseando-se nesta combinao de materiais com elasticidades
diferentes, as pesquisas conduziram produo de eletretos formados em filmes dieltricos
porosos, mais maleveis. Com a evoluo natural dos trabalhos vieram em seguida os filmes
polimricos celulares, com cavidades microscpicas na sua estrutura interna, intrinsecamente
produzidas ainda no processo de manufatura das pelculas. Estes dois tipos de polmeros
possuam altos coeficientes de sensibilidade eletromecnica, superando inclusive aqueles
coeficientes piezeltricos equivalentes, caractersticos dos melhores materiais cermicos.
Investigaes sobre este comportamento aparentemente piezeltrico apresentado em
alguns materiais de estrutura polimrica com eletretos formados, fizeram com que os
conceitos de eletretos e de piezeletricidade passassem a caminhar lado a lado numa tendncia
em associ-los, porm de maneira incorreta.
Pesquisas recentes, nesta primeira dcada do sculo XXI, vm empregando duas
pelculas de Teflon

FEP (Flor Etileno Propileno), tendo entre elas micro-bolhas de ar

artificialmente produzidas e com caractersticas prprias. Estes filmes polimricos, dispostos
em camadas, formam eletretos quando carregados por tenses impulsivas, resultando em um
30
novo material para transdutor eletromecnico, fabricado por um processo bastante simples e
controlado, diferente e independente daqueles industriais e relacionados com a produo dos
polmeros celulares ou porosos.
Um conjunto de equaes e um modelo desenvolvido permitem observaes de
comportamento para o projeto e a construo destes transdutores eletromecnicos, dentro das
caractersticas desejadas em funo de uma determinada aplicao em pequena ou larga
escala. A produo destes transdutores, seja ela em laboratrio ou em escala industrial, requer
uma metodologia sistemtica para que os dispositivos sejam obtidos em conformidade com as
necessidades de projeto e de forma repetitiva. O dimensionamento e a distribuio das micro-
bolhas com ar entre as pelculas com eletreto imprimem de fato um carter determinstico, no
tocante obteno destes dispositivos aparentemente piezeltricos, em funo da aplicao a
que se destine, considerando a sensibilidade e a faixa de resposta em freqncia desejada.
Esta tese de doutorado, na sua contribuio original, tem a pretenso de discutir e
caracterizar o transdutor eletromecnico formado em eletretos polimricos, com o objetivo de
uma anlise detalhada que mostre as suas propriedades eltricas e mecnicas e o
comportamento sob restries que fazem com que ele se comporte como um material
piezeltrico, quando examinado de uma forma macroscpica. Ao longo deste trabalho deve
ser enfatizado que o comportamento eletromecnico destes dispositivos, operando como
sensor e atuador, podendo emitir uma resposta linear sob restries operativas, diferem
daqueles efetivamente piezeltricos, caractersticos por assimetrias presentes na estrutura
atmico-molecular e pela reciprocidade, exibindo o mesmo coeficiente de sensibilidade tanto
em modo direto como em modo inverso.
Alm deste captulo introdutrio, este trabalho encontra-se organizado basicamente
em outros 5 captulos, seguindo a orientao descrita.
No captulo 2, uma reviso bibliogrfica oferece suporte ao trabalho com um resumo
dos estudos j realizados e mais relevantes aos processos de obteno dos eletretos, dos
fenmenos piezeltricos e dos transdutores eletromecnicos polimricos, com seus
fundamentos tericos, suas caractersticas e mtodos de avaliao, definido assim o estado da
arte.
31
O captulo 3 apresenta os fundamentos tericos necessrios para o conhecimento dos
eletretos e das caractersticas estticas e dinmicas, tanto diretas, como inversas, empregadas
nas aplicaes dos transdutores eletromecnicos, como sensores e atuadores.
A extenso ao comportamento mecnico destes transdutores descrita no captulo 4,
procurando estabelecer um modelo eletromecnico de operao do dispositivo como sensor e
como atuador, esclarecendo a fronteira entre os eletretos e a piezeletricidade, bem como as
associaes que podem ser estabelecidas entre eles.
As justificativas e vantagens, bem como as restries so apontadas no captulo 5,
com base na interpretao e anlise de medidas e resultados obtidos. A validade dos
resultados obtidos, comparados com aqueles realizados em trabalhos anteriores, aponta o
caminho para a produo destes transdutores.
Finalmente, o captulo 6 dedica-se s concluses tiradas com este trabalho e prope
motivaes para a continuidade dos estudos em trabalhos futuros.
O assunto torna-se inesgotvel se para cada estudo realizado com polmeros slidos
e homogneos for destacado um espao relatando a formao dos eletretos obtidos e a
piezeletricidade neles observada. O campo destes estudos muito vasto, fruto de trabalhos
realizados em vrias partes do mundo e alguns praticamente ao mesmo tempo.
33

2. REVISO BIBLIOGRFICA

Uma reviso bibliogrfica se faz necessria para demonstrar o histrico evolutivo dos
eletretos e da piezeletricidade, bem como o acompanhamento dos trabalhos anteriores, para
que seja obtida assim, uma perfeita definio do estado da arte. Para tal, os estudos realizados
pelos autores e seus colaboradores, com artigos citados nas referncias bibliogrficas, foram
analisados com enfoque e respeito relevncia do objetivo proposto neste trabalho.
2.1 A descoberta dos eletretos
Alguns efeitos decorrentes do armazenamento de cargas ou da orientao dos dipolos
eltricos em materiais isolantes datam de tempos bem anteriores, sendo de conhecimento na
antiga Grcia, com simples relatos de ocorrncias destes fenmenos, sem quaisquer
justificativas. As primeiras propriedades de eletretos foram descobertas em 1732,
mencionadas por Stephen Gray indagando a respeito de uma fora atrativa perptua
presente em alguns dieltricos, em particular nas ceras, nas resinas vegetais e no enxofre,
capaz de gerar uma eletricidade esttica nestes materiais, eletrificados por contato em estado
fundente e posteriormente resfriados em uma concha de ferro.
Um sculo mais tarde, em 1839, Michael Faraday estabeleceu os primeiros
fundamentos tericos sobre as propriedades de eletretos quando da aplicao externa de um
campo eltrico sobre um capacitor, referindo-se a um dieltrico que retm um momento
dipolar mesmo depois que o campo eltrico externo foi reduzido a zero. Justificou naquela
poca o fenmeno de forma intuitiva, baseando-se no fato de que este capacitor era capaz de
manter cargas eltricas armazenadas por algum tempo, ainda que inferior ao carregamento
inicial, aps este ter sido carregado e suas armaduras postas em seguida e momentaneamente
em curto-circuito. Faraday argumentou, naquela poca, que durante o carregamento, as cargas
eltricas se deslocavam dos eletrodos para o meio dieltrico; explicao essa que ficou por um
tempo esquecida.
Mais tarde, em 1892 Heaviside denominou a palavra eletreto para explicar ou
designar aqueles dieltricos com dipolos orientados que apresentavam um campo eltrico
34
residual, estabelecendo uma analogia com os j conhecidos magnetos ou ms permanentes,
em consonncia com a teoria dos campos magnticos.
2.1.1 As primeiras pesquisas com eletretos
As pesquisas sobre os eletretos comearam, com bases cientficas, em 1919 quando o
fsico japons Eguchi formou eletretos polares, empregando misturas de resinas vegetais e
misturas com ceras de abelha e de carnaba, os mesmos materiais utilizados por Gray em
1732. Estes eletretos foram obtidos cientificamente, isto , de modo sistemtico com base na
teoria da polarizao em dieltricos. Foi notado tambm que algumas ceras e materiais
resinosos possuam uma condutividade moderada no estado lquido, mas se tornavam depois
bons isolantes no estado slido, com a condutividade diminuindo, tendendo gradualmente a
zero, com a diminuio da temperatura, ou seja, na medida em que iam se solidificando.
O experimento utilizado por Eguchi foi realizado conforme o arranjo que pode ser
mostrado na Fig. 2.1. Uma mistura com partes iguais de cera de carnaba e resina, com ou
sem uma certa quantidade de cera de abelha, a uma temperatura bem acima do seu ponto de
fuso, cerca de 130 C, foi derramada numa vasilha metlica rasa e circular B, adquirindo
depois de solidificada, o formato de um disco com 1 cm de espessura e dimetro de 20 cm.
Esta vasilha tinha a sua base mantida em contato com uma placa metlica circular P
1
. Este
eletrodo de placa tambm estava apoiado sobre trs pequenos calos isolantes de enxofre S
1
,
S
2
, S
3
, em contato com um trip de madeira T nivelado por trs parafusos f
1
, f
2
, f
3
. O outro
eletrodo, um disco metlico oco P
2
encontrava-se suspenso por trs linhas isolantes t
1
, t
2
, t
3
,
de modo a apenas tocar levemente a superfcie superior do dieltrico fundido.
A amostra em forma de disco, ainda em estado fundente, foi submetida a um campo
eltrico praticamente uniforme de 1,5 MV/m atravs de uma fonte de alta tenso com o
terminal negativo conectado ao eletrodo P
1
e o positivo ao eletrodo superior P
2
. Aps a
solidificao da amostra e a remoo do campo eltrico aplicado, Eguchi constatou que o
disco de cera apresentava uma distribuio superficial de cargas negativas na face superior e
uma distribuio positiva na face inferior, isto , com polaridades opostas quelas impostas
pela fonte de tenso. Estas cargas eram de natureza temporria e foram desaparecendo
gradualmente em um curto intervalo de tempo, dentro de um ou dois dias.
35

Figura 2.1: arranjo experimental de Eguchi.
(EGUCHI, 1925).
Aps o decaimento completo destas cargas, outras de sinais opostos s anteriores,
foram crescendo gradualmente em alguns dias e se mantiveram estveis por muitos anos.
Assim, as cargas positivas que agora apareciam na face superior do disco e as negativas na
inferior, mantinham as polaridades em correspondncia com os terminais da fonte de tenso
aplicada durante o preparo da amostra. A estas cargas finais e superficiais do eletreto assim
obtido, Eguchi chamou ento de cargas livres devido sua prpria eletrizao.
O nome Eletreto Permanente ou simplesmente Eletreto foi dado a este dieltrico
especial durante o encontro ordinrio da Sociedade de Fsica-Matemtica do Japo em 21 de
fevereiro de 1920, sem qualquer meno a Heaviside. Mais tarde, Eguchi encontrou nos
artigos de Oliver Heaviside uma seo com o ttulo Eletrizao e Eletrificao Eletreto
Natural onde era proposto pela primeira vez o uso do termo Eletreto para justificar
teoricamente a ao de um corpo eletrizado intrinsecamente.
Em 1925 Eguchi elaborou seu artigo pioneiro no Philosophical Magazine,
apresentando suas pesquisas realizadas entre 1919 e 1924 com objetivo focado na formao
de eletretos, consolidando cientificamente os primeiros experimentos rudimentares realizados
dois sculos antes por Gray. Neste artigo registrada uma mudana de polaridades nas cargas
36
armazenadas nas amostras e que se mantiveram estveis ainda aps alguns anos. Este
comportamento estvel identificava ento a principal propriedade de um eletreto, como um
armazenador de cargas e detentor de um campo eltrico que permanecia no material mesmo
sem a presena da tenso aplicada na amostra. Ressalvou, porm que o mtodo apresentado
por ele fora obtido de modo independente e totalmente diferente daqueles das discusses
fundamentadas por Heaviside (EGUCHI, 1925).
As cargas armazenadas pelos eletretos formados por alguns dieltricos slidos e seus
comportamentos anmalos foram mais tarde, em 1944, compreendidos e explicados por Gross
que empregou conceitos de homocargas e heterocargas, segundo uma definio j
estabelecida em 1935, para indicar respectivamente suas relaes de sinal em acordo ou em
desacordo com a polaridade referencial nos eletrodos adjacentes, isto , aquela da fonte de
tenso que foi aplicada no circuito de carregamento eltrico (GROSS, 1944).
Pouco depois, Gross e Denard explicaram a mudana nas polaridades das cargas e a
condio de estabilidade delas sobre as faces do dieltrico, justificando a ocorrncia
simultnea da formao de dipolos eltricos com o aprisionamento de cargas projetadas pelos
eletrodos durante o processo de carregamento eltrico das amostras, em conformidade com os
experimentos relatados anteriormente por Eguchi. O campo eltrico aplicado na amostra
possua um sentido oposto quele criado pelos dipolos formados no interior da amostra, logo
aps a formao dos eletretos, conforme a forma de representao genrica na Fig. 2.2 (a)
(GROSS e DENARD, 1945).

Figura 2.2: (a) heterocargas e homocargas (b) homocargas estveis.
Logo aps o processo de carregamento eltrico pela aplicao do campo no material
ainda em fuso, observou-se a presena de heterocargas ou cargas de polarizao, cujos
37
momentos dipolares permaneceram ainda por um curto prazo (alguns dias), aps a retirada do
campo que polarizou a amostra. Em seguida com a relaxao dos dipolos, aps a remoo do
campo eltrico aplicado, restaram as cargas eltricas aprisionadas ou homocargas, mais
estveis, com polaridades iguais quelas dos eletrodos adjacentes, em relao tenso
aplicada, conforme mostra a Fig. 2.2 (b).
Fundamentado nestes princpios, foi possvel mostrar inicialmente o aparecimento de
cargas temporrias que deram lugar a um carregamento eletricamente oposto, porm com
capacidade de permanecer mais tempo no dieltrico. Justificou-se o aparecimento das
heterocargas logo aps a produo do eletreto e a posterior substituio destas pelas
homocargas mais estveis, enfatizando tambm que os dieltricos slidos teriam uma maior
ou menor quantidade de cargas armazenadas associadas temperatura em que os seus
eletretos fossem preparados. Tambm foi justificada a estabilidade adquirida pelas cargas
armazenadas em funo das velocidades de descarga das heterocargas e de carga das
homocargas proporcionais temperatura de preparo dos eletretos, mencionando que eles
poderiam tambm ser obtidos sem tratamento trmico, porm com uma menor quantidade de
cargas armazenadas neles. Os trabalhos de Gross e Denard alm de complementar as
observaes de Eguchi, demonstraram a possibilidade de se obter eletretos mais estveis e
com mais carga em funo de uma maior temperatura durante o processo de preparo das
amostras. Desta forma, estes artigos de 1944 e 1945 forneceram as primeiras informaes
sobre a influncia da temperatura no comportamento eltrico dos eletretos.
Estes trabalhos foram concludos em conformidade com o dito por Heaviside em
1892, propondo que os eletretos eram dieltricos que apresentavam um campo eltrico
residual, em uma certa analogia com aquele magntico e remanente apresentado pelos ms
permanentes. Na oportunidade foi tambm demonstrado que uma amostra de eletreto cortada
em dois pedaos gerava dois novos eletretos. Basicamente, dois eram ento os fenmenos que
poderiam explicar a ocorrncia de um campo eltrico residual em um dieltrico: a polarizao
dieltrica e a reteno das cargas eltricas em armadilhas energticas observadas em nveis
microscpicos, na estrutura molecular de alguns materiais.
Um disco com eletreto, feito com uma mistura de cera de carnaba e resina natural,
com 20 cm de dimetro e 1 cm de espessura encontra-se preservado no Museu de Cincias de
Tquio onde foi possvel verificar a permanncia de suas cargas superficiais ainda que com
um stimo do valor inicial, decorridos 45 anos aps o seu preparo. Fukada, realizando
38
experincias com vrios destes discos, descreveu que imediatamente aps a polarizao dos
eletretos, as cargas superficiais eram de sinais opostos s polaridades dos eletrodos, indicando
ento a presena de heterocargas. No entanto, decorridos mais de 20 anos, homocargas foram
observadas no lugar daquelas heterocargas originais em acordo com o que j havia sido
anteriormente observado por Eguchi e interpretado por Gross. Foi constatado tambm que a
quantidade de homocargas presentes nos discos aumentava com a temperatura no momento de
polarizao das amostras. Tais resultados confirmaram a estabilidade das homocargas,
aquelas lanadas pelos eletrodos sobre a cera de carnaba (FUKADA, 2000).
A experincia de Eguchi foi confirmada por volta de 1951 conforme os resultados
graficamente ilustrados na Fig. 2.3. Mostram a presena das heterocargas superficiais em
eletretos em cera de carnaba, logo aps a polarizao destes e a posterior substituio delas
pelas homocargas, encontradas e medidas aps 22, 27 e 35 anos do preparo das amostras. A
polarizao das amostras foi estabelecida por um gradiente de potencial de 4 MV/m e o
aumento na temperatura de polarizao Tp mostrou uma maior quantidade de homocargas
estveis, conseqncia de mais heterocargas e tambm de uma maior relaxao aos dipolos
inicialmente formados.

Figura 2.3: eletretos em cera de carnaba aps o preparo e depois de 22, 27 e 35 anos.
(FUKADA, 2000).
Neste artigo revisional, Fukada registra as experincias de Eguchi publicadas em
1925 e suas repeties por outros pesquisadores, considerando a tomada de outras medidas,
vindo a confirmar a capacidade que os eletretos possuem de armazenar as cargas injetadas
(homocargas) na cera de carnaba, mantendo-se estveis ainda por muitos anos.
39
Nas dcadas seguintes ao descobrimento feito por Eguchi, eletretos de materiais
derivados de cera e outras substncias foram produzidos por tcnicas de carregamento
diferentes daquelas do mtodo trmico. Tais processos, tendo Selenyi por pioneiro em 1928,
baseavam-se na injeo de eltrons ou ons no interior de materiais isolantes (SESSLER,
1987). Nos idos de 1970, vieram os processos de cargas em dieltricos por efeito corona
(SESSLER e WEST, 1972), (SAWA, LEE e IEDA, 1975), (GIACOMETTI, FERREIRA e
GROSS, 1988), (GIACOMETTI e OLIVEIRA Jr., 1992).
Um mtodo de medida dos campos e das cargas eltricas distribudas foi proposto,
ainda que de modo indireto, pela tcnica do pulso de presso induzido por laser, LIPP (Pulso
de Presso Induzido por Laser Laser-Induced Pressure Pulse). Um pulso dirigido de raio
laser incide sobre uma das faces da amostra, estando esta recoberta por uma camada de grafite
para facilitar a absoro da luz. O pulso de luz incidente absorvido gera um pulso de calor.
Uma onda acstica se propaga e se difunde no material, causando deformaes instantneas
em espessuras incrementais, produzindo um sinal eltrico em funo do tempo. A tenso
eltrica na amostra fornece, de modo indireto, a distribuio de cargas pelo interior do
material, em termos quantitativos e de profundidade das armadilhas energticas. Permite
tambm a medida de campos eltricos ao longo da espessura do material (MIGLIORI e
THOMPSON, 1980), (SESSLER, WEST e GERHARD, 1982).
A tcnica de carregamento proposta por Selenyi em 1928 foi aperfeioada pela
injeo de um feixe dirigido de eltrons sobre a amostra, segundo trabalhos realizados na
dcada de 1980, cuja distribuio de cargas foi medida pela tcnica conhecida do LIPP. Este
processo de carregamento tem uma citao histrica por ter sido aquele que preconizou o
aparecimento de outros mtodos alternativos quele conseguido por efeito corona, impondo
um tempo menor etapa do processo de carga dos dieltricos para formar eletretos (GROSS
et al., 1987), (SESSLER, 1989).
Buscando um processo para medir o pico da tenso impulsiva proveniente de
descargas atmosfricas, Altafim e colaboradores desenvolveram um dispositivo constitudo
por uma pelcula de Teflon

e um pequeno espaamento de ar, encerrando este conjunto entre

dois eletrodos. A descarga atmosfrica, pelo seu intenso campo eltrico, carregava o filme
dieltrico formando eletretos, retendo cargas no meio dieltrico. Pela quantidade de cargas
aprisionadas, era possvel avaliar o pico da tenso de impulso da descarga. Mais um novo
mtodo surgia: o do carregamento em dieltricos por pulsos de curtas duraes sob altas
40
tenses. Trabalhos advindos mostraram a evoluo deste mtodo de carregamento eltrico,
onde o processo de carga por corona deu lugar aplicao de altas tenses impulsivas com
uma significativa reduo de custos e de tempo para a obteno dos eletretos. (ALTAFIM,
GIACOMETTI e JANISZEWSKI, 1992), (ALTAFIM et al., 1992), (ALTAFIM e
FERREIRA, 1996), (ALTAFIM, FERREIRA e GIACOMETTI, 1998).
2.1.2 Capacitores vibrantes
Em 1952, foi observada a gerao de sinais eltricos alternados entre duas lminas
paralelas, tendo o ar entre elas, quando submetidas a oscilaes mecnicas. Este estudo
abordou a teoria dos capacitores vibrantes, onde a diferena de potencial entre as armaduras
foi medida e analisada com respeito s amplitudes e freqncias dos sinais emitidos por este
componente, operando como um sensor eletromecnico (ANDERSON e ALEXANDER,
1952).

Figura 2.4: circuito eltrico do capacitor vibrante
Anderson e Alexander realizaram seus estudos baseados no princpio de um
microfone capacitivo C alimentado por uma fonte de tenso contnua E, cuja resposta eltrica
foi observada pela tenso eltrica v(t) em uma carga de impedncia z, conforme mostra a Fig.
2.4. Este capacitor operava devolvendo sinais eltricos em conseqncia de vibraes
mecnicas experimentadas sobre suas armaduras. Um conjunto formado por duas lminas
paralelas desempenha o papel de um capacitor plano tendo o ar como dieltrico. Uma resposta
eltrica aparece entre as lminas quando a distncia d(t) entre elas varia no tempo, em
conseqncia de oscilaes mecnicas provocadas.
Uma vibrao mecnica e harmnica estabelece uma tenso eltrica entre os
terminais da impedncia que completa o circuito. A manuteno da tenso pela fonte E impe
uma variao na tenso eltrica entre os terminais da carga de modo a compensar a tenso
alternada que aparece entre as armaduras do capacitor. Interessante observar que estes
capacitores vibrantes possuem um comportamento eletromecnico que devolve sinais
41
eltricos como respostas s perturbaes mecnicas ou vice-versa. Este comportamento
observado fornece uma falsa idia de que os fenmenos observados encontram-se
relacionados com a piezeletricidade, se analisados pelos terminais da carga. No entanto, seu
princpio de funcionamento pode ser empregado na concepo de modelos para transdutores
eletromecnicos obtidos por eletretos com cargas depositadas e retidas por um dieltrico,
bastando para isto a substituio da fonte de tenso contnua por um suprimento de carga
eltrica constante.
2.1.3 Microfones capacitivos de eletreto
A exemplo do ocorrido anteriormente com as experincias em cera de carnaba,
observou-se outro exemplo de formao de homocargas com excelente estabilidade em
pelculas polimricas e homogneas de Teflon

FEP, muito empregadas em microfones de

eletreto, disponveis hoje em dia em milhes de telefones portteis. Os japoneses foram os
primeiros que utilizaram estes eletretos formados em pelculas polimricas em microfones de
telefones militares, durante a Segunda Guerra Mundial. Obtiveram xito reduzindo estes
telefones em peso e tamanho, atendendo assim propostas requisitadas em equipamentos com
finalidades portteis, necessitando de uma pequena bateria, o suficiente para alimentar e
polarizar os filmes com os eletretos neles formados (ELETRETOS, 2006).
O microfone capacitivo de eletreto teve o seu desenvolvimento em escala industrial
nos laboratrios da Bell por Gerhard Sessler e James West em 1962 com a grande vantagem
de no requerer uma fonte de tenso elevada. Este microfone comercial com membranas
sensveis de pelculas polimricas, emprega apenas um pr-amplificador integrado, com um
transistor de efeito de campo FET (Transistor de Efeito de Campo Field Effect Transistor),
no requerendo grandes potncias para operar.
A Fig. 2.5 ilustra a estrutura e o circuito eltrico de um microfone comercial de
eletreto. A membrana superior 1 protegida por uma grade metlica e pode vibrar. Um anel
separador e isolante define um interstcio de ar entre a membrana superior e frontal com a
pelcula carregada 2, normalmente em Teflon

FEP. A face inferior desta pelcula de eletreto

mantem contato com o eletrodo de induo (inferior), isolado do invlucro que contm todo o
dispositivo eletromecnico.
42

Figura 2.5: estrutura e circuito de microfone comercial de eletreto.
(ELETRETOS, 2006).
Uma onda de presso sonora faz vibrar a membrana superior, variando o
espaamento de ar entre ela e o filme carregado de eletreto. O gatilho g do transistor FET 3
alimentado por uma tenso eltrica que varia no tempo. Observa-se ento o comportamento
deste microfone como um transdutor eletromecnico que produz esta tenso proporcional ao
sinal acstico recebido na entrada pela membrana.
Este transistor polarizado positivamente pelo seu dreno d contra o terminal
negativo comum, por uma bateria de baixa tenso e pequena potncia. O sinal eltrico
proporcional ao som emitido pr-amplificado pelo transistor FET, fazendo-o escoar pela sua
fonte s, acoplado pelo capacitor C. Atualmente os microfones de eletreto so extremamente
difundidos devido ao seu baixo preo, sua portabilidade (1 mm de espessura e 5 mm de
dimetro) e s suas caractersticas eletroacsticas.
2.2 A descoberta da piezeletricidade
A palavra piezo, de origem grega, tem o significado de pressionar ou exercer uma
determinada presso sobre um objeto. Em uma terminologia ampla e moderna, a
piezeletricidade diz respeito correspondncia estabelecida entre fenmenos eltricos e
elsticos de uma forma bilateral. Ocorre mediante uma dependncia linear estabelecida entre
uma tenso ou corrente eltrica induzida nos eletrodos e uma correspondente solicitao ou
deformao mecnica aplicada no sistema, ou reciprocamente.
Os estudos sobre as atividades piezeltricas e a sua fenomenologia, com maior
predominncia em alguns materiais, iniciaram-se com suposies de Charles Augustin de
Coulomb, seguidas da descoberta efetiva nas concluses tiradas pelos irmos Curie, evoluindo
posteriormente com os fundamentos tericos estabelecidos por Born em 1920. O texto que
43
segue nesta seo faz uma reviso que descreve o fenmeno da piezeletricidade nas primeiras
suposies, na sua descoberta cientfica, dentro de sua evoluo histrica at os tempos atuais
(BALLATO, 1996).
Um percurso pela histria da piezeletricidade, partindo das suposies iniciais de
Coulomb at os fundamentos cientficos de Born mostrado atravs dos tempos, de uma
maneira sinptica, na Tab. 2.1.
Tabela 2.1: histrico sinptico da piezeletricidade.
Coulomb Suposies: experincias com borracha sculo XVIII;
Hay Experincias em cristais sculo XVIII;
Becquerel Eletrizao por tenso mecnica, anisotropia em cristais, 1819;
Curie, J. & P. Descoberta efetiva, 1880;
Hankel Sugesto do termo Piezeletricidade, 1881;
Lippmann &
Curies
Efeito reverso e reciprocidade, 1881;
Kelvin Modelo atmico, 1893;
Duhem
Pockels
Teoria formal e fenomenolgica, 1894;
Voigt Coeficientes tensores, 1894 Notas de Aula, 1910;
Langevin Sonar 1914-1918 (1
a
. Guerra); disciplina de ultrassnica;
Born Teoria = clculos + experincias; esfalerita (ZnS), 1920.
Entre 1780 e 1790, Coulomb levantou as primeiras suposies de que a eletricidade
poderia tambm ser produzida por presso, conduzindo posteriormente aos experimentos de
Hay sem resultados conclusivos, prevendo a produo de cargas em uma borracha sob
tenso mecnica. No sculo seguinte, em 1819, Antoine Csar Becquerel descobriu o efeito
piezeltrico em alguns cristais, detectando um potencial eltrico quando estes eram
submetidos a presses mecnicas, atribuindo tal comportamento a certas diferenas constantes
e presentes no interior da estrutura cristalina do material (FAMILLE BECQUEREL, 2006).
A descoberta efetiva da piezeletricidade se deu pelos irmos Jacques e Pierre Curie
em 1880, a partir de uma curiosidade cientfica, observando o aparecimento de cargas
superficiais em alguns materiais de estrutura cristalina quando estes eram mecanicamente
solicitados. Os irmos Curie sabiam o que procuravam e realizaram experimentos com os
mais diversos tipos de materiais conforme mostra a Tab. 2.2.


44
Tabela 2.2: cristais com piezeletricidade medida pelos irmos Curie.
Cristal Frmula
Sulfeto de zinco / esfalerita Zn S
Clorato de sdio Na Cl O
3
Boracita Mg
3
B
7
O
13
Cl
Turmalina Na Mg
3
B
3
Al
6
Si
6
O
27
. (OH)
4
Quartzo Si O
2
Calamina / hemimorfita Zn
4
(OH)
2
Si
2
O
7
. H
2
O
Topzio Al
2
Si O
4
(F, OH)
2
cido tartrico H
2
C
4
. H
4
O
6
Cana de acar / sacarose C
12
H
22
O
11
Sal de Rochelle / tartarato de sdio e potssio K Na (C
4
H
4
O
6
) . 4 H
2
O
O ano de 1881 foi marcado por descobertas que muito contriburam para a evoluo
dos estudos iniciados pelos irmos Curie. Hankel sugeriu o nome piezeletricidade que foi
aceito por todos. Lippmann com bases termodinmicas confirmou a existncia de um efeito
inverso daquela piezeletricidade descoberta, justificando que a imposio de cargas eltricas
superficiais induzia reciprocamente o aparecimento de deformaes mecnicas. Ainda neste
mesmo ano, os irmos Curie reforaram o confirmado por Lippmann, e anunciaram que os
coeficientes piezeltricos para ambos os efeitos direto e inverso eram idnticos, estabelecendo
o princpio da reciprocidade.
William Thomson, conhecido por Lorde Kelvin, desenvolveu em 1893 um modelo
atmico para descrever o efeito piezeltrico. No ano seguinte, em 1894, o tratamento formal
da piezeletricidade avanou substancialmente com trabalhos elaborados por Duhem e Pockels.
Ainda no mesmo ano, o fenmeno da piezeletricidade alcanou a sua maturidade com artigos
de Woldemar Voigt, devidamente registrados em suas notas de aula (Leherbuch) de 1910, que
tratou os coeficientes piezeltricos relacionando-os com a presena de tensores mecnicos.
Durante a Primeira Guerra Mundial, no perodo de 1914-1918, Langevin utilizou
transdutores piezeltricos na deteco de submarinos, tornando-se mais tarde o pai do sonar e
da disciplina de Ultrassnica. Mais frente, em 1920, Born publicou o primeiro clculo
terico para o coeficiente piezeltrico na esfalerita ou ZnS (beta sulfeto de zinco), uma
rocha mineral.
2.3 Polmeros homogneos e eletretos
Os estudos da piezeletricidade avanaram no tempo e as atenes se voltaram
tambm para estes fenmenos aparentemente presentes em alguns materiais orgnicos, de
45
estruturas moleculares polimricas, fossem estas polares ou no. Alguns materiais que
possuem uma estrutura molecular polimrica costumam exibir um tipo de comportamento que
em primeira anlise pode ser considerado piezeltrico. De modo anlogo ao observado no
quartzo e nas cermicas, vistos pelos terminais de uma caixa preta ou mesmo de um
quadripolo, quando excitados por oscilaes mecnicas, devolvem respostas eltricas ou vice-
versa.
2.3.1 Polmeros piezeltricos
A dcada de 1950 foi marcada pelos primeiros estudos realizados sobre a
piezeletricidade em polmeros polares e de origem biolgica, como a celulose e o colgeno,
bem como naqueles de origem sinttica, a exemplo das poliamidas e dos cidos poli lcticos.
Em seu artigo de reviso literria, publicado em 2000, Fukada assinala que em 1950 a
piezeletricidade foi identificada na madeira por Bazhenov, que atribuiu este efeito s macro-
molculas de celulose na sua estrutura. Cita ainda que Yasuda em 1953 detectou a
piezeletricidade nos ossos quando observou a produo de eletricidade neles, quando
deformados por flexo. Esta piezeletricidade encontrada nos ossos acabou despertando
interesses medicina no campo da ortopedia, pelo efeito reverso, cujo estmulo eltrico
desempenhou um papel auxiliar na consolidao de uma fratura ou mesmo no crescimento de
um osso. As descobertas da piezeletricidade nos polmeros biolgicos apontaram para uma
srie de aplicaes no campo da medicina ortopdica, alguns com a caracterstica de uma
biocompatibilidade favorvel a uma posterior absoro destes polmeros pelo organismo
(FUKADA, 2000).
As primeiras demonstraes de dispositivos eletromecnicos empregando polmeros
de origem biolgica foram conduzidas por Fukada em 1959, empregando tendo, osso e
cartilagem de baleia em cpsulas de agulhas para toca-discos no lugar daquelas
comercialmente utilizadas e formadas com o sal de Rochelle (tartarato duplo de sdio e
potssio) em tais aplicaes na poca. As tenses de sada nestas cpsulas fonogrficas como
respostas para as freqncias ensaiadas, nestes materiais alternativos, encontram-se ilustradas
na Fig. 2.6. Tais demonstraes, ainda que primitivas, foram suficientes na poca para se
fazer supor a existncia de piezeletricidade nos biopolmeros.
46

Figura 2.6: resposta de agulhas fonogrficas em cartilagem de baleia, osso e tendo.
(FUKADA, 2000).
A piezeletricidade era ento um fenmeno distintamente marcado pelas assimetrias
moleculares que se faziam presentes nas estruturas dos materiais detentores desta propriedade.
As semelhanas dos polmeros piezeltricos com as propriedades ferroeltricas foram
observadas, quando em 1969 uma piezeletricidade maior foi observada em pelculas
alongadas e polarizadas de PVDF, caracterizadas por laos de histerese dieltrica em
temperaturas muito baixas. Mesmo a 100
o
C negativos, enriquecendo as experincias
realizadas em baixas temperaturas, estes laos foram observados, onde uma polarizao
residual remanente ainda permanecia em torno de uns 60 mC / m
2
, no apresentando grandes
variaes com a temperatura de realizao dos ensaios, conforme mostrado na Fig. 2.7. Por
outro lado, o campo coercitivo j apresentava outro tipo de comportamento, tendo o seu valor
aumentado com o decrscimo da temperatura (FURUKAWA, DATE e FUKADA, 1980).
Vrios dispositivos eletromecnicos empregando o PVDF e seus copolmeros foram
desenvolvidos a partir de 1970. Grandes valores para constantes piezeltricas, d
31
= 20 pC/N e
d
33
= 30 pC/N motivaram aplicaes prticas em sensores de presso e transdutores
ultrassnicos base deste material polimrico. Transdutores eletroacsticos ultrassnicos
empregando filmes alongados e polarizados de PVDF foram produzidos inicialmente em 1972
e 1973. Fones de ouvido, hidrofones e alto-falantes empregando o PVDF foram bastante
comercializados em 1975.

47

Figura 2.7: laos de histerese para o PVDF a baixas temperaturas.
(FUKADA, 2000).
2.3.2 Polmeros no polares
A reviso literria de Fukada em 2000, tambm descreve alternativas para a obteno
de eletretos com materiais polimricos apresentando respostas com caractersticas de um
comportamento aparentemente piezeltrico, equiparado quelas prprias dos materiais
cermicos. O campo destes estudos muito vasto, resultando em muitos trabalhos realizados
em vrias partes do mundo e alguns praticamente ao mesmo tempo. Sem fugir dos objetivos
desta tese, inevitvel que alguns artigos sejam aqui omitidos.
Desde 1975, que a piezeletricidade e a piroeletricidade vm sendo observadas, ainda
que de forma aparente, tambm em dispositivos eletromecnicos fabricados com polmeros de
caractersticas no polares, bastando que neles se encontrem camadas de cargas eltricas
distribudas. Se estes polmeros experimentarem deformaes provocadas por solicitaes
mecnicas ou trmicas, suas cargas sofrem um deslocamento relativo, produzindo uma
resposta eltrica. Por exemplo, um microfone de eletreto baseia-se neste mecanismo, onde a
pequena espessura de ar e o eletreto formado pelo dieltrico carregado apresentam
deformaes muito diferentes. Uma diferena de presses entre os dois lados do diafragma do
dispositivo faz uma camada superficial de carga, depositada na pelcula com o eletreto, se
mover em relao aos eletrodos do microfone.
48
Neste sentido, uma resposta eltrica primria caracteriza-se pela variao da
polarizao, visto que os dipolos se deslocam de modo no uniforme, dentro de uma escala
atmico-molecular. Por outro lado, outra resposta secundria identificada pela densidade
destes dipolos, estes considerados rgidos em relao ao material interposto entre eles,
responsvel pela maioria das deformaes. Este ltimo mecanismo vem mostrar que as
camadas maleveis ou compressveis alternam-se com as mais rgidas e que as interfaces
superficiais entre elas transportam cargas de polaridades opostas (SESSLER, 1987).
Em 1995, uma mudana de paradigma demonstrou que uma resposta eltrica ou
mecnica nos polmeros poderia tambm estar relacionada com a estrutura molecular do
slido dieltrico, tendo nele uma carga fixa depositada. Alm disto, foi observado que as
respostas aos estmulos eletromecnicos eram dependentes de uma elasticidade presente e
resultante da combinao de materiais dieltricos diferentes. Tal feito foi experimentalmente
justificado e matematicamente equacionado para um eletreto formado pela juno de dois
polmeros com propriedades elsticas distintas entre dois eletrodos: uma pelcula de Poli
Propileno (PP) slido unida com outra de Poli Uretano (PU) elstico de mesma espessura, ou
compostos de Teflon

PTFE (Poli Tetra Flor Etileno) slido e PP malevel (KACPRZYK et

al., 1995), (KACPRZYK, DOBRUCKI e GAJEWSKI, 1997).
2.3.3 Eletretos e a piezeletricidade aparente
De um modo geral, a orientao dipolar e as cargas depositadas so os dois
mecanismos contribuintes de uma aparente piroeletricidade, piezeletricidade e
ferroeletricidade em boa parte dos polmeros, sejam eles polares ou no (FUKADA, 2000).
Hoje em dia as aplicaes voltadas piezeletricidade no esto mais restritas ao
quartzo, aos materiais cermicos ou mesmo aos polmeros de natureza polar. Elas podem
tambm ser realizadas com o emprego de materiais polimricos de estrutura no polar, porm
dentro de restries operativas e com algumas adaptaes. Mesmo com algumas limitaes,
estes polmeros no polares encontram muitas aplicaes em transdutores eletromecnicos,
substituindo sem maiores dificuldades aqueles materiais naturalmente piezeltricos. Em
algumas aplicaes estes transdutores oferecem at vantagens pela flexibilidade e pela
impermeabilidade, caractersticas dos materiais polimricos, alm de possuir uma inrcia
bastante reduzida.
49
Enquanto que no quartzo, nas cermicas piezeltricas e nos polmeros polares o
fenmeno se manifesta naturalmente por uma correspondncia biunvoca entre uma
deformao mecnica e um sinal eltrico, nos polmeros no polares o mesmo comportamento
observado desde que eles estejam eletricamente carregados. Assim, associados aos eletrodos
metlicos, o comportamento que estes materiais polimricos no polares apresentam, podem
ser confundidos com aqueles dos materiais piezeltricos que apresentam naturalmente esta
propriedade.
Na realidade, estes dispositivos devem ser tratados apenas como transdutores
eletromecnicos obtidos por eletretos, de uma forma distinta daqueles materiais que j
apresentam a piezeletricidade na sua forma natural, sem que haja a necessidade de um
carregamento eltrico para uma polarizao prvia sobre eles. Os eletretos so formados, com
interveno humana, em materiais dieltricos que permitem o aprisionamento de cargas
eltricas interiores ou superficiais, decorrentes de um processo de carregamento na presena
de um campo eltrico de alta intensidade. Mesmo depois que a origem destas cargas foi
retirada, ainda exibem um campo eltrico residual. Trata-se, portanto de uma propriedade
extensiva e caracterstica de alguns materiais.
O fenmeno da piezeletricidade, por outro lado, mostra-se presente em alguns
materiais cujas estruturas atmico-moleculares contm certas assimetrias. Basso em suas
anotaes demonstra, empregando tensores mecnicos e eltricos, que tais materiais com estas
caractersticas devolvem um sinal eltrico sempre que experimentam qualquer tipo de tenso
mecnica, seja ela de compresso, trao ou cisalhamento. Inversamente, quando excitados
eletricamente respondem com deformaes mecnicas, relacionadas aos tensores mecnicos.
A piezeletricidade ento uma propriedade intensiva e caracterstica da natureza de alguns
tipos de materiais, com este comportamento apresentado de forma linear, reversa e recproca
(BASSO, 2006).
O conceito sobre os eletretos j estava formado e justificado pela realizao de
vrias pesquisas a este respeito. As investigaes posteriores sobre a piezeletricidade em
materiais de estrutura polimrica tornaram possvel que os eletretos neles formados e o
comportamento verificado passassem a caminharem juntos associando os dois conceitos,
procurando definir assim um modelo para os transdutores eletromecnicos polimricos
obtidos com a formao de eletretos.
50
Desta forma, uma anlise em parmetros de circuito veio mostrar que o filme
polimrico e os espaamentos de ar poderiam ser vistos como dieltricos e os eletrodos como
armaduras de uma associao de capacitores planos dispostos em srie, sem maiores
dificuldades. De posse deste modelo, tornava-se tambm possvel conhecer a distribuio das
cargas que ficavam depositadas e as foras de ao do campo eltrico, agentes sobre os
eletrodos em funo do dieltrico carregado. Avaliando estas foras, campos e potenciais o
comportamento dos microfones e alto-falantes com eletretos tornaram-se melhor interpretados
e compreendidos cientificamente (SESSLER, 1972).
Ainda no ano de 1972, foram realizados estudos mais refinados sobre a deposio
das cargas sobre pelculas polimricas dieltricas de PET (Poli Etileno Teraftalato), Teflon

FEP e PC (Poli Carbonato), tendo uma de suas faces metalizada. Cada pelcula ensaiada foi
eletricamente carregada sob efeito corona e uma lmina de vidro foi colocada entre a face no
metalizada da pelcula e o eletrodo inferior aterrado, conforme o ilustrado pela Fig. 2.8 (a).
Aps o carregamento eltrico para a formao dos eletretos em cada filme, antes que
o polmero fosse removido do conjunto, o eletrodo superior foi afastado e a face metalizada
do filme foi posta em curto-circuito com o eletrodo inferior, conforme pode ser mostrado na
Fig. 2.8 (b). Mesmo com a fonte de tenso removida e o conjunto posto em curto-circuito, as
pelculas ainda se mostravam eletricamente carregadas (SESSLER e WEST, 1972).

Figura 2.8: carregamento de um filme polimrico com vidro (dieltrico) inserido.
Estes dois artigos, elaborados no mesmo ano, mostraram o avano dos trabalhos no
campo dos eletretos polimricos, sinalizando os primeiros indcios de um comportamento
eletromecnico para este tipo de transdutor polimrico. Descreveram o comportamento destes
51
isolantes polimricos como eletretos, exibindo uma significativa capacidade de
armazenamento de carga, da ordem de at 1 C/cm
2
, com uma constante de tempo de
decaimento da ordem de uns 10 anos. Com isto, pode-se inferir que a carga eltrica depositada
fica praticamente retida no material dieltrico, justificando o eletreto formado. O primeiro
artigo demonstrou os clculos dos campos eltricos nas camadas do isolante e no espaamento
entre eles, oferecendo uma ferramenta simples e direta para avaliar o comportamento destes
transdutores eletromecnicos, determinando tambm a fora agente nos eletrodos em resposta
a uma solicitao eltrica. O segundo artigo apresentou, com outro enfoque, o comportamento
fsico de alguns filmes polimricos quanto ao carregamento eltrico, sem a ocorrncia de
rupturas dieltricas no ar, mesmo alm dos limites estabelecidos pela curva de Paschen
(KUFFEL e ZAENGL, 1984).
Uma anlise do comportamento eletromecnico inverso para este transdutor apontou
para um fenmeno interessante: mostrou que dois tipos de excitaes, basicamente diferentes
em natureza, apresentaram efeitos aparentemente similares. A excitao eltrica alternada e
direta entre seus eletrodos fazia com que o transdutor eletrosttico produzisse vibraes
mecnicas. Por outro lado, a excitao alternada aplicada num eletrodo do transdutor
provocava uma vibrao no elemento dieltrico que se transmitia ao outro eletrodo adjacente.
Este estudo separa os dois tipos de excitaes mencionadas e foi realizado com a anlise de
um transdutor capacitivo ultrassnico produzindo vibraes mecnicas nos eletrodos sobre as
faces de uma pelcula isolante de PP com 10 m de espessura. Duas formas de ondas foram
observadas, sendo denotadas pelas defasagens e tipos de interferncias provocadas entre elas,
percebendo-se ento que se tratava de duas causas distintas. Tal feito foi desmembrado e
atribudo a certa presso eletrosttica exercida diretamente sobre os eletrodos como tambm a
vibraes na lmina dieltrica central que era transmitida aos eletrodos. A presso
eletrosttica, exercida sobre os eletrodos de forma direta, traduzida por um trabalho
realizado sobre a amostra, que modifica a energia armazenada pelo campo eltrico
(DREYFUS e LEWINER, 1973).
As pesquisas voltadas aos eletretos formados em materiais de origem polimrica e as
aparentes atividades piezeltricas a eles associados prosseguiam com a publicao de vrios
trabalhos provenientes de vrios pases. Moreno e Gross apresentaram uma tcnica
experimental e teoricamente justificada com o objetivo de medir o desenvolvimento e o
decaimento do potencial de superfcie, simultaneamente com as correntes eltricas em
amostras de eletretos obtidos com Teflon

FEP e Polietileno (MORENO e GROSS, 1976).

52
Um arranjo experimental foi idealizado segundo mostra a Fig. 2.9. Um eletrodo em
ponta P, alimentado por uma fonte de alta tenso contnua V
C
polarizada negativamente,
ioniza o meio, carregando eletricamente sob efeito corona uma pelcula polimrica S de
formato circular, distante 6,5 cm deste eletrodo. A distribuio dos eltrons sobre a amostra
melhorada por uma grade no potencial de terra separada por 4 mm da amostra. A amostra
possui uma fina camada externa e inferior condutora apoiada sobre um disco metlico circular
com 7,5 cm de dimetro. Um anel de guarda G, com dimetro interno de 5,8 cm e externo de
7,5 cm mantido a um potencial positivo de polarizao V
0
e impede que as correntes de
superfcie cheguem ao eletrodo de medida E, este interno ao anel de guarda com 5,6 cm de
dimetro. Todo este conjunto possui o comportamento de uma vlvula de emisso catdica
controlada pelo potencial de grade e encerrado no interior de um cilindro metlico e aterrado
M.
Um alto-falante L com sua membrana vinculada ao eletrodo E excitado por um
oscilador senoidal com uma amplitude de 1,2 m e uma freqncia de 280 Hz. Este conjunto,
formado pela amostra e pelo eletrodo E, desempenha o papel de um sensor de vibrao,
possibilitando medidas da corrente de carga e do potencial de superfcie na amostra.

Figura 2.9: circuito de medidas do potencial e das correntes nos polmeros.
(MORENO e GROSS, 1976).
53
O circuito de medida, externo ao cilindro blindado, constitudo de dois ramos. Um
ramo em corrente contnua I
dc
passando pelo resistor R
1
de 20 M medida a um potencial
elevado pelo eletrmetro A
e
e um transdutor fotoeltrico T, cuja sada vai a um registrador. O
outro ramo bloqueia a corrente contnua pelo capacitor C com 16 nF, transmitindo a
componente alternada, medida no resistor R
2
de 500 k posteriormente amplificada. O
amplificador sintonizado com seleo de freqncia lock-in e o registrador transmitem o
sinal que traduz a medida do potencial equivalente de superfcie da amostra. Assim, o
potencial V
S
na superfcie da amostra pode ser determinado, conhecendo-se as tenses no
resistor R
2
e a da fonte V
0
.
Esta experincia veio mostrar como os polmeros se comportam na formao dos
eletretos, fornecendo subsdios a serem levados em conta nos projetos de transdutores
eletromecnicos polimricos, ilustrando os comportamentos do crescimento do potencial de
superfcie e do decrscimo da corrente de carga destes eletretos em funo do tempo
(GIACOMETTI e OLIVEIRA Jr., 1992).
Em 1987, Medycki e Hilczer apresentaram uma melhora no processo de carga dos
eletretos polimricos, realizando experincias com amostras de PET e Teflon

FEP,
corroborando o trabalho desenvolvido por Sessler e West em 1972. Substituram a placa
dieltrica de vidro, ilustrada na Fig. 2.8, por uma pelcula do mesmo filme dieltrico do
eletreto, porm no polarizado e de condutividade muito baixa, com o intuito de obter uma
maior densidade de carga no eletreto formado. O circuito de ensaio, ilustrado na fig. 2.10 (a),
possua uma chave bipolar de modo a conectar ou desconectar o arranjo sob teste
simultaneamente da fonte e da terra; o eletreto era polarizado por uma fonte de tenso
contnua e depois era totalmente isolado da alimentao. A seguir, o eletrodo superior era
removido, de acordo com a Fig. 2.10 (b). O dieltrico no polarizado era ento afastado e o
eletreto era obtido no filme polimrico com uma face (inferior) metalizada, como pode ser
visto na Fig. 2.10 (c). Como resultado deste processo, o eletreto formado ficava com cerca de
70 % da tenso de polarizao, contra aproximadamente 30 % obtido por Sessler e West
(MEDYCKI e HILCZER, 1987).
54

Figura 2.10: preparao do eletreto polimrico segundo Medycki e Hilczer.
2.4 Polmeros porosos e celulares
Os materiais polimricos homogneos j haviam sido exaustivamente investigados
no tocante s suas propriedades eletromecnicas, principalmente no que dizia respeito aos
microfones de eletreto. Como pode ser visto na Fig. 2.5, estes dispositivos so constitudos
por dois eletrodos, uma pelcula polimrica carregada eletricamente e um pequeno interstcio
de ar, empilhados sem maiores complexidades. Uma das faces desta pelcula de eletreto
mantm um contato com um dos eletrodos enquanto que a outra no metalizada se encontra
separada do outro eletrodo por uma pequena espessura de ar. O dispositivo assim formado
com o eletreto constitudo basicamente pela juno de dois meios com propriedades
elsticas diferentes, justificando assim o fenmeno responsvel pela converso eletroacstica.
2.4.1 Descobrimento dos polmeros porosos e celulares
Com base na elasticidade linear j mencionada anteriormente, Kacprzyk e seus
colaboradores demonstraram a ocorrncia de uma piezeletricidade aparente devido simples
justaposio de dois materiais, com a restrio de que eles possuam propriedades elsticas
diferentes e que as deformaes experimentadas sejam muito menores do que suas espessuras,
que sofrem as solicitaes mecnicas. Estas descobertas realizadas em meados da dcada de
1990 despertaram o interesse para o desenvolvimento de um transdutor em eletreto, que fosse
formado por um nico material, porm de consistncia heterognea e que estivesse sustentado
pelos mesmos fundamentos tericos enunciados acima, com base na associao de dois
materiais de consistncias diferentes.
As dedues e experincias realizadas orientaram o desenvolvimento de um
dispositivo feito em camadas alternadas de filmes de Teflon

PTFE poroso (p) e mais

malevel, com o mesmo material s que no-poroso (np) e menos malevel. O filme poroso
55
foi desenvolvido na China (Shangai Plastics Institute), enquanto que o filme no poroso da
mesma substncia foi fabricado na Rssia (Plastpolymer) e na Inglaterra (Goodfellow). Surgia
ento uma pelcula hbrida constituda de um material poroso, dotado de micro-orifcios,
envolvido por camadas externas de pelculas no porosas. O conjunto exibia propriedades que
justificavam as atividades eletromecnicas para um transdutor de eletretos dotado de uma
piezeletricidade aparente (GERHARD-MULTHAUPT et al., 1999).
A descrio detalhada sobre o funcionamento de um microfone de eletreto despertou
muitos pesquisadores na busca do desenvolvimento de um filme polimrico que tivesse
minsculas bolhas ou orifcios distribudos pelo seu interior, esperando com isso, uma
resposta eletromecnica mais sensvel. Esta motivao levou ao desenvolvimento de um filme
polimrico de PP na Finlndia por volta de 1998, contendo cavidades celulares ou micro-
bolhas no interior da sua estrutura. De modo anlogo, agregando melhorias s pelculas
formadas por polmeros porosos associados com no porosos de mesmo material, esta pelcula
industrializada era mais uma alternativa de dispor minsculos microfones de eletreto, em um
nico material, dentro de uma estrutura heterognea.
Estava dada ento, a partida na corrida ao desenvolvimento de transdutores
eletromecnicos construdos com materiais polimricos de consistncia heterognea,
formando eletretos e conhecidos pelas suas propriedades ferroeltricas, procurando tambm
uma identidade com as propriedades piroeltricas e piezeltricas. A descoberta destes filmes
polimricos heterogneos e a piezeletricidade aparente a eles associada foi bastante marcada e
justificada em publicaes de autores de diversos pases ao longo dos anos. Particularmente, a
descoberta destas pelculas foi descrita pela estrutura microscpica, pela forma de operao e
finalmente pela caracterizao de uma pelcula de PP, um material bsico e de baixo custo,
designado por Filme Eletro Mecnico (EMFi Electro Mechanical Film) dotado de estrutura
celular e detentor de patente internacional, empregado em sensores e atuadores (LEKKALA e
PAAJANEN, 1999).
O EMFi eletricamente carregado pelo efeito corona ainda durante a manufatura do
filme, sendo posteriormente coberto por duas camadas finas e metlicas de eletrodos. A
pelcula empregada nos estudos realizados por Lekkala e Paajanen constituda por trs
camadas. Duas camadas mais externas de PP lisas e homogneas com espessura de 35 m
providas externamente de eletrodos de alumnio vaporizados a vcuo, envolvem uma seco
intermediria do polmero, mais espessa, heterognea e dominante com 70 m de espessura e
56
espaamentos vazios dispersos em camadas folhadas tambm em PP, conforme visto pela
varredura de um microscpio eletrnico, mostrada na Fig. 2.11. A seco transversal do filme
ilustra as micro-cavidades com dimenses laterais predominantes entre 10 m e 100 m e
dimenses verticais desprezveis, em relao a estas medidas, de alguns poucos mcrons.
Estes espaamentos vazios e alongados, com estas dimenses e as camadas envolventes,
transmitem a idia de capacitores planos, associados em srie entre os eletrodos, dispondo
finalmente estes arranjos seriais em paralelo.
Entre as vantagens, este material apresenta uma maleabilidade maior devido s
micro-cavidades presentes internamente, aliadas a uma forte carga eltrica retida e
permanente, imprimindo maior sensibilidade s respostas das aes de foras exercidas numa
direo normal sua superfcie. Na mesma poca, a modelagem destes polmeros operando
como sensores e como atuadores piezeltricos foi proposta com a adio de hipteses
simplificadoras, oferecendo uma previso na resposta destas pelculas em funo das suas
dimenses, da sua constituio fsica e das aes externas, comprovadas experimentalmente
(PAAJANEN, VLIMKI e LEKKALA, 1999), (SESSLER e HILLENBRAND, 1999).

Figura 2.11: seco transversal de um EMFi 70 m em microscopia eletrnica. (LEKKALA
e PAAJANEN, 1999).
Em linhas gerias, pode-se dizer que o EMFi constitudo por varias camadas de PP
separadas por micro-bolhas de ar, fornecendo as caractersticas e as propriedades que o
tornam muito empregados em aplicaes de sensores e atuadores eletromecnicos. Este
conjunto pode ser observado, numa escala microscpica, como inmeros microfones de
eletreto dispersos pelo interior da pelcula (PAAJANEN, LEKKALA e KIRJAVAINEN,
2000).
57
Este material desenvolvido e conhecido como EMFi, fino e fcil de cortar em
qualquer forma e tamanho, podendo assim ser utilizado em inmeras aplicaes, destacando-
se pela sua portabilidade e tambm pela sua versatilidade. Pode ser utilizado, por exemplo,
para monitorar a distribuio de presso no solo como sensores flexveis e finos, nas reas de
alarmes, em comutadores de segurana e em equipamentos de superviso. Teclados e
microfones acsticos podem empregar o uso desta pelcula. Alto-falantes grandes com 50 x
60 cm
2
e finos com 5 mm de espessura so tambm fabricados com este tipo de filme
vibrando em uma cavidade entre eletrodos, produzindo uma presso sonora superior a 100 dB
(GERHARD-MULTHAUPT, 2002).
interessante comentar que o processo de produo destes filmes polimricos no
polares de PP celular ou de Teflon

PTFE poroso utiliza recursos de aerao em fuso,

seguida de extruso sob resfriamento, para a introduo e alongamento das cavidades ou
poros dispersos no interior da massa polimrica. Desta forma, a dimenso destas micro-
cavidades no homognea, sendo assim determinadas por um conjunto de condies
especficas tais como, da temperatura de fuso, da velocidade de agitao da massa fundida,
da presso do ar insuflado na soluo, do dimetro do tubo na extruso, da temperatura de
resfriamento, alm de eventuais interferncias que possam ocorrer. A influncia de todas estas
variveis acaba contribuindo para que o processo industrial assim descrito seja controlado
estatisticamente na linha de produo.
2.4.2 Medidas da atividade eletromecnica nos polmeros porosos e celulares
As atividades eletromecnicas aparentemente piezeltricas apresentadas por estes
transdutores com eletretos polimricos de constituio heterognea, foram medidas em
arranjos experimentalmente montados para tais finalidades. Seus coeficientes de sensibilidade
tanto direta como inversa foram analisados e comparados com os resultados dos conhecidos
cristais, cermicas e polmeros homogneos nas mesmas condies, cuja descoberta j
avanava h dcadas. Foi constatado que este tipo de transdutor produzido com polmeros
heterogneos, contendo minsculos microfones de eletreto no seu interior, melhorava em
muito os coeficientes de sensibilidade eletromecnica em relao queles feitos com materiais
polimricos homogneos e algumas vezes eram comparveis at em relao a alguns cristais e
cermicas piezeltricas (GERHARD-MULTHAUPT et al., 1999).
Dentre alguns ensaios realizados para se medir as atividades eletromecnicas, o mais
simples e imediato consiste na determinao de um coeficiente de sensibilidade equivalente
58
ao de piezeletricidade direta d
33
em um modo pseudo-esttico. Conforme o arranjo
esquematizado na Fig. 2.12, um corpo de massa m entre 0,5 kg e 1 kg exerce uma fora sobre
o transdutor sob teste eletricamente carregado, que o deforma no sentido transversal da sua
espessura. O coeficiente de sensibilidade eletromecnica, dado pela relao entre a carga
eltrica e a fora aplicada, determinado a partir da carga induzida nos eletrodos da amostra,
devido a uma sbita solicitao ou retirada do peso P = mg, considerando g a acelerao da
gravidade local. Em paralelo com o dispositivo sob teste conectado um capacitor de medidas
C
M
com 101,5 nF e um eletrmetro V
M
. A capacitncia das amostras, entre 8,5 pF e 18 pF,
muito menor do que a do capacitor de medidas, faz com que praticamente toda a carga gerada
pela amostra seja para ele transferida e armazenada, tornando possvel a medida da carga em
conseqncia da deformao experimentada.

Figura 2.12: determinao do coeficiente de sensibilidade pseudo-esttico.
Este ensaio foi realizado em amostras preparadas com duas, trs e at quatro
camadas constitudas por arranjos entre filmes homogneos no porosos (np) de Teflon

PTFE com 15 ou 25 m de espessura (Plastpolymer e Goodfellow respectivamente) e filmes
porosos (p) de Teflon

PTFE com 40, 80 e 100 m de espessura (Shangai Plastics Institute).

A Tab. 2.3 exibe os resultados das densidades de carga eltrica e os coeficientes de
sensibilidade eletromecnica. Com exceo dos arranjos A e B, que tiveram somente os filmes
externos carregados, os demais arranjos, de C at H tiveram todas as suas pelculas carregadas
anteriormente montagem dos transdutores. Pelos resultados obtidos, o arranjo H em quatro
camadas e com um eletrodo interno e isolado na medida, produziu o dobro da resposta
piezeltrica observada na amostra D sob a mesma solicitao mecnica (GERHARD-
MULTHAUPT et al., 1999), (WEINHOLD et al., 2000).
Em resumo, demonstrou-se que estes arranjos contendo variaes de Teflon

PTFE
poroso e no poroso possuem uma estabilidade de cargas eltricas superficiais e so bastante
59
adequados em aplicaes para uso em transdutores eletromecnicos com eletretos. Os
coeficientes de sensibilidade apresentaram variaes em funo da densidade de carga eltrica
e se mostraram fortemente dependentes da forma como as camadas foram arranjadas em cada
transdutor ensaiado, sem nada poder se afirmar a respeito de uma resposta linear por parte
deste tipo de transdutor.
Tabela 2.3: amostras em camadas rgidas (np) e macias (p) de Teflon

PTFE. (GERHARD-
MULTHAUPT et al., 1999)

O autor e seus colaboradores realizaram ensaios, apontando indcios sobre o
comportamento das amostras, levando-se em considerao diversos tipos de configuraes
geomtricas, sensibilidades e linearidades nas respostas destes transdutores operando como
sensores em um modo pseudo-esttico. Dos oito conjuntos para testes apresentados, o arranjo
60
A aquele que mais se aproxima da configurao apresentada pela pelcula de EMFi, obtido
com uma pelcula porosa de PP envolta por duas outras no porosas e mas rgidas do mesmo
material. tambm aquele que assume a configurao mais prxima do transdutor
eletromecnico composto de dois filmes polimricos rgidos e homogneos envolvendo
bolhas de ar termoformadas, objeto desta tese. Desta forma, este arranjo ser tomado como
referncia para o estudo do comportamento eletromecnico dos transdutores polimricos com
eletretos.
Outros ensaios realizados consistiram em se determinar o coeficiente de
sensibilidade eletromecnica de forma dinmica em cada tipo de camada que compe um
filme eletromecnico (EMFi) de PP celular, conforme a estrutura microscpica mostrada na
Fig. 2.11. Desta vez, as amostras de PP celular foram submetidas a vibraes mecnicas
segundo uma direo vertical, de modo que uma presso fosse exercida sobre elas.
As camadas do filme eletromecnico foram separadas e medidas As pelculas mais
externas e homogneas mostraram uma sensibilidade de 30 2 pC / N e as internas e
heterogneas, com micro-bolhas, um valor de 160 5 pC / N para os coeficientes
eletromecnicos diretos, em modo sensor. Em modo atuador, as variaes na espessura do
filme, em resposta a uma tenso eltrica externa de controle, foram medidas com um
microscpio de varredura eletrnica, registrando uma sensibilidade de 45 15 pm / V para o
filme das camadas externas e de 225 25 pm / V para aqueles com bolhas dispersas, valores
estes ligeiramente maiores do que no modo sensor. Foi visto tambm que a sensibilidade
eletromecnica do filme como um todo, tambm era funo do tempo decorrido aps o seu
carregamento eltrico (LEKKALA e PAAJANEN, 1999).
Em prosseguimento aos estudos com estes transdutores obtidos com eletretos
formados em polmeros heterogneos, Hillenbrand e Sessler desenvolveram um modelo
matemtico para justificar o comportamento eletromecnico apresentado pelos filmes porosos
de Teflon

PTFE e pelos celulares EMFi em PP. Realizaram ensaios em filmes celulares de

PP, verificando o comportamento destes filmes como transdutores, tanto no modo sensor
como no modo atuador. Apontaram para uma reciprocidade entre os coeficientes de
sensibilidade diretos (modo sensor) e os correspondentes inversos (atuador), embora
separadamente nas condies de curto-circuito e circuito aberto. Deduziram uma expresso
no linear e que a definiram contrariamente, em condies determinadas, como se tratando de
um coeficiente piezeltrico mostrando inclusive reciprocidades para comportamentos
61
inversos. Complementando a Fig. 2.11 com o corte microscpico, a Fig. 2.13 (a) ilustra
imagens de uma varredura em microscopia eletrnica, onde a estrutura celular do filme em PP
pode ser vista em 3 escalas. Uma associao capacitiva em srie com 3 camadas slidas de
eletreto intercaladas por 2 camadas compressveis de ar encontra-se na Fig. 2.13 (b), servindo
para definir matematicamente o modelo proposto (HILLENBRAND e SESSLER, 2000).


Figura 2.13: filme celular de PP (a) e sua estrutura capacitiva (b).
(HILLENBRAND e SESSLER, 2000)
Neste trabalho, os autores admitem que a variao da carga induzida nos eletrodos
possui uma relao com a variao na espessura da camada compressvel de ar, o que
correto. Admitem, porm uma linearidade nesta compressibilidade da camada de ar, o que
pode induzir a algumas interpretaes erradas ao definir o coeficiente piezeltrico direto d
33

como uma relao entre a diferena de carga eltrica induzida nos eletrodos e a fora aplicada
no dispositivo. Definem dois coeficientes diferentes de sensibilidades, d
33
e g
33
para o modelo
do transdutor nas situaes de curto-circuito e circuito aberto respectivamente. Na realidade,
este estudo trata o dispositivo apresentado com modelos distintos para as situaes de curto-
circuito e circuito-aberto, embora os autores insistam em atribuir um comportamento
piezeltrico ao transdutor apresentado. Ressalte-se aqui, no entanto, que se tratam de
comportamentos distintos para o dispositivo em funo da impedncia de sada, o que
contradiz o princpio linear e recproco da piezeletricidade, independente da carga.
O desenvolvimento de filmes polimricos, porosos e celulares, por processos
industriais de produo, propiciou um melhor desempenho aos transdutores eletromecnicos
62
obtidos por eletretos. Os filmes so carregados por efeito corona ainda no processo de
manufatura, onde as cargas so depositadas segundo uma distribuio volumtrica e dispostas
em multicamadas microscpicas internas, resultado de camadas maleveis, porosas e
heterogneas envolvidas por duas outras menos maleveis lisas e homogneas de PP. Estes
filmes possuem uma caracterstica peculiar intrnseca: inmeras micro-cavidades preenchidas
com gs, envolvidas por camadas polimricas carregadas eletricamente em polaridades
opostas. Quando uma solicitao mecnica, trmica ou eltrica aplicada a eles, observa-se
um comportamento aparentemente piezeltrico, piroeltrico ou ferroeltrico (SESSLER,
1987), (KACPRZYK e MOTYL, 1994), (GERHARD-MULTHAUPT, 2002).
2.5 Transdutores com polmeros homogneos
Os resultados das experincias descritas em trabalhos com transdutores
eletromecnicos obtidos com filmes de eletretos polimricos celulares ou porosos motivaram
Altafim e colaboradores no desenvolvimento de um dispositivo similar, porm empregando
eletretos em duas pelculas homogneas polimricas de Teflon

FEP, envolvendo cavidades

maleveis na forma de minsculas bolhas de ar e que pudessem ser produzidos em
laboratrio. Os primeiros transdutores deste tipo e equiparados queles obtidos com eletretos
em polmeros porosos ou celulares, foram produzidos em laboratrio a partir de processos
bastante elementares, sem requisitar o desenvolvimento de uma tecnologia (ALTAFIM et al.,
2003). Passando por uma escala evolutiva, o processo de produo destes transdutores passou
a apresentar melhorias agregadas s alternativas precedentes (ALTAFIM et al., 2005).
2.5.1 Eletretos polimricos homogneos em multicamadas
Em 2003, mais um passo foi dado no avano das pesquisas sobre transdutores
eletromecnicos com filmes de eletretos carregados, baseando-se no principio das cargas
eltricas retidas por um meio isolante. Empregando duas pelculas homogneas de Teflon

FEP, Altafim e colaboradores produziram transdutores eletromecnicos polimricos
carregados por tenses impulsivas, formando eletretos nos filmes e envolvendo cavidades
microscpicas de ar entre eles, sem fugir conhecida concepo baseada nos microfones de
eletreto (ALTAFIM et al., 2003), (RODRIGUES, 2003).
O primeiro dispositivo formado pela equipe de Altafim era constitudo por duas
camadas circulares de Teflon

FEP empilhadas, cada uma com 2,5 cm de dimetro e 75 m

de espessura, terminadas por duas folhas laminadas em alumnio, como eletrodos de contato,
63
conforme a ilustrao na Fig. 2.14. Os filmes polimricos foram unidos pela asperso de
verniz pulverizado, como um adesivo, sobre a superfcie interior em cada pelcula. A
irregularidade deixada pela asperso do verniz acabou resultando na formao de cavidades
microscpicas de ar, que deixava uma espessura mdia de uns 10 m entre os filmes
polimricos, conferindo ento uma geometria semelhante quela dos filmes celulares
industrialmente produzidos. A princpio o mesmo verniz foi utilizado para colar as folhas de
alumnio, como eletrodos, nas pelculas de Teflon

FEP, sem muito sucesso, tendo em vista

que a antiaderncia a propriedade mais marcante neste polmero.

Figura 2.14: sanduche multicamada formado por filmes de Teflon

FEP e alumnio.
O dispositivo foi ento montado e carregado por um impulso negativo em alta
tenso. A forma da onda de tenso impulsiva gerada em funo do tempo v(t) o resultado de
uma diferena entre dois decaimentos exponenciais de mesmo valor inicial V
MAX
, e constantes
de tempo 1/
1
e 1/
2
, sendo
1
maior do que
2
. Assim, a tenso impulsiva no tempo fica:
[ ) t exp( ) t exp( V ) t ( v
2 1 MAX
] = (2.1)
O circuito de carregamento para formar os eletretos nos transdutores emprega um
gerador de impulsos do tipo Marx, mostrado na Fig. 2.15, onde as resistncias possuem
valores R
1
= 72 , R
2
= 44 , e as capacitncias C
1
= 1,35 mF e C
2
11 nF. O ajuste destes
parmetros no circuito eltrico com estes valores resulta numa onda padronizada de impulso
de tenso eltrica, cujo valor de pico de 12,5 kV atingido aps 1,2 s, decrescendo em
seguida a um valor da metade deste mximo aps 50 s do seu incio (GREENWOOD, 1970)
e (RODRIGUES, 2003).
64

Figura 2.15: circuito de carga para formao dos eletretos nos transdutores. (RODRIGUES,
2003).
Este impulso sobre o dispositivo sob teste e a espessura de ar nas bolhas formadas
fizeram com que campos eltricos nos filmes e nas micro-cavidades exercessem um controle
sobre o potencial de superfcie, de modo que um coeficiente de sensibilidade eletromecnica
pudesse ser estabelecido para caracterizar o comportamento deste transdutor eletromecnico
em termos da quantidade de carga retida pelo filme dieltrico (ALTAFIM, GIACOMETTI e
JANISZEWSKI, 1992).
As atividades aparentemente piezeltricas e diretas foram medidas numa condio
pseudo-esttica, empregando-se o mesmo arranjo ilustrado na Fig. 2.12, da mesma forma com
que foram verificadas as sensibilidades eletromecnicas nas amostras porosas e celulares
industrializadas. Um capacitor de medidas C
M
com 86,91 nF armazenou praticamente toda a
carga gerada pela amostra, quando esta foi mecanicamente solicitada, pela retirada brusca de
uma fora de intensidade 20 N. A resposta eletromecnica deste sensor encontra-se mostrada
na Fig. 2.16, destacando a retirada da fora aplicada sobre ele. O eletrmetro originalmente
utilizado foi substitudo por um osciloscpio digital, para o registro da tenso eltrica nos
terminais do capacitor de medidas. Multiplicando-se esta capacitncia pela tenso de pico
obtida, a carga gerada foi determinada. Um coeficiente de sensibilidade aparentemente
piezeltrica d
33
foi obtido, dado pela relao entre esta carga gerada e a fora aplicada que a
motivou.
65
-60 -40 -20 0 20 40 60
-0,5
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
T
e
n
s

o

[
m
V
]
Tempo [ms]

Figura 2.16: atividade eletromecnica dos transdutores sob retirada de 20 N. (RODRIGUES,
2003).
As gotculas de verniz, nas faces internas dos filmes, formaram uma interface com
minsculos separadores entre as pelculas polimricas de Teflon

FEP. A condutividade
eltrica destas gotas de verniz, que no pode deixar de ser considerada, propiciou a ocorrncia
de descargas internas e indesejveis entre clulas vizinhas, prejudicando o efeito
eletromecnico sob certas exigncias. A asperso do verniz sobre os filmes polimricos no
garantiu que a interface entre eles tivesse as micro-cavidades com as mesmas dimenses,
dentro de uma constituio homognea. Acrescente-se ainda que este verniz depositado ainda
apresentou uma deteriorao ao longo do tempo, destruindo as amostras e perdendo assim as
suas propriedades como eletreto.
As clulas de ar formadas nesta camada de separao, pela asperso do verniz,
possuam certa elasticidade, tornando-se responsvel pelos efeitos eletromecnicos obtidos
com estes transdutores. Em suma, este primeiro mtodo empregado na obteno destes
transdutores com eletretos em polmeros homogneos foi considerado pioneiro e artesanal.
No mostrou repetibilidade nas respostas para os mesmos estmulos, deixando de inspirar
confiabilidade ao seu desempenho e a um posterior desenvolvimento deste dispositivo em
linhas de produo. Assim, a forma como o verniz depositado sobre os filmes, abriu espao
para discusses futuras, visando melhorar a qualidade destes transdutores eletromecnicos
obtidos com eletretos polimricos de Teflon

FEP.
66
2.5.2 Eletretos polimricos homogneos com micro-bolhas
Os problemas apresentados, quanto asperso do verniz entre os dois filmes de
Teflon

FEP, foram observados e novas mudanas foram propostas por Altafim e

colaboradores dois anos depois. Em lugar do verniz sob asperso, o elemento de separao
entre as camadas polimricas foi substitudo por micro clulas obtidas com bolhas de ar
distribudas na interface entre as pelculas, minimizando-se assim a condutividade eltrica e a
ocorrncia de descargas internas nas camadas de ar, observadas na verso anterior deste
dispositivo.
Como uma alternativa melhorada, mais um transdutor eletromecnico com eletretos
em filmes polimricos de Teflon

FEP, no poroso e no celular, foi desenvolvido. Este

dispositivo foi produzido em laboratrio com o auxlio de um arranjo especificamente
montado, conforme a Fig. 2.17, nas oficinas do Departamento de Engenharia Eltrica na
Escola de Engenharia de So Carlos, da Universidade de So Paulo.

Figura 2.17: obteno dos transdutores polimricos em laboratrio.
(LIMA, 2006).
67
Este arranjo possui uma placa metlica superior mvel pivotante e outra fixa a uma
base inferior, ambas com uma resistncia eltrica, para o aquecimento controlado, numa
temperatura inferior ao ponto de fuso das pelculas. Sobre a base inferior colocada uma
espcie de mscara metlica que configura a geometria das bolhas de ar que sero formadas.
Esta mscara formada por uma grade reticulada ou por uma chapa perfurada por meio do
qual todas as bolhas sero formadas de maneira homognea. Esta base fixa e inferior possui
uma comunicao hermtica com uma bomba de vcuo, que provoca o estiramento da
pelcula inferior quando aquecida.
Estando as duas placas aquecidas, uma pelcula posta sobre a mscara aquecida,
sendo ento submetida a um vcuo que provoca o estiramento do filme nos locais marcados
pela mscara, concebendo forma s bolhas. Em seguida, a outra pelcula posta sobre a
primeira e ambas so prensadas entre as duas placas aquecidas, o suficiente para uni-las por
uma espcie de solda. Neste processo de obteno a dimenso das micro-bolhas dada pelas
medidas da grade ou dos orifcios da chapa, permitindo que a produo destes transdutores
polimricos se d por um processo que tenha um controle determinstico. A Fig. 2.18 mostra
um transdutor produzido em laboratrio por este processo, com os detalhes das micro-bolhas
de ar formadas entre os dois filmes polimricos de Teflon

FEP, que sero posteriormente

carregados para formar os eletretos (ALTAFIM et al., 2005), (LIMA, 2006).

Figura 2.18: detalhe das bolhas de ar entre os filmes polimricos.
(ALTAFIM et al., 2005)
Este transdutor de eletretos com bolhas de ar termoformadas ento obtido pela
unio trmica de duas pelculas polimricas, com micro-bolhas de ar perfeitamente
dimensionadas e distribudas entre elas, pronto para ser submetido ao processo de
carregamento eltrico. Finalmente o transdutor eletromecnico assim formado encerrado
numa cmara blindada de alumnio e submetido ao mesmo circuito de carga da Fig. 2.15,
empregado para formar os eletretos no dispositivo da verso anterior. Assim, os eletretos no
transdutor so formados pela aplicao de altas tenses impulsivas, conhecidas pelas
68
vantagens de um tempo rpido de carga e a um baixo custo. Quanto maior o pico de tenso,
maior a quantidade de carga armazenada e retida no filme dieltrico, observando-se um limite
de tenso determinado em funo de descargas reversas que possam ocorrer durante o
processo de carregamento eltrico para formar os eletretos desejados.
Em seguida o transdutor eletromecnico formado foi submetido a ensaios ditos
pseudo-estticos e dinmicos, para a medida dos coeficientes de sensibilidade. Os ensaios
pseudo-estticos no foram diferentes daqueles j realizados em trabalhos anteriores,
conforme o arranjo mostrado na Fig. 2.12 (GERHARD-MULTHAUPT et al., 1999),
(WEINHOLD et al., 2000), (ALTAFIM et al., 2003).
Os coeficientes de sensibilidade eletromecnica foram obtidos tambm de uma
forma dinmica, observando-se o comportamento destes dispositivos como sensores
respondendo a uma gama de freqncias limitada entre 400 e 1000 Hz. O transdutor em
questo, foi encerrado num recipiente blindado, teve o seu eletrodo superior fixado enquanto
que o inferior foi excitado por um vibrador mecnico na freqncia desejada.
Este dispositivo eletromecnico assim desenvolvido foi caracterizado para operao
em altas freqncias. As respostas do transdutor foram adquiridas automaticamente com o
auxlio de um sistema computacional desenvolvido para tal finalidade. As respostas para cada
freqncia de excitao, fosse esta mecnica para o sensor ou eltrica para o atuador, foram
tratadas e ilustradas graficamente com o auxlio de um programa computacional que
posteriormente permitiu que se fizessem anlises mais detalhadas sobre o comportamento
deste dispositivo (ALTAFIM, R. A. P., 2006).
Os resultados obtidos com o desempenho destes transdutores de eletretos
desenvolvidos pela equipe de Altafim apontaram para as possibilidades destes dispositivos
virem a atender as mais variadas propostas para aplicaes cientficas e industriais em
sensores e atuadores eletromecnicos. Cabe ressaltar aqui que este modelo foi tambm
confirmado e citado por outros autores, pioneiros e de renomada experincia, em trabalhos
posteriores, com o mesmo enfoque na produo destes dispositivos eletromecnicos.
Sugeriram o acrscimo de pelculas de Teflon

PTFE unidas entre os eletrodos e as duas

pelculas internas de Teflon

FEP originais (ZHANG, HILLENBRAND e SESSLER, 2006).

69
2.6 Materiais dieltricos e eletretos
As cargas, responsveis pelos arranjos dipolares, j existem no material e no
contribuem com uma eventual conduo de corrente eltrica. Trata-se de cargas de
polarizao, vinculadas por foras atmicas e moleculares, sofrendo pequenos deslocamentos
em resposta s solicitaes de um campo eltrico aplicado externamente. Assim, um dieltrico
de modo geral, na presena de um campo eltrico, possui arranjos microscpicos de dipolos,
fornecendo assim um momento dipolar resultante e no nulo ao material.
Nesta seo sero mostradas alm destas caractersticas dieltricas gerais, as
propriedades peculiares de alguns isolantes com a capacidade de conter cargas eltricas de
origens externas, neles depositadas. Esta reteno de cargas d-se em armadilhas energticas
presentes nos tomos ou grupos atmicos, que no interior da estrutura atmico-molecular
destes materiais, possuem a propriedade de aprisionar cargas eltricas no seu meio, dando
origem aos eletretos.
2.6.1 Cargas aprisionadas em armadilhas energticas
Um material dieltrico possui um momento dipolar resultante de cargas internas a ele
que sofrem deslocamentos microscpicos e no so responsveis pelo estabelecimento de uma
corrente eltrica. Aliada condio de um momento dipolar resultante e presente, adicione-se
a presena de cargas externas que podem ficar retidas no meio dieltrico, dando origem aos
conhecidos eletretos. Em linhas gerais, os eletretos so dieltricos carregados que possuem a
capacidade de armazenar estas cargas de origem externa por muito tempo, isto , com uma
constante de tempo de descarga tendendo ao infinito.
Uma anlise microscpica em nvel atmico faz observar que os nveis energticos
sofrem a influncia dos arranjos moleculares do material dieltrico como um todo, fazendo
com que seus tomos, ou grupos atmicos, apresentem um nvel de energia prprio. Estes
nveis energticos evidenciam a formao de armadilhas energticas para eltrons livres e
para lacunas, localizadas entre as bandas de valncia e de conduo, no interior da zona
proibida entre elas. Em conseqncia disto, as bandas de valncia e de conduo dos tomos
envolvidos na estrutura atmico-molecular dos polmeros, apresentam perfis energticos
irregulares e adquirem a capacidade de aprisionar eltrons-livres ou lacunas, que se
transformam em armadilhas do tipo T
e
para os eltrons livres ou do tipo T
h
para as lacunas. As
armadilhas destinadas aos eltrons livres ficam negativamente carregadas quando ocupadas
70
por eles, enquanto que aquelas para aprisionar as lacunas tornam-se positivamente carregadas
quando da liberao de eltrons que as mantinham neutras antes da ocupao destes
portadores de carga positiva.
Nos dieltricos, os nveis locais de energia so afetados pelo ambiente molecular,
resultando em faixas estruturadas por barreiras de potencial. A Fig. 2.19 apresenta o diagrama
energtico tpico de um polmero e a classificao de suas armadilhas energticas, tanto para
eltrons como para lacunas, em rasas e profundas, medidas em eltron-volts (eV) referentes
ao nvel mais alto da banda de conduo do tomo ou do grupo atmico da estrutura
molecular do material (SESSLER, 1987). Pode-se dizer que quanto mais profundas estas
armadilhas, mais prximas do nvel de Fermi se encontram. Ressalte-se, no entanto, que
podem tambm existir armadilhas profundas na superfcie e rasas no interior dos materiais.

Figura 2.19: armadilhas energticas em nveis discretos na zona proibida.
Em materiais polimricos, as armadilhas internas so em geral atribudas a anomalias
estruturais, como impurezas, defeitos e irregularidades nas cadeias carbnicas ou ento a
imperfeies nos retculos cristalinos. Por outro lado, as armadilhas superficiais existem em
um grande nmero de polmeros e podem ser devidas, a impurezas qumicas, a irregularidades
provocadas por oxidaes sofridas na superfcie em questo, a quebras de cadeias carbnicas,
ou por molculas adsorvidas (depositadas sobre outras). Em experimentos realizados com
correntes termicamente estimuladas, foi identificada a predominncia de armadilhas
profundas e de superfcie em pelculas de Teflon

FEP (ALTAFIM, GIACOMETTI e

JANISZEWSKY, 1992).
71
2.6.2 Princpios fsicos dos transdutores de eletretos
O conhecimento dos campos, foras e correntes eltricas devidos a uma distribuio
de carga em um dieltrico de grande importncia para o entendimento das propriedades
caractersticas de polmeros com a formao de eletretos. Para uma discusso inicial e
genrica, estas grandezas sero deduzidas partindo-se do pressuposto que, dois filmes de
constante dieltrica com espessura d
1
cada, apresentam-se eletricamente carregados
formando eletretos com cargas distribudas segundo densidades superficiais
0
e
volumtricas
0
. Uma outra camada de ar de espessura d
0
no carregada separa estas
pelculas com cargas de polaridades opostas, isolando-as. O modelo assim descrito
terminado por dois eletrodos de metal, conforme pode ser visto na Fig. 2.20. Admite-se ainda
que todas as dimenses laterais ou paralelas aos eletrodos so admitidas muito maiores do que
as espessuras envolvidas.

Figura 2.20: modelo simplificado com o dieltrico carregado (eletreto)
Como hiptese, nas camadas polimricas de constante dieltrica , adjacentes aos
eletrodos, encontram-se presentes as cargas reais praticamente permanentes (e aprisionadas)
nas armadilhas energticas do material, segundo distribuies uniformes de densidade
volumtrica
r
(z) e superficial
r
(z) no sentido lateral, isto , em planos perpendiculares ao
eixo vertical z. Alm destas cargas reais, uma polarizao tambm uniforme P(z) admitida e
desmembrada em duas componentes de modo que:
P(z) = P
i
(z) + P
p
(z) (2.2)
Como os valores sero tomados somente numa nica direo (vertical), a
representao vetorial pode ser abolida. A primeira componente P
i
(z) aquela que segue
instantaneamente a aplicao de um campo externo E(z). Assim,
72
P
i
(z) =
0
( 1) E (z) (2.3)
Por outro lado, a outra componente P
p
(z) aquela pseudo-esttica devido
polarizao dos dipolos ou ao microscpico deslocamento de suas cargas. Esta parcela na
polarizao produz cargas de densidade local
p
(z) em volume, conforme a aplicao do
teorema da divergncia no volume envolvido por uma superfcie fechada. Tratando a situao
dentro de um domnio volumtrico v,

=
v
p
v
p
v d
z
) z ( P
v d (2.4)
As duas integrais se estendem ao mesmo domnio de volume e a variao da
polarizao s depende da sua espessura, isto , da varivel z. Assim, a derivada parcial pode
ser substituda pela total, resultando na seguinte expresso diferencial:
dz
) z ( dP

p
p
= (2.5)
Se a polarizao P
p
(z) varia de P
p
(z) em certa interface, esta pode ser tratada como
uma densidade planar ou superficial de carga
P
, resultando:

p
= P
p
(z) (2.6)
Estas equaes permitem que as densidades volumtrica e superficial totais e
praticamente permanentes sejam dadas em termos de cargas reais e de polarizao,
respectivamente por:
) z ( ) z ( ) z (
) z ( ) z ( ) z (
p r
p r
+ =
+ =
(2.7)
As distribuies de cargas aprisionadas volumtricas e superficiais reais (
r
+
r
) e
aquelas polarizadas (
P
+
P
) caracterizam em primeira anlise o eletreto.
Duas consideraes importantes e simplificadoras devem ser feitas. O filme
dieltrico constitudo pelo polmero Teflon

FEP, onde suas armadilhas energticas so

profundas e de superfcie na sua maioria. As cargas volumtricas eventualmente existentes
so consideradas como projetadas nas superfcies do filme isolante e posteriormente
agregadas quelas de distribuio superficial. Desta forma, as cargas aprisionadas no material
73
dieltrico sero todas elas consideradas nas superfcies do filme com densidade superficial
0

e
0
.
Conforme o modelo simplificado, mostrado na Fig. 2.20, as espessuras envolvidas
so muito menores do que as dimenses laterais ou paralelas aos eletrodos, permitindo que o
efeito das bordas seja desprezado para efeitos de espraiamento das linhas de fora dos campos
eltricos tanto no interior das pelculas como no espaamento entre elas. Desta feita, as cargas
aprisionadas no meio dieltrico geram um campo eltrico uniforme E
0
na regio de ar, que se
afasta das cargas positivas de densidade
0
e se aproxima das cargas de distribuio
0
dado
por
0
0
0

E = (2.8)
Estas cargas, aprisionadas nas armadilhas energticas do material, induzem cargas de
densidade superficial
1
em polaridades opostas em cada eletrodo metlico, que por sua vez
criam campos eltricos E
1a
ao longo da espessura em cada filme e E
1b
na regio de ar entre
eles, tambm uniformes onde
0
1
b 1
0
1
a 1

E
=
=
(2.9)
Entre os eletrodos de metal, surge uma diferena de potencial (d.d.p.) V
0
decorrente
do campo eltrico E
0
gerada pelas cargas aprisionadas nas pelculas dieltricas, presente no
espaamento de ar. Para o potencial de referncia admitido no eletrodo inferior tem-se:
0
0
0
0
d

V = (2.10)
Por outro lado, as cargas induzidas
1
nos eletrodos, tambm criam campos
eltricos que determinam uma d.d.p. ou tenso eltrica negativa V
1
, mostrada na Fig. 2.20,
com relao ao potencial de referncia definido no eletrodo inferior. Assim,
0
0
1
1
0
1
1
d

2 V + = (2.11)
74
O termo eletrforo, isto , portador de eletricidade, possua antigamente o mesmo
significado amplo que o termo eletreto possui nos dias de hoje, reservado queles materiais
dieltricos com cargas armazenadas, ou com orientao dipolar. Saliente-se, porm, que este
significado j mudou com o passar do tempo, visto que alguns fenmenos desta natureza j
so discutidos sob diferentes aspectos, tais como, ferroeltricos, piroeltricos e piezeltricos,
distribuio espacial de cargas em dieltricos, etc (GERHARD-MULTHAUPT, 2002).
As consideraes apontadas nesta reviso bibliogrfica, desde aquela pioneira de
Eguchi em 1925, oferecem uma grande contribuio para as consideraes e definies de
modelos e estudos das metodologias de projeto, produo e aplicao de transdutores
eletromecnicos com eletretos de natureza polimrica.
O modelo a ser descrito nesta tese encontra-se embasado nestes transdutores de
eletretos com micro-cavidades ou bolhas de ar, formadas na juno de duas pelculas
polimricas de Teflon FEP. Mostra o comportamento deste dispositivo justificando seu
funcionamento por um modelo eltrico associado a uma deformao mecnica experimentada
por uma nica bolha.
75

3. PROPRIEDADES ELTRICAS E COMPORTAMENTO
ELETROMECNICO

Uma metodologia de projeto requer o estabelecimento de critrios que venham a
atender as condies e as restries que se situem dentro de uma necessidade especificada.
Em funo de critrios estabelecidos, parte-se ento para o desenvolvimento de modelos e
prottipos dos mais simplificados aos mais sofisticados, que permitam avaliaes qualitativas
e quantitativas do comportamento daquele que ser o produto final, destinado a uma dada
aplicao. Assim, um modelo bem definido depende de embasamentos tericos, da realizao
de clculos e da imposio de eventuais hipteses simplificadoras, segundo a complexidade
do produto que se queira obter. Este captulo trata o comportamento eltrico do transdutor
com eletretos polimricos, associado deformao mecnica na camada de ar, quando o
dispositivo sofre a solicitao de uma fora, seja ela uma causa ou um efeito.
3.1 Transdutores Eletromecnicos com Eletretos
O transdutor eletromecnico com eletretos formados em pelculas polimricas
implica num modelo capacitivo, conforme j elucidado por trabalhos anteriores citados na
reviso bibliogrfica, no captulo anterior. O modelo descrito por esta tese encontra-se
embasado nos transdutores de eletretos com micro-cavidades ou bolhas formadas na juno
de duas pelculas polimricas de Teflon

FEP. Estas bolhas de ar foram inseridas entre eles

atravs de um processo trmico auxiliado por vcuo, segundo trabalhos mais recentes
desenvolvidos por Altafim e colaboradores (ALTAFIM et al., 2005) e (ALTAFIM, R. A. C. et
al., 2006).
Para uma modelagem inicial, o transdutor eletromecnico em questo constitui-se de
duas pelculas polimricas com cargas retidas, envolvendo uma terceira camada compressvel,
ou seja, uma bolha contendo ar sob presso nesta regio. Pela descrio deste modelo, j
ilustrado na Fig. 2.20, admitido que as medidas transversais ou espessuras nas camadas
polimricas e os espaamentos na de ar so bem menores do que a medida do raio ou dos
lados que delimitam as superfcies na bolha. As medidas relativas destas dimenses conferem
ento, dentro de certos limites, uma distribuio uniforme nos campos eltricos presentes em
cada camada deste dispositivo eletromecnico. Redesenhando a Fig. 2.20, com a admisso
76
destas condies, a Fig. 3.1 a seguir exibe o corte transversal de um segmento deste transdutor
eletromecnico, formado por dois filmes de eletretos de mesma espessura d
1
, por sua vez,
espaados por outra camada delgada de ar. Esta regio compressvel forma um interstcio
malevel cuja espessura em condies estticas iniciais d
0
, sofrendo variaes em funo de
uma deformao experimentada. Este conjunto finalmente terminado por um par de
eletrodos metlicos, estando um deles, no caso o inferior, aterrado.

Figura 3.1: modelo esttico capacitivo do transdutor eletromecnico com eletretos.
Uma tenso eltrica ou diferena de potencial (d.d.p.) V
0
V
1
pode ser tanto aplicada
como produzida entre os eletrodos terminais. Como tal devolve um sinal eltrico em resposta
a um estmulo mecnico, ou de modo reverso, mediante a aplicao de um sinal eltrico,
devolve uma resposta mecnica. Considerando esta d.d.p. V
0
V
1
entre os terminais deste
dispositivo, conforme as eqs. (2.10) e (2.11), pode-se escrever de modo geral que:

+ =
0
0
0
1
1
0
0
0 1 0

d 2

d
V V (3.1)
3.1.1 Condio Esttica Inicial
No caso, os eletretos so formados nos filmes polimricos pelo carregamento eltrico
de um impulso de tenso sobre o dispositivo. No final deste processo, quando a tenso da
fonte vai a zero, os eletrodos do transdutor so colocados em curto-circuito. Assim, uma
condio inicial e esttica, com a carga aprisionada nos filmes dieltricos, permite que o
dispositivo em questo possa ser modelado eletricamente como um arranjo capacitivo, tendo
uma carga inicial nele armazenada. Multiplicando e dividindo o lado direito da eq. (2.10) pela
rea A que contm cada carga superficialmente distribuda, tem-se:
77
0
0
0
0
0
0
C
Q
A
A
d
V = = (3.2)
O modelo do circuito e as implicaes fsicas na formao dos eletretos mostram que
a d.d.p. V
0
, estabelecida pela carga retida Q
0
, desempenha o papel de uma fonte geradora de
tenso eltrica. Da mesma forma, multiplicando e dividindo o lado direito da eq. (2.11) pela
rea de carga eltrica A, obtm-se a tenso eltrica V
1
motivada pela presena da carga
esttica e induzida Q
1,e
, armazenada pela capacitncia equivalente C
t
do dispositivo de modo
que:
t
e , 1
1
0
0
0
1
1
C
Q
A
A
d
A
d 2
V =

+ = (3.3)
A expresso acima mostra que em cada filme dieltrico existe uma capacitncia C
1
e
que na regio de ar entre eles encontra-se uma outra capacitncia C
0
, todas em srie, com a
mesma carga Q
1,e
armazenada pela associao. Estas duas ltimas equaes, juntamente com
o modelo apresentado e descrito na Fig. 3.1, permitem que o conjunto assim formado pelos
filmes polimricos e pelo espaamento da regio de ar entre eles seja ento tratado como um
arranjo serial de capacitores planos de rea A associados a uma fonte de tenso V
0
, conforme a
Fig. 3.2 capaz de mostrar.

Figura 3.2: arranjo capacitivo equivalente.
Admitindo ento esta condio inicial, aps o carregamento impulsivo, com os
terminais do dispositivo em curto-circuito, V
0
= V
1
e a igualdade entre as eqs. (3.2) e (3.3)
exibe uma relao esttica entre as cargas induzidas e aquelas aprisionadas, ditadas por uma
constante real , cujo valor exprime tambm a razo entre a capacitncia total C
t
e a do
espaamento C
0
entre os filmes de modo que:
78
0 e , 1
0
0
t
e , 1
Q Q
C
Q
C
Q
= = (3.4)
Esta condio descreve como a carga induzida e ainda esttica nos eletrodos
determinada em funo da carga aprisionada, bem como exprime uma relao entre a
capacitncia total e aquela na regio de ar, no equilbrio inicial do sistema. O parmetro
assim definido pode ser obtido na prtica, conhecendo-se a constante dieltrica e as
espessuras tanto dos filmes isolantes como do espaamento na bolha de ar entre eles (BASSO,
2006). Ou seja,
0 1
0
0
t
d d 2
d
C
C

+
= = (3.5)
O modelo estabelecido para o transdutor eletromecnico de eletretos polimricos
com uma bolha de ar termoformada admite uma rigidez mecnica em cada filme dieltrico
muito superior da camada de ar entre eles. Desta forma, a regio compressvel com ar
admitida como a nica camada que pode sofrer uma variao ou deformao na sua espessura
inicial d
0
. A variao experimentada pela espessura d
0
na camada de ar modifica a
capacitncia relativa a este espaamento, resultado de uma deformao especfica e elstica S
definida por:
1
d
) S ( d
d
d ) S ( d
S
o
o
o
o o
=

= (3.6)
Esta deformao mecnica associada ao circuito eltrico para o modelo, constitui-se
em um dos parmetros mais importantes, sendo apresentada como uma contribuio indita
para a realizao deste trabalho. A expresso acima empregada nas equaes
eletromecnicas que demonstram e modelam este transdutor com eletretos operando como
sensor e, de modo reverso, como atuador. A variao na espessura da regio de ar dada pelo
produto S d
0
, justificando o comportamento eletromecnico do transdutor em questo. Ou
ainda em outras palavras, a espessura da regio do interstcio de ar em funo da deformao,
isto , d
0
(S) entre os filmes dinamicamente determinada por (1+S) d
0
.
De um modo geral, tanto uma tenso eltrica como uma fora externa, podem ser
aplicadas no sistema que compe o transdutor eletromecnico em questo. A deformao, seja
ela causa ou efeito, ser aqui tratada como uma varivel independente e a relao existente
79
entre ela e a fora ser por enquanto deixada de lado, sendo objeto de anlise mecnica, no
prximo captulo.
3.2 Comportamento eletromecnico do transdutor como sensor
Neste trabalho, um sensor eletromecnico definido como um transdutor capaz de
devolver um sinal eltrico em resposta a uma solicitao mecnica. Assim, quando um
eletrodo, sob a ao de uma fora externa, passa a se mover em relao ao outro, observa-se
uma variao na capacitncia do espaamento de ar entre os filmes dieltricos, levando a um
rearranjo transitrio nas cargas induzidas nos eletrodos, produzindo ento a resposta eltrica
esperada.
No intuito de oferecer maiores simplicidades explanao do modelo, a impedncia
terminal do sensor foi admitida como resistiva, no impedindo que outro tipo de impedncia
possa ser considerada. Assim, o comportamento eletromecnico do transdutor como um
sensor justificado pelo circuito eltrico mostrado na Fig. 3.3, terminado por uma resistncia
eltrica R e pelas capacitncias dos filmes polimricos e do espaamento entre eles, esta dada
em funo da deformao especfica S na camada de ar.

Figura 3.3: circuito eltrico RC equivalente para o sensor.
Uma comparao com o circuito equivalente esttico da Fig. 3.2 mostra que a fonte
de tenso foi substituda por outra, funo da deformao experimentada na espessura de ar.
Uma vez que o circuito eltrico esteja fechado, uma corrente eltrica estabelecida e uma
tenso eltrica V
0
V
1
= R i (t) aparece entre os eletrodos que determinam o arranjo capacitivo
do modelo. Da eq. (3.1) e considerando a regio compressvel de ar d
0
(S), variante com a
80
deformao, uma corrente i(t) estabelecida no circuito eltrico, resultado da variao
temporal da carga induzida Q
1
, onde
) t ( Q
dt
d
R

) S ( d

d 2
) t (

) S ( d

1
0
0
0
1
1
0
0
0
=

+ (3.7)
Em condies estticas e iniciais, a eq. (3.4) relaciona a carga induzida Q
1,e
com
aquela Q
0
aprisionada nos filmes de eletreto e as capacitncias so expressas em funo da
capacitncia total e mensurvel do sistema, por meio do parmetro . Considerando ainda a
deformao dada pela eq. (3.6), no espaamento de ar entre os filmes, a equao acima se
torna:
t
0
t
1
1
C
Q
) S 1 (
C
) t ( Q
) S 1 ( ) t ( Q
dt
d
R + = + + (3.8)
O primeiro termo do lado esquerdo desta expresso mostra a d.d.p. no resistor
enquanto que o segundo descreve a queda de tenso no capacitor equivalente do dispositivo.
O lado direito por sua vez, denota uma fonte de tenso no correspondente circuito RC,
exprimindo assim, um comportamento eletromecnico do transdutor de eletretos como um
sensor.
Aps a formao dos eletretos pelo carregamento impulsivo, o sensor fica em curto-
circuito e o primeiro termo do lado esquerdo da equao acima, com a derivada temporal, se
anula para o dispositivo em curto-circuito. Assim,
0 1
Q
S 1
) S 1 (
) t ( Q
+
+
= (3.9)
Como seria de se esperar, na condio esttica inicial, aps o carregamento eltrico e
sem deformao, esta expresso reflete a eq. (3.4) de modo coerente. A expresso acima
mostra que quando existe uma deformao no sistema, isto , S 0, a sua resposta, eltrica em
termos da carga induzida Q
1
, no apresenta um comportamento rigorosamente linear.
Desta forma, no se pode afirmar que este transdutor eletromecnico com eletretos
polimricos apresenta um comportamento caracterstico daqueles materiais classificados
como piezeltricos. Como j anteriormente mencionado, a piezeletricidade uma propriedade
de natureza intensiva, linear e recproca, presente em alguns materiais, decorrente de
assimetrias apresentadas em suas estruturas atmico-moleculares.
81
O transdutor formado por filmes polimricos de eletretos com um interstcio de ar
entre eles tem o seu funcionamento justificado como um sensor, quando uma variao
provocada na espessura da camada de ar faz com que uma d.d.p. aparea entre os terminais
deste dispositivo. Explicando, uma deformao positiva indica um aumento na espessura d
0

(S) entre as pelculas de eletretos, fazendo com que a capacitncia C
0
(S) da regio
compressvel com ar seja diminuda. No entanto, o arranjo capacitivo do modelo impe a
manuteno da carga esttica induzida Q
1,e
, sustentada por uma d.d.p. positiva no ar, entre os
filmes eletricamente carregados. Este aumento na tenso eltrica, ainda que transitrio,
traduzido como uma resposta do sensor, causa de um rearranjo nas cargas induzidas,
estabelecendo ento uma corrente que sai da placa superior e vai para a placa inferior,
passando pela impedncia terminal e motivada pelas novas cargas induzidas Q
1,e
+ Q
1
e
Q
1,e
Q
1
nos eletrodos superior e inferior respectivamente. De modo inverso, se a espessura
d
0
(S) sofresse uma contrao, esta seria justificada por uma deformao negativa que levaria
a uma d.d.p. tambm negativa como resposta do sensor em questo.
A eq. (3.8) representa o comportamento eletromecnico do sensor, dependente da
deformao em cada instante, de modo que a carga induzida nos eletrodos decomposta em
uma parte esttica inicial Q
1,e
e outra dinmica Q
1
(t), fornecendo:
) t ( Q Q ) t ( Q
1 e , 1 1
+ = (3.10)
A derivada temporal da carga induzida considera ento apenas a componente
dinmica como responsvel pelo estabelecimento da corrente eltrica i mostrada no circuito
da Fig. 3.3. Considerando ainda a eq. (3.4), a eq. (3.8) passa a ser escrita como:
S ) 1 (
C
Q
) t ( Q
C
S 1
) t ( Q
dt
d
R
t
0
1
t
1
=
+
+ (3.11)
3.2.1 Decomposio Espectral para o comportamento do sensor
O comportamento eletromecnico deste sensor com eletretos justificado pela eq.
(3.11), diferencial, de primeira ordem e no homognea, cuja soluo geral obtida pelo
emprego do fator integrante. No entanto, as aplicaes operacionais deste tipo de transdutor
eletromecnico implicam numa relao de funes com caractersticas peridicas, tanto na
excitao como na resposta. Sabe-se tambm que tais funes podem ser decompostas em
sries, cujos termos contm funes senoidais de amplitudes e freqncias adequadas. Assim
82
sendo, uma soluo particular para uma excitao mecnica harmnica, torna mais fcil o
entendimento do modelo deste transdutor quando operando como um sensor.
Considerando ento uma excitao mecnica deste dispositivo mediante uma
deformao harmnica de amplitude S
0
e uma freqncia angular de oscilao no campo
complexo, pode-se escrever que:
) t j ( exp S ) t ( S
0
= (3.12)
Esta deformao, varivel no tempo, d origem a uma corrente eltrica proveniente
da variao da carga induzida nos eletrodos. Assim, uma soluo particular para a eq. (3.11)
fornece Q
1
(t) decomposto em uma srie de Fourier, tal que:

=
=
1 n
n , 1 1
) t jn ( exp Q ) t ( Q (3.13)
Posto que o valor mdio de Q
1
(t) nulo, esta srie se inicia com o termo
correspondente para a freqncia fundamental, ou seja, para n = 1. Considerando a constante
de tempo do circuito capacitivo equivalente = RC
t
, a resposta esperada obtida aplicando
estes valores na eq. (3.11) onde:
( )
( ) 0 t j exp S ) 1 (

Q
] t ) 1 n ( j [ exp

Q S
) t jn exp(

Q
t jn exp Q jn
0
0
1 n
n , 1 0
1 n
n , 1
1 n
n , 1
= +
+ +

=
(3.14)
Obtm-se um polinmio expresso em termos de exp(jn t), no nulo. Para que a
condio de um polinmio identicamente nulo seja satisfeita, todos os coeficientes de cada
exponencial devem ser iguais a zero. Uma anlise espectral deste comportamento consiste no
tratamento em separado de cada freqncia desta variao de carga induzida. Tomando n = 1
nesta equao geral, a componente correspondente freqncia fundamental da variao da
carga induzida ser obtida fornecendo:
0
0
1 , 1
S ) 1 (
j 1
Q
Q
+
= (3.15)
83
Para valores de n inteiro e superior a 1, os harmnicos desta quantidade dinmica de
carga so deduzidos por uma relao de recorrncia ao harmnico de freqncia
imediatamente precedente, onde cada
0
1 n , 1
n , 1
S
jn 1
Q
Q
+
=

(3.16)
3.2.2 O Sensor para Altas Freqncias ou em Circuito Aberto
Em freqncias muito altas, onde >> 1, a queda de tenso no capacitor
equivalente do circuito pode ser desprezada e o primeiro termo do lado esquerdo da eq. (3.11)
prevalece sobre o segundo. Assim,
) t ( S ) 1 (
C
Q
) t ( Q
dt
d
R ) t ( V
t
0
1 1
= = (3.17)
Nestas condies, a tenso eltrica de resposta assume a mesma forma que a
deformao mecnica, configurando assim uma resposta linear com a excitao deste
transdutor operando como um sensor em altas freqncias. Logo a componente fundamental
da variao de carga Q
1,1
passa a ser escrita com base na eq. (3.15) onde:
0
0
1 , 1
S ) 1 (

Q
j Q = (3.18)
Por recorrncia e ainda baseando-se na mesma hiptese, a eq. (3.16) fica:
0
1 n , 1
n , 1
S
n
Q
j Q

= (3.19)
Estas duas ltimas equaes mostram que as componentes harmnicas da variao de
carga induzida sero desprezveis, se analisadas frente ao termo fundamental. Desta feita, a
variao de tenso fundamental que aparece entre os terminais do transdutor ser dada por:
0
t
0
1 , 1 1 , 1
S ) 1 (
C
Q
Q
dt
d
R V = = (3.20)
Considerando o processo preliminar de carregamento impulsivo do dispositivo para
formar os eletretos, entre os filmes polimricos, no interior deste transdutor, aparecer uma
84
tenso eltrica V
t
= Q
0
/ C
t
onde V
t
= V
P
, sendo a eficincia do mtodo de carregamento
com uma tenso no pico de impulso de V
P
para a formao dos eletretos no dispositivo. Logo,
0 t 1 , 1
S V ) 1 ( V = (3.21)
Esta expresso mostra que, para o transdutor operando em altas freqncias como um
sensor, a d.d.p. linearmente relacionada com a deformao, no importando o valor da sua
amplitude, independendo tambm da freqncia de vibrao do sistema. Alm disto, nestas
condies, observa-se que a tenso eltrica est em fase com a deformao, o que correto.
A relao linear da equao acima vale enquanto os harmnicos da tenso eltrica
fundamental forem considerados desprezveis. Impondo a condio para que |V
1,2
| << |V
1,1
|
tem-se:
S
0
<< (3.22)
Tanto como S
0
so valores menores do que a unidade, mas com uma condio mais
fraca do que aquela assumida para as altas freqncias onde >> 1. O regime linear ser
exato no limite em que tanto a resistncia da carga como a freqncia de excitao se tornem
infinitas. A soluo da eq. (3.11) particularizada pela eq. (3.17), admitindo a queda de tenso
desprezvel no capacitor equivalente, caracterizada como uma soluo do sensor quando em
circuito-aberto. Pode ser verificado tambm que a mesma soluo se apresenta na eq. (3.21)
para a freqncia fundamental da variao de tenso terminal. Em regime linear pode-se ento
definir um coeficiente de sensibilidade h, dado por:
t
0
1 , 1
1
V ) 1 (
S
V
) t ( S
) t ( V
h = = = (3.23)
Este coeficiente uma medida da resposta eltrica do transdutor quando excitado
mecanicamente por altas freqncias em decorrncia da deformao experimentada. Observe-
se ainda que, dentro da faixa de freqncia admitida com linearidade, este coeficiente h
depende da tenso eltrica que aplicada entre os eletrodos terminais do transdutor no
momento do carregamento eltrico, isto , quando da formao dos eletretos nas pelculas
polimricas, observando-se os limites impostos para a manuteno da rigidez dieltrica,
impedindo que descargas eltricas venham a ocorrer na regio de ar entre os filmes.
85
O processo de carregamento impulsivo mostra um crescimento linear do potencial na
superfcie dos filmes com a tenso de pico do impulso at um certo limiar. A partir deste
limite observa-se uma saturao do potencial de superfcie, atribudo ocorrncia de
descargas reversas (ALTAFIM, GIACOMETTI e JANISZEWSKY, 1992).
3.2.3 O Sensor para Baixas Freqncias ou em Curto-Circuito
Considerando agora as deformaes provocadas em freqncias mais baixas, o
segundo termo do lado esquerdo na eq. (3.11) passa a prevalecer sobre o primeiro. Nestas
condies, a soluo para Q
1
(t) ser simplesmente:
) t ( S 1
) t ( S
Q ) 1 ( ) t ( Q
0 1
+
= (3.24)
A soluo simplificada da eq. (3.11), desprezando a queda de tenso no resistor,
constitui a caracterstica de curto-circuito do dispositivo. Neste caso, a queda de tenso
eltrica se concentra no arranjo capacitivo e a d.d.p. que aparece entre os terminais do
transdutor definida por V
1
(t) = Q
1
(t) / C
t
. Considerando ainda a carga retida Q
0
= C
t
V
t
, a
tenso eltrica entre os eletrodos, neste caso de curto-circuito, passa a ser expressa por:
) t ( S 1
) t ( S
V ) 1 ( ) t ( V
t 1
+
= (3.25)
Observa-se que esta resposta eltrica no se encontra linearmente relacionada
deformao. De um modo totalmente diferente dos materiais piezeltricos, se houvesse uma
constante piezeltrica, esta no seria de forma geral, um parmetro caracterstico do sistema.
Este coeficiente assim definido, ainda continuaria sendo expresso em funo da prpria
deformao S. Pode-se apenas definir um outro coeficiente de sensibilidade eletromecnica h
c

para o circuito fechado dado como:
S 1
) 1 (
V
S
V
h
t
1
c
+

= = (3.26)
Este coeficiente h
c
, expresso em volts, possui a mesma dimenso do coeficiente de
sensibilidade h, definido na eq. (3.23), para a sensibilidade eletromecnica do sensor, quando
posto em circuito aberto.

86
3.2.4 O Sensor para Pequenas Deformaes
Em qualquer faixa de freqncias, para o caso particular de pequenas deformaes
onde S << 1 o regime linear recuperado, reproduzindo assim os resultados obtidos como nos
materiais piezeltricos em modo direto. Ento, nestas condies, a constante de sensibilidade
aparentemente piezeltrica pode ser escrita como na eq. (3.23), fornecida para o coeficiente
eletromecnico do sensor operando em altas freqncias ou em circuito aberto.
Este resultado matematicamente obtido pela expanso em sries de Taylor em
torno de uma deformao nula, considerando apenas o termo de primeira ordem. Admitindo
esta condio para pequenas deformaes, esta constante a prpria h, exprimindo o mesmo
significado para ambos os casos.
Resumindo, este transdutor eletromecnico empregado como um sensor, fornece uma
resposta linear para as seguintes situaes: quando terminado por uma impedncia eltrica
elevada, quando excitado mecanicamente por uma freqncia bastante alta em relao ao
inverso da constante de tempo do circuito eltrico e tambm sem restries de freqncia
desde que a amplitude da deformao seja muito pouco significativa, prxima de um valor
nulo. Nestes casos particulares, o comportamento macroscpico deste dispositivo assemelha-
se muito ao daqueles materiais piezeltricos, no que diz respeito linearidade na resposta.
3.3 Comportamento eletromecnico do transdutor como atuador
Assim como o conceito do sensor foi estabelecido neste trabalho, um atuador
eletromecnico definido como um transdutor capaz de responder a um sinal eltrico com
uma solicitao mecnica. Assim, quando uma d.d.p. aplicada entre os eletrodos terminais
do transdutor de eletretos em questo, uma modificao nas cargas induzidas d origem a uma
fora de campo eltrico capaz de imprimir uma deformao, ou seja, uma variao na
espessura total do dispositivo, como resposta mecnica esperada. Em outras palavras, uma
tenso eltrica aplicada entre os eletrodos do dispositivo em estudo, produz um deslocamento
relativo que modifica o espaamento da regio de ar contido entre os filmes polimricos.
Uma tenso eltrica varivel no tempo, quando aplicada no dispositivo
eletromecnico de eletretos, leva a uma variao na carga induzida Q
1
do arranjo capacitivo
no modelo proposto. Conforme pode ser mostrado pela Fig. 3.4, uma fora aparece na
pelcula superior, onde a carga eltrica q = Q
0
Q
1
ali resultante fica sujeita a um campo E
criado pela carga Q
1
Q
0
, presente na pelcula inferior que mantida fixa e aterrada.
87

Figura 3.4: o transdutor como atuador.
Aqui a notao vetorial dispensada uma vez que as anlises encontram-se voltadas
apenas direo vertical, com a orientao do eixo z adotada positivamente para cima. Assim,
na regio de ar entre as pelculas, este campo eltrico criado pelo filme inferior dado por:
0
1
0
0

E + = (3.27)
O filme superior por sua vez encontra-se carregado com uma carga total que,
reportada superfcie na interface com a regio de ar, pode assim ser definida:
1 0 1 0
Q Q A ) ( q = = (3.28)
Esta pelcula superior fica ento sujeita a uma fora eltrica F
e
onde:
( )
A
Q
Q
Q
1
A
Q Q
qE F
0
2
0
2
0
1
0
2
1 0
e

= = (3.29)
Esta fora eltrica interage com a sua reao presente no filme fixo, na tendncia de
atrair as duas pelculas e neutralizar as cargas eltricas. No entanto, isto no ocorre porque os
vnculos estruturais e restaurativos estabelecem uma compensao com a fora de campo,
mantendo as pelculas afastadas e assim eletricamente carregadas.
Com o transdutor comportando-se como um atuador, uma d.d.p. ir provocar a ao
de uma fora que por sua vez causar uma deformao especfica, definida pela eq. (3.6) j
apresentada, na espessura inicial d
0
da camada compressvel de ar. O circuito eltrico
capacitivo mostrado na Fig. 3.5 a seguir empregado para definir o modelo do transdutor
88
operando como um atuador no tocante s suas propriedades eltricas relacionadas com a
deformao mecnica.

Figura 3.5: o atuador em funo da deformao.
As cargas eltricas Q
1
nos eletrodos so descritas em funo da variao de tenso
V
1
aplicada entre eles e da deformao S. Neste caso tem-se uma quantidade de carga nas
placas metlicas que depende de uma d.d.p. externa V
1
e da deformao S, admitindo o
espaamento inicial d
o
como referncia para o estabelecimento das condies iniciais. A
relao entre carga e tenso eltrica externa vem diretamente da anlise do circuito acima e da
eq. (3.8) onde a queda de tenso na resistncia substituda por uma fora eletromotriz V
1

entre os terminais do transdutor. E a carga induzida Q
1
passa a ser dada em funo agora da
deformao e da variao de tenso aplicada. Da,
1
t
0
1 1
t
V ) S 1 (
C
Q
) V , S ( Q
C
S 1
+ =
+
(3.30)
Se a fora eletromotriz aplicada for positiva, esta provocar uma diminuio na carga
induzida em cada armadura, acarretando uma diminuio na capacitncia equivalente,
mediante uma deformao positiva, observada pelo afastamento relativo dos eletrodos. Como
as pelculas polimricas so admitidas incompressveis, este aumento na separao entre os
eletrodos dar-se- pelo acrscimo no interstcio de ar d
o
entre os filmes.
A eq. (3.30) mostra a distribuio das tenses eltricas no circuito em funo da
deformao respondida mediante a fora eletromotriz aplicada externamente, de um modo
anlogo quele demonstrado para o sensor. Assim, a carga eltrica nas armaduras do capacitor
equivalente fica ento determinada:
S 1
V C
Q
S 1
) S 1 (
) V , S ( Q
1 t
0 1 1
+

+
+
= (3.31)
89
Este valor de Q
1
substitudo na eq. (3.29) define a fora eltrica em funo da
deformao e da variao na tenso eltrica aplicada. Feitas as consideraes j abordadas no
caso do sensor ao carregamento impulsivo para formar os eletretos, tem-se:
A
Q
) S 1 (
1
V
V
S 1
) S 1 (
1 ) V , S ( F
0
2
0
2
t
1
1 e

+
+
+
+
= (3.32)
Observe-se que a equao que define esta fora eltrica vem precedida do sinal
negativo, indicando a sua natureza atrativa, conforme j mencionado. Esta expresso fica
multiplicada pelo quadrado da carga aprisionada Q
0
, que por sua vez determinada pelo
produto da capacitncia total C
t
do dispositivo pela tenso de formao dos eletretos V
t
. Logo,
2
t
1
2
0
2
t t
1 e
V
V
) 1 (
S 1
1
A
) V C (
) V , S ( F

+
= (3.33)
A fora eltrica que causa a deformao no atuador definida em funo das
variveis S e V
1
de modo independente mas no linear. Assim uma variao positiva V
1
na
d.d.p. aplicada, mantendo constante a deformao, diminui a quantidade de carga nos
eletrodos, levando a um aumento da fora de atrao, o que coerente. Por outro lado, uma
deformao positiva com a d.d.p. externa mantida constante, diminui a capacitncia do
dispositivo, conduzindo a um decrscimo na fora atrativa, j que h um aumento de carga
nos eletrodos, por um comportamento oposto fora restauradora.
Para pequenas deformaes onde S << 1 e tenses aplicadas tais que V
1
<< V
t
, a
expanso em Taylor da equao acima, na vizinhana destes parmetros, resulta para a fora
eltrica at o termo linear, a seguinte expresso simplificada:

+ =
t
1
0
2
t t
1 e
V
V
2 1 ) S 2 1 )( 1 (
A
) V C (
) V , S ( F (3.34)
Esta condio especfica de operao vem mostrar o comportamento eletromecnico
do transdutor como um atuador devolvendo pequenas deformaes, numa resposta linear e
modulada pela variao da tenso eltrica aplicada entre os seus terminais.


90
3.4 Anlise Eltrica e Consideraes
O coeficiente pode ser obtido experimentalmente, conforme a eq. (3.5), tomando-
se a medida nas espessuras das pelculas e na regio de ar entre elas. Este parmetro define o
percentual de carga induzida em relao carga retida na formao dos eletretos ou exprime
uma relao entre a capacitncia equivalente do dispositivo como um todo e aquela existente
na regio de ar em condies estticas. empregado nas expresses que modelam o
transdutor eletromecnico em questo como sensor e como atuador. De outra maneira, em
qualquer faixa de freqncia, o coeficiente pode ser obtido pela razo entre a componente
de segunda harmnica V
1,2
e a fundamental V
1,1
da variao de tenso entre os terminais.
Assim, a componente de segunda harmnica da variao de tenso com auxlio da carga
induzida na eq. (3.16), com n = 2, dividida pela correspondente fundamental da queda de
tenso fornece:

2 j 1
S 2
V
V
0
1 , 1
2 , 1
+
= (3.35)
Anlises realizadas sobre este transdutor eletromecnico com uma bolha
termoformada mostram que o dispositivo assim obtido comporta-se como uma associao de
capacitores em srie terminados por dois eletrodos metlicos. Este dispositivo torna possvel a
obteno de um sinal eltrico como resposta de um estmulo mecnico desempenhando o
papel de um sensor, ou inversamente, uma resposta mecnica como conseqncia da entrada
de um sinal eltrico entre os seus eletrodos faz com que o dispositivo comporte-se como um
atuador. Observa-se, no entanto, que os coeficientes que exprimem as sensibilidades
eletromecnicas deste transdutor operando como sensor e como atuador no sero os mesmos.
O comportamento deste transdutor acima descrito, admite a reversibilidade, mas
exclui o princpio da reciprocidade para este tipo de dispositivo, diferenciando estes daqueles
transdutores com materiais efetivamente piezeltricos. Alm dos coeficientes de sensibilidade
no serem os mesmos nos dois modos de funcionamento, a linearidade nas respostas no pode
ser esperada sob qualquer condio operativa. Ressalte-se aqui que a linearidade na resposta
tambm uma caracterstica inerente aos materiais piezeltricos.
Os modelos que regem o funcionamento deste transdutor eletromecnico com
eletretos podem vir a apresentar um comportamento linear desde que sejam impostas algumas
condies, distintas para cada modo de operao. Como sensor terminado por altas
91
impedncias e sob altas freqncias ( >> 1), qualquer deformao fornece uma resposta
eltrica linear, enquanto que sob freqncias menores a linearidade s ser respeitada se o
dispositivo for excitado por pequenas deformaes. Como atuador a resposta linear obtida
somente quando a resposta do transdutor resultar em pequenas deformaes.
Estudos realizados sobre sistemas mecnicos, numa abordagem inicial, analisam a
presena das foras neles aplicadas. Tambm, o comportamento dos transdutores de eletretos
com filmes polimricos, requer sob o ponto de vista mecnico, uma anlise das foras que
atuam sobre estes dispositivos, como elementos de causa ou efeito primrios, quando estes
operam como sensores ou como atuadores respectivamente.
O dispositivo em questo deve ser analisado atravs de uma relao estabelecida
entre foras aplicadas e a correspondente deformao apresentada. O transdutor operando
como um sensor devolve uma resposta eltrica funo de uma deformao mecnica,
conseqente de uma fora nele aplicada Quando o mesmo transdutor passa a operar como um
atuador, este devolve uma deformao mecnica, resultado de um conjunto de foras, dentre
as quais uma de natureza eltrica em conseqncia da d.d.p. aplicada entre os eletrodos
terminais do dispositivo eletromecnico.
Uma eventual defasagem entre a deformao e a correspondente fora peridica
sobre o transdutor eletromecnico no abordada aqui e no denota importncia sob o ponto
de vista eltrico, na operao do dispositivo em regime permanente. Os eventuais atrasos ou
adiantamentos que possam ocorrer entre a aplicao da fora e a conseqente deformao
sero objetos de estudos no prximo captulo, onde as consideraes mecnicas sero
abordadas (BASSO, 2006).
93

4. PROPRIEDADES MECNICAS DOS TRANSDUTORES


Este tpico trata os princpios fsicos dos transdutores eletromecnicos de eletretos
com uma bolha entre duas pelculas polimricas de Teflon

FEP com eletretos nelas

formados, com enfoque no comportamento mecnico, relacionado com as equaes j
deduzidas para o comportamento eltrico, no captulo precedente. O modelo eletromecnico
deste dispositivo foi analisado, abordando os sinais eltricos de entrada ou sada, em funo
da ocorrncia de correspondentes deformaes elsticas na bolha de ar vinculada pelas duas
pelculas polimricas. Em outras palavras, um modelo eltrico foi concebido, baseando-se em
um circuito eltrico relacionado a uma deformao na espessura de um dos capacitores da
associao, para representar o comportamento eletromecnico do transdutor em estudo
operando como um sensor ou como um atuador. O dispositivo em questo foi classificado,
segundo a anlise bibliogrfica apresentada, como um transdutor de eletretos polimricos,
com bolha de ar obtida por um processo trmico assistido a vcuo. Dentro de uma anlise
macroscpica e qualitativa, o conjunto formado pelos filmes homogneos intercalados pelo
colcho da bolha de ar e terminado por dois eletrodos metlicos, se compara
operacionalmente queles filmes eletromecnicos industrializados (EMFi), ilustrados nas
Figs. 2.11 e 2.13, obtidos aps um conjunto de processos industriais sobre um filme
polimrico originalmente homogneo. Ressalte-se que este modelo para o transdutor
eletromecnico em estudo apresenta uma nica cavidade de ar capaz de se deformar entre
duas pelculas polimricas homogneas e rgidas.
Neste captulo, o comportamento eletromecnico deste transdutor com bolha de ar
termoformada entre filmes de eletretos ser analisado nos dois modos, enfocando a relao
causal que existe entre uma deformao apresentada e a fora correspondente.
4.1 Relao causal entre fora e deformao
O estudo destes transdutores de eletretos com filmes polimricos requer, sob o ponto
de vista mecnico, uma anlise das foras que atuam sobre estes dispositivos, como elementos
primrios de causa quando estes operam como sensores, ou de efeito estando eles operando na
94
condio de atuadores. Como j estabelecido, o modelo eletromecnico do dispositivo,
baseia-se em um capacitor equivalente dependente de uma deformao mecnica linear, de
natureza elstica. Assim, o dispositivo em questo deve ser analisado sob o ponto de vista
mecnico, atravs de uma relao estabelecida entre foras aplicadas e a correspondente
deformao apresentada.
Este transdutor operando como um sensor devolve uma resposta eltrica, funo de
uma deformao mecnica sofrida, por sua vez em conseqncia de uma fora nele aplicada.
Quando o mesmo transdutor passa a operar como um atuador este passa agora a devolver uma
deformao mecnica, resultado de duas foras, sendo uma de compensao eletrosttica e
outra de ao eltrica em conseqncia da d.d.p. aplicada como estmulo entre os terminais do
dispositivo eletromecnico.
4.1.1 Foras agentes no sistema
Uma analogia pode ser estabelecida entre um corpo submetido a deformaes
quando posto em vibrao e um movimento oscilatrio, cuja elongao corresponde a uma
deformao peridica deste corpo em vibrao (ALONSO e FINN, 1971).
A forma como este transdutor, formado por dois filmes de eletretos polimricos com
uma bolha entre eles, responde aos estmulos, sejam eles mecnicos ou eltricos, faz com que
o dispositivo em questo seja visto como um sistema massa-mola dotado de amortecimento,
quando sob uma anlise mecnica. Como admitido anteriormente, a bolha de ar possui uma
dimenso longitudinal muito maior do que a transversal, sendo representada por uma regio
de ar paralelamente inserida entre os filmes polimricos com eletretos, conforme a Fig. 4.1 em
sua representao esquemtica.

Figura 4.1: modelo mecnico para o transdutor eletromecnico.
95
Nestas condies, uma fora F(t), aplicada na parte mvel do dispositivo, produz
uma deformao na bolha de ar do sistema, de modo que o espaamento d
0
de ar entre as
pelculas se modifique para d
0
+ d
0
, produzindo, neste caso, uma deformao S nesta camada,
j apresentada na eq. (3.6) e aqui reescrita:
0
0
d
d
S = (4.1)
A regio compressvel de ar sofre uma variao na sua espessura, que por sua vez
apresenta uma deformao S, devido ao trabalho realizado sobre a parte mvel do dispositivo.
Ainda dentro de uma anlise energtica, o balano no sistema fechado por uma parcela de
energia que se dissipa, aqui justificada pela resposta de amortecimento que o sistema oferece
em decorrncia da ao da fora aplicada sobre ele. Como conseqncia, o sistema massa-
mola reage no sentido de anular a deformao na camada de ar.
Em uma anlise das foras de reao oferecidas pelo sistema, este transdutor
eletromecnico de eletretos fica sujeito ao de uma fora elstica F
elast
de constante
restitutiva k que se ope elongao d
0
sofrida, cuja intensidade dada por:
0 elast
d k F = (4.2)
Sendo este um sistema massa-mola com amortecimento, a parcela de energia
dissipada justificada pela presena de uma fora de natureza viscosa F
visc
oponente e
proporcional velocidade da elongao sofrida, regida por uma constante de
proporcionalidade B. Sua intensidade expressa por:
) d (
dt
d
B F
0 visc
= (4.3)
A fora resultante agente sobre o sistema fica ento determinada pela aplicao da
fora externa F(t) e pelas reaes que o sistema oferece. Desta forma, a fora resultante F
RES

determinada da seguinte forma:
visc elast RES
F F ) t ( F F = (4.4)
O conjunto oscilante de massa m fica ento sujeito ao de um conjunto de foras
representadas por uma resultante inercial de modo que o problema seja formulado da seguinte
maneira:
96
) t ( F d k ) d (
dt
d
B ) d (
dt
d
m
0 0 0
2
2
= + + (4.5)
O emprego da eq. (4.1) faz com que a elongao d
0
sofrida pelo dispositivo elstico
seja escrita em funo da deformao, onde:
0
2
0
2
2
md
) t ( F
) t ( S ) t ( S
dt
d
) t ( S
dt
d
= + + (4.6)
A deformao apresentada pelo transdutor eletromecnico em estudo pode ento ser
obtida por esta equao diferencial ordinria no homognea, de segunda ordem a parmetros
constantes, onde:
m
k

m
B

2
0
=
=
(4.7)
Este conjunto define dois parmetros importantes na definio do modelo oscilatrio
para o sistema mecnico do transdutor de eletretos. O parmetro o coeficiente especfico
de amortecimento viscoso, enquanto que o coeficiente especfico de elasticidade dado por
, representado pelo quadrado da freqncia angular natural de vibrao da parte superior
do sistema oscilatrio livre, isto , desprovido de amortecimento. A superposio destas duas
propriedades prope um modelo mecnico para o transdutor baseado em um oscilador
harmnico forado.
2
0

Enfatizando mais uma vez a importncia prtica na relao entre excitaes e

respostas peridicas neste tipo de transdutor, a eq. (4.6) no ser resolvida pelo modo
convencional, mas sim considerando uma fora de natureza harmnica aplicada ao transdutor
eletromecnico, com uma amplitude F
0
e uma freqncia angular de oscilao , onde:
) t j exp( F ) t ( F
0
= (4.8)
4.1.2 Deformao apresentada pelo sistema oscilatrio
Admite-se que uma fora harmnica aplicada sobre um dispositivo oscilador produz
tambm uma deformao de mesmo tipo e com a mesma freqncia da fonte de excitao,
considerando uma eventual defasagem entre esta deformao e a correspondente fora
97
aplicada. Para uma fora harmnica dada pela eq. (4.8), a soluo da eq. (4.6), substituindo
cada derivada temporal por j, fornece a deformao na bolha de ar, de modo que:
[ ]
2 2 2 2
0 0
0
) ( ) ( md
) t ( j exp F
) t ( S
+

= (4.9)
A expresso acima mostra que a deformao apresentada e relacionada com a fora
correspondente de natureza harmnica e possui uma amplitude dada por:
2 2 2 2
0 0
0
0
) ( ) ( md
F
S
+
= (4.10)
Observa-se tambm para esta soluo particular da eq. (4.6), que a deformao
apresentada na regio compressvel de ar encontra-se defasada da fora. Esta forma polar da
deformao dada pela eq. (4.9) mostra que ela pode estar atrasada ou adiantada em relao
fora aplicada, cuja defasagem expressa atravs do ngulo:

=
2 2
0


arctg (4.11)
Os parmetros especficos e da eq. (4.7) determinam o desempenho do
dispositivo eletromecnico a ser modelado. So cruciais para uma avaliao do desempenho
eletromecnico do sensor e do atuador formados por estes transdutores com eletretos, com
uma camada compressvel entre eles, quando analisados analiticamente. A freqncia natural
de oscilao determinada em funo das dimenses e da elasticidade do filme polimrico
que envolve cada bolha de ar. J o coeficiente representante da dissipao ou amortecimento,
por interagir com o meio, determinado em funo da resposta em freqncia medida em
laboratrio, como ser mostrado mais frente.
2
0

Os estudos sobre o comportamento eletromecnico deste dispositivo com eletretos,

operando como um sensor e como um atuador dentro de condies admitidas como lineares,
tomam por base hipteses levantadas no captulo anterior. Recordando, tais hipteses
consideraram o transdutor em modo sensor operando em altas freqncias ( >>1/), ou
produzindo pequenas deformaes (S
0
<< 1), neste caso sem restries impostas s
freqncias, em conformidade com o estabelecido na eq. (3.17). Por outro lado, este mesmo
transdutor eletromecnico em modo atuador pode fornecer uma resposta linear para
98
deformaes apresentadas, desde que elas sejam muito pequenas, fazendo com que a fora
eltrica se reduza forma simplificada da eq. (3.34).
Os modelos eletromecnicos propostos para o funcionamento deste dispositivo como
sensor e como atuador, consideraram at ento, a deformao mecnica apenas como uma
varivel independente.
4.2 Fora e deformao em modo sensor
Com base nas hipteses do captulo anterior e mencionadas acima, a eq. (3.17)
exprime a variao de tenso eltrica V
1
que aparece entre os eletrodos do transdutor quando
este opera como um sensor. Assim, para uma excitao harmnica e considerando agora a
defasagem entre ela e a fora aplicada, a deformao S(t) fornece:
[ ) t ( j exp S ) 1 (
C
Q
) t ( V
0
t
0
1
= ] (4.12)
A amplitude da deformao fornecida em funo da amplitude da fora que faz
vibrar o transdutor, a causa de sua excitao mecnica neste modo de operao. A expresso
acima pode ser compreendida em funo da amplitude da fora aplicada sobre o sensor e pela
defasagem existente entre ela e a deformao produzida, segundo o mostrado pelas eqs. (4.10)
e (4.11), que por sua vez, utilizam as constantes mecnicas especficas da elasticidade e da
dissipao.
Foi visto no captulo anterior, que as condies impostas ao sensor para que ele
fornea uma resposta eltrica linear frente a uma excitao harmnica aplicada, consideram os
efeitos provocados pela componente fundamental da deformao sofrida em conseqncia da
fora aplicada que faz vibrar o dispositivo. Desta feita, a amplitude da componente
fundamental de sua resposta eltrica como sensor pode ser obtida, de acordo com a eq. (3.21),
da seguinte forma:
2 2 2 2
0 0
0
t 1 , 1
) ( ) ( md
F
V ) 1 ( V
+
= (4.13)
A resposta eletromecnica deste transdutor operando como sensor estar
perfeitamente determinada, uma vez que se conheam a constante de restituio elstica e o
amortecimento dissipativo no sistema em anlise.
99
4.3 Fora e deformao em modo atuador
A resposta eletromecnica para o funcionamento do transdutor como atuador foi
analisada no captulo anterior, tratando a deformao mecnica especfica como o efeito final
no comportamento do dispositivo, sem levar em considerao a causa fsica de sua origem, a
fora aplicada F(t). Desta vez, uma fora eltrica, funo da deformao S e da tenso eltrica
aplicada V
1
entre os eletrodos, interage com os filmes polimricos segundo a expresso
simplificada e definida pela eq. (3.34), para pequenas deformaes e de natureza atrativa para
uma deformao linear considerada positiva; da a justificativa para o sinal negativo na sua
expresso.
Foi mostrado pelas eqs. (3.6) e (4.1), que a deformao especfica definida
instantaneamente, onde o tempo no figura necessariamente como uma varivel independente.
Assim sendo, a fora de resposta externa F(t) aplicada sobre o transdutor operando na
condio de um atuador a prpria fora eltrica F
e
(S,V
1
).
Se uma tenso eltrica positiva aplicada entre os terminais do transdutor
eletromecnico de eletretos, este responde com uma fora eltrica de atrao entre as duas
pelculas com cargas de polaridades opostas. Neste caso, impedindo que ocorra uma
recombinao das cargas eltricas, uma fora constante de compensao F
c
, passa a fazer
parte do conjunto de foras atuantes, para que o funcionamento do dispositivo como um
atuador eletromecnico seja vivel. Esta fora de compensao pelos vnculos estruturais no
sistema encontra-se aplicada aos pares, uma em cada pelcula. Desta forma, acrescentando
esta fora no lado direito da eq. (4.6) com a fora eltrica fornecida pela eq. (3.34), vem:
c
t
1
0
2
t t 2
0 2
2
0
F
V
V
2 1 ) S 2 1 )( 1 (
A
) V C (
S
dt
dS
dt
S d
md +

+ + (4.14)
Para a expresso acima, numa condio esttica, isto , S = V
1
= 0, a fora de
compensao F
c
ento determinada. Assim,
2
0
2
t t
c
) 1 (
A
) V C (
F = (4.15)
Desenvolvendo os produtos do lado direito na eq. (4.14), desprezando o termo
4SV
1
/ V
t
de menor ordem e substituindo cada derivada temporal d/dt por j, tem-se:
100
( ) ( )
t
1
0
2
t t 2
0 0
2
t t 2 2
0 0
V
V
A
V C
) 1 ( 2 S j ) 1 (
A md
V C
2 md =

+ (4.16)
Quando os eletrodos terminais do transdutor so excitados eletricamente por uma
d.d.p. harmnica dada por V
1
(t) = V
0
exp (jt), o dispositivo eletromecnico responde com
uma deformao elstica na sua regio compressvel, de modo que:
[ ]
( )
2
2
2
0 0
2
t t 2 2
0 0 0
0 t
2
t
) ( ) 1 (
A md
V C
2 A md
) t ( j exp V V C ) 1 ( 2
) t ( S
+

= (4.17)
O sinal negativo nesta expresso mostra que a deformao produzida pelo atuador de
eletretos polimricos encontra-se em oposio de fase em relao tenso eltrica aplicada
entre os seus eletrodos, o que correto. Alm desta oposio de fase mencionada, existe ainda
a contribuio da defasagem existente entre a fora aplicada e a deformao gerada, denotada
pelo ngulo:
( )

=
2
0 0
2
t t 2 2
0
) 1 (
A md
V C
2
arctg (4.18)
A deformao no transdutor como um atuador, alm de ser determinada por um
coeficiente diferente daquele definido para o mesmo dispositivo operando como um sensor,
ainda aparece com uma defasagem, tambm diferente. Mais uma vez nota-se a ausncia do
princpio da reciprocidade, uma das propriedades caractersticas dos materiais piezeltricos.
Com base em pequenas deformaes, a expresso para S(t) em funo da freqncia expressa
na eq. (4.17) mostra uma relao linear entre a amplitude da deformao S
0
e a amplitude da
variao de tenso eltrica aplicada V
1
, embora em oposio de fase.
Nota-se mais uma vez, que a resposta eletromecnica deste atuador ficar
perfeitamente estabelecida, tendo-se em mos as grandezas referentes restituio elstica e
dissipao pelo sistema em estudo.


101
4.4 A restituio elstica
A produo destes transdutores eletromecnicos, pelo modelo concebido, define uma
bolha microscpica, contendo ar no interior dela, entre dois filmes polimricos com cargas
eltricas de polaridades opostas neles retidas. Esta bolha contm o ar proveniente da
atmosfera ambiente, visto que no seu processo de formao, as duas pelculas, ainda
descarregadas, so postas em contato uma com a outra. Em seguida, aps o processo trmico
de soldagem dos filmes, este ar termina retido sob presso atmosfrica no interior da bolha
termoformada.
Para um estudo mais simplificado da deformao na bolha de ar, mas sem prejuzo
no entendimento, ser admitido que esta bolha termoformada contem o ar presso
atmosfrica, quando isenta de deformao. Adquire a forma geomtrica de um minsculo
cilindro, de altura d
0
e bases com raio a, envolta por placas circulares de filmes polimricos.
Admite-se ento, nesta bolha cilndrica, que a pelcula em uma de suas bases, comporta-se
como uma placa circular engastada em todo o seu contorno e que apenas ela venha a sofrer
uma deformao mecnica enquanto que a outra, na base oposta, suposta rigidamente
apoiada sobre uma superfcie plana. Saliente-se aqui que a superfcie tubular, do contorno
cilndrico, tambm permanece rgida, sendo somente uma das bases o nico elemento
suscetvel deformao.
A ao de uma fora aplicada sobre uma das bases ou placa circular polimrica,
provoca deformaes que interferem diretamente na bolha de ar entre os filmes, culminando
com uma variao em seu volume. Esta deformao apresentada na bolha vista fisicamente
como aquela sofrida pela placa circular engastada, devido ao de uma carga mecnica
concentrada, aplicada no seu centro. Por outro lado, uma equivalncia aponta para o
deslocamento de um pisto de mesma rea circular que a da placa mencionada, agora
admitida rgida, sem deformao.
A restituio elstica da bolha contida neste transdutor em estudo requer uma anlise
de seu comportamento mecnico, contendo ar no seu interior, sob presso. Resumindo, a
bolha cilndrica, quando submetida a um esforo na direo axial, sofre uma deformao que
demanda uma anlise considerando dois fenmenos em separado, mas que conduzem ao
mesmo efeito. Ou seja, a mudana irregular de perfil em uma placa circular polimrica e o
deslocamento uniforme de um pisto contra a presso do ar, ambos produzindo a mesma
102
variao no volume de ar na bolha. O Apndice A descreve a deformao sofrida pela bolha
de ar em maiores detalhes.
4.4.1 Deformao na pelcula e o pisto equivalente
A fora que aplicada sobre a placa circular polimrica de um dos filmes, produz
uma deformao cujo efeito final resulta na variao do volume de ar no interior da bolha
termo-formada. Uma primeira componente desta fora normal atua na deformao da placa,
sem considerar o ar contido na bolha. Ainda nesta direo, uma outra componente
responsvel pela variao na presso do gs, no caso, o ar que recebe ou realiza trabalho na
bolha, desta vez sem considerar a fora que produz a deformao na placa.
Sob o ponto de vista de uma placa circular engastada, o seu perfil sofre uma
deformao no regular, em funo da distncia radial atingindo uma deflexo mxima no seu
centro e zero nas bordas do contorno, nos vnculos. Por outro lado, a variao ocasionada no
volume de ar tambm justificada pelo deslocamento de um pisto circular, cuja rea a
mesma da placa sem esforos. Considere-se ento que a variao em volume de ar a mesma
tanto quando analisada para a deformao de uma placa circular engastada, como para o
deslocamento de um pisto.
4.4.2 Deformao elstica na pelcula
O filme polimrico, constitudo por uma placa circular engastada, de constante
elstica k
f
, se deforma quando da aplicao de uma fora F
f
e atinge um mximo de deflexo
z
max
dado no Apndice A pela eq. (A.11). Se esta deformao for admitida linear, a aplicao
da lei de Hooke garante ento que a menos do sinal,
max
2
3
f
z
a 3
Yt 4
F = (4.19)
Uma constante elstica k
f
apenas da pelcula polimrica, faz com que uma fora de
restituio elstica F
f
atue sobre o filme (YOUNG e BUDYNAS, 2002).
4.4.3 Presso de ar na bolha
Quando o transdutor produzido, cada bolha termo-formada contm ar no seu
interior, ficando sujeita a uma presso interna. Quando este dispositivo eletromecnico em
questo encontra-se sujeito ao de uma fora externa, seja ela decorrente de um estmulo
103
ou de uma resposta, os filmes polimricos deste transdutor sofrem deformaes. Com isto, o
volume de ar confinado no interior da bolha entre as pelculas, sofre uma compresso ou uma
expanso, devido a uma variao de presso.
Para esta anlise, o ar contido na bolha ser admitido como um gs perfeito sofrendo
uma transformao isotrmica, exercendo inicialmente uma presso p
0
equalizada com a
presso atmosfrica ambiente. Se um pisto se desloca de uma distncia z comprimindo o ar,
a deformao na bolha, mantida a temperatura, faz com que o ar exera uma nova presso p
devido variao de volume V. Mantida a hiptese de uma bolha cilndrica de raio a e altura
d
0
, tem-se:
) z d (
d
p p
0
0
0

= (4.20)
Inicialmente, o ar contido exerce uma fora sobre a rea circular de raio a na bolha
sem deformao. A compresso desta bolha, considerando a transformao isotrmica, faz
com que o ar exera uma nova presso p dada pela eq. (4.20). Uma fora pneumtica F
p
passa
a atuar sobre a rea circular A, em decorrncia da variao de presso experimentada pelo ar.
Logo:

= = 1
) z d (
d
p a A ) p p ( F
0
0
0
2
0 p
(4.21)
Conforme mostrado no Apndice A, o deslocamento do pisto corresponde quarta
parte da deflexo mxima real sofrida pela pelcula envolvendo a bolha, quando uma fora
concentrada no centro dela aplicada. Assim, pela aplicao da eq. (A.12), o deslocamento
uniforme e equivalente para o pisto pode ser dado por:
4
z
z
max
= (4.22)
Considerando esta relao de equivalncia entre o deslocamento uniforme e a
mxima deflexo obtida na deformao da bolha tem-se:
max 0
max 0 2
p
z d 4
z p
a F

= (4.23)
104
A expresso acima denota a ao de uma fora pneumtica no linear, que age sobre
o mesmo filme que sofre a deformao mecnica na placa circular.
4.4.4 Coeficiente elstico resultante
Quando o transdutor em questo encontra-se sob a ao de uma fora F, pode-se
observar, sem maiores dificuldades, que a sua decomposio considera os dois efeitos
superpostos desde que as deformaes sejam muito pequenas. Somando-se as duas foras,
dadas pelas eqs. (4.19) e (4.23), obtm-se:
max
max 0
2
0
2
3
z
z d 4
a p
a 3
Yt 4
F

+ = (4.24)
Esta expresso no rigorosamente linear e para a aplicao da lei de Hooke admite-
se que a deflexo mxima na pelcula muito menor do que a altura ou espessura d
0
da bolha
sem deformao. Feita esta considerao, a constante elstica resultante assume a forma linear
mencionada na eq. (4.2), podendo-se escrever:

d 4
a p
a 3
Yt 4
z
F
k
0
2
0
2
3
max
elast

+ = = (4.25)
Pode-se ver como seria de se esperar, que o coeficiente de restituio elstica da
bolha com ar depende das caractersticas fsicas do filme, da dimenso de cada bolha e da
presso atmosfrica ambiente, no momento em que a bolha produzida, isto , termoformada.
De posse destes parmetros, obtm-se a freqncia angular natural
0
, para a
ressonncia do dispositivo sem amortecimento. Sabe-se que o valor quadrtico desta
freqncia angular dado pela relao entre a constante elstica e a massa oscilante do
transdutor eletromecnico em estudo. Esta massa mvel obtida atravs do fator de rea f
A
,
dado no Anexo 1 pelas especificaes tcnicas do fornecedor Dupont, como a relao entre a
rea e a massa de uma pelcula polimrica, em funo da espessura. Conhecendo-se este fator
de rea, considerando as duas pelculas sob oscilao, o coeficiente de restituio elstica e o
raio da base na bolha cilndrica, tm-se:
2
A 2
0
a 2
f k
= (4.26)
105
A operao deste transdutor eletromecnico com filmes de eletretos implica na ao
de uma fora externa, seja ela um estmulo ou uma resposta ao seu funcionamento. Com isto,
este dispositivo reage no sentido contrrio ao da deformao que aparece na camada
compressvel da regio de ar entre as pelculas polimricas. Esta reao mecnica aparece no
transdutor cada vez que a solicitao externa motiva uma deformao na camada
compressvel entre os filmes, tomando parte na recomposio elstica dos esforos sofridos na
bolha com ar sob presso, cuja constante linearizada de restituio dada pela eq. (4.25).
Como os eletrodos adjacentes aos filmes sob oscilao possuem uma espessura com
ordem de grandeza nanomtrica, sua massa no faz parte dos clculos, sendo aqui considerada
desprezvel.
4.5 Amortecimento e dissipao de energia
Conforme foi enfatizado, este transdutor eletromecnico encontra aplicaes das
mais diversas, quando operando sob um regime harmnico. Dizendo em outras palavras, este
dispositivo tem o seu funcionamento baseado na recepo ou na emisso de vibraes,
definindo sadas ou entradas eltricas respectivamente. Fisicamente, este transdutor
eletromecnico, com filmes polimricos de eletretos e uma bolha de ar, compressvel entre
eles, realiza um movimento oscilatrio e forado com dissipao de energia, apresentando
perdas em condies reais de operao. A parcela de energia mecnica que no se conserva
considerada no amortecimento do sistema e nas dissipaes por calor, atrito ou demais formas
que possam ocorrer.
Com base na anlise harmnica, este movimento vibratrio realizado pelo transdutor
em estudo forado pela imposio de uma ao externa, de forma a compensar o
amortecimento na oscilao do sistema. Observa-se ento que a ressonncia em amplitude
ocorre numa freqncia angular
M
, menor do que aquela livre e natural
0
sem
amortecimento (ALONSO e FINN, 1971).
A freqncia angular e natural do sistema oscilatrio sem amortecimento obtida
analiticamente pela eq. (4.26), considerando a deformao da pelcula polimrica e a variao
na presso do ar confinado na bolha. Por outro lado, a constante especfica de
amortecimento ou dissipao pode ser determinada, desde que se conhea a freqncia
angular da ressonncia em amplitude
M
do dispositivo. A obteno deste amortecimento
conseguida por um mtodo indireto, medindo-se a freqncia da ressonncia em amplitude do
106
transdutor em operao, dentro de uma faixa de freqncias, relacionada com um fator de
qualidade. Assim, um ensaio medindo a resposta em freqncia permite que o ponto de
ressonncia seja conhecido atravs de um mtodo acstico indireto onde o transdutor em
questo submetido a uma excitao eltrica senoidal de amplitude constante, com uma
variao de freqncia capaz de excitar o microfone de um medidor de presso sonora
(ALTAFIM, R. A. P., 2006).
Como este mtodo indireto no fornece o valor da fora causadora da vibrao, os
valores da resposta do dispositivo em funo da freqncia no so determinados atravs de
um mtodo exato, conforme as eqs. (4.10) ou (A.14) na sua forma absoluta. O problema
contornado por uma expresso normalizada para a amplitude Z da resposta em freqncia do
dispositivo eletromecnico em questo, onde:
( ) ( )
2
2
2
0
2
0
Z
) ( Z
+
= (4.27)
O grfico desta resposta normalizada mostrado na Fig. 4.2, onde o valor mximo
ocorre para um valor unitrio da amplitude, na freqncia angular de ressonncia
M
.

Figura 4.2: resposta normalizada do transdutor em funo da freqncia.
Para a expresso na eq. (4.27) igualada a 1, em funo da freqncia de ressonncia
em amplitude, tem-se:
2
2
0 0
2

= (4.28)
107
A observao da Fig. 4.2 mostra tambm que a largura de uma faixa de freqncia
pode ser analisada em funo de um fator de qualidade. Uma maior largura desta faixa
implica em um maior amortecimento no sistema e consequentemente a uma maior dissipao
de energia. Atribuindo-se um intervalo centrado na freqncia de ressonncia, esta pode ser
determinada, para valores simtricos de freqncias, correspondentes metade da amplitude
mxima normalizada. Assim, para tais valores de tem-se que:
( ) ( )
2
1

2

2
2
2
0
2
2
2
0
=
+

(4.29)
Estas freqncias so obtidas pela soluo de uma equao bi-quadrada, cuja forma
geral dada por:
( ) ( )
2
0
2
2 2
0
2
2
2
0
2
2
0
2
2 , 1
2
2

) ( +

= (4.30)
Uma anlise desta expresso permite ver que estas freqncias no podem ser
obtidas diretamente, tendo em vista que ela funo tambm do amortecimento especfico,
objetivo deste clculo e no conhecido. Admite-se que a ressonncia se d numa freqncia
prxima da natural
0
e que a largura da faixa de meia amplitude esteja compreendida dentro
de um valor , neste caso conhecido e medido em laboratrio. Desta forma, pode-se
escrever que:
( ) 2
2

0
2
0
2
0
=

(4.31)
O desenvolvimento do lado esquerdo desta expresso, desprezando-se o termo de
menor ordem, permite que um valor inicial para o amortecimento especfico seja obtido em
funo da largura da faixa conhecida. Aps simplificaes, o coeficiente de amortecimento
especfico dado por:
2

= (4.32)

108

4.6 Anlise Mecnica e Consideraes
A fora F
c
definida pela eq. (4.15), no caso do atuador, evita que as pelculas
eletricamente carregadas se atraiam mutuamente, inviabilizando assim o funcionamento do
dispositivo como um transdutor, da forma como concebido. Saliente-se que esta fora
encontra-se sempre presente e compensa o efeito atrativo da fora eletrosttica definida na eq.
(3.29). Em outras palavras, considerando a definio do parmetro na eq. (3.4), as duas
expresses, tanto da fora eltrica como da de compensao, so exatamente iguais para o
caso esttico. Este efeito limita o carregamento eltrico nas pelculas polimricas, evitando
um colapso entre elas, bem como contribui no dimensionamento das superfcies nas bolhas
termoformadas, admitidas como cilndricas neste contexto.
Este modelo mecnico proposto para a operao deste transdutor encontra-se
inicialmente embasado em um sistema massa-mola sob vibraes em funo da freqncia e
da amplitude de oscilao, com amortecimento devido dissipao de energia. Quando o
dispositivo opera como um sensor a amplitude considerada a da fora de excitao e quando
o mesmo opera como um atuador esta amplitude a da tenso eltrica aplicada entre os seus
eletrodos.
A sensibilidade deste transdutor eletromecnico sob vibraes determinada pela
resposta que este dispositivo fornece em funo de cada freqncia de operao para uma
amplitude constante. Conhecendo-se ento a freqncia angular natural sem amortecimento
dada pela constante de restituio elstica e pela massa sob vibrao, o coeficiente de
dissipao ou viscosidade pode ser facilmente obtido, desde que se tenha o valor da
freqncia para a mxima amplitude de oscilao, com a considerao do amortecimento.
Este oscilador harmnico complementa a definio dos parmetros eltricos e
mecnicos para o modelo eletromecnico de entendimento da operao deste transdutor
eletromecnico, no papel de uma importante ferramenta para projeto de tais dispositivos em
funo das aplicaes requisitadas.
109

5. MEDIDAS E ANLISES

Dentre os objetivos desta tese, um deles encontra-se voltado proposio de um
modelo que possa ser utilizado como uma ferramenta de projeto para transdutores fabricados
com filmes polimricos envolvendo cavidades microscpicas e compressveis de ar. Para tal,
medidas experimentais se fazem necessrias para uma complementao na definio deste
modelo dentro de uma avaliao do comportamento dinmico deste transdutor em funo da
freqncia.
Para que o comportamento dinmico deste transdutor pudesse ser avaliado, uma
amostra foi produzida em laboratrio servindo para a determinao do coeficiente de
amortecimento especfico e para a verificao da freqncia natural
0
de oscilao livre.
5.1. A amostra sob testes
Para a amostra produzida em laboratrio e destinada aos ensaios, foram empregadas
pelculas polimricas de Teflon

FEP, classificao 200 A, com 50 m de espessura,

conforme as caractersticas da especificao tcnica do fabricante Dupont, mostradas no
Anexo 1 deste trabalho. A amostra utilizada foi produzida, conforme a Fig. 5.1 do lado
esquerdo, com duas pelculas polimricas unidas por um processo de solda trmica, deixando
o espao de uma cavidade previamente termoformada a vcuo. Feito isto, o dispositivo foi
terminado com alumnio vaporizado sob vcuo, sobre as partes externas de cada pelcula
polimrica, servindo de eletrodos para estabelecer um contato eltrico isoladamente, sem
coloc-las em curto-circuito. A bolha de ar termoformada assim produzida assume a forma
geomtrica aproximada de um cilindro, tendo este 1 mm de altura e bases circulares com 4
mm de dimetro, de acordo com o modelo proposto na teoria e mostrado na mesma Fig. 5.1
do lado direito.
110

Figura 5.1: transdutor com uma bolha e seu modelo esquemtico cilndrico.
5.2. A resposta em freqncia
Como j foi mostrado, o coeficiente de amortecimento especfico determinado em
funo de um fator de qualidade, capaz de mostrar este amortecimento proporcional a uma
faixa de freqncias simtricas em relao ressonncia em amplitude do sinal de sada. Em
outras palavras, pode-se dizer que quanto menor a largura desta faixa, menor o amortecimento
e maior o fator de qualidade do transdutor. Da o interesse na realizao de um ensaio neste
dispositivo eletromecnico, de modo que seja possvel verificar a sua capacidade de resposta
em funo da freqncia na vibrao.
5.2.1. Ensaio para obteno da resposta em freqncia
O transdutor sob teste foi submetido a um ensaio de capacidade de resposta em
freqncia para que o seu amortecimento pudesse ser determinado em funo de um fator de
qualidade em torno da freqncia de ressonncia do sistema. Na realizao deste ensaio,
avaliou-se o desempenho do dispositivo operando como um atuador. A amostra sob teste foi
encerrada no interior de uma caixa de madeira no formato de um cubo com 60 cm de aresta,
uma espcie de cmara anecica, de modo a manter o dispositivo e todo o sistema de medidas
isolados o mximo possvel de interferncias acsticas. O arranjo para os ensaios com a
amostra dentro desta cmara de isolao acstica mostrado na Fig. 5.2, do lado esquerdo.
Ainda para deixar a amostra imune interferncia de campos eletromagnticos, esta foi
ensaiada no interior de um recipiente blindado, sob uma grade metlica, conforme mostra a
Fig. 5.2 do seu lado direito.
111

Figura 5.2: o transdutor no ensaio acstico indireto
A seguir o transdutor, dentro da cmara fechada, foi eletricamente excitado por meio
de um gerador de udio senoidal a uma amplitude constante de 10 V, com uma variao de
freqncias entre 1 kHz e 3 kHz. A potncia acstica irradiada por este atuador
eletromecnico polimrico, operando como um emissor acstico, foi medida com um
decibelmetro ou medidor de presso sonora Minipa IEC-651 type II ajustado com a curva C
de ponderao. A sada eltrica deste medidor de presso sonora foi conectada entrada de
um amplificador auto-sintonizado (Lock-in), juntamente com o sinal de entrada de udio,
conforme mostra o arranjo esquemtico na Fig. 5.3.

Figura 5.3: o mtodo indireto e acstico inverso.
(ALTAFIM, R. A. P., 2006)
As medidas eltricas de entrada ou excitao da amostra e de sada registrada pelo
medidor de presso sonora foram coletadas e posteriormente processadas por um sistema
automtico de aquisio, mediante um programa computacional desenvolvido no laboratrio
do Departamento de Engenharia Eltrica da Escola de Engenharia de So Carlos da
Universidade de So Paulo. A metodologia deste ensaio encontra-se descrita em detalhes na
112
dissertao de mestrado de Ruy Alberto Pisani Altafim que a utiliza na caracterizao destes
transdutores polimricos com uma camada compressvel (ALTAFIM, R. A. P., 2006).
5.2.2. Anlise do espectro de freqncias
O dispositivo sob teste foi ensaiado empregando-se o arranjo descrito
esquematicamente na Fig. 5.3 e os resultados fornecidos foram ento registrados
automaticamente pelo sistema de aquisio digital desenvolvido e citado acima. Estes
resultados alimentaram um programa gerador de grficos da Microcal Origin, que forneceu os
resultados da resposta em freqncia do atuador, conforme ilustrao dada pela figura 5.4.
1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0
1
2
3
4
s
i
n
a
l

(
m
V
)
freq (kHz)
D

Figura 5.4: resposta em freqncia e a ressonncia em amplitude.
A anlise deste grfico mostrou um valor mximo para o sinal de resposta para uma
freqncia dita de ressonncia em amplitude do sistema. Em torno desta freqncia pode-se
observar tambm uma faixa de freqncias simtricas em relao a esta ressonncia,
definindo a largura desta faixa e conseqentemente o fator de qualidade deste sistema
oscilatrio, determinante do coeficiente de amortecimento especfico ou de dissipao no
sistema.


113
5.3. A freqncia natural de oscilao
A largura da faixa de freqncias em torno da ressonncia corresponde ao
amortecimento do sistema. No entanto, para uma determinao quantitativa deste
amortecimento, tornou-se necessrio conhecer tambm a freqncia natural de oscilao livre
do dispositivo, isto , sem amortecimento.
Mediante a suposio de que a bolha de ar tenha um formato cilndrico, conforme
mostrado na Fig. 5.1, com as bases sujeitas a uma deformao elstica, a freqncia angular
natural
0
do dispositivo sob teste foi obtida segundo os clculos desenvolvidos e mostrados
no captulo 4. As informaes de interesse ao clculo desta freqncia natural encontram-se
descritas na Tab. 5.1.
Tabela 5.1: caractersticas especficas do Teflon

FEP 200 A.
Y (Mpa) t (m) f
A
(m
2
/ kg)
480 50 9

Considerou-se que o ar foi retido na bolha termoformada presso atmosfrica
Pa 10 x 013 , 1 p
5
0
=
As dimenses da bolha compressvel foram medidas, sendo a altura e o dimetro da
base respectivamente:
altura: d
0
= 1,0 mm;
dimetro: 2 a = 4,5 mm.
Conhecidas estas dimenses, a presso do ar n bolha e os dados do fabricante das
pelculas polimricas, a constante elstica, segundo a eq. (4.25), foi assim determinada:

+ =

m
N
10 x 0 , 1 x 4
) 10 x 25 , 2 ( x 10 x 013 , 1

) 10 x 25 , 2 ( x 3
) 10 x 50 ( x 10 x 480 x 4
k
3
2 3 5
2 3
3 6 6

Sabe-se que a primeira parcela deste coeficiente mostra a rigidez imposta pelo filme
na sua deformao mecnica enquanto que a segunda parcela descreve uma segunda
114
componente da rigidez do dispositivo, esta imposta pela variao da presso do ar na bolha.
Assim, feitos os clculos tem-se a constante de restituio elstica k onde:
m
N
74 , 452 78 , 402 96 , 49 k = + =
Observou-se que para esta amostra, o ar contido na bolha contribuiu em maior parte
na rigidez imposta a este transdutor polimrico, quando submetido a deformaes.
Em seguida a freqncia angular natural
0
do dispositivo foi determinada segundo a
relao entre o coeficiente elstico e a massa dada pela eq. (4.26). Utilizando-se o fator de
rea f
A
para o clculo da massa oscilante, tem-se:
s
rad
318 11
) 10 x 25 , 2 ( 2
9 x 74 , 452

2 3
0
= =


Esta freqncia angular corresponde a uma freqncia natural de oscilao
kHz 80 , 1 f
0
=
A massa do eletrodo vaporizado adjacente pelcula oscilante no foi considerada
nos clculos por ser desprezvel em relao massa de todo o conjunto sob oscilao.
5.4. O amortecimento especfico
O amortecimento especfico foi obtido pela leitura da faixa para meia amplitude,
observada no ensaio de resposta em freqncia do transdutor polimrico, operando como um
atuador. O fator de qualidade expresso por esta largura da faixa de freqncias limitada aos
valores correspondentes metade da amplitude de ressonncia da amostra. No caso pela Fig.
5.4, a faixa de freqncias apresentou um valor
Hz 184 f =
Com esta largura tomada como referncia, o valor para o amortecimento especfico ,
segundo a eq. (4.32), foi dado por
s
rad
818
2
184 x 2
= =
A curva de resposta do atuador mostrou um pico de ressonncia numa freqncia
115
Hz 1540 f
M
=
Com estes valores do amortecimento e da freqncia de ressonncia em amplitude
mostrada na curva de resposta, o valor da freqncia natural foi calculado resultando:
kHz 54 , 1 f
0
=
Este valor no obviamente igual ao terico calculado pela expresso puramente
elstica dada na eq. (4.26) que considera apenas a elasticidade do dispositivo, sem a interao
dele com o meio em que submetido a vibrao. Existe um erro relativo de 14 % para esta
freqncia em relao freqncia natural de 1,80 kHz calculada por meios tericos. Este
erro considerado satisfatrio para um modelo analtico, onde tais desvios so esperados e
podem ser atribudas a vrios fatores. Entre eles destacam-se o ar retido na bolha considerado
como um gs perfeito, o arraste do ar na cmara anecica no considerado pela vibrao do
atuador, a massa e a rigidez no consideradas dos eletrodos vaporizados e tambm admitindo
um vnculo rgido de engaste na unio das pelculas polimricas.
Com estes parmetros mecnicos obtidos, em complementao com aqueles eltricos
j discutidos, o modelo terico proposto fica ento estabelecido, permitindo uma avaliao
prvia do comportamento eletromecnico deste transdutor de eletretos polimricos com uma
bolha de ar termoformada, operando como um sensor e como um atuador.
5.5. Desempenho do transdutor como atuador
O resultado destes ensaios realizados e o clculo dos parmetros eltricos e
mecnicos, serviram para se verificar a sensibilidade do dispositivo sob teste, operando como
um atuador. A sensibilidade deste atuador ensaiado foi verificada para o seu valor mximo,
isto , vibrando na sua freqncia natural, no ensaio de resposta em freqncia pelo modelo
definido, empregando-se a expresso para a amplitude da deformao, fornecida na eq. (4.17).
Conforme as especificaes do fabricante Dupont, as pelculas em Teflon

FEP 200
A (50 m de espessura) possuem uma permissividade eltrica de 2
0
. Admite-se ainda a
bolha de ar entre os filmes com o formato cilndrico e as dimenses j mencionadas
anteriormente. Foi considerada uma permissividade eltrica no ar
0
, igual quela atribuda
para o vcuo. Logo
116
m
F
36
10

9
0

=
Este modelo admite capacitncias planas nos filmes e na bolha, sendo que as
superfcies das armaduras so circulares de raio a. Foi encontrado para a capacitncia da
bolha de ar o valor
pF 1406 , 0
10 x 0 , 1
) 10 x 25 , 2 (
36
10
C
3
2 3 9
0
= =



Da mesma forma, considerando a constante dieltrica no Teflon

FEP, pode-se
escrever para a capacitncia de cada pelcula polimrica que
pF 625 , 5
10 x 50
) 10 x 25 , 2 (
36
10
2 C
6
2 3 9
1
= =



Para as capacitncias em srie tem-se uma equivalente C
t
onde:
12
0 1 t
10
1406 , 0
1
625 , 5
2
C
1
C
2
C
1

+ = + =
Ou
pF 1339 , 0 C
t
=
O parmetro indica como visto em muitas expresses, uma relao entre a carga
induzida nos eletrodos do dispositivo e a carga retida pelo dieltrico na formao dos seus
eletretos. Este mesmo parmetro mostra tambm uma relao entre a capacitncia da amostra
e a capacitncia na bolha de ar. Assim, segundo a definio mostrada na eq. (3.4), o parmetro
foi assim determinado pela relao entre as capacitncias, fornecendo:
9523 , 0
1406 , 0
1339 , 0
C
C

0
t
= = =
Desta forma, tem-se um valor complementar para , ou seja,
0477 , 0 1 =
No processo de formao dos eletretos, foi admitida uma eficincia de 100 % no
carregamento impulsivo. Se as cargas retidas so formadas pela descarga de um impulso de
117
tenso com 3 kV de pico, a carga Q
0
retida pelas pelculas como eletreto dada pelo produto
C
t
V
t
, determinada por
pC 7 , 401 10 x 0 , 3 x 10 x 1339 , 0 V C Q
3 12
t t 0
= = =


Finalmente o valor do fator m d
0

0
A, empregado na eq. (4.17) da deformao, foi
calculado utilizando-se o valor da massa oscilante como a rea de contato dividida pelo fator
de rea f
A
, a exemplo dos clculos anteriores. Desta forma, foi encontrado
2 25 2 3
9
3
2 3
0 0
m F kg 10 x 9701 , 4 ) 10 x 25 , 2 (
36
10
10 x 0 , 1
9
) 10 x 25 , 2 (
2 A md

= =
Com estes valores, a amplitude da deformao foi assim calculada para o atuador
vibrando na sua freqncia natural de oscilao, onde para =
0
= 11 318 rad/s, tem-se:

= =

2
2
2
25
2 12
25
3 2 12
0 0
) 11318 x 818 ( ) 0477 , 0 ( 9523 , 0
10 x 9701 , 4
) 10 x 7 , 401 ( 2
10 x 9701 , 4
) 10 x 0 , 3 /( 10 x ) 10 x 7 , 401 ( 0477 , 0 x 2
) ( S

6
0 0
10 x 1517 , 11 ) ( S

= =
Pela definio dada pela deformao nas eqs. (3.6) e (4.1), foi ento determinado um
valor para a deflexo nesta freqncia natural onde
nm 15 , 11 10 x 0 , 1 x 10 x 1517 , 11 d S d
3 6
0 0 0
= = =


Pelo resultado acima, observa-se que esta seria a mxima deflexo que este atuador
sob testes poderia mostrar. Uma medida para este deslocamento com ordem de grandeza
nanomtrica, s poderia ser realizada com o emprego de tcnicas e instrumentaes de
varredura a laser sob condies especiais imune de interferncias, o que no oferecido nas
condies do ensaio de resposta em freqncia.
5.6 Desempenho do transdutor como sensor
Em princpio o transdutor sob ensaios poderia ter sido colocado na cmara silenciosa
e posto a vibrar por meio de uma fonte mecnica oscilatria, medindo-se o sinal eltrico de
sada de modo direto. A soluo encontrada para medir o sinal de sada foi de acoplar
118
mecanicamente o dispositivo a um alto-falante por meio de uma haste rgida entre eles. No
entanto, a massa desta haste passando a fazer parte do conjunto vibratrio, interfere na
freqncia natural de oscilao do dispositivo e conseqentemente no forneceria valores
coerentes no ensaio de resposta em freqncia.
Abandonada esta idia, o transdutor sob testes foi submetido a vibraes causadas
indiretamente atravs de um alto-falante excitado por um gerador de udio, conforme mostra
o arranjo esquemtico na Fig. 5.5. Este transdutor sob testes foi ento submetido a ensaios de
resposta em freqncia como um sensor, tendo o sinal eltrico de sada conectado a um
amplificador auto-sintonizado (Lock-In), monitorado por um medidor de presso sonora
conectado por sua vez a um osciloscpio.

Figura 5.5: o mtodo indireto acstico para o sensor
(ALTAFIM, R. A. P., 2006)
Os resultados deste ensaio, verificando o comportamento do transdutor como um
sensor, no se mostraram confiveis e esta idia foi tambm posta de lado, devido gerao
de rudos pelo alto-falante no interior da cmara silenciosa e dificuldade de se determinar a
fora de excitao para se obter a amplitude da tenso eltrica de sada, ainda que de uma
forma aproximada (ALTAFIM, R. A. P., 2006).
5.7. Outras consideraes
O modelo linear e terico da elasticidade limitado para pequenas deflexes (flechas)
ou deformaes no condiz com deformaes maiores experimentadas na prtica,
caractersticas de membranas ou diafragmas, fora do regime de linearidade. Detalhes
119
construtivos do processo para a obteno da bolha termoformada fazem com que a sua
deformao se aproxime ao mximo quela de uma placa com bordas engastadas, ou a uma
membrana elstica, submetida a tenses tangenciais de trao, com um comportamento no
linear. Um mtodo primrio para se medir o coeficiente elstico de restituio seria atravs da
declividade na reta que mostra o comportamento da fora aplicada sobre a pelcula em funo
da deformao ou deflexo apresentada, desde que ela seja muito pequena para ser
considerada dentro do regime linear, exigindo para tal uma instrumentao mais sensvel, no
disponvel, alm de condies isoladas para a realizao do ensaio.
Como resultados deste trabalho, foram publicados e posteriormente apresentados
dois artigos em congressos internacionais do IEEE (Institute of Electric and Electronics
Engineers) (ALTAFIM et al., 2005) e (BASSO et al., 2006). Outro artigo mais detalhado a
este respeito foi tambm publicado na revista IEEE Transactions on Dielectric and
Electrical Insulation (ALTAFIM, R. A. C. et al., 2006), justificando o contedo abordado
neste trabalho.
121

6. CONCLUSES E PROPOSTAS FUTURAS

CONCLUSES
O desenvolvimento de um produto advm da concepo de uma idia que por sua
vez implica na definio de um modelo ou na construo de um prottipo, podendo ocorrer as
duas hipteses ou apenas uma delas. claro que a definio de um modelo comprovada pelo
comportamento de um prottipo oferece maior segurana como resposta da idia concebida e
conseqentemente a respeito do produto que se tenha em mente.
Esta tese de doutorado mostra que possvel uma previso do comportamento
eltrico e mecnico destes transdutores com eletretos em filmes polimricos envolvendo
bolhas de ar e empregar os modelos desenvolvidos para o sensor e o atuador, no projeto destes
dispositivos eletromecnicos, levando-se em conta os seus limites de operao condizentes
com a aplicao desejada.
Um prottipo deste transdutor eletromecnico foi produzido em laboratrio com
duas lminas de eletretos polimricos de Teflon

FEP e uma camada compressvel de ar entre

elas. O modelo analtico deste trabalho permite uma avaliao prvia do comportamento
dinmico deste dispositivo operando como um atuador, considerando a deformao elstica
existente em apenas uma bolha com ar sob presso.
Este transdutor comporta-se como um arranjo capacitivo em srie terminado por
dois eletrodos metlicos, em funo da deformao na bolha de ar compreendida entre as
pelculas. Respondendo com um sinal eltrico quando operando como um sensor, ou
fornecendo uma resposta mecnica como conseqncia da entrada de um sinal eltrico
comportando-se como um atuador. Este dispositivo implica na definio de um modelo
eltrico baseado em parmetros de circuitos envolvendo um modelo mecnico em que a
deformao na bolha de ar assume um papel de destaque no seu desempenho.
A deformao elstica na camada compressvel apresenta-se como uma contribuio
indita na realizao deste trabalho, sendo tomada como base para demonstrar o modelo que
estabelece o funcionamento deste transdutor eletromecnico com eletretos de uma forma
bilateral, isto , operando como sensor e como atuador, admitindo a inverso, mas no a
122
reciprocidade, caracterstica nos transdutores feitos com materiais realmente piezeltricos.
Observa-se ento que este dispositivo operando como sensor e como atuador no apresenta a
mesma sensibilidade.
Uma resposta linear com a entrada possvel desde que como sensor o dispositivo
opere em altas freqncias, ou com pequenas deformaes sem restries na freqncia de
operao. Operando como um atuador, tal linearidade s pode ser conseguida pela resposta de
pequenas deformaes.
Qualquer impedncia de sada pode ser colocada entre os terminais do dispositivo,
feitas as consideraes necessrias para a freqncia e para a defasagem entre a tenso e a
corrente, embora o funcionamento deste transdutor eletromecnico tenha sido mostrado com
os eletrodos terminados por uma carga resistiva, para simplificao dos resultados.
O modelo assim proposto emprega a carga eltrica aprisionada no dieltrico,
representada como uma fonte equivalente de tenso, com base nos mesmos princpios do
microfone de eletreto.
A fora de compensao dos vnculos estruturais impede o colapso entre as duas
pelculas carregadas com cargas iguais e polaridades opostas e se faz sempre presente. No
entanto, sua importncia s se faz relevante no modelo proposto ao atuador, tratando a fora
eltrica como um agente da deformao resultante. No entanto, observa-se que esta
compensao limita o carregamento eltrico das pelculas e o dimensionamento da bolha de ar
termoformada, evitando que os filmes polimricos se atraiam mutuamente.
A garantia de que a lei de Hooke possa ser aplicada, se faz admitindo apenas
pequenas deformaes elsticas, portanto lineares ou prximas desta condio.
O coeficiente de amortecimento especfico do dispositivo com uma bolha cilndrica
com 4 mm de dimetro, pelo mtodo acstico, indireto e inverso, foi obtido indiretamente
pelo ensaio de resposta em freqncia como um atuador, tendo em vista que a ressonncia
ocorreu numa freqncia abaixo da a limitao imposta pelo medidor de presso sonora, cuja
freqncia de corte de 8 kHz.
Este trabalho atingiu seus objetivos contribuindo com os passos iniciais dados na
direo de uma metodologia sistemtica, na definio e na produo de transdutores
eletromecnicos com eletretos polimricos, segundo as condies de operao e a aplicao
123
desejada. Trata-se do primeiro modelo analtico apresentado para estes transdutores
polimricos com eletretos, abordando uma nica bolha de ar termoformada como camada
compressvel para o funcionamento destes dispositivos eletromecnicos. Um erro relativo de
apenas 14 % verificado nos ensaios demonstra a confiabilidade neste modelo, considerando as
hipteses simplificadoras para o estabelecimento de um modelo analtico. Este trabalho
produziu como resultado cientfico publicaes de dois artigos em congressos e um em revista
tcnica de renomes internacionais. Desta forma, recomendado que o assunto seja mais
explorado em estudos e desenvolvimentos futuros.

PROPOSTAS FUTURAS
O modelo desenvolvido considerou apenas a deformao em uma bolha de ar,
servindo de referncia a proposies de modelos futuros contemplando transdutores
eletromecnicos com mltiplas cavidades de ar, atendendo a uma gama maior de freqncias
com sensibilidade adequada s aplicaes solicitadas, em funo da geometria das bolhas.
Assim, a concluso deste trabalho deixa um incentivo ao desenvolvimento de procedimentos
futuros que simulem o comportamento eletromecnico dos transdutores, recorrendo-se ao
auxlio de mtodos numricos, tais como, elementos e diferenas finitas, entre outros.
Este processo desenvolvido por mtodos analticos foi verificado por medidas
obtidas em laboratrio, dentro de restries impostas aos instrumentos utilizados e
disponveis. Acredita-se que o emprego de uma instrumentao mais sensvel em condies
favorveis aos ensaios venha a permitir que o modelo analtico proposto seja validado como
um todo, isto , como sensor e como atuador.
O erro relativo encontrado em torno de 14 % pode tambm ser reduzido mediante
consideraes inerentes ao processo de produo e realizao dos ensaios. Dentro deste
contexto, uma medida experimental do coeficiente de restituio elstica exige o emprego de
uma instrumentao de grande sensibilidade em um ambiente totalmente isolado para que a
coleta dos dados ocorra dentro da faixa linear de elasticidade, isto , com deformaes muito
pequenas.
A freqncia de ressonncia foi verificada na amostra ensaiada por estar em um valor
inferior quela de corte do medidor de presso sonora, isto , abaixo de 8 kHz. Uma
instrumentao mais sensvel ir favorecer medidas alm desta faixa, permitindo a
124
determinao da resposta em freqncia para validar modelos de transdutores com bolhas
mltiplas e microscpicas.
Prope-se para trabalhos futuros a realizao de ensaios de resposta em freqncia
no transdutor como sensor para complementar os testes de validade do modelo analtico
desenvolvido para o transdutor, de forma bilateral, sendo possvel a verificao da dualidade
entre os dois modos de operao.
Estes transdutores, desenvolvidos e modelados com eletretos polimricos envolvendo
uma bolha termoformada, podem substituir os acelermetros capacitivos e piezeltricos
dentro de restries operativas para condies lineares, com vantagens em relao aos
acelermetros convencionais. Possuem menor massa inercial, maior maleabilidade, tamanho
reduzido e provocam menos interferncia nas medidas, permitindo aplicaes em geometrias
e ambientes dos mais diversos e a um baixo custo.
A produo destes dispositivos eletromecnicos deve ser incentivada e desenvolvida
em escala de modo a levar o pas a uma independncia tecnolgica.
125

R E F E R N C I A S

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131

APNDICE A PLACA CIRCULAR E O PISTO EQUIVALENTE

O modelo proposto para o transdutor eletromecnico de eletretos em questo, leva
em considerao a presena de bolhas de ar envolvidas por duas pelculas polimricas, em
conseqncia do processo de formao trmica. Cada uma destas bolhas com ar sob presso
possui o formato de cilindros microscpicos, todos com altura d
0
e bases com raio a. A poro
do filme que se deforma, segundo o ilustrado esquerda na Fig. A.1, envolvendo cada bolha,
analisada em funo das caractersticas fsicas das pelculas, da geometria das bolhas
termoformadas e obviamente da fora aplicada.

Figura A.1: deformao na bolha e o pisto equivalente.
As bases de cada bolha cilndrica encontram-se envolvidas por duas pelculas
polimricas com mdulo de elasticidade de Young Y, espessura t e coeficiente de Poisson ,
cujo modelo mecnico estrutural o de uma placa circular engastada em todo o seu contorno.
No estudo de deformaes em placas, o mdulo de Young passa ento a ser substitudo por Y
/ (1
2
) e o momento de inrcia por t
3
/ 12. (TIMOSHENKO, 1959).
Com base em clculos estruturais, um coeficiente de rigidez flexo da placa ou
ainda um mdulo composto de elasticidade D para a placa, definido e empregado nos
clculos das deformaes em placas e diafragmas ou membranas onde:
) 1 ( 12
Yt
D
2
3

= (A.1)
Uma carga mecnica concentrada F, aplicada vertical e pontualmente no centro de
uma placa circular e horizontal de raio a, leva a uma deflexo tambm vertical z em toda a sua
132
extenso superficial e no mesmo sentido da carga, expressa em funo da distncia radial r do
seu centro. Para r no nulo tem-se:

=
r
a
ln 2 1 r a
D 16
F
) r ( z
2 2
(A.2)
A deflexo negativa em funo da orientao positiva do eixo z, vertical para cima.
Pela eq. (A.1) o mdulo de elasticidade D da placa encontra-se inversamente dependente do
quadrado da deformao vinculada ao esforo principal, isto , do coeficiente de Poisson.
No caso particular de uma pelcula de Teflon

FEP com espessura micromtrica, esta

deformao na tangencial, devido a uma solicitao normal, permite que o coeficiente de
Poisson seja aqui desprezado. Assim, tornando nulo o coeficiente de Poisson, a deflexo em
funo da distncia radial para cada placa circular polimrica passa a ser:

=
r
a
ln 2 1 r a
Yt 4
F 3
) r ( z
2 2
3
(A.3)
Pelo exemplo ilustrado, observa-se uma diminuio V no volume de cada bolha.
Tal variao volumtrica obtida pela integrao de discos circulares elementares, conforme
mostrado na Fig. A.2, cada um com raio r e espessura dz, centrados e empilhados.

Figura A.2: volume obtido pela integrao de discos elementares empilhados.
Por este procedimento, o volume de cada disco passa a ser dado em funo do raio de
modo que:
dz r dV
2
= (A.4)
Cada disco elementar encontra-se centrado e posicionado ao longo do eixo z, em
funo da distncia radial r. A variao de volume na bolha em decorrncia da deformao
sofrida pela placa obtida pela integrao dos volumes infinitesimais dV. Tomando-se o valor
133
de z na eq. (A.3) e derivando em relao ao raio r, obtm-se a espessura dz que aplicada na eq.
(B.4) fornece:
dr
r
a
ln r
Yt
F 3
dV
3
3

= (A.5)
Integrando a expresso acima, de r = 0 at r = a, obtm-se a variao V, resultante
da compresso do ar. Logo:

=
a
0
3
3
dr
r
a
ln r
Yt
F 3
V (A.6)
Tomando a integral acima e fazendo
4
r
v dr r dv
r
dr
du
r
a
ln u
4
3
= =
= =
(A.7)
Aps simplificao, a variao no volume de cada bolha devido compresso do ar
dada por:
3
4
Yt 16
Fa 3
V = (A.8)
Esta mesma variao de volume pode ser agora analisada na Fig. A.1, do lado
direito, por um pisto que se desloca verticalmente de uma distncia z , onde:
z a V
2
= (A.9)
Pela igualdade entre os volumes comprimidos, dados pela expresso acima e aquele
admitido pela deformao da placa engastada na eq. (A.8), obtm-se um deslocamento
z equivalente para um pisto que comprime o mesmo volume V. Logo,
3
2
Yt 16
Fa 3
z = (A.10)
Exatamente no centro de uma placa circular engastada, onde a fora aplicada, a
distncia radial nula e a deflexo mxima. Assim, para r = 0 tem-se pela eq. (A.3), a
menos do sinal, que:
134
3
2
max
Yt 4
Fa 3
z = (A.11)
Estabelecendo uma relao entre esta deflexo mxima sofrida pela placa circular e o
deslocamento uniforme e equivalente para o pisto, dado pela eq. (A.10), pode-se escrever
que:
z 4 z
max
= (A.12)
Em outras palavras o deslocamento do pisto corresponde quarta parte da deflexo
mxima real sofrida pela pelcula envolvendo cada bolha, quando uma fora concentrada no
centro dela aplicada.
135

ANEXO 1 ESPECIFICAO DOS FILMES DE TEFLON

FEP
DUPONT

Description
DuPont FEP film is a transparent, thermoplastic
film that can be heat sealed, thermoformed, vacuum
formed, heat bonded, welded, metalized, lami-
natedcombined with dozens of other materials,
and can also be used as an excellent hot-melt
adhesive.
This wide variety of fabrication possibilities
combines with the following important properties
to offer a unique balance of capabilities not avail-
able in any other plastic film.
Chemical Compatibility
Teflon

is the most inert of all plastics.

Complies with USFDA legislations for safe use
with food
DuPont FEP film is chemically inert and solvent-
resistant to virtually all chemicals, except molten
alkali metals, gaseous fluorine, and certain
complex halogenated compounds such as chlo-
rine trifluoride at elevated temperatures and
pressures.
Low permeability to liquids, gases, moisture, and
organic vapors
Electrical Reliability
Superior reliability and retention of properties
over large areas of film
High dielectric strength, over 6500 V/mil for
1 mil film (260 kV/mm for 0.025 mm film)
No electrical tracking, non-wettable, and non-
charring
Very low power factor and dielectric constant,
only slight change over wide ranges of tempera-
ture and frequency
*Type C film not recommended for outdoor use
Wide Thermal Range
Continuous service temperature 240 to 205C
(400 to 400F)
Melting range 250 to 280C (500 to 540F)
Heat sealable
Mechanical Toughness
Superior antistick and low frictional properties
High resistance to impact and tearing
Useful physical properties at cryogenic
temperatures
Long Time Weatherability*
Inert to outdoor exposure; no measurable change
after 20 years in Florida
High transmittance of ultraviolet and all but far
infrared
Reliability
DuPont FEP film contains no plasticizers or other
foreign materials
Conventional equipment and techniques can be
used for processing: basic composition and
properties will not be influenced
Rigid quality control by DuPont ensures uniform
gauge, void-free film
The convenience of Teflon

in easy-to-use film
facilitates the design and fabrication of this low-
friction thermoplastic for all sorts of high-
performance jobs. It is transparent and can be heat
sealed, thermoformed, welded, and heat bonded.
DuPont FEP
fluorocarbon film
Hi gh Perf ormance Fi l ms
Properties Bulletin
Teflon

Films
d
Teflon

is a registered trademark of DuPont.

2
Superior antistick properties make it an ideal
release film for many applications. A cementable
type with an invisible surface treatment is available
for bonding to none or both sides with adhesives.
This versatility is augmented by the superior
properties of a true melt-processible fluorocarbon
and by the wide choice of product dimensions
available from DuPont.
Table 1
Types and Gauges of DuPont FEP Fluorocarbon Film
Gauge 50 100 200 300 500 750 1000 1500 2000 3000 6000 9000 12500 19000
Thickness, mil 0.5 1 2 3 5 7.5 10 15 20 30 60 90 125 190
Thickness, m 12.5 25 50 75 125 190 250 375 500 750 1500 2300 3125 4750
Approximate area factor, ft
2
/lb 180 90 45 30 18 12 9 6.0 4.5 3 1.5 1 0.72 0.47
Approximate area factor, m
2
/kg 36 18 9 6 4 2.5 2 1.2 1 0.6 0.3 0.2 0.14 0.09
Availability
Type AFEP, general-purpose X X X X X X X X
Type CFEP, one side
cementable X X X X X
Type C-20FEP, both sides
cementable X X X X
Type LFEP, high stress crack
resistance in extreme X X X X X X X X X
environments
FEP 500 C
Resin type
Film thickness,
500 gauge, 5 mil
Film type cementable one side
Note: Each roll of DuPont film is clearly identified as
to resin type, film thickness, and film type.
3
Property Values of DuPont FEP Fluorocarbon Film
Typical Value
a
Property Test Method SI Units English Units
Mechanical
Tensile Strength at Break ASTM D-882 21 N/mm
2
3000 psi
Elongation at Break ASTM D-882 300%
Yield Point ASTM D-882 12 MPa 1700 psi
Elastic Modulus ASTM D-882 480 MPa 70 000 psi
Impact Strength DuPont pneumatic 7.7 10
3
J /m 144 ft-lb/in
impact tester
Folding Endurance (MIT) ASTM D-2176 10,000 cycles
Tear StrengthInitial (Graves) ASTM D-1004 2.65 N 270 g force
Tear StrengthPropagating (Elmendorf) ASTM D-1922 1.23 N 125 g
Bursting Strength (Mullen) ASTM D-774 76 kPa 11 psi
Thermal
Melt Point ASTM D-3418 (DTA) 260280C 500536F
Zero Strength Temperature
b
255C 490F
Coefficient of Thermal Conductivity Cenco-Fitch 0.195 W/mK 1.35 Btuin/hft
2
F
Specific Heat 1172 J /kgK 0.28 Btu/lbF
Heat Deflection Temperature ASTM D-648
at 0.46 N/mm
2
(66 psi) Tensile Bars 70C 158F
at 1.82 N/mm
2
(264 psi) 51C 124F
Dimensional Stability 30 min MD =0.72% expansion
at 150C (302F) TD =2.2% shrinkage
Flammability Classification
c
ANSI/UL 94 VTM-0
Oxygen Index ASTM D-2863 95%
(continued on next page)
a
For 0.025 mm (1 mil) film at 25C (77F) unless otherwise specified.
b
Temperature at which a film supports a load of 0.14 N/mm
2
(20 psi) for 5 sec.
c
This classification rating is not intended to reflect hazards presented by this or any other material under actual fire
conditions.
d
Samples melted in arc did not track.
e
To convert to cm
3
/100 in
2
24 hatm, multiply by 0.0645.
4
Property Values of DuPont FEP Fluorocarbon Film (continued)
Typical Value
a
Property Test Method SI Units English Units
Electrical
Dielectric Strength, short-time ASTM D-149
in air at 23C (73F), Method A
6.35 mm (1/4 in) diameter electrode,
0.79 mm (1/32 in) radius
60 Hz, 500 V/s rate of rise:
0.025 mm (1 mil) film 260 kV/mm 6500 V/mil
5 mm (20 mil) film 70 kV/mm 1800 V/mil
Dielectric Constant, ASTM D-150
25C (77F), 100 Hz to 1 MHz 2.0
40 to 225C (40 to 437F), 1000 Hz 2.021.93
Dissipation Factor, ASTM D-150
25C (77F), 100 Hz to 1 MHz 0.00020.0007
40 to 225C (40 to 437F), 1000 Hz 0.0002
40 to 240C (40 to 464F), 1 MHz 0.0005
Volume Resistivity, ASTM D-257
40 to 240C (40 to 464F) >1 10
18
mcm
Surface Resistivity, ASTM D-257
40 to 240C (40 to 464C) >1 10
16
/sq
Surface Arc Resistance ASTM D-495 >165 sec
d
Insulation Resistance Based upon 0.2 MF
at 100C (212F) wound capacitor 350,000 MohmF
at 150C (302F) sections, using single 250,000 MohmF
at 200C (392F) layer, Teflon

50A Film 65,000 MohmF

(continued on next page) a
For 0.025 mm (1 mil) film at 25C (77F) unless otherwise specified.
b
Temperature at which a film supports a load of 0.14 N/mm
2
(20 psi) for 5 sec.
c
This classification rating is not intended to reflect hazards presented by this or any other material under actual fire
conditions.
d
Samples melted in arc did not track.
e
To convert to cm
3
/100 in
2
24 hatm, multiply by 0.0645.
5
Property Values of DuPont FEP Fluorocarbon Film (continued)
Typical Value
a
Property Test Method SI Units English Units
Chemical
Moisture Absorption <0.01%
Weatherability Continuous exposure
in Florida No adverse effects after 20 yr
Permeability, Gas: ASTM D-1434 cm
3
/m
2
24 hatm
e
Carbon Dioxide 25.9 10
3
Hydrogen 34.1 10
3
Nitrogen 5.0 10
3
Oxygen 11.6 10
3
Permeability, Vapors: ASTM E-96 g/m
2
d g/100 in
2
24 h
Acetic Acid 6.3 0.41
Acetone 14.7 0.95
Benzene 9.9 0.64
Carbon Tetrachloride 4.8 0.31
Ethyl Alcohol 10.7 0.69
Hexane 8.7 0.56
Water 7.0 0.40
Teflon

is chemically inert and solvent-resistant to virtually all chemicals except molten alkali metals, gaseous
fluorine, and certain complex halogenated compounds such as chlorine trifluoride at elevated temperatures and
pressures.
Miscellaneous
Density ASTM D-1505 2150 kg/m
3
134 lb/ft
3
Coefficient of Friction ASTM D-1894
Kinetic (Film-to-Steel) 0.10.3
Refractive Index ASTM D-542 1.3411.347
Solar Transmission ASTM E-424 96%
a
For 0.025 mm (1 mil) film at 25C (77F) unless otherwise specified.
b
Temperature at which a film supports a load of 0.14 N/mm
2
(20 psi) for 5 sec.
c
This classification rating is not intended to reflect hazards presented by this or any other material under actual fire
conditions.
d
Samples melted in arc did not track.
e
To convert to cm
3
/100 in
2
24 hatm, multiply by 0.0645.
The data listed herein fall within the normal range of product properties but they should not be used to establish specification limits nor used alone as the
basis of design. The DuPont Company assumes no obligation or liability for any advice furnished by it or for results obtained with respect to these products.
All such advice is provided gratis and Buyer assumes sole responsibility for results obtained in reliance thereon. DuPont warrants that the material itself
does not infringe any United States patent but no license is implied nor is any further patent warranty made.
Caution: Do not use in medical applications involving permanent implantation in the human body. For other medical applications, see DuPont Medical
Caution Statement, H-50102.
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DuPont Films
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Asia Pacific
Japan
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Arco Tower
8-1, Shimomeguro 1-chome
Meguro-ku, Tokyo 153
Japan
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65-279-3434
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Bombay 400 051
India
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Fax: 91-22-6438297
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Teflon

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