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e
= mobilidade dos
portadores de carga
A condutividade eltrica
dos metais condutores
diminui medida que a
sua temperatura
aumenta.
! No link http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/elmat_en/kap_2/backbone/r2.html (do site da Technische Fakultt der Christian-
Albrechts-Universitt zu Kiel) h diversos tpicos sobre condutores. Veja em particular o item 2.1.1 que explica o conceito de
condutividade eltrica.
No caso de isolantes e semicondutores, um eltron torna-se livre quando salta da
banda de valncia para a banda de conduo, atravessando o gap de energia. A
energia de excitao necessria para tal mudana aproximadamente igual
largura da barreira.
CONDUTIVIDADE ELTRICA - SEMICONDUTORES E ISOLANTES
Excitao
do eltron
B
a
n
d
a
d
e
v
a
l
n
c
i
a
B
a
n
d
a
d
e
c
o
n
d
u
o
G
a
p
d
e
e
n
e
r
g
i
a
Buraco na
banda de
valncia
Eltron
livre
E
n
e
r
g
i
a
E
G
OCUPAO DOS ESTADOS ELETRNICOS
Antes da
excitao eletrnica
Aps a
excitao eletrnica
Quando o eltron sal-
ta da banda de valn-
cia para a banda de
conduo so gera-
dos tanto um eltron
livre quanto um bura-
co eletrnico.
A diferena entre
semicondutores e iso-
lantes est na largura
do gap de energia.
Comparada com a
largura do gap de
energia dos isolantes,
a dos semicondutores
bastante pequena.
MATERIAIS SEMICONDUTORES
SEMICONDUTORES INTRNSECOS so aqueles cujo comportamento eltrico
depende basicamente da estrutura eletrnica do material puro. Sua condutividade
eltrica geralmente pequena e varia muito com a temperatura.
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS so aqueles cujo comportamento eltrico
depende fortemente do tipo e da concentrao dos tomos de impurezas. A
adio de impurezas para a moldagem do comportamento eltrico dos semicon-
dutores chamada de DOPAGEM.
A maioria dos semicondutores comerciais elementais so extrnsecos; o mais
importante exemplo o Si, mas tambm esto nesta categoria o Ge e o Sn. a
possibilidade de adicionar impurezas diversas ao material puro que permite a
fabricao de uma variedade de dispositivos eletrnicos a partir do mesmo
material semicondutor.
Os semicondutores extrnsecos tm condutividade que varia pouco com a
temperatura e cujo valor controlado pela concentrao de impurezas. As
concentraes utilizadas variam de 10
14
cm
-3
(1 parte em 10
8
, considerando 10
22
tomos por cm
3
) a 10
20
cm
-3
(1 parte em 10
2
, que muito alta).
Semicondutores intrnsecos de compostos dos grupos III-V e II-VI vm adquirindo
crescente importncia para a indstria eletrnica nos ltimos anos.
SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Modelo de ligao eletrnica para a conduo eltrica no Silcio intrnseco
(a)
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
(b)
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Campo E
(c)
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Campo E
eltron livre
buraco
eltron de valncia
(a) Antes da excitao eletrnica.
(b) e (c) Aps a excitao eletrnica
(os movimentos subseqentes do
eltron livre e do buraco em resposta
a um campo eltrico externo).
A condutividade eltrica dos materiais semicondutores pode ser representada pela
equao
SEMICONDUTORES INTRNSECOS
# = n |e|
e
+ p |e|
b
,
Note que
e
>
b
.
A condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos aumenta medida que a
temperatura aumenta.
Para semicondutores intrnsecos, n = p. Portanto,
onde: n = nmero de eltrons livres por unidade de volume;
p = nmero de buracos eletrnicos por unidade de volume;
|e| = magnitude da carga dos portadores (1,6x10
-19
C);
e
= mobilidade dos eltrons livres;
b
= mobilidade dos buracos eletrnicos.
# = n |e| (
e
+
b
)
.
# $ n |e|
e
.
Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo n.
Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com P (valncia 5) gera eltrons
livres; uma impureza desse tipo chamada de doadora.
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n
Si Si Si Si
Si
Si
P
Si
Si
Si
Si
Si
(a)
Campo E
Si Si Si Si
Si
Si
P
Si
Si
Si
Si
Si
(c)
Si Si Si Si
Si
Si
P
Si
Si
Si
Si
Si
Campo E
(b)
(a) O tomo de impureza (P) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando em um eltron extra
ligado ao tomo de impureza.
(b) Excitao do eltron extra como conseqncia da aplicao de um campo eltrico externo,
formando-se um eltron livre.
(c) Movimento do eltron livre em resposta ao campo eltrico externo.
Para semicondutores do tipo n, os eltrons livres so os principais portadores de
corrente, isto , n >> p. Portanto,
Esquema da banda de energia
eletrnica para um nvel de impu-
reza doadora localizado dentro do
gap de energia, imediatamente
abaixo da parte inferior da banda
de conduo.
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n
Estado
doador
B
a
n
d
a
d
e
v
a
l
n
c
i
a
B
a
n
d
a
d
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c
o
n
d
u
o
G
a
p
d
e
e
n
e
r
g
i
a
E
n
e
r
g
i
a
Excitao de um estado doador
em que um eltron livre gerado
na banda de conduo.
Eltron livre
na banda de
conduo
B
a
n
d
a
d
e
v
a
l
n
c
i
a
B
a
n
d
a
d
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c
o
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d
u
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G
a
p
d
e
e
n
e
r
g
i
a
E
n
e
r
g
i
a
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p
Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo p.
Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com B (valncia 3) gera buracos
eletrnicos; uma impureza desse tipo chamada de receptora.
(a)
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
B
Si
Si
Si
(b)
Campo E
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
B
Si
Si
Si
(a) O tomo de impureza (B) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando na deficincia de um
eltron de valncia ou, de forma equivalente, num buraco eletrnico associado ao tomo de
impureza.
(b) Movimento do buraco eletrnico em resposta a um campo eltrico externo.
Para semicondutores tipo p, os buracos eletrnicos so os principais portadores de
corrente, isto , p >> n. Portanto,
# $ p |e|
b
.
Esquema da banda de energia
para um nvel de impureza
receptora localizado dentro do
gap de energia, imediatamente
acima da parte superior da banda
de valncia.
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p
Excitao de um eltron para o
nvel receptor, deixando para trs
um buraco na banda de valncia.
Estado
receptor
B
a
n
d
a
d
e
v
a
l
n
c
i
a
B
a
n
d
a
d
e
c
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u
o
G
a
p
d
e
e
n
e
r
g
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a
E
n
e
r
g
i
a
Buraco na
banda de
valncia
B
a
n
d
a
d
e
v
a
l
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c
i
a
B
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n
d
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G
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p
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g
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