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BC-1105: MATERIAIS E SUAS PROPRIEDADES

UNIVERSIDADE FEDERAL DO ABC


Centro de Engenharia, Modelagem e Cincias Sociais
Aplicadas (CECS)
PROPRIEDADES ELTRICAS DOS MATERIAIS
INTRODUO
Resistncia eltrica e a lei de Ohm
Resistividade e condutividade eltrica
Lei de Ohm
Condutividade eltrica
Bandas de energia nos slidos
Condutividade eltrica dos metais
Condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos
Condutividade eltrica dos semicondutores extrnsecos tipo n
Condutividade eltrica dos semicondutores extrnsecos tipo p
RESISTNCIA ELTRICA
O comportamento dos materiais, em resposta aplicao de um CAMPO ELTRICO externo,
define as PROPRIEDADES ELTRICAS dos materiais.
As propriedades eltricas dependem de diversas caractersticas dos materiais, dentre as
quais mencionamos a configurao eletrnica, o tipo de ligao qumica e os tipos de
estrutura e microestrutura.
A CORRENTE ELTRICA o movimento de portadores de carga que ocorre dentro dos
materiais, em resposta ao de um campo eltrico externo. So portadores de carga:
eltrons, buracos eletrnicos, ctions e nions.
LEI DE OHM
U Volts (V) = J / C
I Ampres (A) = C / s
R Ohms (!) = V / A
Unidades SI:
U = R I
Representao esquemtica de um arranjo experimental
que permite medir a resistncia eltrica de um corpo.
Voltmetro
Amostra
Bateria
Ampermetro
Resistor Varivel
rea da seo
Transversal, A
Em 1827 Georg Simon Ohm, baseado em
evidncias experimentais e utilizando o
conceito RESISTNCIA ELTRICA (R) de um
corpo, formulou uma lei que relaciona a
VOLTAGEM (U) aplicada sobre o corpo com a
CORRENTE ELTRICA (I) que o atravessa.
! No applet http://www.mste.uiuc.edu/users/Murphy/Resistance/default.html h uma animao em que voc pode variar a
resistncia de um resistor e a voltagem sobre ele aplicada enquanto observa a corrente que flui pelo resistor.
! Em http://www.cvs1.uklinux.net/calculators/ voc encontrar uma calculadora da lei de Ohm.
RESISTIVIDADE E CONDUTIVIDADE ELTRICA
Para um corpo cilndrico de comprimento L e seo transversal de rea A (veja a
figura da transparncia n 3), define-se a RESISTIVIDADE ELTRICA (") do material
do qual o corpo constitudo por
!Note que a resistncia uma PROPRIEDADE DO CORPO enquanto a resisitividade
uma PROPRIEDADE DO MATERIAL do qual o corpo constitudo.
" Ohms-metro (! .m) = V.m / A Unidade SI:
# (Ohms-metro)
-1
(! .m)
-1
= A / V.m Unidade SI:
A CONDUTIVIDADE ELTRICA (#) de um material uma medida da facilidade com
que ele capaz de conduzir uma corrente eltrica. Define-se a condutividade
eltrica como sendo o inverso da resistividade,
" = R (A / L)
# = 1 / "
!Cuidado com a notao! Observe que, de acordo com a notao do livro texto, estamos utilizando
a letra A para denotar tanto a rea da seo transversal do corpo cilndrico como a unidade de
corrente o mpere.
LEI DE OHM
Utilizando o conceito de CONDUTIVIDADE (#), a LEI DE OHM
determina que a DENSIDADE DE CORRENTE (J) num dado
material diretamente proporcional ao CAMPO ELTRICO
(E) aplicado sobre o mesmo.
J = # E
E = U/ L Volts-metros
-1
(V/m) = J / m.C
J = I/A Ampres -metros
-2
(A/m
2
) = C / m
2
.s
Unidades SI:
!Observao: O carater vetorial das diversas grandezas aqui consideradas ser
omitido em nosso tratamento matemtico, ou seja, trataremos apenas de casos de
materiais isotrpicos sujeitos a campos eltricos constantes.
!Como exerccio para casa, mostre que as equaes U = R I (veja o slide n 3) e
J = # E so equivalentes.
CONDUTIVIDADE ELTRICA
Condutividade ! em (".m)
-1
de uma variedade de materiais temperatura ambiente.
ISOLANTES CONDUTORES
10
-14
10
-18
10
-10
10
-16
10
-6
10
-12
10
-2
10
-8
10
2
10
-4
10
6
10
0
10
4
10
8
SEMICONDUTORES
Os materiais slidos podem ser classificados, de acordo com a magnitude
de sua condutividade eltrica, em trs grupos principais: CONDUTORES,
SEMICONDUTORES e ISOLANTES.
Ag
Cu
NaCl
quartzo
madeira
seca
grafite
borracha
SiO
2
porcelana
mica
GaAs
Si
Ge
Si dopado
Mn
Fe
polietileno
concreto
(seco)
poliestireno
vidro
CONDUTIVIDADE ELTRICA
Para uma compreenso aprofundada das propriedades eltricas dos
materiais necessitamos considerar o carter ondulatrio dos eltrons e
fazer uso de conceitos da mecnica quntica, mas isto est alm do
escopo desta disciplina.
Na aula de hoje, explicaremos a condutividade eltrica dos materiais
utilizando, de forma simplificada, alguns conceitos provindos da mecnica
quntica. Em particular, consideraremos o MODELO DE BANDAS DE
ENERGIA ELETRNICA NOS SLIDOS.
O MODELO DOS ELTRONS LIVRES dos metais supe que o material
composto por um gs de eltrons que se movem num retculo cristalino
formado por ons pesados. Esse modelo prev corretamente a forma
funcional da lei de Ohm. No entanto, ele prev incorretamente os valores
observados experimentalmente para a condutividade eltrica.
Por exemplo, para o cobre temos:
#
calculado
= 5,3 x 10
6
(!.m)
-1
e #
experimental
= 59 x 10
6
(!.m)
-1
.
Considere um conjunto de N tomos. A distncias de separao
relativamente grandes, cada tomo independente de todos os demais, e
tem os nveis de energia atmica e a configurao eletrnica que teria se
estivesse isolado. Contudo, medida que esses tomos se aproximam
uns dos outros, os eltrons sentem a ao dos eltrons e ncleos dos
tomos adjacentes ou so perturbados por eles. Essa influncia tal que
cada estado atmico distinto pode se dividir em uma srie de estados
eletrnicos proximamente espaados no slido, para formar o que
conhecido por BANDA DE ENERGIA ELETRNICA.
A extenso da diviso depende da separao interatmica e comea com
as camadas eletrnicas mais externas, uma vez que elas so as primeiras
a serem perturbadas quando os tomos coalescem.
Dentro de cada banda, os estados de energia so discretos, embora a
diferena de energia entre os estados adjacentes seja excessivamente
pequena.
BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS
BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS
Grfico esquemtico da energia eletrnica em funo da separao interatmica
para um agregado de 12 tomos (N = 12). Com a aproximao cada um dos
estados atmicos 1s e 2s se divide para formar uma banda de energia eletrnica
que consiste em 12 estados. Cada estado de energia capaz de acomodar dois
eltrons que devem possuir spins com sentidos opostos.
Separao interatmica
E
n
e
r
g
i
a
Estados energticos individuais permitidos
Banda de energia
eletrnica 2s
(12 estados)
Banda de energia
eletrnica 1s
(12 estados)
Estado eletrnico 2s
Estado eletrnico 1s
!Representao convencional
da estrutura da banda de
energia eletrnica para um
material slido na separao
interatmica de equilbrio.
Gap de energia
Banda de energia
Banda de energia
E
n
e
r
g
i
a
Separao
interatmica
E
n
e
r
g
i
a
Separao
Interatmica
de equilbrio
1s (N estados)
2p (3N estados)
2s (N estados)
BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS
Bandas de energia eletrnica para um material slido formado por N tomos.
!Representao convencional
da estrutura da banda de
energia eletrnica para um
material slido na separao
interatmica de equilbrio.
!Energia eletrnica em funo da se-
parao interatmica para um agrega-
do de N tomos, ilustrando como a
estrutura da banda de energia na
separao interatmica de equilbrio
gerada.
ESTRUTURAS DE BANDAS DE ENERGIA NOS SLIDOS
Estruturas de bandas de energia possveis para slidos a 0 K.
(a) Bandas de energia de METAIS tais como o cobre (Z = 29, 3d
10
4s
1
) nos quais se
encontram disponveis, na mesma banda de energia, estados eletrnicos no
preenchidos acima e adjacentes a estados eletrnicos preenchidos.
(b) Bandas de energia de METAIS tais como o magnsio (Z = 12, 1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
) nos quais
ocorre a superposio das bandas de energia mais externas, a preenchida e a no-
preenchida.
(c) Bandas de energia tpicas de ISOLANTES: a BANDA DE VALNCIA (banda de energia
preenchida) separada da BANDA DE CONDUO ( banda de energia no-preenchida)
por um GAP DE ENERGIA (banda de energia proibida, ou seja, barreira de energia) de
largura relativamente grande (>2 eV).
(d) Bandas de energia de SEMICONDUTORES: a estrutura de bandas de energia
semelhante dos isolantes, mas com gaps de energia de larguras menores (<2 eV).
Banda de
valncia
preenchida
Gap de energia
Banda de
conduo
vazia
Banda de
valncia
preenchida
Gap de energia
Banda de
conduo
vazia
Banda
preenchida
Banda
vazia
E
f
Estados
preenchidos
Estados vazios
Gap de energia
Banda
vazia
E
f
(a) (b) (c) (d)
A ENERGIA DE FERMI, E
f
, uma conseqncia do carter estatstico do
comportamento dos eltrons e do Princpio de Excluso de Pauli. Para
metais a T = 0 K, E
f
definida como a energia mxima dos estados
eletrnicos ocupados. Para semicondutores e isolantes E
f
tem um valor
situado na faixa de energias do poo de potencial.
Nos metais, somente eltrons com energia maior que E
f
podem ser
acelerados na presena de um campo eltrico. Esses eltrons so os que
participam do processo de conduo e so chamados de ELTRONS
LIVRES.
Em semicondutores e isolantes, os BURACOS ELETRNICOS tm energia
menor que E
f
e tambm participam do processo de conduo.
O processo de conduo se origina na mobilidade dos PORTADORES DE
CARGA.
CONDUTIVIDADE ELTRICA
Em metais, um eltron torna-se livre quando passa para um estado de energia disponvel e
no preenchido acima de E
f
; pequena a energia necessria para tal mudana.
CONDUTIVIDADE ELTRICA - METAIS
A condutividade eltrica dos metais pode ser representada pela equao
OCUPAO DOS ESTADOS ELETRNICOS
Antes da
excitao eletrnica
Aps a
excitao eletrnica
E
n
e
r
g
i
a
E
f
Excitao
do eltron
E
f
Estados
preenchidos
Estados
vazios
# = n |e|
e
n = nmero de portado-
res de carga (eltrons)
por unidade de volume
|e| = magnitude da car-
ga dos portadores
(1,602x10
-19
C)

e
= mobilidade dos
portadores de carga
A condutividade eltrica
dos metais condutores
diminui medida que a
sua temperatura
aumenta.
! No link http://www.tf.uni-kiel.de/matwis/amat/elmat_en/kap_2/backbone/r2.html (do site da Technische Fakultt der Christian-
Albrechts-Universitt zu Kiel) h diversos tpicos sobre condutores. Veja em particular o item 2.1.1 que explica o conceito de
condutividade eltrica.
No caso de isolantes e semicondutores, um eltron torna-se livre quando salta da
banda de valncia para a banda de conduo, atravessando o gap de energia. A
energia de excitao necessria para tal mudana aproximadamente igual
largura da barreira.
CONDUTIVIDADE ELTRICA - SEMICONDUTORES E ISOLANTES
Excitao
do eltron
B
a
n
d
a

d
e
v
a
l

n
c
i
a
B
a
n
d
a

d
e
c
o
n
d
u

o
G
a
p

d
e
e
n
e
r
g
i
a
Buraco na
banda de
valncia
Eltron
livre
E
n
e
r
g
i
a
E
G
OCUPAO DOS ESTADOS ELETRNICOS
Antes da
excitao eletrnica
Aps a
excitao eletrnica
Quando o eltron sal-
ta da banda de valn-
cia para a banda de
conduo so gera-
dos tanto um eltron
livre quanto um bura-
co eletrnico.
A diferena entre
semicondutores e iso-
lantes est na largura
do gap de energia.
Comparada com a
largura do gap de
energia dos isolantes,
a dos semicondutores
bastante pequena.
MATERIAIS SEMICONDUTORES
SEMICONDUTORES INTRNSECOS so aqueles cujo comportamento eltrico
depende basicamente da estrutura eletrnica do material puro. Sua condutividade
eltrica geralmente pequena e varia muito com a temperatura.
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS so aqueles cujo comportamento eltrico
depende fortemente do tipo e da concentrao dos tomos de impurezas. A
adio de impurezas para a moldagem do comportamento eltrico dos semicon-
dutores chamada de DOPAGEM.
A maioria dos semicondutores comerciais elementais so extrnsecos; o mais
importante exemplo o Si, mas tambm esto nesta categoria o Ge e o Sn. a
possibilidade de adicionar impurezas diversas ao material puro que permite a
fabricao de uma variedade de dispositivos eletrnicos a partir do mesmo
material semicondutor.
Os semicondutores extrnsecos tm condutividade que varia pouco com a
temperatura e cujo valor controlado pela concentrao de impurezas. As
concentraes utilizadas variam de 10
14
cm
-3
(1 parte em 10
8
, considerando 10
22
tomos por cm
3
) a 10
20
cm
-3
(1 parte em 10
2
, que muito alta).
Semicondutores intrnsecos de compostos dos grupos III-V e II-VI vm adquirindo
crescente importncia para a indstria eletrnica nos ltimos anos.
SEMICONDUTORES INTRNSECOS
Modelo de ligao eletrnica para a conduo eltrica no Silcio intrnseco
(a)
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
(b)
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Campo E
(c)
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Campo E
eltron livre
buraco
eltron de valncia
(a) Antes da excitao eletrnica.
(b) e (c) Aps a excitao eletrnica
(os movimentos subseqentes do
eltron livre e do buraco em resposta
a um campo eltrico externo).
A condutividade eltrica dos materiais semicondutores pode ser representada pela
equao
SEMICONDUTORES INTRNSECOS
# = n |e|
e
+ p |e|
b
,
Note que
e
>
b
.
A condutividade eltrica dos semicondutores intrnsecos aumenta medida que a
temperatura aumenta.
Para semicondutores intrnsecos, n = p. Portanto,
onde: n = nmero de eltrons livres por unidade de volume;
p = nmero de buracos eletrnicos por unidade de volume;
|e| = magnitude da carga dos portadores (1,6x10
-19
C);

e
= mobilidade dos eltrons livres;

b
= mobilidade dos buracos eletrnicos.
# = n |e| (
e
+
b
)

.
# $ n |e|
e
.
Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo n.
Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com P (valncia 5) gera eltrons
livres; uma impureza desse tipo chamada de doadora.
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n
Si Si Si Si
Si
Si
P
Si
Si
Si
Si
Si
(a)
Campo E
Si Si Si Si
Si
Si
P
Si
Si
Si
Si
Si
(c)
Si Si Si Si
Si
Si
P
Si
Si
Si
Si
Si
Campo E
(b)
(a) O tomo de impureza (P) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando em um eltron extra
ligado ao tomo de impureza.
(b) Excitao do eltron extra como conseqncia da aplicao de um campo eltrico externo,
formando-se um eltron livre.
(c) Movimento do eltron livre em resposta ao campo eltrico externo.
Para semicondutores do tipo n, os eltrons livres so os principais portadores de
corrente, isto , n >> p. Portanto,
Esquema da banda de energia
eletrnica para um nvel de impu-
reza doadora localizado dentro do
gap de energia, imediatamente
abaixo da parte inferior da banda
de conduo.
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO n
Estado
doador
B
a
n
d
a

d
e
v
a
l

n
c
i
a
B
a
n
d
a

d
e
c
o
n
d
u

o
G
a
p

d
e
e
n
e
r
g
i
a
E
n
e
r
g
i
a
Excitao de um estado doador
em que um eltron livre gerado
na banda de conduo.
Eltron livre
na banda de
conduo
B
a
n
d
a

d
e
v
a
l

n
c
i
a
B
a
n
d
a

d
e
c
o
n
d
u

o
G
a
p

d
e
e
n
e
r
g
i
a
E
n
e
r
g
i
a
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p
Modelo de ligao eletrnica para a semiconduo extrnseca do tipo p.
Por exemplo, a dopagem do Si (valncia 4) com B (valncia 3) gera buracos
eletrnicos; uma impureza desse tipo chamada de receptora.
(a)
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
B
Si
Si
Si
(b)
Campo E
Si Si Si Si
Si
Si
Si
Si
B
Si
Si
Si
(a) O tomo de impureza (B) substitui um tomo hospedeiro de Si, resultando na deficincia de um
eltron de valncia ou, de forma equivalente, num buraco eletrnico associado ao tomo de
impureza.
(b) Movimento do buraco eletrnico em resposta a um campo eltrico externo.
Para semicondutores tipo p, os buracos eletrnicos so os principais portadores de
corrente, isto , p >> n. Portanto,
# $ p |e|
b
.
Esquema da banda de energia
para um nvel de impureza
receptora localizado dentro do
gap de energia, imediatamente
acima da parte superior da banda
de valncia.
SEMICONDUTORES EXTRNSECOS DO TIPO p
Excitao de um eltron para o
nvel receptor, deixando para trs
um buraco na banda de valncia.
Estado
receptor
B
a
n
d
a

d
e
v
a
l

n
c
i
a
B
a
n
d
a

d
e
c
o
n
d
u

o
G
a
p

d
e
e
n
e
r
g
i
a
E
n
e
r
g
i
a
Buraco na
banda de
valncia
B
a
n
d
a

d
e
v
a
l

n
c
i
a
B
a
n
d
a

d
e
c
o
n
d
u

o
G
a
p

d
e
e
n
e
r
g
i
a
E
n
e
r
g
i
a

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