INSTITUTO

POLITCNICO NACIONAL
ESCUELA SUPERIOR DE INGIENERA
MECNICA Y ELCTRICA
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Dispositivos
Practica 6
POLARIZACION DE TRANSISTOR BIPOLAR
Reyes Aquio !ose
"rupo #C$%
CORTES GOMEZ MARTN ANTONIO
Objetivos:
1. Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) del circuito de polarizacin
independientemente de la beta para el transistor bipolar y comparar estos valores con los
calculados tericamente. Observar, medir y reportar como se modifica el punto de
operacin cuando se usan transistores de diferente beta.
2. Observar y distinguir el comportamiento del transistor bipolar en sus tres regiones de
operacin, corte, activa directa y saturacin. Medir los voltajes y corrientes (punto de
operacin) en cada una de estas regiones.
. Observar el comportamiento de los circuitos reguladores de corriente y voltaje con
transistor bipolar. Medir y reportar los voltajes y las corrientes a la salida y obtener los
rangos de variacin de la resistencia de carga (!"), en #ue se conserva la regulacin,
tanto para el regulador de corriente como para el de voltaje.
DESARROLLO EXPERIMENTAL
$onceptos b%sicos
&l transistorbipolar o '() es un dispositivo de tres capas de material semiconductor. &n la
*igura 1 se muestra una representacin f+sica de la estructura b%sica de dos tipos de
transistor bipolar,
-.- y .-., en dic/a figura tambi0n se ilustran sus respectivos s+mbolos el0ctricos. &l
transistor bipolar -.- contiene una delgada regin p entre dos regiones n. Mientras #ue
el transistor bipolar .-. contiene una delgada regin n entre dos regiones p. "a capa
intermedia de laterial semiconductor se conoce como regin de la base, mientras #ue las
capas e1ternas conforman las regiones de colector y de emisor. &stas est%n asociadas a
las terminales de base, colector y emisor respectivamente.
Operacin en la zona de corte. &n esta zona e1iste una muy pe#ue2a cantidad de
corriente circulando del emisor al colector, comport%ndose el transistor de manera
an%loga a un circuito abierto. "a caracter+stica #ue define la zona de corte es #ue ambas
uniones, tanto la unin colector3base como la unin base3emisor, se encuentran
polarizadas inversamente.
Operacin en la zona de saturacin. &n la zona de saturacin circula una gran cantidad
de corriente desde el colector al emisor y se tiene solo una pe#ue2a ca+da de voltaje entre
estas terminales. &l comportamiento del transistor es an%logo al de un interruptor cerrado.
&sta zona se caracterizaor#ue las uniones colector3base y base3emisor se encuentran
polarizadas directamente.
Operacin en la regin activa. "a regin activa del transistor bipolar es la zona #ue se
utiliza para usar el dispositivo como amplificador. "a caracter+stica #ue define a la regin
activa es #ue la unin colector3base esta polarizada inversamente, mientras #ue la unin
base3emisor se encuentra polarizada en forma directa.
$aracter+sticas de 4oltaje contra $orriente .ara describir el comportamiento de los
transistores bipolares, se re#uiere de dos conjuntos de caracter+sticas, #ue dependen a su
vez de la configuracin usada. 5na de ellas describe la caracter+stica de voltaje contra
corriente de entrada, y la otra, la caracter+stica de voltaje contra corriente de salida.
$onfiguracin de base com6n. &n esta configuracin, la terminal de la base es com6n a
los lados de entrada (&misor) y salida ($olector), y usualmente se conecta a un potencial
de tierra (o se encuentra m%s cercana a este potencial). &sta configuracin se ilustra en la
*igura 2. "a fuente de voltaje 4'' brinda polarizacin directa a la unin '3& y controla la
corriente del emisor 7&.
-ota, $orriente de colector y corriente de emisor no son e1actamente iguales, pero se
toman como tal, debido a la pe#ue2a diferencia #ue e1iste entre ellas, y #ue no afectan en
casi nada a los circuitos /ec/os con transistores.
Material,
8 Mult+metro analgico y9o digital
8 *uente de voltaje $.:. (variable)
8 2 )ransistores de silicio -.- )).;1 o
8 2 :iodos <ener de =.>4
8 1 :iodo led rojo
8 ; )ransistores (le silicio -.- '$=;?
8 ; !esistencias de 1 @A< a B.= C
8 1 !esistencia dr. 1BB @A2 a B.= C
8 !esistencias de 2.2 @AD. a B.= C
8 1 !esistencia de ;? @A2 a B.= C
8 2 !esistencias (le ;.? @A< a B.= C
8 1 !esistencia de . @A< a B.= C
8 1 !esistencia de E2BA< a B.= C
8 1 !esistencia de 1B @A< a B.= C
8 ; !esistencias de 1BB F a 2 C
8 2 !esistencias de 22B A< a 2 C
8 2 !esistencias de =>B A2 a 2 C
8 1 !esistencia de => =2 a 2 C
8 1 !esistencia de 1B A< a 2 G,GH
8 1 !esistencia de B 12 a 2 C
8 1 !esistencia de 1=B F a 2 C
8 2 .otenciometros de 1B @I a 2C
8 5na pinza de punta
8 5na pinza de corte
8 > cables caim%n 3 caim%n de =Bcm.
8 > cables caim%n 3 banana de =Bcm.
8 > cables banana 3 banana de =Bcm.
8 ; cables coa1iales #ue tengan en un e1tremo
caimanes
8 )ablilla c+e cone1iones (protoboard)
Experimentos
1. &s re#uisito #ue para antes de realizar la pr%ctica el alumno presente por escrito y en
forma concisa y breve los siguientes puntos,
a) &l an%lisis
b) &l funcionamiento c) "a operacin
d) &l comportamiento matem%tico
:e cada uno de los circuitos propuestos.
&l profesor deber revisar #ue el alumno cumpla con este punto antes de entrar a
laboratorio, as+ como #ue se presente con los correspondientes debidamente armados, de
-O satisfacer estas indicaciones el alumno -o tendr% derec/o a #uedarse en el
laboratorio y se le considerara como falta al mismo.
2. Medir los voltajes y corrientes (punto de operacin) del circuito de polarizacin con
divisor de voltaje independientemente de su beta para el transistor bipolar y comparar
estos valores con los calculados tericamente. Observar, medir y reportar como se
modifica el punto (le operacin cuando se usan transistores (le diferente beta.
Jrmar el circuito de polarizacin conocida como circuito de polarizacin
independientemente de la beta, el cual se muestra en la figura 1, medir los valores de
voltaje y corriente #ue se solicitan en la tabla 1 y compararlos con los valores calculados
tericamente. (el alumno antes de realizar esta pr%ctica deber% /aber calculado los
valores de voltaje y corriente solicitados y los resultados deber%n anotarse en la columna
correspondiente de la tabla 1).
&stas mediciones se realizar%n con dos transistores '$=;? con el fin (le comparar el
punto de operacin en cada caso y comprobar si efectivamente este circuito depende o no
deK valor de la beta #ue tenga el transistor (en los transistores bipolares a6n teniendo el
mismo n6mero de fabricacin. el valor de la beta no siempre es el mismo sino #ue varia
de transistor a transistor. por esta razn en muc/as aplicaciones es necesario trabajar con
circuitos de polarizacin #ue sean independientes de la beta, como es el caso #ue nos
ata2e).
$olocar el transistor 1 (con beta 1) y realizar las mediciones indicadas, luego #uitar 0ste y
colocar el transistor 2 (con beta 2) y repetir las mediciones, llenar la tabla con estos
valores.
*igura 1 circuito de polarizacin con divisor de voltaje independiente de la beta.
Parmetro a
medir
Valor calculado
tericamente
Valor medido
para el transistor
1
Valor medido
para el transistor
2
Vce(V) 0.7 9.07 14.77
Vbe(V) 0.7 0.62 0.73
Vce(V) 2.49 .27 14.4!
"b(u#) .!!u# 297u# 0.143$10%4
"c(u#) 1.!6m# 3.2m# 14.m#
"e(u#) 1.4!m# 3.6m# 14.m#
&'(# 10 123 10!
)abla 1
.ara el calculo terico, use el valor de la beta propuesto en el circuito de la figura 1
(LM1EB). $on los valores medidos de corriente y voltaje en el laboratorio, determine el
valor real de la beta para cada transistor.
. Observar y distinguir el comportamiento del transistor bipolar en sus tres regiones de
operacin, corte, activa directa y saturacin. Medir los voltajes y corrientes (punto de
operacin) en cada una de estas regiones.
Jrmar el circuito de la figura 2 y variar el voltaje de la fuente 411, para llevar al
transistor a las diferentes regiones de operacin (corte. activa directa y saturacin), medir
los valores de voltaje y corriente (punto de operacin) para las tres regiones de trabajo,
llenar la tabla 2, en la #ue se /an indicado los valores apro1imados de la corriente de
colector #ue se debe tener en la regin de corte y el voltaje de colector N emisor para las
regiones de saturacin y activa directa.
*igura 2 $ircuito propuesto para llevar al transistor bipolar a trabajar en sus diferentes
regiones de operacin.
&l diodo "&: se usa para observar visualmente estas regiones (el "&: estar% apagado
cuando el transistor este en la regin de corte, el "&)) presentar% poca intensidad
luminosa en la regin activa directa y mayor intensidad luminosa cuando se encuentre en
la regin de saturacin.
)e*ion de
operacion
Vce(V) Vbe(V) Vcb(V) "b(u#) "c(u#)
+orte 97.4mV 0.67 0.! 0.014m# 10u#
#cti,a
-irecta
!V 0.77 16.7 0.20!m# 13.66m#
.aturacion 0.2V 0.7! 0.!4 0.033m# 1.67m#
CUESTIONARIO
1. Jnalizar y obtener las ecuaciones del punto de operacin para el circuito de
polarizacin por retroalimentacin de colector mostrado en la figura
*igura $ircuito de polarizacin por retroalimentacin de voltaje para el transistor bipolar.
2. Jnalizar y obtener las ecuaciones del punto de operacin para el
circuito de polarizacin fija de emisor com6n mostrado en la figura ;
*igura ; $ircuito de polarizacin fija de emisor com6n para el transistor bipolar.
. Oaga un an%lisis comparativo de los puntos de operacin para los circuitos de
polarizacin independiente de la beta P$u%l de ellos es m%s usado y por #u0Q
4. $uando la corriente de base es cero, P$mo es la corriente de colector del
transistor bipolarQ
:e la ecuacin, vemos #ue el /*& es directamente proporcional a 7c pero
inversamente a la 7' , por lo tanto si la corriente de base es cero entonces la
corriente del colector se /ace MJRO!.
=. :ibuje la recta de carga en el plano 4$& 3 7$ y ubi#ue los puntos de operacin de
corte, saturacin y activa directa para el circuito de la figura 2, use los datos de la
>. tabla 2
&n esta pr%ctica se nos mostr el funcionamiento de los transistores bipolares, cu%l de
ellos es el m%s utilizado y su forma de obtener su mejor funcionamiento y su influencia
#ue tiene la beta en estos.