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2.7 de ganancia total en ambas etapas.
Observacin: En ambas configuraciones las seales de salida son iguales por lo tanto
Al variar nuestra resistencia de carga podremos modificar la corriente de salida sin
alterar el voltaje.
Amplificador Bjt en Cascada sin R5:
Amplificador Bjt-Jfet en Cascada:
Seal de Entrada Seales de Salida
Simulacin:
CLCULOS DEL CIRCUITO
Seal de entrada=160mV
Salida Etapa 1 = 1.4v
Salida Etapa 2 = 16v
Ganancias por Etapas:
Ganancia Etapa 1:
= 7.5
Ganancia Etapa 2:
= 100
VG = 0.82v
VG = - ID x RS
0.82 = - ID x(680)
ID = 1.2mA
VD = Vdd - ID x Rd
VD = (20v) (1.12mA) x (2.4k)
VD = 17.3v
V1 = (20 x 4.7k)/(15k+4.7k) = 4.77v
IC = 0.7mA
VC = Vcc - IC * RC
VC = (20v) - (0.7mA) x (2.4k)
VC = 18.32v
Av Etapa 1 = 17.3v / -0.82v = - 21.1
Av Etapa 2 = 18.32v / 4.77v = 3.84
Av Total = (21.1) x (3.84) = 81.03
Observacin: Los resultados de la prctica con la teora implicada varia un poco
pero no significativamente debido al cambio del transistor FET el cual se tuvo
que utilizar un k105.
Par Darlington:
Seal de Entrada y Salida
Simulacin:
CLCULOS DEL CIRCUITO
Q1
y
Q2
= 300
Ganancia total =
Q1
*
Q2
= 90000
( )
( )
Seal de Par Darlington sin resistencia de carga:
Observacin: En el primer circuito observamos como la seal de entrada y salida son iguales, al
retirar la resistencia de carga la seal de salida queda totalmente contina al quedar conectada
a tierra al igual que los ejercicios anteriores.
Espejo de Corriente:
CLCULOS DEL CIRCUITO
Valores Reales
Observacin: Al realizar las medidas de corriente se observa que al compararlas con la
terica existe una variacin a causa de las caractersticas el transistor k105 el cual
acta como reemplazo del 2N5459.
V
1
10.18 v
V
2
5.03 v
I
x
3.1 mA
IDSS 2.9 mA
CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES
Se puso en funcionamiento los conocimientos adquiridos dentro del curso de
fuentes y amplificadores.
Se estudiaron y analizaron los transistores BJT y FET como amplificadores
discretos en sus diferentes configuraciones.
Siempre tratar de conseguir exactamente los materiales de la gua ya que para
algunos procesos los reemplazos no son tan efectivos e incluso te arrojan datos
significativamente diferentes debido a las caracteriscas de cada elemento.
Se monto el respectivo circuito en protoboard del esquema a base de
transistores BJT y FET como amplificador discreto en sus diferentes
configuraciones.
Probar la continuidad de todos los puentes hechos con el cobre en la protoboard
antes de sacar conclusiones.
Se lograron calcular las ganancias que ejercen los transistores BJT-FET en las
diferentes etapas dentro de una configuracin de amplificacin.
Se aprendi a identificar seales amplificadas por elementos discretos.